TWI546060B - 骨缺損檢測系統、裝置及方法 - Google Patents

Description

骨缺損檢測系統、裝置及方法

本發明是有關於一種檢測系統，且特別是有關於一種植牙術後不規則骨缺損之檢測系統。

現有的植牙手術可依牙科植體(dental implant)的類型及手術方式而分為立即性植牙(Immediate Implantation)及二階段植牙(Two-Stage Implantation)兩種態樣。立即性植牙係指牙科植體在植入齒槽骨後，仍留有一部分的植體裸露於牙齦外，並隨後完成齒冠的裝設。二階段植牙係指牙科植體在植入後是完全包覆於齒齦內，待骨整合後再以手術切開包覆的齒齦部分以完成齒冠裝設，藉以可減少骨整合期間外物對植體及齒槽骨的刺激，並降低感染的機率，俾使植體可更穩定的與齒槽骨結合。

當植入牙科植體後，在骨組織的癒合過程中，新生成的骨質可與牙科植體產生緊實的接觸，俾使植入體與骨組織之間產生良好的穩固度，這種過程又稱為骨整合作用(Osseointegration)。一般而言，上顎齒槽骨大約需要六個月的癒合時間以達到可接受的骨整合程度，而下顎則需大約 三到四個月的時間。

對於植牙可否成功而言，牙科植體的穩固度為非常重要的因素，若骨整合狀況越好，牙科植體的穩固度就越高，則病患植牙的成功率較高。因此，牙科植體穩固程度的評估在植牙手術過程與術後是重要的關鍵步驟之一。

有鑑於此，本發明之一目的在於幫助判斷牙科植體的穩固程度。

為了達到上述目的，依據本發明之一實施方式，一種骨缺損檢測系統包含一牙科植體接觸件、至少一電磁激振源、至少一第一磁場感測裝置、至少一第二磁場感測裝置以及至少一運算裝置。牙科植體接觸件具有一磁性體。電磁激振源可用以產生一可變磁場以激振磁性體。第一磁場感測裝置可用以感測磁性體之一磁場與可變磁場，而產生一第一感測資料。第二磁場感測裝置可用以感測可變磁場，而產生一第二感測資料。運算裝置可用以根據第一感測資料與第二感測資料之間的差異，得到牙科植體接觸件的一振動資料。

依據本發明之另一實施方式，一種骨缺損檢測裝置包含至少一檢測器以及至少一運算裝置。檢測器包含一電磁激振源、一第一磁場感測裝置以及一第二磁場感測裝置。電磁激振源可用以產生一可變磁場以激振一牙科植體接觸件。第一磁場感測裝置可用以感測牙科植體接觸件之 一磁場與可變磁場，而產生一第一感測資料。第二磁場感測裝置可用以感測可變磁場，而產生一第二感測資料。運算裝置可用以根據第一感測資料與第二感測資料之間的差異，得到牙科植體接觸件的一振動資料。

於上述實施方式中，可藉由第一磁場感測裝置與第二磁場感測裝置分別得到第一感測資料與第二感測資料，且可藉由第一感測資料與第二感測資料之間的差異來消除電磁激振源之磁場變化的資料，以得到牙科植體接觸件因為振動所產生的磁場變化的資料，而進一步得到牙科植體接觸件的振動資料，以利判斷牙科植體是否穩固。

依據本發明之又一實施方式，一種骨缺損檢測方法包含以下步驟：提供一檢測器，此檢測器包含一電磁激振源以及設置於電磁激振源上的至少一磁場感測裝置。利用磁場感測裝置感測電磁激振源所產生的一可變磁場，以得到一第三感測資料。利用電磁激振源之可變磁場激振一牙科植體接觸件之一磁性體。利用磁場感測裝置感測可變磁場以及磁性體之一磁場，以得到一第四感測資料。根據第三感測資料與第四感測資料之間的差異，得到牙科植體接觸件的一振動資料。

以上所述僅係用以闡述本發明所欲解決的問題、解決問題的技術手段、及其產生的功效等等，本發明之具體細節將在下文的實施方式及相關圖式中詳細介紹。

100‧‧‧牙科植體接觸件

110‧‧‧懸臂樑

120‧‧‧磁性體

200‧‧‧檢測器

200a‧‧‧檢測器

200b‧‧‧檢測器

210‧‧‧第一磁場感測裝置

210a‧‧‧第一磁場感測裝置

212‧‧‧霍爾元件

2122‧‧‧上連接端

2124‧‧‧下連接端

2126‧‧‧左連接端

2128‧‧‧右連接端

214‧‧‧穩壓器

216‧‧‧放大器

218‧‧‧電壓源

219‧‧‧輸出端

220‧‧‧第二磁場感測裝置

220a‧‧‧第二磁場感測裝置

222‧‧‧霍爾元件

2222‧‧‧上連接端

2224‧‧‧下連接端

2226‧‧‧左連接端

2228‧‧‧右連接端

224‧‧‧穩壓器

226‧‧‧放大器

228‧‧‧電壓源

229‧‧‧輸出端

230‧‧‧電磁激振源

230a‧‧‧電磁激振源

232‧‧‧鐵芯

234‧‧‧線圈

240‧‧‧磁場感測裝置

300‧‧‧處理裝置

310‧‧‧運算裝置

312‧‧‧感測訊號擷取單元

314‧‧‧時域轉頻域單元

316‧‧‧降噪單元

318‧‧‧頻率響應函數運算單元

320‧‧‧掃頻訊號源

400‧‧‧連接線

500‧‧‧牙科植體

600‧‧‧承載座

602‧‧‧內表面

A1‧‧‧排列方向

A2‧‧‧排列方向

M1‧‧‧磁場

M2‧‧‧可變磁場

R1‧‧‧橫向方向

R2‧‧‧縱向方向

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示依據本發明之一實施方式之骨缺損檢測系統的示意圖；第2圖繪示依據本發明一實施方式之功能方塊圖；第3圖繪示依據本發明一實施方式之第一磁場感測裝置或第二磁場感測裝置的電路圖；第4圖繪示依據本發明一實施方式之電磁激振源的立體圖；第5圖繪示依據本發明另一實施方式之骨缺損檢測系統的示意圖；第6圖繪示依據本發明另一實施方式之骨缺損檢測系統的示意圖；第7圖繪示依據本發明另一實施方式之骨缺損檢測系統的示意圖；以及第8及第9圖繪示依據本發明之一實施方式之骨缺損檢測方法的示意圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，熟悉本領域之技術人員應當瞭解到，在本發明另一實施例中，這些實務上的細節並非必要的，因此不應用以限制本發明。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結 構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。

第1圖繪示依據本發明之一實施方式之骨缺損檢測系統的示意圖。如第1圖所示，於本實施方式中，骨缺損檢測系統可包含一牙科植體接觸件100、一檢測器200一處理裝置300以及一連接線400。牙科植體接觸件100係接觸牙科植體500，且牙科植體接觸件100可包含一磁性體120。磁性體120具有一磁場M1。連接線400電性連接檢測器200與處理裝置300。檢測器200可包含一第一磁場感測裝置210、一第二磁場感測裝置220以及一電磁激振源230。在使用時，電磁激振源230可產生一可變磁場M2以激振磁性體120。第一磁場感測裝置210可感測磁性體120之磁場M1與電磁激振源230之可變磁場M2，而產生一第一感測資料。第二磁場感測裝置220可感測可變磁場M2，而產生一第二感測資料。處理裝置300可根據第一感測資料與第二感測資料之間的差異，得到牙科植體接觸件100的振動資料。

更詳細地說，磁性體120係位在可變磁場M2的範圍內，故會受到可變磁場M2的吸引力或排斥力而產生位移。可變磁場M2的強度、極性或兩者是可隨著時間變化的。因此，當可變磁場M2的強度、極性或兩者變化時，磁性體120會因為此變化而振動，使得第一磁場感測裝置210所感測到的磁場M1強度產生變化。當磁性體120振幅越大時，磁場M1強度變化的幅度就越大，而當磁性體120振動頻率越高時，磁場M1強度變化的頻率就越高。換句話說， 磁場M1強度變化的幅度與磁性體120的振幅是正相關的，而磁場M1強度變化的頻率與磁性體120的振動頻率也是正相關的，故可藉由磁場M1的強度變化，來得到磁性體120的振動資料(如振幅及振動頻率)。此外，由於第一感測資料為磁場M1與可變磁場M2的強度總和，而第二感測資料為可變磁場M2的強度，故第一感測資料與第二感測資料之間的差異即為磁場M1的強度。

由於牙科植體接觸件100接觸牙科植體500，故牙科植體接觸件100與牙科植體500會共同振動。因此，可藉由牙科植體接觸件100的振動資料來判斷牙科植體500是否穩固。舉例來說，在植入牙科植體500後的不同時間點，可利用此檢測系統來得到牙科植體接觸件100的共振頻率。當在不同時間點下，牙科植體接觸件100的共振頻率趨於穩定或是在一預期範圍內時，即可判斷牙科植體500已穩固地與新生成的骨質結合。

於部分實施方式中，如第1圖所示，第一磁場感測裝置210可位於牙科植體接觸件100與電磁激振源230之間。也就是說，第一磁場感測裝置210與電磁激振源230均位於牙科植體接觸件100的同一側，而無須分別位於牙科植體接觸件100的相對兩側，如此可降低檢測器200的體積，以便使用者操作。

於部分實施方式中，如第1圖所示，第二磁場感測裝置220可位於牙科植體接觸件100之磁性體120的磁場M1的範圍外。換句話說，第二磁場感測裝置220可位在磁 性體120之磁力線不通過的位置，如此可防止第二磁場感測裝置220感測到磁性體120的磁場M1。另外，第二磁場感測裝置220可位於電磁激振源230的可變磁場M2的範圍內，以便感測可變磁場M2。第一磁場感測裝置210可位在磁場M1與可變磁場M2的範圍內，以便感測磁場M1與可變磁場M2。

於部分實施方式中，如第1圖所示，第一磁場感測裝置210與第二磁場感測裝置220係分別位於電磁激振源230之相對兩端。進一步來說，第一磁場感測裝置210可位在電磁激振源230上最靠近磁性體120的一端，而第二磁場感測裝置220可位在電磁激振源230上最遠離磁性體120的一端。藉此，第一磁場感測裝置210可比第二磁場感測裝置220更靠近磁性體120，以利當第二磁場感測裝置220位在磁場M1範圍外時，第一磁場感測裝置210可位在磁場M1範圍內。

於部分實施方式中，如第1圖所示，牙科植體接觸件100可包含一懸臂樑110。懸臂樑110係部分地插設於牙科植體500中，部分地暴露於牙科植體500外。磁性體120可設置於懸臂樑110上。如此一來，當磁性體120振動時，懸臂樑110與牙科植體500可隨之振動。舉例來說，磁性體120可設置於懸臂樑110的自由端，亦即，懸臂樑110上遠離牙科植體500之末端。

第2圖繪示依據本發明一實施方式之功能方塊圖。如第2圖所示，處理裝置300可包含一運算裝置310 以及一掃頻訊號源320。掃頻訊號源320可電性連接檢測器200的電磁激振源230，以利用掃頻訊號控制可變磁場M2(可參閱第1圖)。舉例來說，掃頻訊號源320可在不同時間下提供不同頻率的交流訊號給電磁激振源230，使得可變磁場M2的頻率隨著時間改變，從而改變牙科植體接觸件100(可參閱第1圖)的振動頻率，以利感測牙科植體接觸件100在不同振動頻率下的振幅，從而幫助得到牙科植體接觸件100的共振頻率。上述可變磁場M2的頻率可代表在單位時間內，可變磁場M2的極性轉換次數。

於部分實施方式中，如第2圖所示，運算裝置310可電性連接第一磁場感測裝置210與第二磁場感測裝置220，以根據第一感測資料與該第二感測資料之間的差異，得到牙科植體接觸件100(可參閱第1圖)的振動資料。舉例來說，於部分實施方式中，運算裝置310可包含一感測訊號擷取單元312、一時域轉頻域單元314、一降噪單元316以及一頻率響應函數運算單元318。感測訊號擷取單元312可擷取第一磁場感測裝置210所產生的第一感測資料以及第二磁場感測裝置220所產生的第二感測資料。

於部分實施方式中，第一感測資料與第二感測資料可為時域資料。舉例來說，第一感測資料為不同時間點下，磁場M1與可變磁場M2之強度總和，而第二感測資料為不同時間點下，可變磁場M2之強度。時域轉頻域單元314可將第一感測資料與第二感測資料轉換為一第一頻域資料與一第二頻域資料。舉例來說，時域轉頻域單元314可對 第一感測資料與第二感測資料做傅立葉轉換(Fourier Transform)，使得第一頻域資料為不同頻率下，磁場M1與可變磁場M2之強度總和的變化，而第二頻域資料為不同頻率下，可變磁場M2之強度變化。

由於頻域資料可能會存在許多雜訊，故可利用降噪單元316來降低第一頻域資料與第二頻域資料中的雜訊。舉例來說，於部分實施方式中，降噪單元316可對每N個頻率下的磁場強度執行方均根運算(Root-Mean Square,RMS)，以得到每N個頻率下的磁場強度變化之方均根值，並以此方均根值代表這N個頻率下的磁場強度變化，從而降低雜訊。

頻率響應函數運算單元318可根據第一頻域資料與第二頻域資料，求得牙科植體接觸件100的頻率響應函數，進而得到牙科植體接觸件100的共振頻率。進一步來說，頻率響應函數運算單元318可對第一頻域資料與第二頻域資料進行運算(例如：將第一頻域資料除以第二頻域資料)，以消除電磁激振源230的磁場強度變化，而得到牙科植體接觸件100(可參閱第1圖)的頻率響應函數，從而得到的振動資料(例如振動頻率及振幅)。舉例來說，頻率響應函數運算單元318可得到在不同頻率下，牙科植體接觸件100之磁性體120的磁場M1的強度變化，從而得到牙科植體接觸件100的振動資料。

第3圖繪示依據本發明一實施方式之第一磁場感測裝置210或第二磁場感測裝置220的電路圖。於部分實 施方式中，如第3圖所示，第一磁場感測裝置210可為一霍爾感測器(Hall Sensor)，其可對應磁場產生電位差。舉例來說，第一磁場感測裝置210可包含一霍爾元件212、一穩壓器214、一放大器216、一電壓源218以及一輸出端219。霍爾元件212可包含上連接端2122、下連接端2124、左連接端2126以及右連接端2128。上連接端2122與下連接端2124係沿著縱向方向R1排列，而左連接端2126與右連接端2128係沿著橫向方向R2排列，此縱向方向R1與橫向方向R2可實質上垂直。電壓源218係電性連接上連接端2122與下連接端2124，輸出端219係電性連接左連接端2126與右連接端2128。應瞭解到，前述之「上」、「下」、「左」及「右」僅係用以幫助讀者理解本說明書的內容，並非限制元件的位置。舉例來說，左連接端2126並非必然位於右連接端2128的左側。

當電壓源218開啟時，電荷會在霍爾元件212中沿著縱向方向R1流動，倘若此時霍爾元件212不是位在任何磁場範圍內，則左連接端2126與右連接端2128之間不會有電位差。倘若霍爾元件212係位在磁場範圍內時，則電荷會受到羅倫茲力(Lorentz Force)的影響而沿著橫向方向R2移動，使得左連接端2126與右連接端2128之間產生電位差。當磁場強度越大時，羅倫茲力越大，則左連接端2126與右連接端2128之間的電位差越大。因此，藉由輸出端219所量測到的電位差，即可得到霍爾元件212所在的磁場強度。

於部分實施方式中，穩壓器214可電性連接於電壓源218與霍爾元件212之間，以穩定電壓源218提供給霍爾元件212的電壓。於部分實施方式中，放大器216可電性連接於霍爾元件212與輸出端219之間，以放大左連接端2126與右連接端2128之間的電位差，而利於得到霍爾元件212所在的磁場強度。於部分實施方式中，放大器216可為一差動放大器，但本發明並不以此為限。

於部分實施方式中，如第3圖所示，第二磁場感測裝置220亦可為一霍爾感測器(Hall Sensor)，其可對應磁場產生電位差。舉例來說，第二磁場感測裝置220可包含一霍爾元件222、一穩壓器224、一放大器226、一電壓源228以及一輸出端229。霍爾元件222可包含上連接端2222、下連接端2224、左連接端2226以及右連接端2228。上連接端2222與下連接端2224係沿著縱向方向R1排列，而左連接端2226與右連接端2228係沿著橫向方向R2排列。電壓源228係電性連接上連接端2222與下連接端2224，輸出端229係電性連接左連接端2226與右連接端2228。

當電壓源228開啟時，電荷在霍爾元件222中會沿著縱向方向R1流動，倘若此時霍爾元件222不是位在任何磁場範圍內，則左連接端2226與右連接端2228之間不會有電位差。倘若霍爾元件222在磁場範圍內時，則電荷會受到羅倫茲力(Lorentz Force)的影響而沿著橫向方向R2移動，使得左連接端2226與右連接端2228之間產生電位差。當磁場強度越大時，羅倫茲力越大，則左連接端2226與右 連接端2228之間的電位差越大。因此，藉由輸出端229所量測到的電位差，即可得到霍爾元件222所在的磁場強度。

於部分實施方式中，穩壓器224可電性連接於電壓源228與霍爾元件222之間，以穩定電壓源228提供給霍爾元件222的電壓。於部分實施方式中，放大器226可電性連接於霍爾元件222與輸出端229之間，以放大左連接端2226與右連接端2228之間的電位差，而利於得到霍爾元件222所在的磁場強度。於部分實施方式中，放大器226可為一差動放大器，但本發明並不以此為限。

第4圖繪示依據本發明一實施方式之電磁激振源230的立體圖。於部分實施方式中，如第4圖所示，電磁激振源230可包含一鐵芯232以及一線圈234。線圈234係纏繞於鐵芯232上。線圈234係可通電的，較佳來說，線圈234可被施加交流電，以產生可變磁場M2。

第5圖繪示依據本發明另一實施方式之骨缺損檢測系統的示意圖。本實施方式與前述實施方式之間的主要差異係在於：檢測器200之數量為複數個，每一檢測器200具有一排列方向A1。第一磁場感測裝置210、第二磁場感測裝置220與電磁激振源230係沿著檢測器200的排列方向A1所排列。這些檢測器200的排列方向A1相交。也就是說，這些檢測器200的排列方向A1互不平行。如此一來，這些檢測器200可沿著不同的排列方向A1激振牙科植體接觸件100，並得到振動資料，以利得到骨缺損的方位。

於部分實施方式中，如第5圖所示，骨缺損檢測裝 置還可包含一承載座600。承載座600具有一內表面602。這些檢測器200係設置於內表面602上的不同位置。內表面602可為弧面，以利使得檢測器200的排列方向A1互不平行。

第6圖繪示依據本發明另一實施方式之骨缺損檢測系統的示意圖。本實施方式與第1圖之間的主要差異係在於：在檢測器200a中，第一磁場感測裝置210a與第二磁場感測裝置220a係位於電磁激振源230a的同一端，而非相對兩端(如第1圖所示)。為了避免第二磁場感測裝置220a感測到磁性體120的磁場M1，第二磁場感測裝置220a係位於磁場M1的範圍外。舉例來說，第二磁場感測裝置220a可位於第一磁場感測裝置210a與電磁激振源230a之間，並位於磁場M1的範圍外，以便第二磁場感測裝置220a能夠在不感測到磁場M1的情況下，感測到可變磁場M2。本實施方式之其他技術特徵係如同第1圖及前文中的相關段落所載，故不重複敘述。

第7圖繪示依據本發明另一實施方式之骨缺損檢測系統的示意圖。本實施方式與第6圖所示之實施方式間的主要差異係在於：檢測器200a之數量為複數個，每一檢測器200a具有一排列方向A2。第一磁場感測裝置210a、第二磁場感測裝置220a與電磁激振源230a係沿著檢測器200a的排列方向A2所排列。這些檢測器200a的排列方向A2相交。如此一來，這些檢測器200a可沿著不同的排列方向A2激振牙科植體接觸件100，並得到振動資料，以利 得到骨缺損的方位。

第8及第9圖繪示依據本發明之一實施方式之骨缺損檢測方法的示意圖。於本實施方式中，檢測器200b僅包含單一個磁場感測裝置240。磁場感測裝置240係設置於電磁激振源230上。如第8圖所示，在使用時，可先將檢測器200b放置於一初始位置，使得其磁場感測裝置240位於磁性體120的磁場M1之範圍外。接著，可利用磁場感測裝置240感測電磁激振源230所產生的可變磁場M2，以得到一第三感測資料。然後，如第9圖所示，可移動檢測器200b，以將磁場感測裝置240移動至磁性體120的磁場M1之範圍內。接著，可利用磁場感測裝置240感測可變磁場M2以及磁性體120之磁場M1，以得到一第四感測資料。最後，處理裝置300可根據第三感測資料與第四感測資料之間的差異，得到牙科植體接觸件100的振動資料。

由於本實施方式僅需在檢測器200b上設置單一個磁場感測裝置240，而無須設置兩個磁場感測裝置。因此，相較於前述實施方式，本實施方式可進一步節省成本。

於本實施方式中，係先單獨感測可變磁場M2，再感測磁場M1與可變磁場M2的總和，但於其他實施方式中，亦可先感測磁性體的磁場M1與可變磁場M2的總和，再單獨感測可變磁場M2。舉例來說，可先將檢測器200b放置於一初始位置，使得其磁場感測裝置240位於磁性體120的磁場M1之範圍內。接著，可利用磁場感測裝置240感測磁場M1與可變磁場M2。然後，可移動檢測器200b， 以將磁場感測裝置240移動至磁場M1的範圍外。接著，可利用磁場感測裝置240單獨感測可變磁場M2。

關於根據第三感測資料與第四感測資料得到振動資料的具體技術手段係如同前文中，根據第一感測資料與第二感測資料得到振動資料的相關內容所載，故不重複敘述。

雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧牙科植體接觸件

110‧‧‧懸臂樑

120‧‧‧磁性體

200‧‧‧檢測器

210‧‧‧第一磁場感測裝置

220‧‧‧第二磁場感測裝置

230‧‧‧電磁激振源

300‧‧‧處理裝置

400‧‧‧連接線

500‧‧‧牙科植體

M1‧‧‧磁場

M2‧‧‧可變磁場

Claims (20)

1. 一種骨缺損檢測系統，包含：一牙科植體接觸件，具有一磁性體；至少一電磁激振源，用以產生一可變磁場以激振該磁性體；至少一第一磁場感測裝置，用以感測該磁性體之一磁場與該可變磁場，而產生一第一感測資料；至少一第二磁場感測裝置，用以感測該可變磁場，而產生一第二感測資料；以及至少一運算裝置，用以根據該第一感測資料與該第二感測資料之間的差異，得到該牙科植體接觸件的一振動資料。
2. 如請求項1所述之骨缺損檢測系統，其中該第二磁場感測裝置係位於該磁性體之該磁場之範圍外。
3. 如請求項2所述之骨缺損檢測系統，其中該第一磁場感測裝置與該第二磁場感測裝置係分別位於該電磁激振源之相對兩端。
4. 如請求項2所述之骨缺損檢測系統，其中該第一磁場感測裝置與該第二磁場感測裝置係位於該電磁激振源之同一端。
5. 如請求項1所述之骨缺損檢測系統，更包含：一掃頻訊號源，用以利用掃頻訊號控制該可變磁場。
6. 如請求項1所述之骨缺損檢測系統，其中該運算裝置包含：一時域轉頻域單元，其中該第一感測資料與該第二感測資料為時域資料，而該時域轉頻域單元係用以將該第一感測資料與該第二感測資料轉換為一第一頻域資料與一第二頻域資料。
7. 如請求項6所述之骨缺損檢測系統，其中該運算裝置包含：一降噪單元，用以降低該第一頻域資料與該第二頻域資料中的雜訊。
8. 如請求項6所述之骨缺損檢測系統，其中該運算裝置包含：一頻率響應函數運算單元，用以根據該第一頻域資料與該第二頻域資料求得該牙科植體接觸件的一頻率響應函數，而得到該牙科植體接觸件的該振動資料。
9. 如請求項1所述之骨缺損檢測系統，其中該第一磁場感測裝置、該第二磁場感測裝置或兩者為霍爾感測器。
10. 一種骨缺損檢測裝置，包含：至少一檢測器，包含：一電磁激振源，用以產生一可變磁場以激振一牙科 植體接觸件；一第一磁場感測裝置，用以感測該牙科植體接觸件之一磁場與該可變磁場，而產生一第一感測資料；以及一第二磁場感測裝置，用以感測該可變磁場，而產生一第二感測資料；以及至少一運算裝置，用以根據該第一感測資料與該第二感測資料之間的差異，得到該牙科植體接觸件的一振動資料。
11. 如請求項10所述之骨缺損檢測裝置，其中該電磁激振源、該第一磁場感測裝置及該第二磁場感測裝置係沿著該檢測器之一排列方向所排列，其中該檢測器之數量為複數個，該些檢測器之該些排列方向相交。
12. 如請求項10所述之骨缺損檢測裝置，其中該第一磁場感測裝置與該第二磁場感測裝置係分別位於該電磁激振源之相對兩端。
13. 如請求項10所述之骨缺損檢測裝置，其中該第一磁場感測裝置與該第二磁場感測裝置係位於該電磁激振源的同一端。
14. 如請求項10所述之骨缺損檢測裝置，更包含：一掃頻訊號源，用以利用掃頻訊號控制該可變磁場。
15. 如請求項10所述之骨缺損檢測裝置，其中該運算 裝置包含：一時域轉頻域單元，其中該第一感測資料與該第二感測資料為時域資料，而該時域轉頻域單元係用以將該第一感測資料與該第二感測資料轉換為一第一頻域資料與一第二頻域資料。
16. 如請求項15所述之骨缺損檢測裝置，其中該運算裝置包含：一降噪單元，用以降低該第一頻域資料與該第二頻域資料中的雜訊。
17. 如請求項15所述之骨缺損檢測裝置，其中該運算裝置包含：一頻率響應函數運算單元，用以根據該第一頻域資料與該第二頻域資料求得該牙科植體接觸件的一頻率響應函數，而得到該牙科植體接觸件的該振動資料。
18. 如請求項10所述之骨缺損檢測裝置，其中該第一磁場感測裝置、該第二磁場感測裝置或兩者為霍爾感測器。
19. 一種骨缺損檢測方法，包含：提供一檢測器，該檢測器包含一電磁激振源以及設置於該電磁激振源上的至少一磁場感測裝置；利用該磁場感測裝置感測該電磁激振源所產生的一可變磁場，以得到一第三感測資料； 利用該電磁激振源之該可變磁場激振一牙科植體接觸件之一磁性體；利用該磁場感測裝置感測該可變磁場以及該磁性體之一磁場，以得到一第四感測資料；以及根據該第三感測資料與該第四感測資料之間的差異，得到該牙科植體接觸件的一振動資料。
20. 如請求項19所述之骨缺損檢測方法，其中在得到該第三感測資料的過程中，該磁場感測裝置係位於該磁性體的該磁場之範圍外。