TWI501468B - 非對稱天線及ｍｉｍｏ天線 - Google Patents

Description

非對稱天線及MIMO天線

本發明涉及無線通信領域，特別是涉及一種非對稱天線及MIMO天線。

在傳統天線設計中當遇到天線使用空間小、工作頻率低、工作在多模等問題時，天線的性能將極大的受制於天線體積大小。天線體積的減小對應的天線的電長度也將受到影響，天線輻射效率及工作頻率將改變。傳統的偶極子天線及PIFA天線在面對習知通訊終端小體積、寬頻帶等問題時就顯得力不從心，設計難度極大最終也不能滿足使用的要求。傳統的天線在低頻段設計中只用通過外部的匹配線路來實現多模的輻射要求，在天饋系統中加入匹配網絡後功能上是可實現低頻、多模的工作要求，但是其輻射效率將極大的降低因為非常大的一部分能量損失在匹配網絡上。

習知的超材料小天線，在設計中集成了新型人工電磁材料，因此其輻射具有非常豐富的色散特性，可以形成多種輻射模式，即可免去繁瑣的阻抗匹配網絡，這種豐富的色散特性為多頻點的阻抗匹配帶來了極大的便利。

儘管如此，習知的超材料小天線在面對習知終端設備小體積、低工作頻率、寬帶多模等問題時，設計的過程中也受到了極大的制約。

本發明主要解決的技術問題是提供一種非對稱天線及MIMO天線，能够易於實現多模化且在低工作頻率仍然性能良好。

為解決上述技術問題，本發明採用的一個技術方案是：提供一種非對稱天線，包括第一饋線與第一金屬片，該第一饋線通過耦合方式饋入該第一金屬片，該第一金屬片上至少鏤刻有非對稱的第一微槽結構和第二微槽結構，使得該非對稱天線具有至少兩個不同的諧振頻段。

其中，該第一微槽結構為互補式開口諧振環結構、互補式螺旋線結構、開口螺旋環結構、雙開口螺旋環結構以及互補式彎折線結構中的一種或者是通過前面五種結構的其中一種結構衍生、其中多種結構複合或其中一種結構組陣得到的結構。

其中，該第二微槽結構為互補式開口諧振環結構、互補式螺旋線結構、開口螺旋環結構、雙開口螺旋環結構以及互補式彎折線結構中的一種或者是通過前面五種結構的其中一種結構衍生、其中多種結構複合或其中一種結構組陣得到的結構。

其中，該非對稱天線還包括第一介質基板，該第一金屬片與該第一饋線設置於該第一介質基板的第一表面上。

其中，該第一介質基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料或鐵氧材料制成。

其中，該非對稱天線還包括第二介質基板，該第二介質基板覆蓋於該第一介質基板上。

其中，該第二介質基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材 料或鐵氧材料制成。

其中，該非對稱天線還包括第二金屬片及第二饋線，該第二金屬片設置於該第一介質基板的與該第一表面相對的第二表面上，該第二饋線通過耦合方式饋入該第二金屬片，該第一饋線與該第二饋線電連接。

其中，該第二金屬片上鏤刻有非對稱的第三微槽結構與第四微槽結構。

其中，該非對稱天線還包括第三金屬片，該第二介質基板一側表面與該第一介質基板第二表面重合，相對的另一側表面設置有第三金屬片，該第二饋線與該第三金屬片電連接。

其中，該第二饋線與該第三金屬片通過金屬化通孔或導線電連接。

其中，該第一微槽結構、該第二微槽結構、該第三微槽結構與該第四微槽結構通過蝕刻、鑽刻、光刻、電子刻或離子刻鏤空於所對應的該第一金屬片與該第二金屬片上。

其中，該第一金屬片與第二金屬片通過金屬化通孔或導線連接；該第一饋線與第二饋線通過金屬化通孔或導線連接。

其中，該第一饋線通過容性耦合方式或感性耦合方式饋入該第一金屬片；該第二饋線通過容性耦合方式或感性耦合方式饋入該第二金屬片。

為解決上述技術問題，本發明採用的另一個技術方案是：提供一種MIMO天線，該MIMO天線包括多個非對稱天線，該非對稱天線包括第一饋線與第一金屬片，該第一饋線通過耦合方式饋入該第一金屬片，該第一金屬片上至少鏤刻有非對稱 的第一微槽結構和第二微槽結構，使得該非對稱天線具有至少兩個不同的諧振頻段。

其中，該非對稱天線還包括用於放置該第一饋線與該第一金屬片的介質，該介質為空氣、陶瓷、環氧樹脂基板或聚四氟乙烯基板。

其中，該非對稱天線還包括第一介質基板，該第一金屬片與該第一饋線設置於該第一介質基板的第一表面上。

其中，該非對稱天線還包括第二介質基板，該第二介質基板覆蓋於該第一介質基板上。

其中，該非對稱天線還包括第二金屬片及第二饋線，該第二金屬片設置於該第一介質基板的與該第一表面相對的第二表面上，該第二饋線通過耦合方式饋入該第二金屬片，該第一饋線與該第二饋線電連接。

其中，該第二金屬片上鏤刻有非對稱的第三微槽結構與第四微槽結構，該非對稱天線還包括第三金屬片，該第二介質基板一側表面與該第一介質基板第二表面重合，相對的另一側表面設置有第三金屬片，該第二饋線與該第三金屬片電連接。

本發明的有益效果是：區別於習知技術的情况，本發明的非對稱天線及MIMO天線在金屬片上至少鏤刻有不對稱的第一微槽結構及第二微槽結構，因此能够很容易地產生多個諧振點，且諧振點不易抵消，很容易實現多模諧振。

如圖1所示，圖1為本發明第一較佳實施方式的非對稱天 線的結構示意圖。在本實施方式中，本發明的非對稱天線包括饋線1與第一金屬片2。

饋線1圍繞第一金屬片2設置以對第一金屬片2耦合饋電，其耦合饋電的方式可以為感性耦合饋電方式也可以為容性耦合饋電方式。當採用感性耦合饋電方式時，需在饋線1與第一金屬片2之間設置可短接節點，饋線1與第一金屬片2通過可短接點相互連接。當採用容性耦合饋電方式時，饋線1與第一金屬片2相互不接觸，而是二者相對的部分構成耦合電容以形成容性耦合饋電。

第一金屬片2上至少鏤刻有非對稱的第一微槽結構100以及第二微槽結構200，使得非對稱天線具有至少兩個不同的諧振頻率。此處的非對稱是指第一微槽結構100與第二微槽結構200的圖案、尺寸和/或空間位置不同，該些不同導致第一微槽結構100與第二微槽結構200的諧振頻段不同。

在第一金屬片2上形成第一微槽結構100和第二微槽結構200的方式可為蝕刻、鑽刻、光刻、電子刻、離子刻等制程，其中蝕刻為優選制程，其主要步驟是在設計好合適的微槽結構後，然後通過蝕刻設備，利用溶劑與金屬的化學反應去除掉預設微槽結構的箔片部分即可得到形成有上述第一微槽結構100和第二微槽結構200的第一金屬片2。上述金屬箔片的材質可以是銅、銀等金屬。

本發明還包括用於放置饋線與金屬片的介質，介質可以為空氣、陶瓷、環氧樹脂基板或聚四氟乙烯基板。

本發明採用至少非對稱的第一微槽結構和第二微槽結 構，由於二者響應電磁波所產生的電容值和電感值會有所不同，從而產生多個不同的諧振點，且該多個不同的諧振點不易抵消，有利於實現天線豐富的多模化。

下面詳細論述幾種本發明第一金屬片2上形成的非對稱微槽結構。

如圖2所示，圖2為本發明第二較佳實施方式的非對稱天線的正視圖。圖2中，第一微槽結構100及第二微槽結構200為非對稱結構，其中，第一微槽結構100與第二微槽結構200連接在一起，由於圖案的不同導致其結構的不對稱，使得第一微槽結構100與第二微槽結構200各自區域的諧振頻率不同。本實施方式中以圖7所示的互補式螺旋線結構與互補式螺旋線結構的衍生結構為例說明，二者相互連接。

如圖3所示，圖3為本發明第三較佳實施方式的非對稱天線的正視圖。圖3中，第一微槽結構100及第二微槽結構200為圖案不同的非對稱結構，其中，第一微槽結構100與第二微槽結構200是各自獨立的，由於圖案的不同導致其結構的不對稱，使得第一微槽結構100與第二微槽結構200各自區域的諧振頻率不同。本實施方式中第一微槽結構100以圖8所示開口螺旋環結構為例說明，第二微槽結構200以圖7所示互補式螺旋線結構為例說明。

如圖4所示，圖4為本發明第四較佳實施方式的非對稱天線的正視圖。圖4中，第一微槽結構100及第二微槽結構200為非對稱結構，其中，第一微槽結構100與第二微槽結構200是各自獨立的，其圖案相同，但是其尺寸的不同導致其結構的 不對稱，使得第一微槽結構100與第二微槽結構200各自區域的諧振頻率不同。本實施方式中，第一微槽結構100與第二微槽結構200均以圖8所示的互補式螺旋線結構為例說明。

如圖5所示，圖5為本發明第五較佳實施方式的非對稱天線的正視圖。圖5中，第一微槽結構100及第二微槽結構200為非對稱結構，其中，第一微槽結構100與第二微槽結構200是各自獨立的，其圖案相同，但是其位置的不同導致其結構的不對稱，使得第一微槽結構100與第二微槽結構200各自區域的諧振頻率不同。

本發明的第一微槽結構100與第二微槽結構200可以是圖6所示的互補式開口諧振環結構、圖7所示的互補式螺旋線結構、圖8所示的開口螺旋環結構、圖9所示的雙開口螺旋環結構、圖10所示的互補式彎折線結構中的一種或者是通過前面五種結構的其中一種結構衍生、其中多種結構複合或其中一種結構組陣得到的結構。

衍生分為兩種，一種是幾何形狀衍生，另一種是擴展衍生，此處的幾何形狀衍生是指功能類似、形狀不同的結構衍生，例如由方框類結構衍生到曲線類結構、三角形類結構及其它不同的多邊形類結構。此處的擴展衍生即在圖6至圖10的基礎上開設新的槽以形成新的微槽結構。以圖6所示的互補式開口諧振環結構為例，圖11為其幾何形狀衍生示意圖，圖12為其幾何形狀衍生示意圖。

此處的複合是指，圖6至圖10的微槽結構多個叠加形成一個新的微槽結構，如圖13所示，為三個圖6所示的互補式 開口諧振環結構複合後的結構示意圖。如圖14所示，為兩個圖6所示的互補式開口諧振環結構與圖7所示為互補式螺旋線結構共同複合後的結構示意圖。此處的組陣是指由多個圖6至圖10所示的微槽結構在同一金屬片上陣列形成一個整體的微槽結構，如圖15所示，為多個如圖6所示的互補式開口諧振環結構組陣後的結構示意圖。但是本發明第一微槽結構100與第二微槽結構200是非對稱的，具體非對稱方式在下面實施方式中詳細說明。

本發明的第一微槽結構100與第二微槽結構200的結構形式可以一樣，也可以不一樣。並且第一微槽結構100與第二微槽結構200的不對稱程度可以根據需要調節。從而實現豐富的可調節的多模諧振。並且根據需要，本發明亦可在同一金屬片上設置個數多於兩個的微槽結構以使得天線具有三個以上的不同的諧振頻段。

如圖16所示，圖16為本發明第六較佳實施方式的非對稱天線的結構示意圖。在本實施方式中，非對稱天線除上述饋線1及第一金屬片2之外，還包括第一介質基板10。第一介質基板10的第一表面上設置有第一金屬片2以及圍繞第一金屬片2設置的饋線1，第一金屬片2上還鏤空有非對稱的第一微槽結構100以及第二微槽結構200。第一微槽結構100以及第二微槽結構200可為上述任意結構的組合。

如圖17，圖17為本發明第七較佳實施方式的非對稱天線的結構示意圖。在本實施方式中，與上一較佳實施方式相比，非對稱天線還包括覆蓋於第一介質基板10上的第二介質基板 20。

由天線射頻原理可知，電長度是描述電磁波波形變化頻繁程度的物理量，電長度=物理長度/波長。當天線工作於低頻時，低頻對應的電磁波波長較長，在需要保持電長度不變的前提下，增長物理長度就是必要的選擇。然而增大物理長度必然不能滿足天線小型化的要求。本發明在第一介質基板10上覆蓋設置有第二介質基板20，當天線在接收或者發射電磁波時，電磁波均需要通過第二介質基板20才能被發射或者被接收從而使得天線整體的分布電容增大。根據公式f=1/(2π )可知，增大分布電容能有效降低天線工作頻率使得在不增加物理長度的前提下就可保持電長度不變。並且通過改變第二介質基板20與第一介質基板10的材質即可改變天線整體的分布電容從而針對不同的頻率均可達到在不改變物理長度的前提下改變電長度的目的，這樣就可以在極小的空間內設計出工作在極低工作頻率下的射頻天線。

本發明的第一介質基板的材質可選用陶瓷、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料，其中高分子材料優選聚四氟乙烯、F4B或FR-4。本發明的第二介質基板的材質可選用陶瓷、高分子材料、鐵電材料、鐵氧材料或鐵磁材料，其中高分子材料優選聚四氟乙烯、F4B或FR-4。

如圖18，圖18為本發明第八較佳實施方式的非對稱天線的結構示意圖。與本發明第六較佳實施方式相比，本實施方式中的非對稱天線還包括與第一金屬片2相對設置的第二金屬片3。第一金屬片2與第二金屬片3之間存在介質，介質可為 高分子聚合物、陶瓷材料等，在其他實施方式中，也可為空氣。當介質為空氣時，饋線1與第二金屬片3通過導線電連接。當介質為高分子聚合物或陶瓷材料時，饋線1與第二金屬片3通過在介質上形成金屬化通孔而相互電連接。金屬化通孔可形成於介質任意位置，只要能達到電連接饋線與第二金屬片的效果即可。本實施方式中，介質為上述介質基板10，採用聚四氟乙烯(FR-4)，第二金屬片3設置於介質基板10上與第一表面相對的第二表面上。第二金屬片3和饋線1通過金屬化通孔4電連接。或者，在其他實施方式中，第二金屬片3可通過金屬化通孔或導線連接與第一金屬片2，而非連接饋線1。

第二金屬片3的設置可有效解決習知專利天線在工作在低頻時，低頻段的電磁波對應的波長較長，根據天線設計原理，天線饋線的電輻射長度將要增大使得饋線長度變長，不利於天線整體的小型化並且較長的饋線使得饋線損耗增大從而使得天線性能下降的問題。其問題解決的原理是：第二金屬片3與第一金屬片2容性耦合，對第一金屬片2上形成的第一微槽結構100和第二微槽結構200耦合饋電。第二金屬片3對第一金屬片2上形成的第一微槽結構100和第二微槽結構200耦合饋電有效的減少了饋線1對第一金屬片2上形成的第一微槽結構100和第二微槽結構200耦合饋電的需求。因此當天線工作在低頻段時無需增加饋線1的長度，且第二金屬片3耦合饋電的面積易於調節，針對不同的工作頻段只需簡單的調整第二金屬片3耦合饋電面積即可。

如圖19，圖19為本發明第九較佳實施方式的非對稱天線 的結構示意圖。與上一實施方式相比，本實施方式除第一饋線1之外，還包括第二饋線5。第二饋線5通過耦合方式饋入第二金屬片3，第一饋線1與第二饋線5通過金屬化通孔或者導線電連接。

如圖20與圖21，為本發明第十較佳實施方式的正面立體圖與背面立體圖。與上一實施方式相比，第二金屬片3上鏤空有非對稱的第三微槽結構300及第三微槽結構400。其中，第一金屬片2附著在第一表面a上，第二金屬片3附著在與第一表面a相對的第二表面b上。圍繞第一金屬片2設置有第一饋線1，圍繞第二金屬片3設置有第二饋線5。第一饋線1與第二饋線5通過金屬化通孔6電連接。

圖20中，第一金屬片2畫剖面線的部分為第一金屬片2的金屬部分，第一金屬片2上的空白部分(鏤空的部分)表示第一微槽結構100及第二微槽結構200。另外，第一饋線1也用剖面線表示。同樣的，圖21中，第二金屬片3畫剖面線的部分為第二金屬片3的金屬部分，第二金屬片上3的空白部分(鏤空的部分)表示第三微槽結構300及第四微槽結構400。另外，第二饋線5也用剖面線表示。

同樣的，在第二金屬片3上鏤空第三微槽結構300和第四微槽結構400的方式可為蝕刻、鑽刻、光刻、電子刻、離子刻等制程。

在本實施方式中，處於介質基板10第一表面a的第一微槽結構100及第二微槽結構200其均為開口螺旋環結構，第一微槽結構100及第二微槽結構200不相通，但是其尺寸的不同 導致二者結構的非對稱。同樣，處於介質基板10第二表面b的第三微槽結構300及第四微槽結構400其均為開口螺旋環結構，但是其尺寸的不同導致二者結構的非對稱，使得天線具有至少兩個以上的諧振頻率。另外，本實施例中，介質基板10第一表面a上的第一金屬片2、第一饋線1、第一微槽結構100及第二微槽結構200在第二表面b的投影分別與第二金屬片3、第二饋線5、第三微槽結構300及第四微槽結構400重合，這樣做的好處是簡化制程。

如圖22，圖22為本發明第十一較佳實施方式的非對稱天線的第二介質基板的結構示意圖。本實施方式與上一實施方式相比，非對稱天線還包括第二介質基板20與第三金屬片7。第二介質基板20一側表面與第一介質基板10第二表面b重合，相對的另一側表面設置有第三金屬片7，第二饋線5與第三金屬片7通過金屬化通孔8電連接。在其他實施方式中，第二饋線5與第三金屬片7也可通過導線電連接。

並且，本發明根據需要，在同一片金屬片上還可以設置更多的微槽結構，以使得的天線具有3個以上的不同的諧振頻率。

本發明還提供一種包括多個上述非對稱天線的多輸入多輸出(MIMO)天線。該MIMO天線中每一非對稱天線的每一饋線均各自接入一發射/接收機，所有的發射/接收機接入基帶信號處理器。

本發明的有益效果是：區別於習知技術的情况，本發明的非對稱天線及MIMO天線在金屬片上至少鏤刻有不對稱的第 一微槽結構及第二微槽結構，因此能够很容易地產生多個諧振點，且諧振點不易抵消，很容易實現多模諧振。

儘管上文藉由較佳實施例揭示了本發明，但並不意圖限制本發明。本領域熟知此項技藝者可在不脫離本發明的精神及範圍的情況下進行一些潤飾及變化。因而，本發明的保護範圍落入所附的申請專利範圍內。

1‧‧‧饋線

2‧‧‧第一金屬片

3‧‧‧第二金屬片

4‧‧‧金屬化通孔

5‧‧‧第二饋線

6‧‧‧金屬化通孔

7‧‧‧第三金屬片

8‧‧‧金屬化通孔

10‧‧‧介質基板

20‧‧‧第二介質基板

100‧‧‧第一微槽結構

200‧‧‧第二微槽結構

300‧‧‧第三微槽結構

400‧‧‧第三微槽結構

a‧‧‧第一表面

b‧‧‧第二表面

圖1為本發明第一較佳實施方式的非對稱天線的結構示意圖；圖2為本發明第二較佳實施方式的非對稱天線的正視圖；圖3為本發明第三較佳實施方式的非對稱天線的正視圖；圖4為本發明第四較佳實施方式的非對稱天線的正視圖；圖5為本發明第五較佳實施方式的非對稱天線的正視圖；圖6為互補式開口諧振環結構的示意圖；圖7所示為互補式螺旋線結構的示意圖；圖8所示為開口螺旋環結構的示意圖；圖9所示為雙開口螺旋環結構的示意圖；圖10所示為互補式彎折線結構的示意圖；圖11為圖6所示的互補式開口諧振環結構其幾何形狀衍生示意圖；圖12為圖6所示的互補式開口諧振環結構其擴展衍生示意圖；圖13為三個圖6所示的互補式開口諧振環結構的複合後 的結構示意圖；圖14為兩個圖6所示的互補式開口諧振環結構與圖7所示為互補式螺旋線結構的複合示意圖；圖15為四個圖6所示的互補式開口諧振環結構組陣後的結構示意圖；圖16為本發明第六較佳實施方式的非對稱天線的結構示意圖；圖17為本發明第七較佳實施方式的非對稱天線的結構示意圖；圖18為本發明第八較佳實施方式的非對稱天線的結構示意圖；圖19為本發明第九較佳實施方式的非對稱天線的結構示意圖；圖20為本發明第十較佳實施方式的正面立體圖；圖21為本發明第十較佳實施方式的背面立體圖；圖22為本發明第十一較佳實施方式的非對稱天線的第二介質基板的結構示意圖。

1‧‧‧饋線

2‧‧‧第一金屬片

100‧‧‧第一微槽結構

200‧‧‧第二微槽結構

Claims (16)

1. 一種非對稱天線，包括第一饋線與第一金屬片，所述第一饋線通過耦合方式饋入所述第一金屬片，其中，所述第一金屬片上至少鏤刻有非對稱的第一微槽結構和第二微槽結構，使得所述非對稱天線具有至少兩個不同的諧振頻段，所述非對稱天線還包括第一介質基板、第二金屬片及第二饋線，所述第一金屬片與所述第一饋線設置於所述第一介質基板的第一表面上，所述第二金屬片設置於所述第一介質基板的與所述第一表面相對的第二表面上，所述第二饋線通過耦合方式饋入所述第二金屬片，所述第一饋線與所述第二饋線電連接。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之非對稱天線，其中，所述第一微槽結構為互補式開口諧振環結構、互補式螺旋線結構、開口螺旋環結構、雙開口螺旋環結構以及互補式彎折線結構中的一種或者是通過前面五種結構的其中一種結構衍生、其中多種結構複合或其中一種結構組陣得到的結構。
3. 根據申請專利範圍第1項所述之非對稱天線，其中，所述第二微槽結構為互補式開口諧振環結構、互補式螺旋線結構、開口螺旋環結構、雙開口螺旋環結構以及互補式彎折線結構中的一種或者是通過前面五種結構的其中一種結構衍生、其中多種結構複合或其中一種結構組陣得到的結構。
4. 根據申請專利範圍第1項所述之非對稱天線，其中，所述第一介質基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料或鐵氧材料制成。
5. 根據申請專利範圍第1項所述之非對稱天線，其中， 所述非對稱天線還包括第二介質基板，所述第二介質基板覆蓋於所述第一介質基板上。
6. 根據申請專利範圍第5項所述之非對稱天線，其中，所述第二介質基板由陶瓷材料、高分子材料、鐵電材料或鐵氧材料制成。
7. 根據申請專利範圍第1項所述之非對稱天線，其中，所述第二金屬片上鏤刻有非對稱的第三微槽結構與第四微槽結構。
8. 根據申請專利範圍第7項所述之非對稱天線，其中，所述非對稱天線還包括第三金屬片，所述第二介質基板一側表面與所述第一介質基板第二表面重合，相對的另一側表面設置有第三金屬片，所述第二饋線與所述第三金屬片電連接。
9. 根據申請專利範圍第8項所述之非對稱天線，其中，所述第二饋線與所述第三金屬片通過金屬化通孔或導線電連接。
10. 根據申請專利範圍第7項所述之非對稱天線，其中，所述第一微槽結構、所述第二微槽結構、所述第三微槽結構與所述第四微槽結構通過蝕刻、鑽刻、光刻、電子刻或離子刻鏤空於所對應的所述第一金屬片與所述第二金屬片上。
11. 根據申請專利範圍第1項所述之非對稱天線，其中，所述第一金屬片與第二金屬片通過金屬化通孔或導線連接；所述第一饋線與第二饋線通過金屬化通孔或導線連接。
12. 根據申請專利範圍第1項所述之非對稱天線，其中，所述第一饋線通過容性耦合方式或感性耦合方式饋入所述第 一金屬片；所述第二饋線通過容性耦合方式或感性耦合方式饋入所述第二金屬片。
13. 一種MIMO天線，其中，所述MIMO天線包括多個非對稱天線，所述非對稱天線包括第一饋線與第一金屬片，所述第一饋線通過耦合方式饋入所述第一金屬片，所述第一金屬片上至少鏤刻有非對稱的第一微槽結構和第二微槽結構，使得所述非對稱天線具有至少兩個不同的諧振頻段，所述非對稱天線還包括第一介質基板、第二金屬片及第二饋線，所述第一金屬片與所述第一饋線設置於所述第一介質基板的第一表面上，所述第二金屬片設置於所述第一介質基板的與所述第一表面相對的第二表面上，所述第二饋線通過耦合方式饋入所述第二金屬片，所述第一饋線與所述第二饋線電連接。
14. 根據申請專利範圍第13項所述之MIMO天線，其中，所述非對稱天線還包括用於放置所述第一饋線與所述第一金屬片的介質，所述介質為空氣、陶瓷、環氧樹脂基板或聚四氟乙烯基板。
15. 根據申請專利範圍第13項所述之MIMO天線，其中，所述非對稱天線還包括第二介質基板，所述第二介質基板覆蓋於所述第一介質基板上。
16. 根據申請專利範圍第15項所述之MIMO天線，其中，所述第二金屬片上鏤刻有非對稱的第三微槽結構與第四微槽結構，所述非對稱天線還包括第三金屬片，所述第二介質基板一側表面與所述第一介質基板第二表面重合，相對的另一側表面設置有第三金屬片，所述第二饋線與所述第三金屬片電連 接。