TWI584444B - Circuit system with no power supply wiring for photothermal power generation - Google Patents

Description

具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統

本項發明創作係關於一種「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路，尤指一種利用太陽能晶片、電池組晶片、熱發電晶片與電路晶片組合成多層晶片供電結構，以光熱發電蓄電並直接提供該電路晶片工作所需之電源電能，使一電氣裝置能以節能省電之特性供電予電氣裝置內部各個電路晶片使用且無需外部電力電源及額外電源佈線的新式電路晶片供電電路者。

按，在現今石油供應短缺、油價高漲的時代，石油相關能源的使用成本皆大幅提高，同時，為了地球環境考量，避免因使用石油過度排放二氧化碳而造成環境的劇烈改變，各方均倡導節能減碳的相關做法，其中，有效地利用新式能源供電予電氣裝置使用，就是節能減碳的一種具體做法。

習用電氣裝置(如可攜式或手持裝置：平板電腦、智慧型手機等)內部電路晶片用電之方式，請參閱第1圖所示，主要係利用該電氣裝置之一般電路晶片系統01與該電氣裝置之一電源供應器02(如：蓄電池、市電等)電氣連接，由該電源供應器02供應該一般電路晶片系統01內部各個電路晶片工作所需之電源電能。如第2圖所示，該電源供應 器02經由電源佈線供應該一般電路晶片系統01內部中央處理器電路晶片010(CPU晶片)及一般電路晶片011、一般電路晶片012、一般電路晶片013、一般電路晶片014(如：記憶體晶片、繪圖晶片、週邊控制晶片等)工作所需之電源電能。

然而，由於一般電氣裝置每日使用可能次數頻繁且時間冗長，電氣裝置之用電(如：蓄電池、市電等)長時期將耗費可觀，未能符合節能減碳要求，或者，電氣裝置之使用者必須經常準備蓄電或用電裝備(如：行動電源、充電器等)，亦造成電氣裝置使用上之不方便性。因此，如何提昇各類電氣裝置之節能省電特性，有效地利用新式能源供電予電氣裝置使用，已成為現今各個電氣裝置製造廠商主要之努力方向與目標。

鑑於上述先前技術所衍生的各項缺點，本案創作人乃亟思加以改良創新，並經苦心孤詣潛心研究後，終於成功研發完成本案之一種「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路。

本項發明創作之目的，在於提供一電氣裝置一種具有光熱發電及節能省電特性之新式電路晶片供電電路，請參閱第3圖所示，其概念係在一電氣裝置設一光熱發電晶片系統11，該光熱發電晶片系統11外部無電源供應器，該光熱發電晶片系統11內部各個電路晶片可接受電路晶片外部光能作電能蓄電，該光熱發電晶片系統11內部各個電路晶片亦可接受電路晶片內部熱能作電能蓄電，此等蓄電電能直接提供各個電路晶片工作所需之電源電能，令一電氣裝置即能以光熱發電、節能省電之雙重特性 供電予電氣裝置內部各個電路晶片使用，該電氣裝置無需外部之電力電源(電源供應器)以及額外之電源佈線(電源電氣連接)。

為達上述之目的，本項發明創作之技術手段在於，在一電氣裝置(如可攜式或手持裝置：平板電腦、智慧型手機等)可設一光熱發電晶片系統，該光熱發電晶片系統內部設有一中央處理器光熱發電電路晶片、多個高速光熱發電電路晶片及多個低速光發電電路晶片，其中，該中央處理器光熱發電電路晶片係由一上層太陽能晶片、一中層電池組晶片、一下層熱發電晶片及一底層中央處理器電路晶片(CPU晶片)組成一多層中央處理器晶片供電結構；該高速光熱發電電路晶片係由一上層太陽能晶片、一中層電池組晶片、一下層熱發電晶片及一底層高速電路晶片(一般高速電路晶片，如：記憶體晶片、繪圖晶片等)組成一多層高速晶片供電結構；而該低速光發電電路晶片則由一上層太陽能晶片、一中層電池組晶片及一底層低速電路晶片(一般低速電路晶片，如：週邊控制晶片)組成一多層低速晶片供電結構。該電氣裝置光熱發電晶片系統之該中央處理器光熱發電電路晶片與該多個高速光熱發電電路晶片、該多個低速光發電電路晶片信號電氣連接，使得光熱發電晶片系統之該中央處理器電路晶片可對該多個高速電路晶片、該多個低速電路晶片作信號控制(執行該電氣裝置功能)。

該中央處理器光熱發電電路晶片多層晶片供電結構之上層太陽能晶片可接受該中央處理器光熱發電電路晶片外部光能(如：太陽光、照明燈光等)並轉換成電能以儲存於該中央處理器光熱發電電路晶片之中層電池組晶片中(光發電蓄電)，該中央處理器光熱發電電路晶片多層晶片 供電結構之下層熱發電晶片可接受底層中央處理器電路晶片內部熱能(CPU晶片高速運轉產生高熱)並轉換成電能以儲存於該中央處理器光熱發電電路晶片之中層電池組晶片中(熱發電蓄電)，而該中央處理器光熱發電電路晶片多層晶片供電結構之中層電池組晶片則將其蓄電電能經由該中央處理器光熱發電電路晶片多層內部結構，直接並穩定地供電予該中央處理器光熱發電電路晶片之底層中央處理器電路晶片使用(CPU晶片光熱發電自我供電)。

此外，該多個高速光熱發電電路晶片多層晶片供電結構之上層太陽能晶片亦可接受該多個高速光熱發電電路晶片外部光能並轉換成電能以儲存於該多個高速光熱發電電路晶片之中層電池組晶片中(光發電蓄電)，該多個高速光熱發電電路晶片多層晶片供電結構之下層熱發電晶片亦可接受底層高速電路晶片內部熱能(一般高速電路晶片高速運轉產生高熱)並轉換成電能以儲存於該多個高速光熱發電電路晶片之中層電池組晶片中(熱發電蓄電)，而該多個高速光熱發電電路晶片多層晶片供電結構之中層電池組晶片則亦將其蓄電電能經由該多個高速光熱發電電路晶片多層內部結構，直接並穩定地供電予該多個高速光熱發電電路晶片之底層高速電路晶片使用(一般高速電路晶片光熱發電自我供電)。再者，該多個低速光發電電路晶片多層晶片供電結構之上層太陽能晶片亦可接受該多個低速光發電電路晶片外部光能並轉換成電能以儲存於該多個低速光發電電路晶片之中層電池組晶片中(光發電蓄電)，而該多個低速光發電電路晶片多層晶片供電結構之中層電池組晶片則亦將其蓄電電能經由該多個低速光發電電路晶片內部結構，直接並穩定地供電予該多個低速光發電電路晶片之底層低 速電路晶片使用(一般低速電路晶片光發電自我供電)。

由此，該中央處理器光熱發電電路晶片利用其多層中央處理器晶片供電結構可作光熱發電及蓄電供電(CPU晶片光熱發電自我供電)、該多個高速光熱發電電路晶片利用其多層高速晶片供電結構亦可作光熱發電及蓄電供電(一般高速電路晶片光熱發電自我供電)、該多個低速光發電電路晶片利用其多層低速晶片供電結構則可作光發電及蓄電供電(一般低速電路晶片光發電自我供電)，如此，運用本項發明創作之光熱發電晶片系統，令一電氣裝置即能以光熱發電、節能省電之雙重特性供電予電氣裝置內部各個電路晶片使用，該電氣裝置無需外部之電力電源(電源供應器)以及額外之電源佈線(電源電氣連接)。

請參閱以下有關於本項發明創作「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路一較佳實施例之詳細說明及其附圖，將可進一步瞭解本創作之技術內容及其目的與功效：

01‧‧‧一般電路晶片系統

010‧‧‧中央處理器電路晶片

011‧‧‧一般電路晶片

012‧‧‧一般電路晶片

013‧‧‧一般電路晶片

014‧‧‧一般電路晶片

02‧‧‧電源供應器

11‧‧‧光熱發電晶片系統

110‧‧‧中央處理器光熱發電電路晶片

1101‧‧‧上層第一太陽能晶片

1102‧‧‧中層第一電池組晶片

1103‧‧‧下層第一熱發電晶片

1104‧‧‧底層中央處理器電路晶片

111‧‧‧大型高速光熱發電電路晶片

1111‧‧‧上層第二太陽能晶片

1112‧‧‧中層第二電池組晶片

1113‧‧‧下層第二熱發電晶片

1114‧‧‧底層大型高速電路晶片

112‧‧‧大型低速光發電電路晶片

1121‧‧‧上層第四太陽能晶片

1122‧‧‧中層第四電池組晶片

1123‧‧‧底層大型低速電路晶片

113‧‧‧小型高速光熱發電電路晶片

1131‧‧‧上層第三太陽能晶片

1132‧‧‧中層第三電池組晶片

1133‧‧‧下層第三熱發電晶片

1134‧‧‧底層小型高速電路晶片

114‧‧‧小型低速光發電電路晶片

1141‧‧‧上層第五太陽能晶片

1142‧‧‧中層第五電池組晶片

1143‧‧‧底層小型低速電路晶片

第1圖為一般電路晶片系統使用外部電源供應器之關係圖。

第2圖為一般電路晶片系統使用外部電源供應器之結構方塊圖與連接圖。

第3圖為本項發明創作光熱發電晶片系統無使用外部電源供應器之示意圖。

第4圖為本項發明創作光熱發電晶片系統一較佳實施例之內部結構方塊圖與連接圖。

第5圖為本項發明創作光熱發電晶片系統一較佳實施例之中央處理器光 熱發電電路晶片內部物理與電路結構示意圖。

第6圖為本項發明創作光熱發電晶片系統一較佳實施例之大型高速光熱發電電路晶片內部物理與電路結構示意圖。

第7圖為本項發明創作光熱發電晶片系統一較佳實施例之大型低速光發電電路晶片內部物理與電路結構示意圖。

第8圖為本項發明創作光熱發電晶片系統一較佳實施例之小型高速光熱發電電路晶片內部物理與電路結構示意圖。

第9圖為本項發明創作光熱發電晶片系統一較佳實施例之小型低速光發電電路晶片內部物理與電路結構示意圖。

本項發明創作所提供之一種「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路，請參閱第3圖及第4圖所示，其係在一電氣裝置設一光熱發電晶片系統11(電氣裝置之發電供電設備、信號處理設備)，該光熱發電晶片系統11內部設有一中央處理器光熱發電電路晶片110、一大型高速光熱發電電路晶片111、一大型低速光發電電路晶片112及一小型高速光熱發電電路晶片113、一小型低速光發電電路晶片114，該中央處理器光熱發電電路晶片110與該大型高速光熱發電電路晶片111、該小型高速光熱發電電路晶片113信號電氣連接(高速電路晶片信號控制)，該中央處理器光熱發電電路晶片110亦與該大型低速光發電電路晶片112、該小型低速光發電電路晶片114信號電氣連接(低速電路晶片信號控制)，使得該中央處理器光熱發電電路晶片110可對多個高速電路晶片、多個低速電路晶片作一般信號控制以執行該電氣裝置之正常功能。

請參閱第5圖所示，該中央處理器光熱發電電路晶片110內部係由一上層第一太陽能晶片1101(光發電晶片)、一中層第一電池組晶片1102(蓄電晶片)、一下層第一熱發電晶片1103(熱發電晶片)及一底層中央處理器電路晶片1104(CPU晶片)組成一多層中央處理器晶片供電物理與電路結構，其中，該上層第一太陽能晶片1101與該中層第一電池組晶片1102機械連接及電氣連接、該下層第一熱發電晶片1103與該中層第一電池組晶片1102機械連接及電氣連接，該下層第一熱發電晶片1103同時與該底層中央處理器電路晶片1104機械連接及電氣連接，此外，該中層第一電池組晶片1102經由該中央處理器光熱發電電路晶片110多層內部結構可與該底層中央處理器電路晶片1104電氣連接(電源電氣連接)。該中央處理器光熱發電電路晶片110多層中央處理器晶片供電物理與電路結構之上層第一太陽能晶片1101可接受該中央處理器光熱發電電路晶片110外部光能並轉換成電能以儲存於中層第一電池組晶片1102中(光發電蓄電)，該中央處理器光熱發電電路晶片110多層中央處理器晶片供電物理與電路結構之下層第一熱發電晶片1103可接受底層中央處理器電路晶片1104內部熱能(中央處理器電路晶片高速運轉產生高熱)並轉換成電能亦儲存於中層第一電池組晶片1102中(熱發電蓄電)，而該中央處理器光熱發電電路晶片110多層中央處理器晶片供電物理與電路結構之中層第一電池組晶片1102則將其蓄電電能經由該中央處理器光熱發電電路晶片110多層內部結構，直接(電源電氣連接)並穩定地供電予底層中央處理器電路晶片1104使用(中央處理器電路晶片光熱發電自我供電)。

請參閱第6圖所示，該大型高速光熱發電電路晶片111內部 係由一上層第二太陽能晶片1111(光發電晶片)、一中層第二電池組晶片1112(蓄電晶片)、一下層第二熱發電晶片1113(熱發電晶片)及一底層大型高速電路晶片1114(一般大型高速電路晶片)組成一多層大型高速晶片供電物理與電路結構，其中，該上層第二太陽能晶片1111與該中層第二電池組晶片1112機械連接及電氣連接、該下層第二熱發電晶片1113與該中層第二電池組晶片1112機械連接及電氣連接，該下層第二熱發電晶片1113同時與該底層大型高速電路晶片1114機械連接及電氣連接，此外，該中層第二電池組晶片1112經由該大型高速光熱發電電路晶片111多層內部結構亦可與該底層大型高速電路晶片1114電氣連接(電源電氣連接)；再者，請參閱第8圖所示，該小型高速光熱發電電路晶片113內部係由一上層第三太陽能晶片1131(光發電晶片)、一中層第三電池組晶片1132(蓄電晶片)、一下層第三熱發電晶片1133(熱發電晶片)及一底層小型高速電路晶片1134(一般小型高速電路晶片)組成一多層小型高速晶片供電物理與電路結構，其中，該上層第三太陽能晶片1131與該中層第三電池組晶片1132機械連接及電氣連接、該下層第三熱發電晶片1133與該中層第三電池組晶片1132機械連接及電氣連接，該下層第三熱發電晶片1133同時與該底層小型高速電路晶片1134機械連接及電氣連接，此外，該中層第三電池組晶片1132經由該小型高速光熱發電電路晶片113多層內部結構亦可與該底層小型高速電路晶片1134電氣連接(電源電氣連接)。該大型高速光熱發電電路晶片111多層大型高速晶片供電物理與電路結構之上層第二太陽能晶片1111可接受該大型高速光熱發電電路晶片111外部光能並轉換成電能以儲存於中層第二電池組晶片1112中(光發電蓄電)，該大型高速光熱發電 電路晶片111多層大型高速晶片供電物理與電路結構之下層第二熱發電晶片1113可接受底層大型高速電路晶片1114內部熱能(大型高速電路晶片高速運轉產生高熱)並轉換成電能亦儲存於中層第二電池組晶片1112中(熱發電蓄電)，而該大型高速光熱發電電路晶片111多層大型高速晶片供電物理與電路結構之中層第二電池組晶片1112則將其蓄電電能經由該大型高速光熱發電電路晶片111多層內部結構，直接(電源電氣連接)並穩定地供電予底層大型高速電路晶片1114使用(大型高速電路晶片光熱發電自我供電)；再者，該小型高速光熱發電電路晶片113多層小型高速晶片供電物理與電路結構之上層第三太陽能晶片1131可接受該小型高速光熱發電電路晶片113外部光能並轉換成電能以儲存於中層第三電池組晶片1132中(光發電蓄電)，該小型高速光熱發電電路晶片113多層小型高速晶片供電物理與電路結構之下層第三熱發電晶片1133可接受底層小型高速電路晶片1134內部熱能(小型高速電路晶片高速運轉產生高熱)並轉換成電能亦儲存於中層第三電池組晶片1132中(熱發電蓄電)，而該小型高速光熱發電電路晶片113多層小型高速晶片供電物理與電路結構之中層第三電池組晶片1132則將其蓄電電能經由該小型高速光熱發電電路晶片113多層內部結構，直接(電源電氣連接)並穩定地供電予底層小型高速電路晶片1134使用(小型高速電路晶片光熱發電自我供電)。

請參閱第7圖所示，該大型低速光發電電路晶片112內部係由一上層第四太陽能晶片1121(光發電晶片)、一中層第四電池組晶片1122(蓄電晶片)及一底層大型低速電路晶片1123(一般大型低速電路晶片)組成一多層大型低速晶片供電物理與電路結構，其中，該上層第四太陽能 晶片1121與該中層第四電池組晶片1122機械連接及電氣連接，該中層第四電池組晶片1122與該底層大型低速電路晶片1123機械連接及電氣連接(電源電氣連接)；再者，請參閱第9圖所示，該小型低速光發電電路晶片114內部係由一上層第五太陽能晶片1141(光發電晶片)、一中層第五電池組晶片1142(蓄電晶片)及一底層小型低速電路晶片1143(一般小型低速電路晶片)組成一多層小型低速晶片供電物理與電路結構，其中，該上層第五太陽能晶片1141與該中層第五電池組晶片1142機械連接及電氣連接，該中層第五電池組晶片1142與該底層小型低速電路晶片1143機械連接及電氣連接(電源電氣連接)。該大型低速光發電電路晶片112多層大型低速晶片供電物理與電路結構之上層第四太陽能晶片1121亦可接受該大型低速光發電電路晶片112外部光能並轉換成電能以儲存於中層第四電池組晶片1122中(光發電蓄電)，而該大型低速光發電電路晶片112多層大型低速晶片供電物理與電路結構之中層第四電池組晶片1122則亦將其蓄電電能經由該大型低速光發電電路晶片112內部結構，直接並穩定地供電予底層大型低速電路晶片1123使用(大型低速電路晶片光發電自我供電)；再者，該小型低速光發電電路晶片114多層小型低速晶片供電物理與電路結構之上層第五太陽能晶片1141亦可接受該小型低速光發電電路晶片114外部光能並轉換成電能以儲存於中層第五電池組晶片1142中(光發電蓄電)，而該小型低速光發電電路晶片114多層小型低速晶片供電物理與電路結構之中層第五電池組晶片1142則亦將其蓄電電能經由該小型低速光發電電路晶片114內部結構，直接並穩定地供電予底層小型低速電路晶片1143使用(小型低速電路晶片光發電自我供電)。

由此，本項發明創作提供一電氣裝置可設一光熱發電晶片系統11，使得該光熱發電晶片系統11內部之該中央處理器光熱發電電路晶片110利用其多層中央處理器晶片供電結構可作光熱發電及蓄電供電(中央處理器電路晶片光熱發電、中央處理器電路晶片自我供電)，該大型高速光熱發電電路晶片111、該小型高速光熱發電電路晶片113利用其多層高速晶片供電結構亦可作光熱發電及蓄電供電(高速電路晶片光熱發電、高速電路晶片自我供電)，而該大型低速光發電電路晶片112、該小型低速光發電電路晶片114利用其多層低速晶片供電結構則可作光發電及蓄電供電(低速電路晶片光發電、低速電路晶片自我供電)。如此，運用該光熱發電晶片系統11，令一電氣裝置即能以光熱發電、節能省電之雙重特性供電予電氣裝置內部各個電路晶片使用，該電氣裝置無需外部之電力電源以及額外之電源佈線，而不致發生一般電氣裝置使用因為次數頻繁且時間冗長，造成電氣裝置之用電耗費可觀，且未能符合節能減碳要求，或者，發生電氣裝置之使用者必須經常準備蓄電或用電裝備，造成電氣裝置使用上不方便性等之情形。

上列詳細說明係針對本項發明創作之可行實施例的具體說明，惟該等實施例並非用以限制本創作之專利範圍，凡未脫離本項發明創作技藝精神所為之等效實施或變更，例如：等變化之等效性實施例，均應包含於本創作之專利範圍中。

11‧‧‧光熱發電晶片系統

110‧‧‧中央處理器光熱發電電路晶片

111‧‧‧大型高速光熱發電電路晶片

112‧‧‧大型低速光發電電路晶片

113‧‧‧小型高速光熱發電電路晶片

114‧‧‧小型低速光發電電路晶片

Claims (6)

1. 一種「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路，包括：一光熱發電晶片系統，設於一電氣裝置中，該光熱發電晶片系統為該電氣裝置內部之發電供電及信號處理電路設備；一中央處理器光熱發電電路晶片，設於該光熱發電晶片系統中，該中央處理器光熱發電電路晶片為該光熱發電晶片系統之一發電供電及中央處理器晶片元件設備，該中央處理器光熱發電電路晶片具有多層中央處理器晶片供電結構；一大型高速光熱發電電路晶片，設於該光熱發電晶片系統中，該大型高速光熱發電電路晶片為該光熱發電晶片系統之一發電供電及高速電路晶片元件設備，該大型高速光熱發電電路晶片具有多層高速晶片供電結構，該中央處理器光熱發電電路晶片與該大型高速光熱發電電路晶片信號電氣連接以作高速電路晶片信號控制；一小型高速光熱發電電路晶片，設於該光熱發電晶片系統中，該小型高速光熱發電電路晶片亦為該光熱發電晶片系統之一發電供電及高速電路晶片元件設備，該小型高速光熱發電電路晶片亦具有多層高速晶片供電結構，該中央處理器光熱發電電路晶片與該小型高速光熱發電電路晶片信號電氣連接以作高速電路晶片信號控制；一大型低速光發電電路晶片，設於該光熱發電晶片系統中，該大型低速光發電電路晶片為該光熱發電晶片系統之一發電供電及低速電路晶片元件設備，該大型低速光發電電路晶片具有多層低速晶片供電結 構，該中央處理器光熱發電電路晶片與該大型低速光發電電路晶片信號電氣連接以作低速電路晶片信號控制；一小型低速光發電電路晶片，設於該光熱發電晶片系統中，該小型低速光發電電路晶片亦為該光熱發電晶片系統之一發電供電及低速電路晶片元件設備，該小型低速光發電電路晶片亦具有多層低速晶片供電結構，該中央處理器光熱發電電路晶片與該小型低速光發電電路晶片信號電氣連接以作低速電路晶片信號控制；由此，使得該光熱發電晶片系統內部之該中央處理器光熱發電電路晶片利用其多層中央處理器晶片供電結構可作光熱發電及蓄電供電(中央處理器晶片光熱發電、中央處理器晶片自我供電)，該大型高速光熱發電電路晶片、該小型高速光熱發電電路晶片利用其多層高速晶片供電結構亦可作光熱發電及蓄電供電(高速晶片光熱發電、高速晶片自我供電)，而該大型低速光發電電路晶片、該小型低速光發電電路晶片利用其多層低速晶片供電結構則可作光發電及蓄電供電(低速晶片光發電、低速晶片自我供電)，如此，運用該光熱發電晶片系統，令一電氣裝置即能以光熱發電、節能省電之雙重特性供電予電氣裝置內部各個電路晶片使用，該電氣裝置無需外部之電力電源以及額外之電源佈線。
2. 如請求項1所述之「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路，該中央處理器光熱發電電路晶片內部係由一上層第一太陽能晶片、一中層第一電池組晶片、一下層第一熱發電晶片及一底層中央處理器電路晶片組成一多層中央處理器晶片供電物理與電路結構，其中，該上層 第一太陽能晶片與該中層第一電池組晶片機械連接及電氣連接、該下層第一熱發電晶片與該中層第一電池組晶片機械連接及電氣連接，該下層第一熱發電晶片同時與該底層中央處理器電路晶片機械連接及電氣連接，此外，該中層第一電池組晶片經由該中央處理器光熱發電電路晶片多層內部結構可與該底層中央處理器電路晶片電氣連接，即電源電氣連接；該中央處理器光熱發電電路晶片多層中央處理器晶片供電物理與電路結構之上層第一太陽能晶片可接受該中央處理器光熱發電電路晶片外部光能並轉換成電能以儲存於中層第一電池組晶片中(光發電蓄電)，該中央處理器光熱發電電路晶片多層中央處理器晶片供電物理與電路結構之下層第一熱發電晶片可接受底層中央處理器電路晶片內部熱能(底層中央處理器電路晶片高速運轉產生高熱)並轉換成電能亦儲存於中層第一電池組晶片中(熱發電蓄電)，而該中央處理器光熱發電電路晶片多層中央處理器晶片供電物理與電路結構之中層第一電池組晶片則將其蓄電電能經由該中央處理器光熱發電電路晶片多層內部結構，直接並穩定地供電予底層中央處理器電路晶片使用(底層中央處理器電路晶片光熱發電自我供電)。
3. 如請求項1所述之「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路，該大型高速光熱發電電路晶片內部係由一上層第二太陽能晶片、一中層第二電池組晶片、一下層第二熱發電晶片及一底層大型高速電路晶片組成一多層大型高速晶片供電物理與電路結構，其中，該上層第二太陽能晶片與該中層第二電池組晶片機械連接及電氣連接、該下層第二熱發電晶片與該中層第二電池組晶片機械連接及電氣連接，該下層 第二熱發電晶片同時與該底層大型高速電路晶片機械連接及電氣連接，此外，該中層第二電池組晶片經由該大型高速光熱發電電路晶片多層內部結構亦可與該底層大型高速電路晶片電氣連接，即電源電氣連接；該大型高速光熱發電電路晶片多層大型高速晶片供電物理與電路結構之上層第二太陽能晶片可接受該大型高速光熱發電電路晶片外部光能並轉換成電能以儲存於中層第二電池組晶片中(光發電蓄電)，該大型高速光熱發電電路晶片多層大型高速晶片供電物理與電路結構之下層第二熱發電晶片可接受底層大型高速電路晶片內部熱能(底層大型高速電路晶片高速運轉產生高熱)並轉換成電能亦儲存於中層第二電池組晶片中(熱發電蓄電)，而該大型高速光熱發電電路晶片多層大型高速晶片供電物理與電路結構之中層第二電池組晶片則將其蓄電電能經由該大型高速光熱發電電路晶片多層內部結構，直接並穩定地供電予底層大型高速電路晶片使用(底層大型高速電路晶片光熱發電自我供電)。
4. 如請求項1所述之「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路，該小型高速光熱發電電路晶片內部係由一上層第三太陽能晶片、一中層第三電池組晶片、一下層第三熱發電晶片及一底層小型高速電路晶片組成一多層小型高速晶片供電物理與電路結構，其中，該上層第三太陽能晶片與該中層第三電池組晶片機械連接及電氣連接、該下層第三熱發電晶片與該中層第三電池組晶片機械連接及電氣連接，該下層第三熱發電晶片同時與該底層小型高速電路晶片機械連接及電氣連接，此外，該中層第三電池組晶片經由該小型高速光熱發電電路晶片 多層內部結構亦可與該底層小型高速電路晶片電氣連接，即電源電氣連接；該小型高速光熱發電電路晶片多層小型高速晶片供電物理與電路結構之上層第三太陽能晶片可接受該小型高速光熱發電電路晶片外部光能並轉換成電能以儲存於中層第三電池組晶片中(光發電蓄電)，該小型高速光熱發電電路晶片多層小型高速晶片供電物理與電路結構之下層第三熱發電晶片可接受底層小型高速電路晶片內部熱能(底層小型高速電路晶片高速運轉產生高熱)並轉換成電能亦儲存於中層第三電池組晶片中(熱發電蓄電)，而該小型高速光熱發電電路晶片多層小型高速晶片供電物理與電路結構之中層第三電池組晶片則將其蓄電電能經由該小型高速光熱發電電路晶片多層內部結構，直接並穩定地供電予底層小型高速電路晶片使用(底層小型高速電路晶片光熱發電自我供電)。
5. 如請求項1所述之「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路，該大型低速光發電電路晶片內部係由一上層第四太陽能晶片、一中層第四電池組晶片及一底層大型低速電路晶片組成一多層大型低速晶片供電物理與電路結構，其中，該上層第四太陽能晶片與該中層第四電池組晶片機械連接及電氣連接，該中層第四電池組晶片與該底層大型低速電路晶片機械連接及電氣連接，即電源電氣連接；該大型低速光發電電路晶片多層大型低速晶片供電物理與電路結構之上層第四太陽能晶片亦可接受該大型低速光發電電路晶片外部光能並轉換成電能以儲存於中層第四電池組晶片中(光發電蓄電)，而該大型低速光發電電路晶片多層大型低速晶片供電物理與電路結構之中層第四電池組晶 片則亦將其蓄電電能經由該大型低速光發電電路晶片內部結構，直接並穩定地供電予底層大型低速電路晶片使用(底層大型低速電路晶片光發電自我供電)。
6. 如請求項1所述之「具光熱發電無電源佈線之電路晶片系統」電路，該小型低速光發電電路晶片內部係由一上層第五太陽能晶片、一中層第五電池組晶片及一底層小型低速電路晶片組成一多層小型低速晶片供電物理與電路結構，其中，該上層第五太陽能晶片與該中層第五電池組晶片機械連接及電氣連接，該中層第五電池組晶片與該底層小型低速電路晶片機械連接及電氣連接，即電源電氣連接；該小型低速光發電電路晶片多層小型低速晶片供電物理與電路結構之上層第五太陽能晶片亦可接受該小型低速光發電電路晶片外部光能並轉換成電能以儲存於中層第五電池組晶片中(光發電蓄電)，而該小型低速光發電電路晶片多層小型低速晶片供電物理與電路結構之中層第五電池組晶片則亦將其蓄電電能經由該小型低速光發電電路晶片內部結構，直接並穩定地供電予底層小型低速電路晶片使用(底層小型低速電路晶片光發電自我供電)。