TWI533067B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI533067B
TWI533067B TW103143616A TW103143616A TWI533067B TW I533067 B TWI533067 B TW I533067B TW 103143616 A TW103143616 A TW 103143616A TW 103143616 A TW103143616 A TW 103143616A TW I533067 B TWI533067 B TW I533067B
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林映彤
徐毓倫
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群創光電股份有限公司
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Description

顯示裝置
本揭露係有關於陣列基板之顯示裝置，且特別係有關於一種電極具有凹緣之顯示裝置。
液晶顯示裝置近年來已經被大量應用在各式各樣產品的顯示元件上。液晶顯示裝置係利用液晶分子在不同排列狀態下，對於光線具有不同的偏振或折射效果的特性來控制光線的穿透量，進而使液晶顯示裝置得以產生影像。傳統扭轉向列型(Twisted Nematic，TN)液晶顯示裝置，具有非常好的穿透特性，但受到液晶分子結構與光學特性的影響，相對其視角非常狹窄。
為了解決此問題，近來業者已開發出其它種形態的廣視角液晶顯示裝置，例如平面電場切換(In-Plane Switching，簡稱IPS)液晶顯示裝置以及邊緣電場切換(Fringe-Field Switching，簡稱FFS)液晶顯示裝置等具有廣視角的液晶顯示裝置。然而，在上述顯示裝置中，少部分液晶分子的倒向會與大部分液晶分子的倒向不同，降低液晶效率且使液晶面板在顯示時的亮度減少。此外，少部分具有不同倒向之液晶分子會在顯示螢幕上造成暗紋區，或是於外界力量(例如手指觸控)接觸顯示螢幕時，使少部分具有不同倒向之液晶分子紊亂在顯示螢幕上造成不必要的亮紋區，惡化顯示的品質。
因此，業界亟須一種可更進一步減少倒向不同之液晶分子數量的顯示裝置。
本揭露提供一種顯示裝置，包括：陣列基板，包括：基材；第一電極，設於基材上，其中第一電極具有開孔，開孔於平行閘極線延伸方向上具有邊緣；以及第二電極，設於第一電極上，其中第二電極包括：第一指部，具有第一側及與第一側相對之第二側，其中第一指部之第一外緣於第一側與閘極線延伸方向夾一銳角，而第一指部之第二外緣於第二側與閘極線延伸方向夾一鈍角；及連接部，於邊緣連接第一指部，其中連接部鄰近邊緣於閘極線延伸方向具有第一寬度，連接部遠離邊緣於閘極線延伸方向具有第二寬度，且第一寬度小於第二寬度；其中連接部於第一側具有第一凹緣(concave)，連接部於第二側具有第二凹緣，第一凹緣的邊長大於第二凹緣的邊長；對向基板；及顯示介質，設於陣列基板與對向基板之間。
本揭露另提供一種顯示裝置，包括：陣列基板，包括：基材；第一電極，設於基材上，其中第一電極具有開孔，開孔於平行閘極線延伸方向上具有邊緣；以及第二電極，設於第一電極上，其中第二電極包括：第一指部，具有第一側及與第一側相對之第二側，其中第一指部之第一外緣於第一側與閘極線延伸方向夾一銳角，而第一指部之第二外緣於第二側與閘極線延伸方向夾一鈍角；及連接部，於邊緣連接第一指部，其中連接部鄰近邊緣於閘極線延伸方向具有第一寬度，連接部遠離邊緣於閘極線 延伸方向具有第二寬度，且第一寬度小於第二寬度；其中連接部於第一側具有第一反曲點，連接部於第二側具有第二反曲點，其中於垂直閘極線延伸方向之方向上，第一反曲點至邊緣的距離大於第二反曲點至邊緣的距離；對向基板；及顯示介質，設於陣列基板與對向基板之間。
本揭露又提供一種顯示裝置，包括：陣列基板，包括：基材；第一電極，設於基材上，其中第一電極具有開孔，開孔於平行閘極線延伸方向上具有邊緣；以及第二電極，設於第一電極上，其中第二電極包括：第一指部，具有第一側及與第一側相對之第二側，其中第一指部之第一外緣於第一側與閘極線延伸方向夾一銳角，而第一指部之第二外緣於第二側與閘極線延伸方向夾一鈍角；及連接部，於邊緣連接第一指部，其中連接部鄰近邊緣於閘極線延伸方向具有第一寬度，連接部遠離邊緣於閘極線延伸方向具有第二寬度，且第一寬度小於第二寬度；其中連接部於第一側具有第一凹緣(concave)，連接部於第二側具有第二凹緣，其中於垂直閘極線延伸方向之方向上，第一凹緣的最凹點至邊緣的距離大於第二凹緣的最凹點至邊緣的距離；對向基板；及顯示介質，設於陣列基板與對向基板之間。
為讓本揭露之特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
100‧‧‧陣列基板
102‧‧‧次畫素
104‧‧‧基材
106‧‧‧第一電極
108‧‧‧第二電極
110‧‧‧資料線
112‧‧‧閘極線
114‧‧‧絕緣層
116‧‧‧第一指部
116E1‧‧‧第一外緣
116E2‧‧‧第二外緣
118‧‧‧連接部
120‧‧‧開孔
120S‧‧‧邊緣
120E‧‧‧延伸線
122A‧‧‧第一凹緣
122B‧‧‧第二凹緣
124A‧‧‧第一端點
124AE‧‧‧延伸線
124B‧‧‧第二端點
124BE‧‧‧延伸線
126T‧‧‧上部
126B‧‧‧下部
128A‧‧‧第一線段
128B‧‧‧第二線段
128‧‧‧線段
130‧‧‧曲率中心
132‧‧‧曲率中心
134A‧‧‧第一反曲點
134AE‧‧‧延伸線
134B‧‧‧第二反曲點
134BE‧‧‧延伸線
136A‧‧‧最凹點
136AE‧‧‧延伸線
136B‧‧‧最凹點
136BE‧‧‧延伸線
138A‧‧‧線段
138B‧‧‧線段
139A‧‧‧上端點
139B‧‧‧上端點
140A‧‧‧第一側緣
140AE‧‧‧延伸線
140B‧‧‧第二側緣
140BE‧‧‧延伸線
142A‧‧‧交點
142B‧‧‧交點
144A‧‧‧點
144AE‧‧‧線段
144B‧‧‧點
144BE‧‧‧線段
146A‧‧‧交點
146B‧‧‧交點
148A‧‧‧第一側邊
148B‧‧‧第二側邊
150A‧‧‧第一區域
150B‧‧‧第二區域
152‧‧‧第二指部
154‧‧‧傾斜狹縫
200‧‧‧顯示裝置
202‧‧‧對向基板
204‧‧‧顯示介質
300‧‧‧區域
A1E‧‧‧延伸線
θ 1‧‧‧角度
θ 2‧‧‧角度
θ 3‧‧‧角度
θ 4‧‧‧角度
X1‧‧‧距離
X2‧‧‧距離
Y1‧‧‧距離
Y2‧‧‧距離
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
D3‧‧‧距離
D4‧‧‧距離
D5‧‧‧距離
D6‧‧‧距離
L1‧‧‧邊長
L2‧‧‧邊長
L3‧‧‧長度
L4‧‧‧長度
W1‧‧‧第一寬度
W2‧‧‧第二寬度
S1‧‧‧第一側
S2‧‧‧第二側
S3‧‧‧外側
S4‧‧‧內側
V‧‧‧通孔
1B-1B‧‧‧線段
A1‧‧‧閘極線延伸方向
A2‧‧‧垂直閘極線延伸方向之方向
第1A圖係本揭露實施例之陣列基板之上視圖。
第1B圖係沿著第1A圖之線段1B-1B所繪之陣列基板的剖面圖。
第2圖係第1A圖之陣列基板之部分放大圖。
第3A圖係第2圖之陣列基板之部分放大圖。
第3B圖係第2圖之陣列基板之部分放大圖。
第3C圖係第2圖之陣列基板之部分放大圖。
第3D圖係第2圖之陣列基板之部分放大圖。
第4圖係本揭露另一實施例之陣列基板之上視圖及部分放大圖。
第5圖係本揭露實施例之顯示裝置之剖面圖。
以下針對本揭露之陣列基板及具有此陣列基板之顯示面板作詳細說明。應了解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例或例子，用以實施本揭露之不同樣態。以下所述特定的元件及排列方式儘為簡單描述本揭露。當然，這些僅用以舉例而非本揭露之限定。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本揭露，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。或者，亦可能間隔有一或更多其它材料層之情形，在此情形中，第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸。
必需了解的是，為特別描述或圖示之元件可以此技 術人士所熟知之各種形式存在。此外，當某層在其它層或基板「上」時，有可能是指「直接」在其它層或基板上，或指某層在其它層或基板上，或指其它層或基板之間夾設其它層。
此外，實施例中可能使用相對性的用語，例如「較低」或「底部」及「較高」或「頂部」，以描述圖示的一個元件對於另一元件的相對關係。能理解的是，如果將圖示的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。
在此，「約」、「大約」之用語通常表示在一給定值或範圍的20%之內，較佳是10%之內，且更佳是5%之內。在此給定的數量為大約的數量，意即在沒有特定說明的情況下，仍可隱含「約」、「大約」之含義。
本揭露實施例係利用加大畫素電極於特定側邊之凹緣，以減少倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率並減少亮紋區或暗紋區。
首先，參見第1A圖及第1B圖，第1A圖係本揭露實施例之陣列基板100之上視圖，而第1B圖係沿著第1A圖之線段1B-1B所繪之陣列基板100的剖面圖。陣列基板100可為一具有電晶體陣列之電晶體基板，例如薄膜電晶體基板。此外，如第1A圖所示，陣列基板100具有多個次畫素(sub-pixel)102，而如第1B圖所示，此陣列基板100包括基材104、設於此基材104上之第一電極106、以及設於第一電極106上的第二電極108。需注意的是，由第1B圖可知，第一電極106與第二電極108係設於不同之平面上，故第1A圖所示之第一電極106與第二電極108係為將上述兩電極投影至同 一平面之圖式。
詳細而言，基材104可為透明基材，例如可為玻璃基材、陶瓷基材、塑膠基材或其它任何適合之透明基板。此外，基材104中更包括資料線110、閘極線112(繪示於第1A圖，但未繪示於第1B圖)以及上述電晶體(未繪示)。此資料線110係用以提供源極訊號至次畫素102，而此閘極線112係用以提供掃描脈衝訊號至次畫素102，並配合上述源極訊號一同控制次畫素102。此外，此閘極線112係沿著方向A1延伸，而大抵垂直(perpendicular)或正交(orthogonal)此閘極線延伸方向A1之方向係為方向A2。
此外，第一電極106與第二電極108可各自獨立地包括透明導電材料，例如為銦錫氧化物(ITO)氧化錫(TO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)、氧化銻錫(ATO)、氧化銻鋅(AZO)、上述之組合或其它任何適合之透明導電氧化物材料。在第1B圖所示之實施例中，第一電極106為一共同電極(common electrode)，而第二電極108為一畫素電極(pixel electrode)。此外，作為共同電極之第一電極106係設於整個次畫素102之區域中，且具有開孔120。而第一電極106與第二電極108之間設有一絕緣層114，且此絕緣層114填入上述第一電極106之開孔120中。此絕緣層114之材料可為氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、上述之組合、或其它任何適合之材料。
此外，如第1B圖所示，此絕緣層114中對應開孔120之區域中設有一通孔V，使作為畫素電極的第二電極108藉由通孔V電性連接至基材104中的資料線110(未繪示)。易言之，如第1A圖之上視圖所示，通孔V係設於開孔120中。此外，上述絕緣層114 可將第一電極106與第二電極108電性絕緣，使第一電極106與第二電極108之間可形成一電容。
接著，參見第2圖，該圖係第1A圖之陣列基板100的其中一個作為畫素電極之第二電極108的放大圖。如第2圖所示，作為畫素電極之第二電極108包括第一指部116與連接部118。此外，開孔120於平行閘極線延伸方向A1上具有邊緣120S。詳細而言，邊緣120S係指開孔120中平行閘極線延伸方向A1且較靠近第一指部116之邊緣(亦即標號120S所指之粗線)。此外，上述第一指部116與連接部118可大抵於此邊緣120S連接。此外，延伸線120E係指平行於閘極線延伸方向A1且大抵與邊緣120S重疊之線段。
如第2圖所示，第一指部116具有第一側S1及與此第一側S1相對之第二側S2，且此第一指部116之第一外緣116E1於第一側S1與閘極線延伸方向A1(例如延伸線120E之方向)夾有一銳角θ 1，而第一指部116之第二外緣116E2於第二側S2與閘極線延伸方向A1(例如延伸線120E之方向)夾有一鈍角θ 2。易言之，第一側S1係指在第一指部116與連接部118之連接處，第一指部116之第一外緣116E1與閘極線延伸方向A1(例如延伸線120E之方向)夾有一銳角θ 1之側邊，而第二側S2係指在第一指部116與連接部118之連接處，第一指部116之第二外緣116E2與閘極線延伸方向A1(例如延伸線120E之方向)夾有一鈍角θ 2之側邊。
接著，參見第3A圖，第3A圖係第2圖之連接部118與部分第一指部116之放大圖，亦即第2圖中區域300之放大圖。如第3A圖所示，連接部118鄰近邊緣120S於閘極線延伸方向A1具有第一寬度W1，而連接部118遠離邊緣120S於閘極線延伸方向A1具有 第二寬度W2，且此第一寬度W1小於第二寬度W2。
詳細而言，連接部118包括較靠近邊緣120S之上部126T及較遠離邊緣120S之下部126B，且此上部126T於閘極線延伸方向A1具有上述第一寬度W1，下部126B於閘極線延伸方向A1具有上述第二寬度W2。
上述連接部118之上部126T及下部126B係定義如下。連接部118於第一側S1具有第一凹緣(concave)122A，於第二側S2具有第二凹緣122B。此第一凹緣122A具有一遠離邊緣120S之第一端點124A，而此第二凹緣122B亦具有一遠離邊緣120S之第二端點124B。以第一端點124A與第二端點124B中較遠離邊緣120S之端點作基準沿閘極線延伸方向A1作一延伸線，例如以第3A圖中較遠離邊緣120S之第一端點124A作延伸線124AE，且此延伸線124AE平行於閘極線延伸方向A1且通過第一端點124A。此延伸線(例如延伸線124AE)將連接部118分為兩部分，較靠近邊緣120S之部分為上部126T，而較遠離邊緣120S之部分為下部126B。
此外，上述第一寬度W1係指上部126T於閘極線延伸方向A1上第一凹緣122A與第二凹緣122B之間的寬度，而上述第二寬度W2係指下部126B於閘極線延伸方向A1上兩相對邊緣之間的寬度。
再者，連接部118之第一凹緣122A與第二凹緣122B僅設於連接部118之上部126T，而未設於連接部118之下部126B。
繼續參見第3A圖，在本揭露之連接部118中，第一凹緣122A的邊長L1(亦即第3A圖中標號L1所指之粗線的長度)大於第二凹緣122B的邊長L2(亦即第3A圖中標號L2所指之粗線的長 度)，此特徵可減少倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率並減少影響顯示品質的亮暗不均。
詳細而言，本揭露係將第一指部116之第一外緣116E1於第一指部116與連接部118之連接處與閘極線延伸方向A1夾有一銳角θ 1之側邊作為第一側S1，而發明人發現連接部118中位於此第一側S1之部分會造成部分位於此第一側S1之液晶分子具有與大部分液晶分子不同之倒向，造成顯示品質的亮暗不均並降低液晶效率。而由於本揭露之第一凹緣122A的邊長L1大於第二凹緣122B的邊長L2，故可實質上減少連接部118中位於此第一側S1之部分的面積，因此可減少位於此第一側S1之倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量。而位於第一側S1之倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子數量的減少可增加液晶效率以使液晶面板在顯示時的亮度係增加，並可減少顯示品質的亮暗不均以提升顯示的品質。例如，在一實施例中，對應位於第一側S1之第一凹緣122A之區域的液晶分子的液晶效率可由20%提昇至23%。
此外，在本揭露之連接部118中，第一凹緣122A之第一端點124A至邊緣120S的距離D1可大於第二凹緣122B之第二端點124B至邊緣120S的距離D2。
詳細而言，在第3A圖中，延伸線124AE係指平行於閘極線延伸方向A1且通過第一端點124A之線段。上述第一端點124A至邊緣120S的距離D1係指於垂直閘極線延伸方向A1之方向A2上，延伸線124AE至延伸線120E之距離。同理，延伸線124BE係指平行於閘極線延伸方向A1且通過第二端點124B之線段，而上述第二端點124B至邊緣120S的距離D2係指於垂直閘極線延伸方 向A1之方向A2上，延伸線124BE至延伸線120E之距離。
如第3A圖所示，此距離D1大於距離D2表示此連接部118位於第一側S1之部分的面積較連接部118位於第二側S2之部分的面積少，故可減少位於此第一側S1之倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率以使液晶面板在顯示時的亮度係增加，並可減少亮暗不均以提升顯示的品質。
接著，參見第3B圖，該圖繪示與第3A圖相同之連接部118與部分第一指部116。此處以另一重製之第3B圖繪示此連接部118與部分第一指部116係為了更清楚說明本揭露之技術特徵。如第3B圖所示，連接部118於第一側S1具有第一反曲點134A，而於第二側S2具有第二反曲點134B，且於垂直閘極線延伸方向A1之方向A2上，第一反曲點134A至邊緣120S的距離D3大於第二反曲點134B至邊緣120S的距離D4。此特徵可更進一步減少倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率並減少顯示品質的亮暗不均。
詳細而言，上述反曲點係指側邊上位於曲線凹側之曲率中心由曲線的一側換至另一側之點。以連接部118位於第一側S1之側邊為例，此側邊較靠近邊緣120S之部分具有凹口朝向連接部118的外側S3之第一線段128A(亦即第3B圖中標號128A所指之粗線)，而此側邊較遠離邊緣120S之部分具有凹口朝向連接部118的內側S4的之第二線段128B(亦即第3B圖中標號128B所指之粗線)。第一線段128A與第二線段128B組成線段128。而內側S4係相對於外側S3，亦即外側S3與內側S4係分別指線段128之相對的兩側。此外，曲率中心(center of curvature)係指與曲線上之某一點 相切且與此點具有相同曲率半徑之圓的圓心。換句話說，曲率中心係指自曲線上之某一點沿垂直於該點之切線方向向凹緣內延伸該點之曲率半徑的距離所得的點。
如第3B圖所示，第一線段128A與第二線段128B皆為曲線，且第一線段128A上任一點之曲率中心(例如曲率中心130)皆位於第一線段128A(或線段128)之外側S3，而第二線段128B任一點之曲率中心(例如曲率中心132)皆位於第二線段128B(或線段128)之內側S4。而連接部118包括線段128之側邊的曲率中心由側邊之外側S3換至內側S4的點，即為此側邊之第一反曲點134A。此外，第一反曲點134A亦為上述第一線段128A與第二線段128B之連接點。同理，連接部118於第二側S2之第二反曲點134B亦由相同之方式定義。
此外，延伸線134AE係指平行於閘極線延伸方向A1且通過第一反曲點134A之線段。上述第一反曲點134A至邊緣120S的距離D3係指於垂直閘極線延伸方向A1之方向A2上，延伸線134AE至延伸線120E之距離。同理，延伸線134BE係指平行於閘極線延伸方向A1且通過第二反曲點134B之線段，而上述第二反曲點134B至邊緣120S的距離D4係指於垂直閘極線延伸方向A1之方向A2上，延伸線134BE至延伸線120E之距離。
如第3B圖所示，連接部118之第一反曲點134A至邊緣120S的距離D3大於第二反曲點134B至邊緣120S的距離D4即表示此連接部118位於第一側S1之部分的面積較連接部118位於第二側S2之部分的面積少，故可減少位於此第一側S1之倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率以使液晶面板在 顯示時的亮度增加，並可減少亮暗不均以提升顯示的品質。
接著，參見第3C圖，該圖繪示與第3A、3B圖相同之連接部118與部分第一指部116。此處以另一重製之第3C圖繪示此連接部118與部分第一指部116係為了更清楚說明本揭露之技術特徵。如第3C圖所示，於垂直閘極線延伸方向A1之方向A2上，連接部118之第一凹緣122A的最凹點136A至邊緣120S的距離D5大於第二凹緣122B的最凹點136B至邊緣120S的距離D6。此特徵可更進一步減少倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率並減少顯示品質的亮暗不均。
詳細而言，線段138A係指第一凹緣122A中遠離邊緣120S的第一端點124A與鄰近邊緣120S的上端點139A之連線，而第一凹緣122A的最凹點136A係指在於垂直此線段138A之方向上，第一凹緣122A上至此線段138A具有最大垂直距離的點。同理，線段138B係指第二凹緣122B中遠離邊緣120S的第二端點124B與鄰近邊緣120S的上端點139B之連線，而第二凹緣122B的最凹點136B係指於垂直線段138B之方向上，第二凹緣122B上至此線段138B具有最大垂直距離的點。
此外，延伸線136AE係指平行於閘極線延伸方向A1且通過第一凹緣122A的最凹點136A之線段。上述第一凹緣122A的最凹點136A至邊緣120S的距離D5係指於垂直閘極線延伸方向A1之方向A2上，延伸線136AE至延伸線120E之距離。同理，延伸線136BE係指平行於閘極線延伸方向A1且通過第二凹緣122B之線段，而上述第二凹緣122B的最凹點136B至邊緣120S的距離D6係指於垂直閘極線延伸方向A1之方向A2上，延伸線136BE至延伸 線120E之距離。
如第3C圖所示，連接部118之第一凹緣122A的最凹點136A至邊緣120S的距離D5大於第二凹緣122B的最凹點136B至邊緣120S的距離D6即表示此連接部118位於第一側S1之部分的面積較連接部118位於第二側S2之部分的面積少，故可減少位於此第一側S1之倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率以使液晶面板在顯示時的亮度係增加，並可減少亮暗不均以提升顯示的品質。
接著，參見第3D圖，該圖繪示與第3A、3B及3C圖相同之連接部118與部分第一指部116。此處以另一重製之第3D圖繪示此連接部118與部分第一指部116係為了更清楚說明本揭露之技術特徵。如第3D圖所示，連接部118於第一側S1具有與第一凹緣122A相連之第一側緣140A，連接部118於第二側S2具有與第二凹緣122B相連之第二側緣140B。且以閘極線延伸方向A1為基準，第一側緣140A的斜率絕對值與第二側緣140B的斜率絕對值不同。此外，在一實施例中，上述第一側緣140A的斜率絕對值小於第二側緣140B的斜率絕對值。此特徵可更進一步減少倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率並減少顯示品質的亮暗不均。
在第3D圖所示之實施例中，連接部118之第一側緣140A與閘極線延伸方向A1之交角θ 3不為90度，且第二側緣140B與閘極線延伸方向A1之交角θ 4亦不為90度。上述第一側緣140A的斜率絕對值、第二側緣140B的斜率絕對值、交角θ 3與交角θ 4可由第一側緣140A、第二側緣140B以及任一平行於閘極線延伸方 向A1(例如延伸線A1E)之線段定義。
詳細而言，第一側緣140A的延伸線140AE與延伸線A1E交於交點142A。而線段144AE係指平行於方向A2且通過第一側緣140A上的點144A的線段，且線段144AE與延伸線A1E相交於交點146A。交點146A至交點142A之距離為距離X1，而交點146A至點144A之距離為距離Y1。上述以閘極線延伸方向A1為基準之第一側緣140A的斜率絕對值即為距離Y1除以距離X1之數值(Y1/X1)。
同理，第二側緣140B的延伸線140BE與延伸線A1E交於交點142B。而線段144BE係指平行於方向A2且通過第二側緣140B上的點144B的線段，且線段144BE與延伸線A1E相交於交點146B。交點146B至交點142B之距離為距離X2，而交點146B至點144B之距離為距離Y2。上述以閘極線延伸方向A1為基準之第二側緣140B的斜率絕對值即為距離Y2除以距離X2之數值(Y2/X2)。
此外，交角θ 3係指第一側緣140A(或其延伸線140AE)與閘極線延伸方向A1所夾之銳角，而交角θ 4係指第二側緣140B(或其延伸線140BE)與閘極線延伸方向A1所夾之銳角。由於連接部118之第一側緣140A的斜率絕對值小於第二側緣140B的斜率絕值，故此交角θ 4係大於交角θ 3。
如第3D圖所示，連接部118之第一側緣140A的斜率絕對值小於第二側緣140B的斜率絕對值(或交角θ 4大於交角θ 3)即表示此連接部118位於第一側S1之部分的面積較連接部118位於第二側S2之部分的面積少，故可減少位於此第一側S1之倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率以使液晶面 板在顯示時的亮度係增加，並可減少亮暗不均以提升顯示的品質。
此外，繼續參見第3D圖，第一側緣140A的長度L3(亦即第3D圖中標號L3所指之粗線的長度)可小於第二側緣140B的長度L4(亦即第3D圖中標號L4所指之粗線的長度)，此表示連接部118位於第一側S1之部分的面積較連接部118位於第二側S2之部分的面積少，故可更進一步減少倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率並減少顯示品質的亮暗不均。
接著，繼續參見第3D圖，第一電極106(此實施例中為共同電極)之開孔120於第一側S1具有第一側邊148A，而於第二側S2具有第二側邊148B。而第二電極108(此實施例中為畫素電極)之連接部118於第一側邊148A外(亦即第3D圖中標號148A所指之粗線之外)具有第一區域150A，連接部118於第二側邊148B外(亦即第3D圖中標號148B所指之粗線之外)具有第二區域150B，此第一區域150A的面積小於第二區域150B的面積。
詳細而言，連接部118未與開孔120重疊之部分可分為兩部分。靠近第一側S1之部分係位於開孔120之第一側邊148A外且稱為第一區域150A(較靠近圖式之左側)，而靠近第二側S2之部分係位於開孔120之第二側邊148B外且稱為第二區域150B(較靠近圖式之右側)。
如第3D圖所示，由於連接部118較靠近第一側S1之第一區域150A的面積小於較靠近第二側S2之第二區域150B的面積，故可減少位於此第一側S1之倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量，以增加液晶效率以使液晶面板在顯示時的亮度係增加，並可減少亮暗不均以提升顯示的品質。
此外，雖然以上僅揭露畫素電極具有一個指部之實施例，然而畫素電極亦可具有兩個或兩個以上之指部，如第4圖之實施例所示。本揭露之範圍並不以第1A-3D圖所示之實施例為限。
第4圖係本揭露另一實施例之陣列基板之畫素電極的上視圖，如該圖所示，作為畫素電極之第二電極108更包括實質上平行於第一指部116之第二指部152以及設於此第一指部116與第二指部152之間的傾斜狹縫154。具有兩個指部之第二電極108可更進一步提昇液晶效率以使液晶面板在顯示時的亮度係增加。
此外，雖然以上僅揭露第一電極作為共同電極且第二電極作為畫素電極之實施例，然而此技藝人士可知此第一電極亦可作為畫素電極，而此時第二電極則作為共同電極。易言之，在陣列基板中，畫素電極可設基材上，而此時共同電極係設於此畫素電極上。
此外，本揭露亦提供具有上述陣列基板100之顯示裝置200，如第5圖所示。第5圖之顯示裝置200包括本揭露之陣列基板100、與此陣列基板100相對設置之對向基板202、以及設於陣列基板100與對向基板202之間的顯示介質204。
此對向基板202可為一彩色濾光基板、一透明基板、或其它任何適合之基板。上述彩色濾光基板可包括一透明基板以及設於此透明基板上之彩色濾光層。此透明基板可包括玻璃基板、陶瓷基板、塑膠基板或其它任何適合之透明基板。
顯示介質204例如可為液晶材料，而此液晶材料可為向列型液晶(nematic)、層列型液晶(smectic)、膽固醇液晶(cholesteric)、藍相液晶(Blue phase)或其它任何適合之液晶材料。
顯示裝置200可為液晶顯示器，例如為薄膜電晶體液晶顯示器。或者，此液晶顯示器可為扭轉向列(Twisted Nematic,TN)型液晶顯示器、超扭轉向列(Super Twisted Nematic,STN)型液晶顯示器、雙層超扭轉向列(Double layer Super Twisted Nematic,DSTN)型液晶顯示器、垂直配向(Vertical Alignment,VA)型液晶顯示器、水平電場效應(In-Plane Switching,IPS)型液晶顯示器、膽固醇(Cholesteric)型液晶顯示器、藍相(Blue Phase)型液晶顯示器或其它任何適合之液晶顯示器。
綜上所述，本揭露利用加大畫素電極於特定側邊之凹緣，可實質上減少連接部位於此特定側邊之部分的面積，故減少位於此特定側邊之倒向與大部分液晶分子不同之液晶分子的數量。因此，可增加液晶效率以使液晶面板在顯示時的亮度係增加，並可減少亮紋區或暗紋區以提升顯示的品質。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍 及實施例的組合。
108‧‧‧第二電極
116‧‧‧第一指部
118‧‧‧連接部
120‧‧‧開孔
120S‧‧‧邊緣
120E‧‧‧延伸線
122A‧‧‧第一凹緣
122B‧‧‧第二凹緣
124A‧‧‧第一端點
124AE‧‧‧延伸線
124B‧‧‧第二端點
124BE‧‧‧延伸線
126T‧‧‧上部
126B‧‧‧下部
D1‧‧‧距離
D2‧‧‧距離
L1‧‧‧邊長
L2‧‧‧邊長
S1‧‧‧第一側
S2‧‧‧第二側
W1‧‧‧第一寬度
W2‧‧‧第二寬度
V‧‧‧通孔
A1‧‧‧閘極線延伸方向
A2‧‧‧垂直閘極線延伸方向之方向

Claims (19)

  1. 一種顯示裝置，包括：一陣列基板，包括：一基材；一第一電極，設於該基材上，其中該第一電極具有一開孔，該開孔於平行一閘極線延伸方向上具有一邊緣；以及一第二電極，設於該第一電極上，其中該第二電極包括：一第一指部，具有一第一側及與該第一側相對之一第二側，其中該第一指部之一第一外緣於該第一側與該閘極線延伸方向夾一銳角，而該第一指部之一第二外緣於該第二側與該閘極線延伸方向夾一鈍角；及一連接部，於該邊緣連接該第一指部，其中該連接部鄰近該邊緣於該閘極線延伸方向具有一第一寬度，該連接部遠離該邊緣於該閘極線延伸方向具有一第二寬度，且該第一寬度小於該第二寬度；其中該連接部於該第一側具有一第一凹緣(concave)，該連接部於該第二側具有一第二凹緣，該第一凹緣的邊長大於該第二凹緣的邊長；一對向基板；及一顯示介質，設於該陣列基板與該對向基板之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一凹緣具有遠離該邊緣之一第一端點，而該第二凹緣具有遠離該邊緣之一第二端點，且於垂直該閘極線延伸方向之方向上，該第一端點至該邊緣的距離大於該第二端點至該邊緣的距離。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該連接部於該第一側具有與該第一凹緣相連之一第一側緣，該連接部於該第二側具有與該第二凹緣相連之一第二側緣，其中以該閘極線延伸方向為基準，該第一側緣的斜率絕對值與該第二側緣的斜率絕對值不同。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該開孔於該第一側具有一第一側邊，該開孔於該第二側具有一第二側邊，其中該連接部於該第一側邊外具有一第一區域，該連接部於該第二側邊外具有一第二區域，該第一區域的面積小於該第二區域的面積。
  5. 一種顯示裝置，包括：一陣列基板，包括：一基材；一第一電極，設於該基材上，其中該第一電極具有一開孔，該開孔於平行一閘極線延伸方向上具有一邊緣；以及一第二電極，設於該第一電極上，其中該第二電極包括：一第一指部，具有一第一側及與該第一側相對之一第二側，其中該第一指部之一第一外緣於該第一側與該閘極線延伸方向夾一銳角，而該第一指部之一第二外緣於該第二側與該閘極線延伸方向夾一鈍角；及一連接部，於該邊緣連接該第一指部，其中該連接部鄰近該邊緣於該閘極線延伸方向具有一第一寬度，該連接部遠離該邊緣於該閘極線延伸方向具有一第二寬度，且該第一寬度小於該第二寬度；其中該連接部於該第一側具有一第一反曲點，該連接部於該第二側具有一第二反曲點，其中於垂直該閘極線延伸方向 之方向上，該第一反曲點至該邊緣的距離大於該第二反曲點至該邊緣的距離；一對向基板；及一顯示介質，設於該陣列基板與該對向基板之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該連接部於該第一側具有一第一凹緣，該連接部於該第二側具有一第二凹緣，其中該第一凹緣具有遠離該邊緣之一第一端點，而該第二凹緣具有遠離該邊緣之一第二端點，且於垂直該閘極線延伸方向之方向上，該第一端點至該邊緣的距離大於該第二端點至該邊緣的距離。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示裝置，其中該連接部於該第一側具有與該第一凹緣相連之一第一側緣，該連接部於該第二側具有與該第二凹緣相連之一第二側緣，其中以該閘極線延伸方向為基準，該第一側緣的斜率絕對值與該第二側緣的斜率絕對值不同。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該開孔於該第一側具有一第一側邊，該開孔於該第二側具有一第二側邊，其中該連接部於該第一側邊外具有一第一區域，該連接部於該第二側邊外具有一第二區域，該第一區域的面積小於該第二區域的面積。
  9. 一種顯示裝置，包括：一陣列基板，包括：一基材；一第一電極，設於該基材上，其中該第一電極具有一開孔，該開孔於平行一閘極線延伸方向上具有一邊緣；以及一第二電極，設於該第一電極上，其中該第二電極包括： 一第一指部，具有一第一側及與該第一側相對之一第二側，其中該第一指部之一第一外緣於該第一側與該閘極線延伸方向夾一銳角，而該第一指部之一第二外緣於該第二側與該閘極線延伸方向夾一鈍角；及一連接部，於該邊緣連接該第一指部，其中該連接部鄰近該邊緣於該閘極線延伸方向具有一第一寬度，該連接部遠離該邊緣於該閘極線延伸方向具有一第二寬度，且該第一寬度小於該第二寬度；其中該連接部於該第一側具有一第一凹緣(concave)，該連接部於該第二側具有一第二凹緣，其中於垂直該閘極線延伸方向之方向上，該第一凹緣的最凹點至該邊緣的距離大於該第二凹緣的最凹點至該邊緣的距離；一對向基板；及一顯示介質，設於該陣列基板與該對向基板之間。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第一凹緣具有遠離該邊緣之一第一端點，而該第二凹緣具有遠離該邊緣之一第二端點，且於垂直該閘極線延伸方向之方向上，該第一端點至該邊緣的距離大於該第二端點至該邊緣的距離。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該連接部於該第一側具有與該第一凹緣相連之一第一側緣，該連接部於該第二側具有與該第二凹緣相連之一第二側緣，其中以該閘極線延伸方向為基準，該第一側緣的斜率絕對值與該第二側緣的斜率絕對值不同。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該第一側緣的 斜率絕對值小於該第二側緣的斜率絕對值。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該第一側緣的長度小於該第二側緣的長度。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其中該第一側緣與該閘極線延伸方向之交角不為90度，且該第二側緣與該閘極線延伸方向之交角不為90度。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該第二電極更包括：一第二指部，實質上平行於該第一指部；及一傾斜狹縫，設於該第一指部與該第二指部之間。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該開孔於該第一側具有一第一側邊，該開孔於該第二側具有一第二側邊，其中該連接部於該第一側邊外具有一第一區域，該連接部於該第二側邊外具有一第二區域，該第一區域的面積小於該第二區域的面積。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該連接部更包括鄰近該邊緣之一上部以及遠離該邊緣之一下部，且該上部於該閘極線延伸方向具有該第一寬度，該下部於該閘極線延伸方向具有該第二寬度。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中該連接部之該第一凹緣與該第二凹緣皆設於該連接部之上部。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中該連接部之該第一凹緣與該第二凹緣並未設於該連接部之下部。
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