TWI501024B - 微影術遮罩及其製造方法 - Google Patents

Description

微影術遮罩及其製造方法

本發明係有關於高解析度相移遮罩。

發明背景

眾所周知，微影術在製造積體電路普遍被使用。該製程一般包括在一半導體晶圓之表面上形成一光阻層，且接著將一遮罩定位於塗有抗蝕劑之晶圓上方。該遮罩典型地具有鉻之不透光(不透明)區域及石英之透光(透明)區域。來自一光源(例如紫外線或深紫外線等)並經由一光學透鏡系統而被聚焦的輻射接著被應用於該遮罩。光通過透明的遮罩區域且使下方光阻層曝光，且被不透明的遮罩區域阻擋，使光阻層的那些下方部分不曝光。視所使用的特定製程而定，光阻層之曝光的或非曝光的區域接著可被移除，從而使該晶圓上留有一圖案化抗蝕層，進而允許隨後處理該晶圓，諸如，舉例而言，蝕刻、沈積，及其他典型的半導體製程。

如進一步所知，光學透鏡系統的景深與該透鏡系統之數值孔徑成反比，且由於積體電路之表面一般不是光學平面，要在良好聚焦與良好解析度之間做權衡。在此意義上，習知微影術的製程限制實際上限制了在晶圓上形成的最小可實現電路尺寸。能實現較小的最小裝置尺寸的一習知技術一般被稱作相移遮罩(PSM)。

習知的PSM技術包括，例如嵌入式相移遮罩(EPSM)及 交替式相移器遮罩(APSM)。然而，此類習知的PSM製程與一些有意義的問題相關聯，其中有些問題限制可達到的最小特徵尺寸。

依據本發明之一實施例，係特地提出一種用於製造微影術遮罩的方法，其包含以下步驟：一第一層級製程，包括微影術及蝕刻，從而形成一遮罩框區域和一晶粒內區域；及一第二層級製程，包括微影術及蝕刻，從而在於該第一層級製程期間所形成的晶粒內區域中形成一或多個遮罩特徵，其中該一或多個遮罩特徵中之至少一者具有在奈米範圍內的一最小尺寸。

圖式簡單說明

第1a-d圖共同繪示一習知的PSM製程流程及微影術遮罩結構。

第2a、2b、2c、2d及2e圖繪示一PSM製程流程及依據本發明之一實施例而組構的微影術遮罩。

第2d’圖繪示本發明之一替換實施例，其中參照第2a、2b、2c及2e圖的先前討論是同樣適用的。

詳細說明

揭露的技術允許將高解析度相移遮罩(PSM)製程技術與現行的習知坯料遮罩基板或已大量生產的PSM坯料整合。在一些此類實施例中，該等技術可用以藉由改變集成流程及蝕刻製程而得以實現非常高的關鍵尺寸解析度PSM 集成，同時維持遮罩周圍的光密度。該等技術可在任何數目的遮罩配置，包括APSM、EPSM及無鉻(Cr-less)相移微影術(CPL)遮罩中實施。在有些實施例中，該等遮罩可在需要高關鍵尺寸解析度PSM遮罩，例如<32nm或<22nm的技術節點的產品製造時使用。

一般概覽

廣為人知的是，PSM利用光通過兩個相鄰的透明遮罩區域而導致的破壞性干涉在光阻層上產生一未曝光區域。簡言之，穿過並離開透明遮罩區域的光波之相位是遮罩厚度的函數，故相鄰遮罩區域之遮罩厚度可被選擇性地改變，使得自這些相鄰區域離開的光反相，導致破壞性干涉(例如自一相鄰區域離開的光波之相位與自另一相鄰區域離開的光波之相位反相，且因此該等波彼此抵消或產生振幅減小的一組合波)。由於被處理的塗覆在晶圓上的光阻材料對光強有反應，一未曝光區域將在光阻層上形成，其中厚度不同的透明區域是相鄰的。

然而，如前文所說明者，習知的PSM技術，諸如嵌入式相移遮罩(EPSM)及交替式相移器遮罩(APSM)與一些有意義的問題相關聯。例如，習知的PSM技術在遮罩製程期間一般需要較薄的抗蝕劑來滿足一特定遮罩之較嚴格的關鍵尺寸解析度要求。然而，在遮罩製程期間使用較薄的抗蝕劑可能會導致鉻區域與抗蝕區域之間的蝕刻選擇性問題，且因此實際上為下一代PSM遮罩技術留下限制因素。除此之外，試圖解決此類蝕刻選擇性問題的解決方案一般 受到維持一最小所欲光密度(例如~3)而有助於消除晶圓曝光期間之雜散光問題的競合要求的限制。一常見解決方案是修改現有PSM坯料結構(藉由另外的硬遮罩層等)以克服蝕刻選擇性問題，但是此類修改技術包含相對更複雜的製程(具有2倍之多的層)且亦與不符期望的生產/成本相關問題相關聯。

相比之下，本發明之一實施例將高解析度PSM製程(例如EPSM、APSM及CPL)與使用單純的慣用坯料整合。在此類實施例中，藉由改變集成流程，關鍵尺寸解析度(線性度及偏差)可被顯著提高。為了充分理解本文所提供之本發明之各種示範實施例的基本概念，首先回顧可用以產生一習知光罩配置的一典型的習知PSM製程流程將是有幫助的。

為此，現在參照第1a-d圖，它們共同繪示一習知的PSM製程流程及微影術遮罩結構。可以看出，製程流程一般包括第一及第二層級，其中每一層級包括微影術及蝕刻製程。與目前及存在已久的行業標準一樣，這是一框居次(frame-second)PSM流程，意指流程之框界定微影術及蝕刻製程是一高解析度第一層級製程(第1a-b圖)之後的第二層級製程(第1c-d圖)。

更加詳細地來說，第1a圖繪示第一層級微影術，它典型地產生高解析度電子束(e-beam)微影術的晶粒內區域圖案。所示之初始結構包括一石英基板，其上沈積有一相移器層。此相移器層可，例如利用石英或矽化鉬(MoSi)實施。一鉻層在相移器層上沈積。一抗蝕層在鉻層上沈積，且接 著使用允許一些抗蝕劑如圖所示被移除的e-beam微影術而被圖案化。第1b圖繪示在第一層級蝕刻被執行之後的遮罩結構，這產生鉻及相移器層二者的晶粒內區域圖案化。圖案化之抗蝕劑接著被移除。

第1c圖繪示在第二層級微影術被執行之後的遮罩結構，以界定框區域。在習知的遮罩形成製程之此部分中，晶粒內區域被曝光且框區域覆蓋有光阻劑。遮罩之晶粒內區域一般指遮罩的中部，包括由遮罩形成的電路或裝置的圖案，且框區域一般是遮罩的周邊或外部。第1d圖繪示在第二層級蝕刻被執行之後的遮罩結構，第二層級蝕刻移除晶粒內區域中的鉻且僅留下框區域中的鉻。在移除鉻的第二層級蝕刻之後，抗蝕層接著可自框區域被移除。原始的框區域厚度因而在整個標記形成製程中被維持。

因此，一習知的PSM製程流程具有一第一層級製程以利用e-beam微影術及蝕刻製程來界定高解析度鉻/相移器圖案。隨後的第二層級微影術/蝕刻製程(低解析度、泛曝光)用以接著移除晶粒內之鉻層同時保護框區域中的鉻。對照於此類習知的框居次流程，本發明之一實施例利用一框優先PSM製程流程，現在參照第2a-2e圖中所示之示範流程進一步詳細地加以說明。

方法

第2a、2b、2c、2d及2e圖共同繪示一PSM製程流程及依據本發明之一實施例而被配置的微影術遮罩。可以看出，該製程流程一般包括第一及第二層級，其中每一層級 包括微影術及蝕刻製程。不同於習知的PSM製程流程，此示範實施例是一框優先PSM流程，意指流程之框界定微影術/蝕刻是先於一高解析度二層級製程(第2c-e圖)的一層級製程(第2a-b圖)。

第2a圖中所示之初始遮罩結構包括上面沈積有一選擇性的相移器層的一基板。一吸收層在相移器層上沈積。第一抗蝕層在吸收層上沈積，且接著使用，例如允許一些抗蝕劑如圖所示被移除的e-beam或離子束或雷射微影術而被圖案化。此示範結構的替代選擇將是清楚的。例如，在配置上沒有選擇性之相移器層的實施例中，吸收層可直接在基板上沈積。在其他實施例中，選擇性的相移器層可集成至基板層中(而不是具有一單獨的相移器層)，其中不同的基板層厚度藉由蝕刻而被提供以允許由其通過之光的所欲相移。

該基板可以是適於應用於目標應用的任一透射或部分透射的材料。示範基板材料包括石英、玻璃、矽、氮化矽或氮氧化矽，及氮化硼。選擇性的相移器層可例如利用類似的透射或部分透射的材料，諸如石英或矽化鉬(MoSi)而實施。吸收層可例如利用鉻、鋁、鉭、氮化矽、氮化鈦，及/或具有一所欲不透明度的其他材料而實施，包括單層或多層構造(例如鉻/MoSi/鉻)。抗蝕劑可以是，例如壓克力(PMMA)、紫外線光阻劑、ZEP系列抗蝕劑、EBR系列抗蝕劑，或NEB系列抗蝕劑。鑒於此揭露將了解的是，其他適合的基板、相移器、吸收及抗蝕材料可連同任何數目的適 合沈積及蝕刻技術一起被使用，且所申請專利之發明並不欲被局限於任何特定的遮罩材料或形成技術。

如前文所說明者，現有的標準坯料遮罩結構可用於第2a圖中所示之初始結構，且因此，不需要修改的或他種異類或進一步定製的坯料。在一特定的示範例中，初始坯料結構包括一石英相移器層或基板頂部的一吸收膜。吸收膜可以是，例如一鉻單層、一鉭基單層，或夾心式多層，諸如鉻/MoSi/鉻。該等層之此一厚度可視需要改變，取決於諸如所形成之技術節點及裝置的因素。在對於<32nm技術PSM遮罩的一示範例中，基板可例如以具有在1000微米到0.5英寸範圍內(例如0.25英寸)之厚度的石英板被實施。選擇性的相移器層可例如藉由蝕刻在10nm到500nm範圍內(例如200nm)之石英基板被實施，且吸收層可在10nm到500nm厚的範圍內(例如200nm)。在其他實施例中，選擇性的相移器是在基板上沈積的一分離層(例如10nm到500nm厚)。在一個特定的此種範例中，選擇性的相移器層及吸收層分別具有200nm及125nm的初始厚度。根據此揭露將了解的是，各種遮罩層之尺寸(例如厚度等)可依諸如所欲相移、層材料(單一或複數)及在利用遮罩的半導體製程期間所使用之光波長的因素而改變，且所申請專利之發明並不欲被局限於任何特定範圍的遮罩層尺寸。

可進一步看出，第2a圖繪示依據本發明之一實施例的第一層級框區域微影術製程。依據一個這樣的示範實施例，用以形成第2a圖中所示之結構的第一層級微影術是低 解析度，泛曝光微影術，用以在第一抗蝕層沈積在吸收層上方之後敞開遮罩晶粒之主動區域(晶粒內區域)。在一些此類實施例中，此第一層級微影術包括適當的對準標記及度量標記。如前文所說明者，雷射曝光及/或e-beam微影術，或任何其他適合的圖案化技術(例如粒子束微影術)可被使用。

第2b圖繪示依據一實施例，在晶粒內區域上方留下一薄吸收層的第一層級部分吸收劑蝕刻。此餘留的薄吸收材料層可在後續處理中被用作一硬遮罩。在一替換實施例中，一完全吸收劑蝕刻可用以移除晶粒內區域上方的吸收層。根據此揭露將了解的是，第一層級減少(或移除)晶粒內區域上方的吸收劑厚度能使第二層級製程實現吸收層及選擇性的相移器層之後續的高解析度圖案化。

用以部分或全部移除晶粒主動區域中之吸收層的此第一層級蝕刻製程可例如利用包括一適合的蝕刻劑諸如氯及實現一適當蝕刻速率的一或多個添加氣體諸如氧氣、氮氣、氬氣、氦氣等的一電漿蝕刻的泛曝光微影術而實施，如同往往在蝕刻製程中所施行者。為了控制蝕刻速率的一致性，依據一些示範實施例，蝕刻電漿可維持在低壓(例如<50毫托)及加偏壓之RF功率，例如>5W。應指出的是，在本發明之一些實施例中，另外的一控制鈕(對於第一層級蝕刻)可被加入以控制關鍵尺寸的一致性。根據此揭露，許多製程參數設定及其變化將是顯而易見的。

依據一些示範實施例，第一層級蝕刻之深度可例如僅在晶粒主動區域中的初始吸收層厚度的30%到100%的範圍 內變化。應指出的是，在蝕刻之後餘留的吸收層厚度(若有餘留)可被選擇成與最終的相移器關鍵尺寸有良好的相關性，故此一蝕刻深度可用作一決定最終相移器關鍵尺寸的集成參數。第一層級蝕刻一致性可用作另一集成參數以補償第二層級相移器關鍵尺寸一致性問題，若有的話。將了解的是，蝕刻處方可被控制以留下所欲吸收層厚度及一致性。如第2b圖中進一步所示者，在晶粒內區域上方的吸收劑厚度被蝕刻成所欲厚度之後，第一抗蝕層可被移除(例如使用溶劑或任一適合的抗蝕劑移除技術)。

此高解析度第二層級製程包括主動區域微影術及蝕刻製程。第2c圖繪示依據一實施例，第二層級微影術被執行之後的遮罩結構。如前文所說明者，任一適合的微影術製程可被使用，諸如e-beam或離子束。在一個特定的此種示範例中，第二層級微影術使用e-beam微影術被實施以使第二抗蝕層圖案化，第二抗蝕層可以是任一適當的抗蝕材料，或適於高解析度圖案化的材料。在一示範例中，第二抗蝕層利用PMMA來實施。許多抗蝕材料及層配置可在此被使用。無論如何，第二抗蝕層都在參照第2a-b圖所描述之第一層級製程期間所界定之吸收層形貌上方塗佈或形成。第二抗蝕層之最小厚度可例如由吸收層(在有些示範實施例中，可以是鉻)之剩餘厚度而被決定。在一特定的示範例中，對於高解析度微影術，假定在框區域中將沒有抗蝕劑塗佈覆蓋範圍問題，第二抗蝕層的厚度可被薄化至小於200nm(例如50-125nm)。若是這樣，則可使用例如一中間遮罩製程來限 制晶粒內區域上方的抗蝕劑之薄化來保護框抗蝕劑。e-beam微影術(或其他微影製程)可與第一層級對準及度量標記對準，且第二抗蝕層可如第2c圖中所示那般圖案化。

第2d圖繪示依據一實施例，在第二層級蝕刻被執行之後的遮罩結構。在此特定的示範實施例中，蝕刻製程包括一吸收劑蝕刻及一相移器蝕刻，它們可在同一蝕刻步驟或不同的蝕刻步驟中實施，但是依據此一示範實施例，第二抗蝕層包含兩者。在一特定的示範例中，吸收層是鉻，且一MoSi之相移器層被提供，且界定薄鉻層(在第一級蝕刻之後餘留在晶粒內區域上方)及MoSi相移器層的第二層級蝕刻是一高解析度蝕刻製程。然而，應指出的是，在吸收劑在第一層級蝕刻期間從晶粒內區域完全移除的其他實施例中，此第二層級蝕刻製程僅包括相移器(可以是，例如，一單獨的相移器層，或基板自身)。參照第2d圖中所示之特定的示範實施例可進一步看出，由於剩餘的第二抗蝕層及吸收層仍存在，下方相移器層(例如MoSi層或石英基板)被蝕刻。蝕刻深度，在所示之示範實施例中下達基板，可依諸如通過用以實施各種遮罩層的遮罩及材料之透明部分的所欲相移等因素而改變。蝕刻劑可以是，例如氯或其他適合的蝕刻劑，連同各種不同的添加氣體，諸如氧氣、氮氣、氬氣、氦氣等，以實現一適當的蝕刻速率。可使用濕式或乾式蝕刻製程，且所申請專利之發明並不欲被局限於一特定的蝕刻製程或蝕刻劑。

在第2d圖之相移器蝕刻之後，第二抗蝕層之剩餘部分 可被移除(經由含O₂ 之電漿或一溶劑，或任一其他適合的抗蝕劑移除技術)，如第2e圖中所示最佳。在使用晶粒內區域上方之一剩餘的薄吸收層作為一硬遮罩的一特定實施例中，在相移器蝕刻及剩餘的第二抗蝕層移除之後，晶粒區域上方的吸收層之剩餘部分可被移除(例如在蝕刻工具內)。應指出的是，在移除晶粒內剩餘吸收層區域期間無抗蝕劑在適當位置的情況下，周邊/框吸收層區域之頂面也可被少量移除。根據此揭露此製程的許多變化將是清楚的。此外，應指出的是，一個習知PSM製程流程所存在的問題是難以避免一厚鉻蝕刻期間的明顯關鍵尺寸偏差。對照之下，晶粒內區域上方具有一薄化吸收層的本發明之一實施例允許一減小的關鍵尺寸偏差(例如減少大於10nm到15nm，或更適當者)。

第2d’圖繪示一替換實施例，其中參照第2a、2b、2c及2e圖的先前討論在此處同樣適用。然而，在此替換實施例中，在第一層級部分吸收劑蝕刻之後餘留在晶粒內區域中的薄吸收層(例如鉻)被圖案化成一硬遮罩，該硬遮罩現在可用在相移器之第二層級蝕刻中。特別是，薄化晶粒內吸收劑被利用第二抗蝕層而進行蝕刻。在吸收劑蝕刻之後，第二抗蝕層被移除(例如利用含O₂ 電漿)。在第二抗蝕層移除之後，相移器被利用鉻(或其他吸收材料)硬遮罩而進行蝕刻。晶粒內區域之鉻/吸收層隨後可被蝕刻/剝除或移除，從而提供第2e圖中所示之遮罩結構。應進一步指出的是，在有些實施例中，第二層級蝕刻也可移除遮罩框區域中的吸收層 之一頂面(例如5nm到25nm或更多)。

其他變化形式將是顯而易見的。例如，應指出的是，最後的吸收劑剝除/移除製程(例如在晶粒內區域上方)可以是第二層級製程的一部分或還可以分成一獨立製程及/或選擇性的第三層級微影術製程。在如此的一個示範例中，一選擇性的第三層級微影術/蝕刻製程可被實施，例如，以避免周邊框區域中的吸收劑(例如鉻)凹入，其中第三層級製程可用以藉由使用另外的泛曝光光束及單純的蝕刻製程來保護框吸收材料)。

根據此揭露將了解的是，依據本發明之各種實施例，本文所述之技術可用以提供許多優勢。例如，在本發明之一些實施例中，關鍵尺寸解析度可藉由在第一層級製程期間控制一剩餘吸收層厚度來調整。除此之外，依據一些實施例，蝕刻關鍵尺寸偏差可被減少(例如達<10nm或<5nm)或在其他方面改進，而習知的PSM製程典型地顯示，例如，大於20nm的一蝕刻關鍵尺寸偏差。此類關鍵尺寸偏差改良可在並未最佳化的情況下得以實現。除此之外，關鍵尺寸目標可藉由第一層級蝕刻深度來調整，而習知的技術並不提供此性能。而且，關鍵尺寸一致性可藉由第一層級蝕刻一致性來調整，而習知的技術並不提供此性能。除此之外，有些實施例可使用現有的生產PSM坯料(例如，諸如具有大於50nm之鉻層厚度的坯料)，從而提供較便宜的選擇，特別是在低於32nm及22nm技術節點之應用下可操作的PSM遮罩。除此之外，在有些實施例中，由於相對於習知的硬遮 罩PSM有較少的製程步驟，所以需要較少的製程工具。而且，由於能使用現有的或生產驗證的PSM坯料，基於品質的廢棄物可能較少。

因此，本發明之各種實施例可被利用以提供優良的PSM遮罩品質。依據本發明之一實施例而配置的高解析度PSM遮罩可用以對下一代微影製程，諸如在22nm技術節點或更小節點上所實施的製程提供較寬廣的遮罩選擇。除此之外，一明顯的成本縮減可被實現，因為一現有的遮罩基板(坯料)及製程工具可被使用，從而減少開發及生產成本。

本發明之一示範實施例提供一種用以製造一微影術遮罩的方法。該方法包括第一層級製程，第一層級製程包含微影術及蝕刻，從而形成一遮罩框區域及一晶粒內區域。該方法進一步包括第二層級製程，包含微影術及蝕刻，從而在第一層級製程期間所形成之晶粒內區域中形成一或多個遮罩特徵。至少一遮罩特徵具有奈米範圍內的一最小尺寸。在一些範例中，該方法可例如在包含一基板及一吸收層的一初始遮罩結構上被實施。此初始遮罩結構可以是例如PSM坯料。在一特定的範例中，初始遮罩結構進一步包含集成至基板中或基板與吸收層之間的一相移器層。在此一情況下，相移器層與基板是相同的材料。在另一範例中，遮罩是形成具有小於100nm之特徵尺寸的電路時使用的一高解析度遮罩，惟本文所提供之技術可與任何技術節點一起使用。在另一範例中，第一層級製程之蝕刻使遮罩之晶粒內區域中的所有吸收材料之厚度減少，例如30%到 100%。在另一範例中，第一層級製程之蝕刻使晶粒內區域中的所有吸收材料之厚度減少，但留下一層吸收材料在第二層級製程期間用作一硬遮罩。在另一範例中，第一層級製程之蝕刻使晶粒內區域中的所有吸收材料之厚度減少，且在此蝕刻之後剩餘的吸收材料之厚度被選擇成與該吸收材料下方的一相移器之一最終關鍵尺寸相關。在另一範例中，第一層級製程之蝕刻提供晶粒內區域中的一吸收材料之一致性，且該吸收材料一致性補償在吸收材料下方並在第二層級製程期間被蝕刻的一相移器之關鍵尺寸一致性。在另一範例中，用以在第一層級製程期間形成晶粒內區域的第一抗蝕層在開始第二層級製程之前被移除。在另一範例中，第一層級製程之微影術包括對齊標記且第二層級製程之微影術與這些標記對齊。在另一範例中，第二層級製程包括在第一層級製程期間所界定之吸收層形貌上方施加第二抗蝕層並使其圖案化。在此一特定例中，第二抗蝕層具有小於200nm的厚度。在另一範例中，第二層級蝕刻包括蝕刻吸收層及相移器層以界定一奈米解析度圖案。此蝕刻可例如在同一蝕刻製程或不同的蝕刻製程中實施。在此第二層級蝕刻之後，該方法可進一步包括移除所施加的抗蝕劑以形成奈米解析度圖案(若可適用的話)及/或移除晶粒內區域中的剩餘吸收材料(若可適用的話)。在此一特定的範例中，該方法可進一步包括移除框區域中的吸收材料之至少一頂面(例如，在移除晶粒內區域中的剩餘吸收材料時)。在另一範例中，遮罩容許例如小於5nm的一關鍵尺寸偏差。本 發明之另一示範實施例是藉由本文所述之方法所形成的一微影術遮罩。

本發明之另一實施例提供用以製造半導體電路的一微影術遮罩。在此範例中，遮罩包括一框區域及在框區域之後形成的一晶粒內區域，晶粒內區域包括一或多個遮罩特徵，其中至少一遮罩特徵具有小於100nm的一最小尺寸。遮罩具有小於20nm的一關鍵尺寸偏差及包括一基板及一吸收層的一結構。在此一範例中，遮罩結構進一步包含集成至基板中或基板與吸收層之間的一相移器層。在另一範例中，吸收層的至少一部分具有大於50nm的厚度。應指出的是，一習知的PSM遮罩形成製程一般將不能用一具有大於50nm之一吸收層的遮罩結構提供一包括小於100nm之特徵尺寸的高解析度圖案。在另一範例中，框區域中的吸收材料之至少一頂面已被移除(例如在移除晶粒內區域中的硬遮罩吸收材料期間)。在另一範例中，遮罩允許小於5nm的一關鍵尺寸偏差。

本發明之示範實施例之前述說明已基於說明及描述的目的而被提出。它並非詳盡無遺或將本發明局限於所揭露之精確形式。根據此一揭露有許多修改及變化是可能的。本發明之範圍意圖不受此詳細說明的限制，而是受後附申請專利範圍的限制。

第1a-d圖共同繪示一習知的PSM製程流程及微影術遮罩結構。

第2a、2b、2c、2d及2e圖繪示一PSM製程流程及依據本發明之一實施例而組構的微影術遮罩。

第2d’圖繪示本發明之一替換實施例，其中參照第2a、2b、2c及2e圖的先前討論是同樣適用的。

Claims (22)

1. 一種用於製造微影術遮罩的方法，其包含以下步驟：一第一層級製程，包括微影術及蝕刻，用以形成一遮罩框區域和無圖案的一晶粒內區域；以及一第二層級製程，包括微影術及蝕刻，用以在於該第一層級製程期間所形成的該晶粒內區域中形成一或多個遮罩特徵，其中，該一或多個遮罩特徵中之至少一者的最小尺寸小於100奈米。
2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該方法係實施於包含一基板和一吸收層的一初始遮罩結構上。
3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，該初始遮罩結構進一步包含被整合在該基板中或係在該基板與該吸收層之間的一相移層。
4. 如申請專利範圍第3項之方法，其中，該相移層為與該基板相同的材料。
5. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，該吸收層是由至少兩種不同材料所形成的多層構造。
6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一層級製程之蝕刻使該遮罩之該晶粒內區域中的所有吸收材料之厚度減少30%到100%。
7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一層級製程之蝕刻減少該晶粒內區域中的所有吸收材料之厚度但留下一層吸收材料以在該第二層級製程期間作為硬遮罩使用。
8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一層級製程之蝕刻減少該晶粒內區域中的所有吸收材料之厚度，並且在此次蝕刻之後所剩餘的吸收材料厚度受到選擇以與該吸收材料下方的一相移器之最終關鍵尺寸互相關。
9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一層級製程之蝕刻提供在該晶粒內區域中的一吸收材料之一致性，並且該吸收材料一致地補償在該吸收材料下方之於該第二層級製程期間受到蝕刻的一相移器之關鍵尺寸之一致性。
10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，用於在該第一層級製程期間形成該晶粒內區域的一第一抗蝕層在開始該第二層級製程之前被移除。
11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一層級製程之微影術包括數個對齊標記，並且該第二層級製程之微影術與該等標記對齊。
12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第二層級製程包括在於該第一層級製程期間所界定出的吸收層形貌上施加一第二抗蝕層並圖案化該第二抗蝕層。
13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中，該第二抗蝕層具有小於200奈米的厚度。
14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第二層級蝕刻包括蝕刻吸收層及相移層以界定出一奈米解析度圖案，並且在該第二層級蝕刻之後，該方法進一步包含以下步驟中之至少一者： 移除所施加的抗蝕劑以形成該奈米解析度圖案；以及移除該晶粒內區域中的剩餘吸收材料。
15. 如申請專利範圍第14項之方法，其進一步包含下列步驟：至少移除該框區域中的吸收材料之頂面。
16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該遮罩允許小於5奈米的關鍵尺寸偏差。
17. 一種微影術遮罩，其係藉由如申請專利範圍第1項之方法所形成。
18. 一種用於製造半導體電路的微影術遮罩，其包含：一框區域；以及在該框區域之後形成的一晶粒內區域，該晶粒內區域包括一或多個遮罩特徵，其中，該一或多個遮罩特徵中之至少一者的最小尺寸小於100奈米；其中，該遮罩具有小於20奈米的關鍵尺寸偏差以及包含一基板和一吸收層的結構。
19. 如申請專利範圍第18項之遮罩，其中，該遮罩結構進一步包含位在該基板與該吸收層之間的一分離相移層，並且該吸收層是由至少兩種不同材料所形成的多層構造。
20. 如申請專利範圍第18項之遮罩，其中，該遮罩結構進一步包含被整合在該基板中且為與該基板相同之材料的一相移層。
21. 如申請專利範圍第18項之遮罩，其中，該吸收層是由至 少兩種不同材料所形成的多層構造。
22. 如申請專利範圍第18項之遮罩，其中，該遮罩允許小於5奈米的關鍵尺寸偏差。