TWI536483B - 晶圓偏移預警系統與方法 - Google Patents

Description

晶圓偏移預警系統與方法

本發明係關於一種預警系統，特別是關於一種能判斷晶圓是否偏移之晶圓偏移預警系統。

針測機在載入晶圓之後，需執行晶圓校準，以使得晶圓上的每個測試晶粒的測試座標都是正確的。但是若因晶圓外觀異常、或因製程過程所造成晶圓異常，以及針測機異常處理或其他人為因素，均可能會造成針測機的晶圓校準不正確，而造成針測機產生的針測圖偏移，使得晶圓上晶粒座標不正確。

當測試機讀取不正確的晶粒座標，其相對應產生的測試資料也跟著不正確，若測試資料如果沒有檢驗出其測試座標有誤，則後段封裝過程中就會挑撿錯誤的測試晶粒，造成產品瑕疵及良率異常的品質問題。

本發明之目的之一，是在提供一種晶圓偏移預警系統，該晶圓偏移預警系統具有判斷晶圓是否偏移之功能

本發明之目的之一，是在提供一種晶圓偏移 預警系統，該晶圓偏移預警系統能防止晶圓封裝良率異常。

本發明之目的之一，是在提供一種晶圓偏移預警系統，該晶圓偏移預警系統可避免挑檢錯誤的晶粒。

本發明提供一種晶圓偏移預警系統，系統包含一伺服主機裝置，儲存一製程參數模組及一控制模組；一測試機，耦接至伺服主機裝置，並自伺服主機裝置下載一製程參數；以及一針測機，針測機依據控制模組用以針測一晶圓，並產生一校準參數；其中，系統依據該校準參數與製程參數決定是否產生警示。

本發明提供一種晶圓偏移預警方法，方法包含下列步驟：儲存一製程參數模組及一控制模組；下載一製程參數；以及依據控制模組用以針測一晶圓，並產生一校準參數，並依據校準參數與製程參數決定晶圓是否產生警示。

100‧‧‧晶圓偏移預警系統

101‧‧‧伺服主機裝置

102‧‧‧測試機

103‧‧‧針測機

101a‧‧‧製程參數模組

101b‧‧‧控制模組

101c‧‧‧資料庫

第1圖為本發明晶圓偏移預警系統於一實施例之示意圖。

第2A圖顯示正常的晶圓W1之晶粒與偏移的晶圓W2之晶粒示意圖。

第2B圖顯示正常的晶圓W1與偏移的晶圓W2相疊後之比較示意圖。

第3圖為本發明之一實施例之流程圖。

請參閱第1圖，第1圖為本發明晶圓偏移預警系統100於一實施例之示意圖，其中，晶圓偏移預警系統100包含：伺服主機裝置101、測試機102、以及針測機103。

伺服主機裝置101係用以儲存一製程參數模組101a及一控制模組101b，其中，製程參數模組101a內之製程參數P(圖未示)在本實施例中可透過使用者預先進行輸入，且製程參數P含晶圓之一產品資料；伺服主機裝置101可透過控制模組101b分別控制與連結測試機102以及針測機103。

另外，在本發明一實施例中，伺服主機裝置101更包含一資料庫101c，資料庫101c用以儲存製程參數模組101a及控制模組101b。

測試機102耦接至伺服主機裝置101，並自伺服主機裝置101之製程參數模組101a下載製程參數P；以及，針測機103依據控制模組101b進行運作，並用以針測一晶圓以產生一校準參數C(圖未示)；其中，晶圓偏移預警系統100依據校準參數C與製程參數P決定晶圓是否偏移而產生警示。

請注意，在本發明一實施例中，當測試機102 讀取校準參數C時，測試機102係可同時比對校準參數C與製程參數P以判斷晶圓是否產生偏移。

在一實施例中，當校準參數C與製程參數P比對結果有差異時，則晶圓偏移預警系統100係產生警示並停止測試機102進行測試晶圓。

在一實施例中，當校準參數C與製程參數P比對結果無差異時，則該測試機102依據控制模組101進行測試晶圓。

在本發明一實施例中，校準參數C與製程參數P之比對係比對晶圓上之一晶粒之座標位置，請同時參考第2A圖與第2B圖，第2A圖顯示正常的晶圓W1之晶粒與偏移的晶圓W2之晶粒示意圖，其中座標(0,0)為其座標軸之原點。

舉例說明，在一實施例中，由於使用者可預先在伺服主機裝置101輸入製程參數P，換言之，伺服主機裝置101可提供製程參數P預先設定；除此之外，製程參數P包含晶圓之一產品資料，故正常的晶圓W1之每一晶粒之座標位置係可透過產品資料預先輸入於製程參數模組101a中，以提供測試機102下載製程參數P，測試機102可依製程參數P做為其比對依據。

當針測機103針對相同型號之晶圓W2進行針測時，則可獲得其實測後之晶圓W2校準參數C，在一實 施例中，校準參數C包含實際晶圓W2之晶粒座標位置。

假設晶圓W2上之晶粒位置具有偏移，相對應地，晶圓W2其晶粒座標位置係為偏移故具有錯誤，例如：晶圓W1之(8,0)座標位置比對於晶圓W2座標位置卻為(9,0)、晶圓W1之(6,1)座標位置比對於晶圓W2座標位置卻為(7,1)時…等情況，因測試機102比對其晶圓W1與W2上晶粒之座標位置並不相符合，故測試機102係可判斷晶圓W2比對於正常的晶圓W1係為偏移，此時測試機102產生警示並停止後續測試。

故使用者可以知道晶圓W2是有問題的，而此問題可能是晶圓W2外觀異常、或因製程過程所造成晶圓異常，以及針測機異常處理或其他人為因素，均可能會造成針測機103的晶圓校準不正確。

請同時參考第2B圖，第2B圖顯示正常的晶圓W1與偏移的晶圓W2相疊後之比較示意圖。如第2B圖所示，淺色區域為晶圓W2偏移之示意區域，在本實施例中，晶圓W2相對於晶圓W1係向方向D1偏移一格。如此一來，透過本發明晶圓偏移預警系統100，其測試機102不會讀取不正確的晶粒座標，並避免其相對應產生的測試資料也跟著不正確。

接著，請再參考第3圖，第3圖為本發明之一實施例之流程圖，其包含下列步驟： 步驟S301：儲存一製程參數模組及一控制模組；步驟S302：下載一製程參數；步驟S303：依據控制模組用以針測一晶圓，並產生一校準參數，並依據校準參數與製程參數決定是否產生警示，若有相異，跳至步驟S304；若無相異，跳至步驟S305；步驟S304：測試機產生警示並停止測試；步驟S305：測試完成並更換下一片晶圓，跳至步驟S303。

綜上所述，本發明晶圓偏移預警系統可預先輸入欲比對晶圓之產品資料，以建立其製程參數，並透過針測機實測晶圓獲取校準參數，最後利用測試機比對校準參數與製程參數是否有相異，如此一來，可避免先前技術中，沒有檢驗出其晶粒座標有誤，則後段封裝過程中就會挑撿錯誤的晶粒，而造成產品瑕疵及良率異常的品質問題。

100‧‧‧晶圓偏移預警系統

101‧‧‧伺服主機裝置

102‧‧‧測試機

103‧‧‧針測機

101a‧‧‧製程參數模組

101b‧‧‧控制模組

101c‧‧‧資料庫

Claims (10)

1. 一種晶圓偏移預警系統，該系統包含：一伺服主機裝置，儲存一製程參數模組及一控制模組；一測試機，耦接至該伺服主機裝置，並自該伺服主機裝置下載一製程參數；以及一針測機，該針測機依據該控制模組用以針測一晶圓，並產生一校準參數；其中，該系統依據該校準參數與該製程參數決定是否產生警示。
2. 如請求項1所述之系統，其中，當該測試機讀取該校準參數時，該測試機同時比對該校準參數與該製程參數以判斷該晶圓是否產生偏移。
3. 如請求項2所述之系統，其中，該校準參數與該製程參數比對結果有差異時，則該系統產生警示並停止該測試機進行測試該晶圓。
4. 如請求項2所述之系統，其中，該校準參數與該製程參數比對結果無差異時，則該測試機依據該控制模組進行測試該晶圓。
5. 如請求項3所述之系統，其中，該校準參數與該製程參數比對係比對該晶圓上之一晶粒之座標位置。
6. 如請求項2所述之系統，其中，該伺服主機裝置用以提供該製程參數預先之設定，且該製程參數包含該晶圓之一產品資料。
7. 如請求項6所述之系統，其中，該伺服主機裝置包含一資料庫，該資料庫用以儲存該製程參數模組及該控制模組。
8. 一種晶圓偏移預警方法，該方法包含：儲存一製程參數模組及一控制模組；下載一製程參數；以及依據該控制模組用以針測一晶圓，並產生一校準參數，並依據該校準參數與該製程參數決定是否產生警示。
9. 如請求項8所述之方法，其中，該方法更包含：讀取該校準參數並同時比對該校準參數與該製程參數以判斷該晶圓是否產生偏移。
10. 如請求項9所述之方法，其中，該方法更包含：該校準參數與該製程參數比對結果有差異時，則產生警示並停止進行測試該晶圓。