TWI535492B - Atomization structure improvement - Google Patents
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Description
本創作係屬於霧化結構的領域，特別是關於一種具有縮小噴孔片孔徑之霧化結構改良。
按，目前市面上所使用之霧化器，醫療用之呼吸器，及加溼器內部都具有一產生霧化效果之霧化裝置，而此霧化裝置利用一高頻振動以衝破霧化裝置內部所盛裝之藥劑或水之液體後，即會讓霧化裝置內部所裝之藥劑或水之液體產生霧化效果。
一般先前技術的霧化器基本結構由容器、吸水材、振盪單元及控制單元組成，容器內裝盛有待霧化液體，吸水材固設於振盪單元上並插設於容器內部，振盪單元與控制單元電性連接，由控制單元產生高頻超音波訊號，促使振盪單元產生振動，進而激發吸水材內的液體。
然而，在振盪單元的部分，振盪件是設於支撐片上，但在使用一段時間後，振盪件和支撐片之間的連結部分可能會脆化、被電解或是被液體侵蝕等，導致液體侵入而使振盪件損壞。而一般來說，霧化器的基本結構上並沒有一層薄膜將結構中的金屬部分包覆住，所以當霧化器是使用在醫療用或是會使用在人體上時，金屬中對人體不好物質可能會被液體所析出，而跑到人體內。
有鑑於此，本創作人感其未臻完善而竭其心智苦心研究，並
憑其從事該項產業多年之累積經驗，進而提供一種霧化結構改良，以期可改善上述習知霧化結構之缺失。
於是，本創作之目的，旨在提供一種霧化結構改良，在振盪單元上包覆一層薄膜，使噴孔片的孔徑縮小以外，還能讓振盪件和支撐片之間的連結部分不至於在使用一段時間後因為脆化、被電解或液體侵蝕等而導致液體從縫隙侵入而使振盪件損壞。該包覆振盪單元的薄膜又能防止金屬的有害物質被液體析出的可能性。
為達上述目的，本創作之霧化結構改良之第一實施例，其係包含一噴孔片，其上設有複數噴孔；一環型振盪件，係設於該噴孔片上，並設於該等噴孔之周圍，受電力驅動後而能產生振動；一黏著劑，係將該噴孔片和該環型振盪件分別連接在一起；及至少一薄膜，係以氣相沉積包覆於該噴孔片與該環型振盪件上，也沉積於該等噴孔之內表面，以縮小該等噴孔之孔徑，該薄膜之厚度為0.1μm到100μm，該薄膜係為奈米級二聚物粉末所製成的永久薄膜。其中，該薄膜係利用高溫來熔融一薄膜原料，由固態直接昇華到氣態，將氣態之該薄膜原料的原子或分子，因加溫而被加速並沉積在該噴孔片與該環型振盪件上。
本創作之霧化結構改良之第二實施例，其係包含一支撐片，其上設有一開口；一噴孔片，其上設有複數噴孔；一環型振盪件，係設於該噴孔片上，並設於該等噴孔之周圍，受電力驅動後而能產生振動；一黏著劑，係將該噴孔片、該環型振盪件和該支撐片分別連接在一起；及至少一薄膜，係以氣相沉積包覆於該噴孔片與該環型振盪件上，也沉積於該等
噴孔之內表面，以縮小該等噴孔之孔徑，該薄膜之厚度為0.1μm到100μm，該薄膜係為奈米級二聚物粉末所製成的永久薄膜。其中，該薄膜係利用高溫來熔融一薄膜原料，由固態直接昇華到氣態，將氣態之該薄膜原料的原子或分子，因加溫而被加速並沉積在該噴孔片、該環型振盪件與該支撐片上。
經由上述之方法，本創作可藉由該薄膜的包覆而達成習知技術的缺陷，使本創作不會因為脆化或被液體侵蝕等而導致液體從縫隙侵入而使振盪件損壞，並且能防止金屬的有害物質被液體析出的可能性，而且該薄膜沉積於該等噴孔之內表面能有效地使該等噴孔之孔徑縮小，經薄膜縮小過的噴孔孔徑可以縮小到3μm到8μm，讓霧化器之功能更好，並且能讓液體粒子更小，更容易使人體能吸收該液體，以達到更好地治療效果。
1‧‧‧霧化結構改良
11‧‧‧噴孔片
111‧‧‧噴孔
12‧‧‧環型振盪件
13‧‧‧薄膜
14‧‧‧支撐片
141‧‧‧開口
15‧‧‧黏著劑
第1圖，為本創作第一實施例之分解示意圖。
第2圖，為本創作第一實施例之剖面示意圖。
第3圖，為本創作第二實施例之分解示意圖。
第4圖，為本創作第二實施例之剖面示意圖。
為使 貴審查委員能清楚了解本創作之內容，僅以下列說明搭配圖式，為使便於理解，下述實施例中之相同元件係以相同之符號標示來說明。
請參閱第1圖和第2圖，係為本創作第一實施例的分解示意圖、剖面示意圖。如圖1與圖2所示，本創作之霧化結構改良1之第一實
施例，其係包含一噴孔片11，其上設有複數噴孔111；一環型振盪件12，係設於該噴孔片11上，並圍繞於該等噴孔111之周圍，受電力驅動後而能產生振動；一黏著劑15，係將該噴孔片11和該環型振盪件12分別連接在一起；及至少一薄膜13，係以氣相沉積包覆於該噴孔片11與該環型振盪件12上，也沉積於該等噴孔111之內表面，以縮小該等噴孔111之孔徑，該薄膜13之厚度為0.1μm到100μm，該薄膜13係為奈米級二聚物粉末所製成的永久薄膜。其中，該薄膜13係利用高溫來熔融一薄膜原料，由固態直接昇華到氣態，將氣態之該薄膜原料的原子或分子，因加溫而被加速並沉積在該噴孔片11與該環型振盪件12上。
請參閱第3圖和第4圖，係為本創作之第二實施例的分解示意圖、剖面示意圖。如圖3與圖4所示，本創作之霧化結構改良1之第二實施例，其係包含一支撐片14，其上設有一開口141；一噴孔片11，其上設有複數噴孔111；一環型振盪件12，係設於該噴孔片11上，並圍繞於該等噴孔111之周圍，受電力驅動後而能產生振動；一黏著劑15，係將該噴孔片11、該環型振盪12件和該支撐片14分別連接在一起；及至少一薄膜13，係以氣相沉積包覆於該噴孔片11、該環型振盪件12與支撐片14上，也沉積於該等噴孔111之內表面，以縮小該等噴孔111之孔徑，該薄膜13之厚度為0.1μm到100μm，該薄膜13係為奈米級二聚物粉末所製成的永久薄膜。其中，該薄膜13係利用高溫來熔融一薄膜原料，由固態直接昇華到氣態，將氣態之該薄膜原料的原子或分子，因加溫而被加速並沉積在該噴孔片11、該環型振盪件12與該支撐片14上。
薄膜的製程大致上是將粉末狀的二聚物置入抽真空石英管
內加熱氣化(150℃,1torr)，再將二聚物氣體裂解成單體(680℃,0.5torr)，最後在常溫的鍍膜腔內，沉積成透明聚合物薄膜(25℃,0.1torr)。這種的鍍膜具有優良的耐濕性、耐化學性、高非導電介質強度、耐溫範圍廣、低磨擦係數、優良的孔隙填平效果、良好的外表防護效果和高張力與降伏強度，而且為透明和無氣體釋出之問題，並可提升被鍍膜物之耐熱、耐紫外線和光滑的表面特性，而且鍍膜後，經拉伸、壓縮後，薄膜皆不會脫落。該薄膜之介電強度為5,700V/mil、5,750V/mil、7,200V/mil之間，折射率為1.661、1.639、1.669之間，抗拉強度為10,000psi、11,000psi、12,000psi之間，降伏強度為6,400psi、8,300psi、9,200psi之間，熔點為300℃、395℃、415℃之間，表面電阻為1.1×1015Ohm-cm、1.15×1015Ohm-cm、5×1016Ohm-cm之間。
使用該製程，能讓蒸鍍的過程更好監控，成本較為低廉，且越高純度的來源材料能蒸鍍出越高純度的薄膜，又可利用觀察到的軌跡及有限的蒸發源面積來界定蒸鍍面積。而藉由該薄膜13的完全包覆，且連該等噴孔111之內表面皆有覆蓋到，這樣一來能使本創作不會因為脆化或被液體侵蝕等而導致液體從縫隙侵入而使環型振盪件12損壞，並且能防止金屬的有害物質被液體析出的可能性，更重要的是能有效地使該等噴孔111之孔徑縮小，經薄膜縮小過的噴孔孔徑可以縮小到3μm到8μm，讓安裝有該霧化結構改良1的霧化器功能更好。
惟，以上所述者，僅為本創作之較佳實施例而已，並非用以限定本創作實施之範圍，故該所屬技術領域中具有通常知識者，或是熟悉此技術所作出等效或輕易的變化者，在不脫離本創作之精神與範圍下所作
之均等變化與修飾，皆應涵蓋於本創作之專利範圍內。
1‧‧‧霧化結構改良
11‧‧‧噴孔片
111‧‧‧噴孔
12‧‧‧環型振盪片
13‧‧‧薄膜
Claims (4)
- 一種霧化結構改良裝置，其包括：一噴孔片，其上設有複數噴孔；一環型振盪件，係設於該噴孔片上，並圍繞於該等噴孔之周圍，該環型振盪件受電力驅動後而能產生振動；一黏著劑，係將該噴孔片和該環型振盪件連接在一起；及至少一薄膜，係利用高溫來熔融一薄膜原料，由固態直接昇華到氣態，將氣態之該薄膜原料的原子或分子，因加溫而被加速並沉積在該噴孔片與該環型振盪件上，該薄膜也沉積於該等噴孔之內表面，以縮小該等噴孔之孔徑，其中，該薄膜原料係為奈米級二聚物粉末。
- 如申請專利範圍第1項所述之霧化結構改良，其中，該薄膜之厚度為0.1μm到100μm。
- 一種霧化結構改良裝置，其包括：一支撐片，其上設有一開口；一噴孔片，係設於該支撐片上，該噴孔片上設有複數噴孔，該等噴孔皆在該開口的範圍內；一環型振盪件，係設於該噴孔片上，並圍繞於該等噴孔之周圍，該環型振盪件受電力驅動後而能產生振動；一黏著劑，係將該噴孔片、該環型振盪件和該支撐片分別連接在一起；及至少一薄膜，係利用高溫來熔融一薄膜原料，由固態直接昇華到氣 態，將氣態之該薄膜原料的原子或分子，因加溫而被加速並沉積在該噴孔片、該環型振盪件與該支撐片上，該薄膜也沉積於該等噴孔之內表面，以縮小該等噴孔之孔徑，其中，該薄膜原料係為奈米級二聚物粉末。
- 如申請專利範圍第3項所述之霧化結構改良，其中，該薄膜之厚度為0.1μm到100μm。
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