TWI501643B - 基於互補式金氧半導體之影像感測系統及其方法 - Google Patents

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Description

基於互補式金氧半導體之影像感測系統及其方法
本發明涉及一種影像感測系統，特別是指一種以互補式金氧半導體作為主動式像素影像感測器之基於互補式金氧半導體之影像感測系統及其方法。
近年來，隨著半導體技術的普及與蓬勃發展，互補式金氧半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)影像感測器已逐漸能夠與電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)感測器分庭抗禮，特別是在低階市場中，由於CMOS影像感測器不需要特殊製程導致成本較低，所以CMOS影像感測器早已成為低階市場中的主流。
一般而言，CMOS影像感測器所產生的影像品質不如CCD影像感測器來得好，但由於CMOS成本較低且較省電，這對於可攜式裝置而言具有相當大的吸引力，因此，如何改善CMOS的影像品質變成為各家廠商亟欲解決的問題之一。
有鑑於此，便有人提出透過改進製程及封裝的方式來提昇影像品質，例如：利用背照式(Backside Illumination,BSI)與矽穿孔(Through-Silicon Via,TSV)整合技術來提升影像品質。然而，上述方式無法適用於傳統製程及封裝的CMOS影像感測器，而且新製程及架構也會造成良率下降及成本提高的問題。因此，上述方式仍然無法有效解決CMOS影像品質不佳之問題。
綜上所述，可知先前技術中長期以來一直存在CMOS影像品質不佳之問題，因此實有必要提出改進的技術 手段，來解決此一問題。
本發明揭露一種基於互補式金氧半導體之影像感測系統及其方法。
首先，本發明揭露一種基於互補式金氧半導體之影像感測系統，此系統包含：控制單元、感測陣列及訊號處理模組。其中，控制單元用以產生控制訊號使重置端持續在高低電位間反覆切換；感測陣列包含至少一個主動式像素感測單元，每一主動式像素感測單元感光產生電荷後，根據重置端的高低電位產生直流訊號及交流訊號，並且將直流訊號及交流訊號輸出至行輸出端(Column Output)；訊號處理模組與感測陣列電性連接，用以過濾直流訊號僅自行輸出端接收交流訊號以避免直流電壓差異，以及對交流訊號進行訊號處理以產生影像訊號。
另外，本發明揭露一種基於互補式金氧半導體之影像感測方法，其步驟包括：產生控制信號使重置端持續在高低電位間反覆切換；感光產生電荷後，根據重置端的高低電位產生直流訊號及交流訊號，並且將直流訊號及交流訊號輸出至行輸出端；過濾行輸出端的直流訊號僅自行輸出端接收交流訊號以避免直流電壓差異，以及對交流訊號進行訊號處理以產生影像訊號。
本發明所揭露之系統與方法如上，與先前技術的差異在於本發明是透過產生控制訊號使重置端持續在高電位及低電位之間反覆切換，以便將影像訊號調變於特定頻率避免直流電壓差異影響影像品質。
透過上述的技術手段，本發明可以達成提高影像品質之技術功效。
10‧‧‧控制單元
11‧‧‧感測陣列
20‧‧‧訊息處理模組
110a~110n‧‧‧主動式像素感測單元
111‧‧‧光二極體
112a~112c‧‧‧電晶體開關
113‧‧‧電容
114‧‧‧重置端
115‧‧‧列選擇端
116‧‧‧行輸出端
201‧‧‧高通濾波器
202‧‧‧放大器
203a‧‧‧整流器
203b‧‧‧解調器
204‧‧‧低通濾波器
步驟210‧‧‧產生一控制信號使一重置端持續在高低電位間反覆切換
步驟220‧‧‧感光產生電荷後，根據該重置端的高低電位產生一直流訊號及一交流訊號，並且將該直流訊號及該交流訊號輸出至一行輸出端
步驟230‧‧‧過濾該行輸出端的直流訊號僅自該行輸出端接收該交流訊號以避免直流電壓差異，以及對該交流訊號進行訊號處理以產生影像訊號
步驟231‧‧‧允許該行輸出端的交流訊號通過
步驟232‧‧‧放大通過的交流訊號
步驟233‧‧‧對放大後的該交流訊號進行全波整流或解調訊號
步驟234‧‧‧將全波整流或解調訊號後的交流訊號平滑化後進行輸出
第1圖為本發明基於互補式金氧半導體之影像感測系統之系統方塊圖。
第2A圖及第2B圖為本發明基於互補式金氧半導體之影像感測方法之方法流程圖。
第3A圖及第3B圖為本發明訊號處理模組之示意圖。
第4圖為本發明各端點訊號之波形圖。
第5圖為傳統CMOS影像感測器的各端點訊號之波形圖。
以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發明之實施方式，藉此對本發明如何應用技術手段來解決技術問題並達成技術功效的實現過程能充分理解並據以實施。
在說明本發明所揭露之基於互補式金氧半導體之影像感測系統及其方法之前，先對本發明的架構作說明，本發明與習知技術的差異係在於主動式像素感測單元中，本發明在重置端以持續在高低電位之間反覆切換的方式獲得直流訊號與交流訊號，並且過濾掉直流訊號僅偵測交流訊號來進行成像，相較於以往僅能獲得及利用直流訊號的方式，更能夠避免因電氣特性的差異造成直流訊號位移，導致影像訊號出現誤差而影響影像品質。本發明可以適用於習知的感測陣列並達到改善影像品質的目的。另外，由於半導體在低頻與直流訊號上具有較高的雜訊干擾(Filcker noise)，因此將影像訊號調變在特定頻率可以降低此一干擾，進而使得影像品質能夠有所提升，所述特定頻率隨感測陣列感測到的光強度改變，光強度越高頻率越高；所述特定頻率的責任週期隨感測陣列感測到的光強度而改變，光強度越強則責任週期越短；除了上述方法外，還可以藉由改變頻率範圍，藉此適應不同的光強度，光強度越強則頻率範圍越高。
以下配合圖式對本發明基於互補式金氧半導體 之影像感測系統及其方法做進一步說明，請參閱「第1圖」，「第1圖」為本發明基於互補式金氧半導體之影像感測系統之系統方塊圖，其系統包含：控制單元10、感測陣列11及訊號處理模組20。其中，控制單元10用以產生控制訊號使重置端114持續在高電位及低電位之間反覆切換。在實際實施上，其反覆切換是指依序以高電位、低電位、高電位、低電位......，並以此類推的方式循環切換，而切換的次數是以輸出的影像訊號達到穩態為準，例如：假設高低電位反覆切換五次可使影像訊號達到穩態，那麼控制單元10產生的控制訊號可使重置端114持續在高低電位之間反覆切換至少五次即可。稍後將配合圖式對重置端114在高低電位間反覆切換的波形作詳細說明。
感測陣列11包含至少一個主動式像素感測單元(110a~110n)，每一個主動式像素感測單元(110a~110n)感光產生電荷後，根據重置端114的高低電位產生直流訊號及交流訊號，並且將直流訊號及交流訊號輸出至行輸出端116(Column Output)，在一個實施例中，每一個主動式像素感測單元(110a~110n)分別包含光二極體111、電晶體開關(112a~112c)、電容113、重置端114、列選擇端115(Row Select)及行輸出端116。其中，光二極體111與電容113相互並聯，光二極體可以根據照射的光線產生電荷。至於列選擇端115則控制電晶體開關112c使光二極體111產生的電荷輸出至行輸出端116。在實際實施上，每一個主動式像素感測單元(110a~110n)可以是三顆電晶體開關的主動式像素感測單元(3 Transistor Active Pixel Sensor,3T APS)或是四顆電晶體開關的主動式像素感測單元(4 Transistor Active Pixel Sensor,4T APS)，然而，本發明並未對主動式像素感測單元(110a~110n)作限定，任何可進行像素感測的元件皆不脫離本發明的應用範疇。
訊號處理模組20與感測陣列11電性連接，用以 過濾直流訊號僅自行輸出端116接收交流訊號以避免直流電壓差異，以及對交流訊號進行訊號處理以產生影像訊號。所述訊號處理可先透過高通濾波器僅允許行輸出端116的交流訊號通過，接著以放大器放大從高通濾波器通過的交流訊號，再以整流器或解調器對這些交流訊號進行全波整流或解調訊號，此整流器或解調器會將交流訊號轉換為更高頻率訊號與直流訊號，最後利用低通濾波器對全波整流或解調訊號後的交流訊號平滑化後進行輸出。稍後將配合圖式對訊號處理模組20作詳細說明。
接著，請參閱「第2A圖」及「第2B圖」，「第2A圖」及「第2B圖」為本發明基於互補式金氧半導體之影像感測方法，其步驟包括：產生控制信號使重置端114持續在高低電位間反覆切換(步驟210)；感光產生電荷後，根據重置端114的高低電位產生直流訊號及交流訊號，並且將此直流訊號及交流訊號輸出至行輸出端116(步驟220)；過濾行輸出端116的直流訊號僅自行輸出端116接收交流訊號以避免直流電壓差異，以及對此交流訊號進行訊號處理以產生影像訊號(步驟230)。透過上述步驟，即可透過產生控制訊號使重置端114持續在高低電位之間反覆切換，以便將影像訊號調變於特定頻率避免直流電壓差異影響影像品質。在實際實施上，步驟230中產生影像訊號所進行的訊號處理可以由下列步驟完成：允許行輸出端的交流訊號通過(步驟231)；放大通過的交流訊號(步驟232)；對放大後的交流訊號進行全波整流或解調訊號(步驟233)；及將全波整流或解調訊號後的交流訊號平滑化後進行輸出(步驟234)。
以下配合「第3A圖」至「第5圖」以實施例的方式進行如下說明，請先參閱「第3A圖」及「第3B圖」，「第3A圖」及「第3B圖」為本發明訊號處理模組之示意圖。前面提到，訊號處理模組20會過濾行輸出端的直流訊號，在實際實施上，訊號處理模組20可如「第3A圖」所示意包含高 通濾波器201、放大器202、整流器203a及低通濾波器204。其中，高通濾波器201與感測模組11的行輸出端116電性連接，用以允許行輸出端116的交流訊號通過，也就是過濾掉直流訊號僅允許交流訊號通過；放大器202與高通濾波器201電性連接，用以允許放大自高通濾波器201通過的交流訊號；整流器203a與放大器202電性連接，用以對通過的交流訊號進行全波整流，此時交流訊號將轉換成更高頻率訊號與直流訊號；低通濾波器204與整流器203a電性連接，用以將全波整流後的交流訊號平滑化後進行輸出。另外，訊號處理模組20也可如「第3B圖」所示意以解調器203b取代整流器203a，至於其餘元件則維持不變，此解調器203b用以對通過的交流訊號進行解調訊號，並且由低通濾波器204將解調訊號後的交流訊號平滑化後進行輸出，上述以全波整流或解調訊號的方式其目的皆在於將原本的交流訊號提高至更高的頻率，兩者的差異僅在於電子電路的實現方式不同。特別要說明的是，為了方便後續對各端點的波形進行示意及說明，高通濾波器201與放大器202之間以端點“N3”表示；整流器203a或解調器203b與放大器202之間以端點“N4”表示；低通濾波器204與整流器203a或解調器203b之間以端點“N5”表示；低通濾波器204的輸出端以端點“N6”表示。
如「第4圖」所示意，「第4圖」為本發明各端點訊號之波形圖。首先，請同時參閱「第1圖」及「第3圖」，控制單元10產生的控制訊號會使重置端114的訊號波形如「第4圖」所示意在高電位及低電位之間快速地反覆切換，其中高電位為“Vdd”、低電位為“Vss”。以「第1圖」的主動式像素感測單元110a為例，由於重置端114在高電位及低電位之間反覆切換，而且重置端114與電晶體開關112a的閘極(Gate)電性連接、電晶體開關112a的汲極(Drain)電性連接至高電位“Vref”、電晶體開關112a的源極(Soruce)與光二極體111電性連接，因此，端點“N1”的波形會由低 電位“Vss”切換至高電位“Vref”，且由於重置端114在高低電位間的切換時間非常短暫，所以端點“N1”的波形將如「第4圖」所示意，在重置端114持續切換的期間維持在高電位“Vref”。另外，電晶體開關112b的閘極與端點“N1”電性連接、電晶體開關112b的汲極與高電位“Vdd”電性連接、電晶體開關112b的源極與電晶體開關112c的汲極電性連接，電晶體開關112c的閘極與列選擇端115電性連接、電晶體開關112c的源極與行輸出端116(即端點“N2”)電性連接，所以端點“N2”會如「第4圖」所示意在交流的部分呈現三角波，而此波形經由高通濾波器201處理後，即如「第4圖」所示意的端點“N3”之波形，並且經過放大器202放大端點“N3”的波形後產生端點“N4”的波形，接著將端點“N4”的波形由整流器203a或解調器203b全波整流或解調訊號後產生端點“N5”的波形，最後由低通濾波器204將端點“N5”的波形平滑化後輸出成端點“N6”的波形。經由上述處理即可將影像訊號調變於特定頻率(例如：高頻)上，避開直流電壓差異造成影像不齊的問題，而且因為將影像訊號調變於高頻，所以還可以降低半導體在低頻及直流訊號上具有較高的雜訊干擾的問題。特別要說明的是，端點“N1”與端點“N2”的波形會因為電氣特性的不同而有高度上的差異，但是經過高通濾波器201處理後，端點“N3”至端點“N6”的波形便不會因電氣特性的不同而有高度上的差異。
最後，請參閱「第5圖」，「第5圖」為傳統CMOS影像感測器的各端點訊號之波形圖。與上述本發明使重置端114持續在高低電位間反覆切換的方式不同，在傳統方式中，重置端由低電位切換至高電位後，端點“N1”會被拉至高電位“VREF ”，當列選擇端仍為低電位“Vss”時訊號不進行輸出，而重置端由高電位切換至低電位且直到列選擇端由低電位切換至高電位的這一段時間稱之為光二極體的積分時間，在這段時間中，端點“N1”的電位會隨著時間往下降，直到 列選擇端由低電位切換至高電位進行訊號輸出。
綜上所述，可知本發明與先前技術之間的差異在於透過產生控制訊號使重置端持續在高電位及低電位之間反覆切換，以便將影像訊號調變於特定頻率避免直流電壓差異影響影像品質，藉由此一技術手段可以解決先前技術所存在的問題，進而達成提高影像品質之技術功效。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧控制單元
11‧‧‧感測陣列
20‧‧‧訊息處理模組
110a~110n‧‧‧主動式像素感測單元
111‧‧‧光二極體
112a~112c‧‧‧電晶體開關
113‧‧‧電容
114‧‧‧重置端
115‧‧‧列選擇端
116‧‧‧行輸出端

Claims (11)

  1. 一種基於互補式金氧半導體之影像感測系統，該系統包含：一控制單元，用以產生一控制訊號使一重置端持續在高低電位間反覆切換；一感測陣列，該感測陣列包含至少一主動式像素感測單元，每一主動式像素感測單元感光產生電荷後，根據該重置端的高低電位產生一直流訊號及一交流訊號，並且將該直流訊號及該交流訊號輸出至一行輸出端(Column Output)；及一訊號處理模組，該訊號處理模組與該感測陣列電性連接，用以過濾該直流訊號僅自該行輸出端接收該交流訊號以避免直流電壓差異，以及對該交流訊號進行訊號處理以產生影像訊號。
  2. 根據申請專利範圍第1項之基於互補式金氧半導體之影像感測系統，其中該訊號處理模組更包含：一高通濾波器，該高通濾波器與該行輸出端電性連接，用以允許該行輸出端的交流訊號通過；一放大器，該放大器與該高通濾波器電性連接，用以允許放大自該高通濾波器通過的交流訊號；一解調器，該解調器與該放大器電性連接，用以對放大後的該交流訊號進行解調訊號；及一低通濾波器，該低通濾波器與該解調器電性連接，用以將解調訊號後的交流訊號平滑化後進行輸出。
  3. 根據申請專利範圍第1項之基於互補式金氧半導體之影像感測系統，其中該訊號處理模組更包含：一高通濾波器，該高通濾波器與該行輸出端電性連接，用以允許該行輸出端的交流訊號通過；一放大器，該放大器與該高通濾波器電性連接，用以允許放大自該高通濾波器通過的交流訊號；一整流器，該整流器與該放大器電性連接，用以對放大後的該交流訊號進行全波整流；及一低通濾波器，該低通濾波器與該整流器電性連接，用以將全波整流後的交流訊號平滑化後進行輸出。
  4. 根據申請專利範圍第1項之基於互補式金氧半導體之影像感測系統，其中該重置端持續在高低電位間反覆切換時，影像訊號調變在一特定頻率，該特定頻率隨該感測陣列感測到的光強度改變，光強度越強頻率越高。
  5. 根據申請專利範圍第1項之基於互補式金氧半導體之影像感測系統，其中該重置端持續在高低電位間反覆切換時，影像訊號調變在一特定頻率，該特定頻率的責任週期隨該感測陣列感測到的光強度改變，光強度越強責任週期越短。
  6. 根據申請專利範圍第4項或第5項之基於互補式金氧半導體之影像感測系統，其中該特定頻率為具有抗雜訊干擾的交流訊號。
  7. 一種基於互補式金氧半導體之影像感測方法，其步驟包括： 產生一控制信號使一重置端持續在高低電位間反覆切換；感光產生電荷後，根據該重置端的高低電位產生一直流訊號及一交流訊號，並且將該直流訊號及該交流訊號輸出至一行輸出端(Column Output)；及過濾該行輸出端的直流訊號僅自該行輸出端接收該交流訊號以避免直流電壓差異，以及對該交流訊號進行訊號處理以產生影像訊號。
  8. 根據申請專利範圍第7項之基於互補式金氧半導體之影像感測方法，其中該進行訊號處理的步驟包含：允許該行輸出端的交流訊號通過；放大通過的交流訊號；對放大後的該交流訊號進行全波整流或解調訊號；及將全波整流或解調訊號後的交流訊號平滑化後進行輸出。
  9. 根據申請專利範圍第7項之基於互補式金氧半導體之影像感測方法，其中該重置端持續在高低電位間反覆切換時，影像訊號調變在一特定頻率，該特定頻率隨感測到的光強度改變，光強度越強頻率越高。
  10. 根據申請專利範圍第7項之基於互補式金氧半導體之影像感測方法，其中該重置端持續在高低電位間反覆切換時，影像訊號調變在一特定頻率，該特定頻率的責任週期隨該感測陣列感測到的光強度改變，光強度越強責任週期越短。
  11. 根據申請專利範圍第9項或第10項之基於互補式金氧半導體之影像感測方法，其中該特定頻率為具有抗雜訊干擾的交流訊號。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200620150A (en) * 2004-12-13 2006-06-16 Pixart Imaging Inc Single chip with integration of image sensor and back-end processing module
US20090268054A1 (en) * 2005-12-29 2009-10-29 Byd Company Limited Analog image signal processing circuit for cmos image sensor
TW201217821A (en) * 2010-06-03 2012-05-01 On Semiconductor Trading Ltd Hall element controlling circuit
TW201324754A (zh) * 2011-12-09 2013-06-16 Taiwan Semiconductor Mfg 背側照射型互補式金氧半導體影像感測器的製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0607270D0 (en) * 2006-04-11 2006-05-17 Univ Nottingham The pulsing blood supply
US20100226495A1 (en) * 2007-10-29 2010-09-09 Michael Kelly Digital readout method and apparatus
US8159291B2 (en) * 2007-12-21 2012-04-17 Datamars S.A. AM (amplitude modulation) demodulation system for RFID reader device
CN101394482A (zh) * 2008-09-09 2009-03-25 任晓慧 互补金属氧化物半导体图像传感器的自动曝光控制方法
US7999865B2 (en) * 2008-10-20 2011-08-16 Fairchild Imaging, Inc. Imaging array with modulated pixels

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200620150A (en) * 2004-12-13 2006-06-16 Pixart Imaging Inc Single chip with integration of image sensor and back-end processing module
US20090268054A1 (en) * 2005-12-29 2009-10-29 Byd Company Limited Analog image signal processing circuit for cmos image sensor
TW201217821A (en) * 2010-06-03 2012-05-01 On Semiconductor Trading Ltd Hall element controlling circuit
TW201324754A (zh) * 2011-12-09 2013-06-16 Taiwan Semiconductor Mfg 背側照射型互補式金氧半導體影像感測器的製造方法

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