TWI589180B - 發光模組的驅動方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種發光模組的驅動方法,特別關於一種以數值方法計算驅動電流的發光模組及其驅動方法。
以發光模組來照明已經是一件很平常的事情了,近年來以發光二極體或其他高效率發光元件組成的發光模組逐漸成為一種潮流。然而,以發光二極體或其他高效率發光元件來做出一個具有特定發光頻譜的發光模組並不是一件容易的事情。通常的設計方式是設計者以人力搭配模擬軟體,經由試誤法經過多次的嘗試來得到一個可以接受的發光頻譜。這使得具有非常見發光頻譜的發光模組的設計曠日費時。同時,由於發光二極體或其他高效率發光元件在長時間使用後會有光衰的現象,從而使得老舊的發光模組所發出的光並不僅僅是較昏暗,其發光頻譜更與當初設計的發光頻譜相差甚多。
因此,需要一個可自動依據目標頻譜(當初設計的發光頻譜)以及發光模組中每個發光元件的發光頻譜來計算每個發光元件的驅動電流的方法,並且此方法必須能實現於現有的發光模組上。
有鑑於以上的問題,本發明提出一種發光模組的驅動方法,依據目標頻譜以及多個發光元件的發光頻譜,計算出對應於多個發光元件的多個驅動電流,使得多個發光元件所組合出的發光頻譜接近於目標頻譜。
依據本發明的一種發光模組的驅動方法,包含設置對應有不同發光頻譜的P個發光元件組成一個目標群組,每一個發光元件分別於N個子頻段對應有N個功率參數。依據目標頻譜與目標群組中的P個發光元件的N×P個功率參數,計算出對應於目標群組中的P個發光元件的P個估計電流值,目標頻譜於N個子頻段對應有N個目標頻譜值。依據目標頻譜、對應於目標群組的N×P個功率參數與P個估計電流值,計算發光頻譜誤差。以及,判斷此發光頻譜誤差是否符合判斷準則,其中當此發光頻譜誤差符合此判斷準則時,設定此P個估計電流值為前述P個發光元件的P個驅動電流值,P與N為正整數。
此外,本發明提出一種發光模組,應用前述驅動方法,可以依據目標頻譜以及多個發光元件的發光頻譜,計算出對應於多個發光元件的多個驅動電流,使得多個發光元件所組合出的發光頻譜接近於目標頻譜。
依據本發明的一種發光模組,包含對應有不同發光頻譜的P個發光元件組成的一目標群組以及一處理元件。P
個發光元件中每一發光元件分別於N個子頻段對應有N個功率參數。處理元件,電性連接至P個發光元件,用以依據P個發光元件的N×P個功率參數與一個目標頻譜,計算出對應於P個發光元件的P個估計電流值,目標頻譜於N個子頻段對應有N個目標頻譜值。處理元件再依據目標頻譜、對應於目標群組的N×P個功率參數與P個估計電流值,計算發光頻譜誤差,並判斷發光頻譜誤差是否符合一個判斷準則。其中當發光頻譜誤差符合判斷準則時,設定P個估計電流值為P個發光元件的P個驅動電流值以驅動P個發光元件。
綜上所述,依據本發明所實現的發光模組的驅動方法可以依據一個目標頻譜以及多個發光元件所對應的多個功率參數,來計算出用來驅動每個發光元件的驅動電流值,使得所混合產生的光線對應的頻譜接近於目標頻譜。此外,更可以動態地更新每個發光元件的功率參數,藉此可以使依據本發明實現的發光模組不因光衰而導致發光頻譜偏移。
以上之關於本發明內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理,並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。
1、1’‧‧‧發光模組
11‧‧‧發光組件
13‧‧‧處理元件
15‧‧‧光譜分析元件
17‧‧‧記憶元件
111~119‧‧‧發光元件
第1圖,係依據本發明一實施例的發光模組的功能方塊圖。
第2圖,係本發明一實施例中一發光元件的發光頻譜示意
圖。
第3圖,係依據本發明一實施例的發光模組驅動方法的流程圖。
第4A圖,為本發明一實施例中發光元件111的發光頻譜示意圖。
第4B圖,為本發明一實施例中發光元件113的發光頻譜示意圖。
第5圖,係依據本發明一實施例的發光模組的驅動方法流程圖。
第6圖,係依據本發明另一實施例的發光模組的功能方塊圖。
以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點,其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施,且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式,任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點,但非以任何觀點限制本發明之範疇。本發明中的N、P、K均用以代表為非負整數。
關於應用本發明中發光模組驅動方法的發光模組,請參照第1圖,其係依據本發明一實施例的發光模組的功能方塊圖。如第1圖所示,發光模組1包含由K個發光元
件所組成的發光組件11以及處理元件13。其中K個發光元件可以被分為由P個發光元件所組成的目標群組,以及由Z個發光元件所組成的待選群組,其中目標群組與待選群組彼此互斥。處理元件13與前述發光組件11中的K個發光元件電性連接。此發光模組1可以依據一個目標頻譜來決定對應於K個發光元件的K個驅動電流,以此K個驅動電流驅動此K個發光元件可以使此K個發光元件發出的光線所對應的發光頻譜分布趨近於前述目標頻譜。本發明下述多個實施例中以9個發光元件111至發光元件119來解釋此驅動方法的運作方式,然而本發明並不限定發光元件的數量。
發光元件111至發光元件119中的每一個發光元件具有特定的發光頻譜。舉例來說,請參照第2圖,其係本發明一實施例中一發光元件的發光頻譜示意圖。如第2圖所示,發光元件111的發光頻譜在可見光波段(光波長為380奈米至780奈米)可以分割為N個子頻段,且每個子頻段對應一個功率參數。舉例來說,一個子頻段對應到的波段可以是1奈米、10奈米或100奈米,於所屬技術領域具通常知識者可自由設計波段的寬度,在此本發明並不加以限制。
更明確的說,一個子頻段所對應的功率參數可以被解釋為每一單位電流(例如1毫安培、1微安培或者其他適當的單位電流量)流過時,發光元件111所發出的光在此子頻段的光通量。並且,發光元件111至發光元件119中的每一
個發光元件的發光頻譜不完全相同。舉例來說,發光元件111所對應的光譜中,波長420奈米的光通量最高,相對的發光元件119所對應的光譜中,波長700奈米的光通量最高。因此,本發明多個實施例中所揭示的的方法可以藉由控制每一個發光元件的驅動電流來調整每個發光元件在每個子頻段的光通量,從而組合多個發光元件得到近似於目標頻譜的光通量分布。當每個子頻段對應到的光通量分布與目標頻譜近似時,表示這多個發光元件所發出來的光線組合得到的發光頻譜近似於目標頻譜。依據一實施例,發光元件可以是發光二極體、有機發光二極體、或是其他可以發出可見光的電子元件,於此不作限制。
處理元件13用以依據前述K個發光元件(以本實施例為例為9個)中每個發光元件所對應的N個功率參數(共N×K個功率參數),其中至少部份功率參數,來決定K個發光元件中每個發光元件的驅動電流值。依據一實施例,處理元件13可以是特殊應用積體電路(application-specific integrated circuit,ASIC)、進階精簡指令集機器(advanced RISC machine,ARM)、中央處理單元(central processing unit,CPU)、單晶片控制器或其他適於執行運算及控制指令的設備,於此不作限制。
關於處理元件13決定K個發光元件中每個發光元件的驅動電流值的方法,或者說本發明一實施例中發光模
組1的驅動方法,請一併參照第1圖至第3圖。其中第3圖係依據本發明一實施例的發光模組驅動方法的流程圖。如步驟S310所示,處理元件13從K個發光元件中,設置對應有不同發光頻譜的P個發光元件組成一個目標群組,其中每一個發光元件分別於N個子頻段對應有N個功率參數。如此,K個發光元件被分為由P個發光元件組成的目標群組以及由Z個發光元件所組成的待選群組,其中K=P+Z。如步驟S320所示,處理元件13依據前述P個發光元件的N×P個功率參數與目標頻譜,計算出對應於前述P個發光元件的P個估計電流值,其中此目標頻譜於N個子頻段對應有N個目標頻譜值。如步驟S330所示,處理元件13依據此目標頻譜、對應於前述目標群組的N×P個功率參數與前述P個估計電流值,計算得到發光頻譜誤差。如步驟S340所示,處理元件13判斷前述發光頻譜誤差是否符合判斷準則。
在判斷發光頻譜誤差是否符合判斷準則的步驟中,當發光頻譜誤差符合判斷準則時,如步驟S350所示,處理元件13設定前述P個估計電流值為前述P個發光元件的P個驅動電流值。當發光頻譜誤差不符合判斷準則時,如步驟S360所示,處理元件13依據發光頻譜誤差、對應於目標群組中P個發光元件的該N×P個功率參數與對應於待選群組中Z個發光元件的N×Z個功率參數,計算目標群組中P個發光元件與待選群組中Z個發光元件中每一發光元件所對應的相關
係數。並且如步驟S370所示,處理元件13選擇待選群組Z個發光元件中的一個發光元件加入目標群組,其中被選擇的發光元件所對應的相關係數符合一個選擇準則。之後可以回到步驟S320。
為了詳細說明上揭步驟,請參照第1圖以及第3圖,以下說明以第1圖中發光元件111至發光元件119為例。關於步驟S310,在一種實作方式中,從發光元件111至發光元件119中選擇P個發光元件的方法可以任意選擇P個(例如為3個)發光元件。在另一種實作方式中,可以預先選擇P個發光元件。在又一種實作方式中,可以從發光元件111至發光元件119中任選兩個發光元件,將這兩個發光元件的發光頻譜每個子頻段的功率參數相乘,以得到這兩個發光元件的相依係數。而後選擇彼此相依係數最低的P個發光元件。
請參照第4A圖至第4B圖,第4A圖為本發明一實施例中發光元件111的發光頻譜示意圖,第4B圖為本發明一實施例中發光元件113的發光頻譜示意圖。舉例來說,如第4A圖以及第4B圖所示,發光元件111以及發光元件113的發光頻譜分別被分割成5個子頻段,且每個子頻段分別有其對應的功率參數,也就是功率參數A111_1至A111_5以及功率參數A113_1至A113_5。當要計算發光元件111以及發光元件113的相依係數時,以下列方程式計算:
上述方程式(1)中,R111_113代表發光元件111與發光元件113之間的相依係數。當發光元件111至發光元件119中任意兩個發光元件的相依係數越高,則表示這兩個發光元件的發光頻譜越接近。反之,若任意兩個發光元件的相依係數越低,則表示這兩個發光元件的發光頻譜差異越大。因此,若想要從發光元件111至發光元件119中選擇兩個發光元件作為目標群組時,則選擇相依係數最低的兩個發光元件。假設相依係數最低的兩個發光元件是發光元件113與發光元件117,則若想選擇第三個發光元件作為目標群組之一時,可以選擇相關於發光元件113的相依係數與相關於發光元件117的相依係數的和最低的發光元件。
此外,在另一個實作方式中,從發光元件111至發光元件119中選擇P個發光元件的方法,可以將目標頻譜以及每個發光元件的發光頻譜都分別分割成N個子頻段。如此一來,目標頻譜被分割成N個子頻段,每個子頻段有對應的一個目標頻譜值,所謂目標頻譜值就是對應的子頻段的光通量的目標值。同時,每一個發光元件的發光頻譜也被分割成N個子頻段,且這N個子頻段與目標頻譜的N個子頻段一一對應。這N個子頻段中的每一個子頻段也分別有所對應的發光元件在此子頻段的功率參數。所謂一個子頻段的功率參
數可以是一個發光元件受到每一單位驅動電流(例如為一毫安培)時,在此子頻段產生的光通量。接著從發光元件111至發光元件119中任意挑選一個發光元件或者依序挑選一個發光元件,將被挑選出來的發光元件的發光頻譜的N個子頻段對應的N個功率參數,與目標頻譜的N個子頻段對應的N個目標頻譜值相乘而取乘積和,如果把N個功率參數以及N個目標頻譜值視為兩個N維向量,則這個乘積和可以用來代表這兩個N維向量(也就是N個功率參數以及N個目標頻譜)彼此的投影量。藉此方法可以得到每一個發光元件的發光頻譜與目標頻譜的相關係數。
舉例來說,當計算發光元件113的發光頻譜與目標頻譜的相關係數時,假設N等於5,則可利用下列方程式計算:
上述方程式(2)中,R113_d為發光元件113的發光頻譜與目標頻譜的相關係數,A113_i為發光元件113的第i個子頻段的功率參數,而Ad_i為目標頻譜的第i個子頻段的目標頻譜值。當計算出每個發光元件的發光頻譜與目標頻譜的相關係數後,可以從發光元件111至發光元件119中挑選P個相關係數最高的發光元件,或是從相關係數高於一個相關係數門檻值的數個發光元件中挑選P個發光元件,從而組成一個目標群組。
關於步驟S320,在一個實作方式中,要執行依據前述P個發光元件的N×P個功率參數與目標頻譜,計算出對應於前述P個發光元件的P個估計電流值的步驟,可以非負最小平方法來運算。此方法的一種流程詳述如下,先將前述N×P個功率參數整理成一個N×P的功率參數陣列AP,其中每一行對應於一個發光元件,每一列對應於一個子頻段。並將目標頻譜的N個子頻段對應的N個目標頻譜值整理成一個N×1的目標頻譜陣列B,而後以下列矩陣運算來計算得到一個P×1的中繼電流陣列SP,則中繼電流陣列SP中的P個元素分別對應於P個發光元件的P個中繼電流值。
S P =[(A P ) T A P ]-1(A P ) T B (3)其中(AP)T係為功率參數陣列Ap的轉置矩陣,而[(AP)TAp]-1係為[(AP)TAP]的反矩陣。藉由上述方程式(3)可以一次計算出P個發光元件對應的P個中繼電流值,理想上用這樣的P個中繼電流值來當作驅動電流可以使P個發光元件發出的光混合起來相等於目標頻譜。而後,若這P個中繼電流值都為非負值,則將這P個中繼電流值作為估計電流值,並把前述待選群組中的Z個發光元件對應的Z個電流值都設定為0,從而組成一個K×1的估計電流陣列X。
在某些狀況中,前述P個中繼電流值中的某些中繼電流值為負值,而實際上用來驅動發光元件的電流為負值則沒有任何物理意義。因此必須修正中繼電流陣列SP而使P
個中繼電流值都為非負值,其方法詳述如下。首先,將先前計算過得到的P個中繼電流值整理為P×1的紀錄電流陣列XP,如果從來未曾計算過,則將紀錄電流陣列XP中的每個元素設為零。而後,從P個中繼電流值中找出一個負的電流值,依據紀錄電流陣列XP、被找出來的這個負的電流值以及這P個中繼電流值,來計算出一個修正過的紀錄電流陣列XP。將修正過的紀錄電流陣列XP中為零的元素對應的發光元件從目標群組移動至待選群組。而後重複步驟S320,直到最後得到的中繼電流陣列SP中所有的元素值均大於零,此時將中繼電流陣列SP作為紀錄電流陣列XP,並且跟待選群組中的Z個發光元件對應的Z個電流值(都為0)一起組成估計電流陣列X。
關於步驟S330,在一個實作方式中,要執行依據此目標頻譜、對應於前述目標群組的N×P個功率參數與前述P個估計電流值,計算得到發光頻譜誤差的步驟。係以下列方程式計算:E=B-AX (4)其中E為一個N×1的發光頻譜誤差陣列E,發光頻譜誤差陣列E中的每個元素的值對應於N個子頻段其中之一的發光頻譜誤差值。估計電流陣列X為一個K×1的陣列。而陣列A為目標群組的P個發光元件的N×P個功率參數,及待選群組的Z個發光元件的N×Z個功率參數所組成的一個N×K的矩陣。由於估計電流陣列X中包含有Z個為0的元素(電流值)與P
個來自於中繼電流陣列SP的電流值,因此方程式(4)也可以寫成下列方程式(4-1)E=B-A P S P (4-1)
關於步驟S340,在一個實作方式中,要判斷前述發光頻譜誤差是否符合判斷準則時,所使用的判斷準則可以是「是否發光頻譜誤差陣列E的所有元素的絕對值都小於一個預設的容忍值」,其中預設的容忍值是一個正實數。在另一個實作方式中,判斷準則可以是「發光頻譜誤差陣列E中的特定數個元素的平方值的總和小於一個預設的容忍值」,其中預設的容忍值是一個正實數,特定數個元素可以被事先選擇,也可以是全部的元素。在更一個實作方式中,判斷準則可以是「此次計算出來的發光頻譜誤差陣列E是否為計算出來的多個發光頻譜誤差陣列E中,特定數個元素的平方值的總和最小的一個發光頻譜誤差陣列E」。依據本發明的精神,判斷準則也可以有其他的設定方式,在此不加以限制。
關於步驟S360,在一個實作方式中,要依據發光頻譜誤差、對應於目標群組中P個發光元件的該N×P個功率參數與對應於待選群組中Z個發光元件的N×Z個功率參數,計算目標群組中P個發光元件與待選群組中Z個發光元件中每一發光元件所對應的相關係數,可以依據下列方程式計算:w=A T (B-AX) (5)
其中w為一個N×1的相關係數陣列w,A為一個N×K的功率參數陣列A,其中功率參數陣列A中的每一行對應於K個發光元件其中之一。藉由上列方程式(5)可以計算出K個發光元件中每個發光元件與發光頻譜誤差的相關係數。
關於步驟S370,在一個實作方式中,要選擇待選群組Z個發光元件中的一個發光元件加入目標群組,其中被選擇的發光元件所對應的相關係數符合一個選擇準則,此選擇準則可以是從Z個發光元件中,選擇所對應的相關係數最高的一個發光元件。在另一個實作方式中,選擇準則可以是給定一個相關係數門檻值,從Z個發光元件中相關係數高於此相關係數門檻值的數個發光元件內,選擇其中之一。藉步驟S360以及步驟S370,可以找出適合用來補償發光頻譜誤差的一個發光元件。
於本發明另一實施例中,請參照第5圖,其係依據本發明一實施例的發光模組的驅動方法流程圖。首先如步驟S510所示,以非負最小平方法求得多個發光元件中每個發光元件的估計電流值。所述非負最小平方法即為第3圖與相關段落所描述的方法。再如步驟S520所示,記錄前述多個發光元件對應的多個估計電流值中最大的估計電流值。而如步驟S530所示,判斷此估計電流值是否大於所對應的發光元件的容許電流上限值。若此估計電流值未大於容許電流上限值,則結束此方法,以前述多個估計電流值作為多個驅動電
流值以驅動對應的多個發光元件。若此估計電流值大於容許電流上限值,則如步驟S540所示,更把此容許電流上限值列入計算依據,而後回到步驟S510重新以非負最小平方法計算多個發光元件中多個發光元件的多個估計電流值。因此在本實施例中所計算出來的多個驅動電流值都不會大於容許電流上限值。
明確來說,在步驟S540中,若最大的估計電流值大於容許電流上限值,會執行修正程序。依據此程序,會找出目標群組的P個發光元件中,對應於最大的估計電流值的第一發光元件。而後以容許電流上限值作為對應第一發光元件的第一估計電流值。而後回到步驟S510,將第一發光元件對應的第一估計電流值固定不動,而計算出對應於目標群組的P個發光元件中,除了第一發光元件以外的P-1個發光元件的P-1個估計電流值。
此外,由於有必要監測並更新發光元件的發光頻譜,在本發明一實施例中,監測並更新發光元件的發光頻譜的方法詳述如下。於一種實作方式中,請參照第6圖,其係依據本發明另一實施例的發光模組的功能方塊圖。如第6圖所示,相較於第1圖中的發光模組1,第6圖中的發光模組1’更包含了一個光譜分析元件15以及一個記憶元件17。光譜分析元件15與記憶元件17分別跟處理元件13電性連接。於第一種實作方式中,光譜分析元件15係用以在被致能時,偵測
並分析發光元件111至119其中之一的發光頻譜。於第二種實作方式中,光譜分析元件15用以在被致能時,偵測並分析發光元件111至119所發出的光線所混合的發光模組1’出射光的頻譜。而記憶元件17係用以儲存對應於發光元件111至119的多筆功率參數的資料、目標頻譜、以及處理元件13所需要暫時儲存的資料。依據本發明的精神,記憶元件17可以是靜態隨機存取記憶體、動態隨機存取記憶體、唯讀記憶體、電子可程式唯讀記憶體、快閃記憶體等具有儲存資料功能的記憶裝置,並不特別限定於揮發性記憶裝置或非揮發性記憶裝置。
在第一種實作方式中,每次啟動發光模組1’的時候,發光元件111至119會先被依序的致能及解除致能,而使同時間僅有一個發光元件被致能。同時,光譜分析元件15會依序分別偵測並分析發光元件111至119的發光頻譜,而處理元件13會把光譜分析元件15分析所得到的9個發光頻譜分別更新至記憶元件17中,對應於發光元件111至119的9個發光頻譜的紀錄。而後進行如第3圖所示的流程,以利用發光元件111至發光元件119來得到一個發光頻譜趨近於目標頻譜的出射光。藉由這種方法,由於發光元件,尤其是發光二極體,的反應時間很快,可以在相當短的時間內完成上述的流程,而不會讓使用者察覺到發光模組1’有延遲啟動的現象。
在第二種實作方式中,在發光模組1’已經被啟動的狀態下,可以每隔一段時間快速地依序關閉並重新致能或是快速啟動並重新關閉發光元件111至119(端視在發光模組1’被啟動的狀態下,該發光元件是否被致能而定),由於依據第3圖所示的流程圖啟動發光模組1’後,發光元件111至119中每一個發光元件的驅動電流已經固定。因此可以據以算出發光元件111至119中每一個發光元件對應的N個功率參數。
舉例來說,假設發光模組1’啟動時發光元件115被0.5安培的電流所驅動,則光譜分析元件15先偵測並分析正常狀態下發光模組1’所發出的第一光譜,而後處理元件13快速地將發光元件115關閉,此時光譜分析元件15偵測並分析當發光元件115被關閉時發光模組1’所發出的第二光譜,接著,光譜分析元件15將第一光譜以及第二光譜都傳送給處理元件13。處理元件13可以根據第一光譜、第二光譜以及驅動發光元件115的0.5安培電流來算出發光元件115在N個子頻段對應的N個功率參數。處理元件13以這N個功率參數來更新儲存於記憶元件17中對應於發光元件115的N個功率參數。藉此,可以隨時更新每個發光元件的功率參數,並能依據當前的功率參數來調整發光模組1’中每個發光元件的驅動電流。
綜上所述,依據本發明所實現的發光模組及其驅動方法可以依據一個目標頻譜以及多個發光元件所對應的多
個功率參數,來計算出用來驅動每個發光元件的驅動電流值。並計算以前述多個驅動電流值驅動發光元件所產生的頻譜誤差值,當頻譜誤差值不符合預期時,再另外找出與頻譜誤差值相關係數最高一個發光元件並重複本發明的流程,最後得到多個發光元件以及對應的多個驅動電流,使得所混合產生的光線對應的頻譜接近於目標頻譜。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內,所為之更動與潤飾,均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
Claims (10)
- 一種發光模組的驅動方法,包含:判斷K個發光元件中每一該發光元件與其他任一發光元件的一相依係數,該K個發光元件中每一該發光元件分別於N個子頻段對應有N個功率參數,每一該相依係數與該K個發光元件中任二發光元件於每一該子頻段的該功率參數相關;從該K個發光元件中,設置P個發光元件組成一目標群組,該P個發光元件中任兩個發光元件的該相依係數低於其他K-P個發光元件中任兩個發光元件的該相依係數;依據該P個發光元件的該N×P個功率參數與一目標頻譜,利用非負最小平方法計算出對應於該P個發光元件的P個估計電流值,該目標頻譜於該N個子頻段對應有N個目標頻譜值;依據該目標頻譜、對應於該目標群組的該N×P個功率參數與該P個估計電流值,計算一發光頻譜誤差;以及判斷該發光頻譜誤差是否符合一判斷準則;其中當該發光頻譜誤差符合該判斷準則時,設定該P個估計電流值為該P個發光元件的P個驅動電流值,P與N為正整數。
- 如請求項1所述的發光模組的驅動方法,更包含由Z個發光元件組成的一待選群組,該Z個發光元件中的每一發光元件分別於該N個子頻段對應有N個功率參數,該待選群組與該目標群組互斥,Z為正整數,且其中在判斷該發光頻譜誤差是否符合該判斷準則的步驟中,當該發光頻譜誤差不符合該判斷準則時,包含:依據該發光頻譜誤差、對應於該P個發光元件的該N×P個功率參數與對應於該Z個發光元件的該N×Z個功率參數,計算該Z個發光元件中每一發光元件所對應的相關係數;以及依據該相關係數選擇該Z個發光元件中一發光元件加入該目標群組。
- 如請求項1所述的發光模組的驅動方法,其中在計算出對應於該P個發光元件的該P個估計電流值的步驟中,係利用SP=[(AP)TAP]-1(AP)TB其中SP為一P×1陣列,SP的每一個元素對應於該P個估計電流值其中之一,AP為一N×P陣列,AP的每一行由對應於該P個發光元件其中之一的該N個功率參數所組成,B為一N×1陣列,B的每一個元素對應於該N個目標頻譜值其中之一。
- 如請求項1所述的發光模組的驅動方法,其中在計算該發光頻譜誤差的步驟中,係利用E=B-APSP其中E為一N×1陣列,E的每一個元素對應於該N個子頻段其中之一的一誤差值,SP為一P×1陣列,SP的每一個元素對應於該P個估計電流值其中之一,AP為一N×P陣列,AP的每一行由對應於該P個發光元件其中之一的該N個功率參數所組成,B為一N×1陣列,B的每一個元素對應於該N個目標頻譜值其中之一。
- 如請求項1所述的發光模組的驅動方法,其中在設定該P個估計電流值為該P個發光元件的P個驅動電流值的步驟中,包含:找出該P個估計電流值中一最大估計電流值;將該最大估計電流值與一容許電流上限值比較;若該最大估計電流值大於該容許電流上限值,則執行一修正程序,該修正程序包含:找出該P個發光元件中,對應於該最大估計電流值的一第一發光元件;以該容許電流上限值作為對應該第一發光元件的第一估計電流值;以及回到依據該P個發光元件的該N×P個功率參數與該目標頻譜,計算出對應於該P個發光元件的P個 估計電流值的步驟,並更依據該容許電流上限值計算出對應於該P個發光元件中,除了該第一發光元件以外的該P-1個發光元件的該P-1個估計電流值;以及若該最大估計電流值都不大於該容許電流上限值,以該P個估計電流值為該P個驅動電流值。
- 一種發光模組的驅動方法,包含:判斷K個發光元件中每一該發光元件與一目標頻譜的一相依係數,該K個發光元件中每一該發光元件分別於N個子頻段對應有N個功率參數,該目標頻譜於該N個子頻段對應有N個目標頻譜值,每一該相依係數與每一該發光元件於該N個子頻段的該功率參數和該N個目標頻譜值相關;從該K個發光元件中,設置P個發光元件組成一目標群組,該P個發光元件中每一該發光元件的該相依係數高於其他K-P個發光元件中每一該發光元件的該相依係數;依據該P個發光元件的該N×P個功率參數與一目標頻譜,利用非負最小平方法計算出對應於該P個發光元件的P個估計電流值;依據該目標頻譜、對應於該目標群組的該N×P個功率參數與該P個估計電流值,計算一發光頻譜誤差;以及 判斷該發光頻譜誤差是否符合一判斷準則;其中當該發光頻譜誤差符合該判斷準則時,設定該P個估計電流值為該P個發光元件的P個驅動電流值,P與N為正整數。
- 如請求項6所述的發光模組的驅動方法,更包含由Z個發光元件組成的一待選群組,該Z個發光元件中的每一發光元件分別於該N個子頻段對應有N個功率參數,該待選群組與該目標群組互斥,Z為正整數,且其中在判斷該發光頻譜誤差是否符合該判斷準則的步驟中,當該發光頻譜誤差不符合該判斷準則時,包含:依據該發光頻譜誤差、對應於該P個發光元件的該N×P個功率參數與對應於該Z個發光元件的該N×Z個功率參數,計算該Z個發光元件中每一發光元件所對應的相關係數;以及依據該相關係數選擇該Z個發光元件中一發光元件加入該目標群組。
- 如請求項6所述的發光模組的驅動方法,其中在計算出對應於該P個發光元件的該P個估計電流值的步驟中,係利用SP=[(AP)TAP]-1(AP)TB其中SP為一P×1陣列,SP的每一個元素對應於該P個估計電流值其中之一,AP為一N×P陣列,AP的每一行 由對應於該P個發光元件其中之一的該N個功率參數所組成,B為一N×1陣列,B的每一個元素對應於該N個目標頻譜值其中之一。
- 如請求項6所述的發光模組的驅動方法,其中在計算該發光頻譜誤差的步驟中,係利用E=B-APSP其中E為一N×1陣列,E的每一個元素對應於該N個子頻段其中之一的一誤差值,SP為一P×1陣列,SP的每一個元素對應於該P個估計電流值其中之一,AP為一N×P陣列,AP的每一行由對應於該P個發光元件其中之一的該N個功率參數所組成,B為一N×1陣列,B的每一個元素對應於該N個目標頻譜值其中之一。
- 如請求項6所述的發光模組的驅動方法,其中在設定該P個估計電流值為該P個發光元件的P個驅動電流值的步驟中,包含:找出該P個估計電流值中一最大估計電流值;將該最大估計電流值與一容許電流上限值比較;若該最大估計電流值大於該容許電流上限值,則執行一修正程序,該修正程序包含:找出該P個發光元件中,對應於該最大估計電流值的一第一發光元件; 以該容許電流上限值作為對應該第一發光元件的第一估計電流值;以及回到依據該P個發光元件的該N×P個功率參數與該目標頻譜,計算出對應於該P個發光元件的P個估計電流值的步驟,並更依據該容許電流上限值計算出對應於該P個發光元件中,除了該第一發光元件以外的該P-1個發光元件的該P-1個估計電流值;以及若該最大估計電流值都不大於該容許電流上限值,以該P個估計電流值為該P個驅動電流值。
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