TWI550747B

TWI550747B - Temperature control of the floating buffer test seat

Info

Publication number: TWI550747B
Application number: TW103122939A
Authority: TW
Inventors: Xin-Yi Wu
Original assignee: Chroma Ate Inc
Priority date: 2014-07-03
Filing date: 2014-07-03
Publication date: 2016-09-21
Also published as: TW201603155A

Description

可溫控之浮動緩衝測試座

本發明係關於一種可溫控之浮動緩衝測試座，尤指一種適用於可提供高低溫測試之半導體晶片測試座。

隨著對半導體晶片之耐候性的要求，越來越多的半導體晶片商要求出廠的晶片需經過高溫、或低溫測試，用以確保晶片在特定高溫、或特定低溫的環境下可正常運作。

然而，一般習知半導體晶片之高溫、或低溫測試所運用的原理不外乎對待測之半導體晶片進行升溫或降溫，其常見的檢測方式包括：預燒(Burn-in)測試，其係將測試裝置連同待測半導體晶片置於一測試腔室中進行測試，而測試腔室內直接提供高溫或低溫環境，如中華民國第I384237號專利；另外，現有技術亦有以壓接頭對待測晶片升溫或降溫之方式，亦即待測晶片上方用於抵壓固定晶片之壓接頭，其本身就具備有升溫或降溫之溫控模組，如中國公開號第CN 1537217 A號；此外，現有技術也有測試座內直接以溫控流體(高溫氣體)對待測晶片進行升溫或降溫，如日本特開平5-121598。

再者，現有技術中也常見有直接具備變溫裝置之測試座，亦即以測試座直接對待測晶片進行升溫或降溫並進行測試，如中華民國第I364085號專利。然而，如前述具備變溫裝置之測試座的習知技術，其本身並不具備緩衝功效，亦即並不具備吸收晶片取放、以及壓接機構下壓之衝擊力之功效，故時常發生取放機構於取放過程或壓接機構於抵壓過程中因偏位或施力不良，導致不慎壓毀待測晶片之情形。

由此可知，同時具備溫控功能、以及吸收衝擊力道之緩衝功能，且更重要的是能提供優異的傳導效能之測試裝置或測試座，實乃產業界迫切需求者。

本發明之主要目的係在提供一種可溫控之浮動緩衝測試座，俾能提供優異的溫度控制之傳導效能，且又能具備吸收衝擊力道之緩衝功效。

為達成上述目的，本發明一種可溫控之浮動緩衝測試座，主要包括一溫控台、一溫控源、以及一浮動板。其中，溫控台上表面開設有一凹槽，而凹槽之四環週側壁包括至少一第一耦合面；溫控源係對溫控台升溫或降溫；浮動板係容設於溫控台之凹槽內，且浮動板之四環週側壁包括至少一第二耦合面，而浮動板之至少一第二耦合面係耦合於溫控台之凹槽的至少一第一耦合面並可相對滑移。其中，至少一第一耦合面與至少一第二耦合面係分別為可相互耦合之連續波浪狀表面，而溫控台係透過至少一第一耦合面與至少一第二耦合面對浮動板升溫或降溫。

據此，本發明藉由將浮動板設置於溫控台上表面之凹槽內，且二者並利用可相互滑動、耦合之第一耦合面與第二耦合面來構成吸收下壓衝擊力之緩衝功效；而且，藉由連續波浪狀表面的設置，可顯著增加二者接觸之傳導面積，進而大幅提升溫控傳導之效率。

較佳的是，本發明之第一耦合面與第二耦合面可分別為可相互耦合之方波狀表面、弦波狀表面、或以銳角相互耦合之鋸齒狀表面，或者其他可相互耦合之幾何多邊形之連續波浪狀表面皆可。再者，本發明溫控台之凹槽之每一側壁可包括一第一耦合面，浮動板之每一側壁可包括一第二耦合面。換言之，本發明溫控台之凹槽的四環週側壁以及浮動板之四環週側壁可全部都設置第一耦合面和第二耦合面，藉此大幅增加傳導面積。

另外，本發明可更包括至少一彈性元件，其可設置於溫控台之凹槽內，而至少一彈性元件之一端抵靠凹槽之底面，且至少一彈性元件之另一端抵靠浮動板之下表面。據此，本發明可藉由彈性元件而提供浮動板更佳之緩衝、及復位功效。其中，本發明之彈性元件可為彈簧、橡膠、或其他等效元件。此外，本發明之溫控源可為電致熱模組、電致冷模組、或其他任何可提供高溫或低溫之裝置或設備。

再且，本發明浮動板之上表面可凹設一晶片插槽，用以供測試晶片之插設，以及測試之進行。又，本發明可更包括一上蓋板，其可覆蓋於溫控台之凹槽上方，而上蓋板可開設有一貫通槽，且浮動板之晶片插槽透過上蓋板之貫通槽而露出。據此，本發明可利用上蓋板來限制浮動板之滑動範圍；同時，藉由上蓋板來接觸浮動板，而上蓋板可提供另外的溫控傳導途徑，故上蓋板亦可採用熱傳導係數佳的材質。

2‧‧‧溫控台

20‧‧‧上表面

21‧‧‧凹槽

211‧‧‧底面

210‧‧‧側壁

22‧‧‧第一耦合面

3‧‧‧浮動板

31‧‧‧側壁

32‧‧‧第二耦合面

33‧‧‧下表面

34‧‧‧上表面

35‧‧‧晶片插槽

4‧‧‧溫控源

41‧‧‧電致熱模組

42‧‧‧電致冷模組

5‧‧‧彈性元件

6‧‧‧上蓋板

61‧‧‧貫通槽

圖1係本發明第一實施例之分解圖。

圖2係本發明第一實施例之剖視分解示意圖。

圖3係本發明第一實施例之剖視組合示意圖。

圖4係本發明第一耦合面和第二耦合面第二實施例之示意圖。

圖5係本發明第一耦合面和第二耦合面第三實施例之示意圖。

本發明可溫控之浮動緩衝測試座在本實施例中被詳細描述之前，要特別注意的是，以下的說明中，類似的元件將以相同的元件符號來表示。

請同時參閱圖1、圖2、以及圖3，圖1係本發明可溫控之浮動緩衝測試座第一實施例之分解圖，圖2係本發明可溫控之浮動緩衝測試座第一實施例之剖視分解示意圖，圖3係本發明可溫控之浮動緩衝測試座第一實施例之剖視組合示意圖。

如圖中所示，本實施例可溫控之浮動緩衝測試座主要包括一溫控台2、一浮動板3、一溫控源4、四個彈性元件5、以及一上蓋板6。其中，溫控台2之上表面20 開設有一凹槽21，而凹槽21之四環週側壁210皆設置有第一耦合面22，而第一耦合面22為連續波浪狀表面，本實施例中所採用的是方波狀表面。

另外，浮動板3容設於溫控台2之凹槽21內，且浮動板3之四環週側壁31皆設置有第二耦合面32，而浮動板3之第二耦合面32係耦合於溫控台2之凹槽21的第一耦合面22並可相對滑移。然而，第二耦合面32為連續波浪狀表面，本實施例同樣是採用的方波狀表面。此外，浮動板3之上表面34凹設一晶片插槽35，其供測試晶片之插設，並進行測試。

再者，如圖2中所顯示有溫控源4，其主要係負責對溫控台2升溫或降溫，而本實施例係採用一電致熱模組41、及一電致冷模組42，故本實施例可同時具備升溫、以及降溫之功效。據此，本實施例藉由溫控源4對溫控台2升溫或降溫，而溫控台2再透過第一耦合面22與第二耦合面32間的接觸傳導而對浮動板3升溫或降溫。其中，藉由連續方波狀表面的第一耦合面22和第二耦合面32之設置，可顯著增加二者接觸之傳導面積，進而大幅提升溫控傳導之效率。

此外，如圖中所示，四個彈性元件5分別設置在溫控台2之凹槽21內。其中，每一彈性元件5之一端抵靠凹槽21之底面211，而另一端抵靠浮動板3之下表面33。據此，可藉由彈性元件5而提供浮動板3更佳之緩衝、及復位功效。然而，本實施例所採用的彈性元件5為彈簧，不過本發明之彈性元件5並不侷限於彈簧，其他諸如橡膠、或其他等效元件皆可適用。

又，如圖中所示之上蓋板6，其係覆蓋於溫控台2之凹槽21上方，且上蓋板6開設有一貫通槽61，而浮動板3之晶片插槽35透過上蓋板6之貫通槽61而露出。據此，本實施例可利用上蓋板6來限制浮動板3之升降滑動範圍；同時，藉由上蓋板6來接觸浮動板3之上表面，而上蓋板6亦可同時提供另外的溫控傳導途徑，來增加傳導效率，故上蓋板6亦可採用熱傳導係數佳的材質。

請同時參閱圖4和圖5，圖4係本發明第一耦合面22和第二耦合面32第二實施例之示意圖，圖5係本發明第一耦合面22和第二耦合面32第三實施例之示意圖。第二實施例及第三實施例與上述第一實施例主要差異在於第一耦合面22和第二耦合面32所採用之形狀有所不同。其中，如圖4所示之第二實施例，其第一耦合面22與第二耦合面32係分別為可相互耦合之弦波狀表面；如圖4所示之第二實施例，其第一耦合面22與第二耦合面32係分別為以銳角相互耦合之鋸齒狀表面。當然，本發明第一耦合面22與第二耦合面32並不以上述三個實施例為限，而其他可相互耦合之幾何多邊形之連續波浪狀表面亦可。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。