TWI500194B - 觸摸屏、觸摸屏的製備方法及使用該觸摸屏的顯示裝置 - Google Patents
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Description
本發明涉及一種觸摸屏、觸摸屏的製備方法及使用該觸摸屏的顯示裝置,尤其涉及一種基於奈米碳管的觸摸屏、該觸摸屏的製備方法及使用該觸摸屏的顯示裝置。
近年來,伴隨著移動電話與觸摸導航系統等各種電子設備的高性能化和多樣化的發展,在液晶等顯示設備的前面安裝透光性的觸摸屏的電子設備逐步增加。這樣的電子設備的利用者通過觸摸屏,一邊對位於觸摸屏背面的顯示設備的顯示內容進行視覺確認,一邊利用手指或筆等方式按壓觸摸屏來進行操作。由此,可以操作電子設備的各種功能。
按照觸摸屏的工作原理和傳輸介質的不同,現前技術中的觸摸屏分為四種類型,分別為電阻式、電容式、紅外綫式以及表面聲波式。其中電容式觸摸屏因準確度較高、抗干擾能力强應用較為廣泛。
先前技術中的電容型觸摸屏(請參見“連續薄膜電容式觸摸屏的研究”,李樹本等,光電子技術,vol 15,p62(1995))包括一玻璃基板,一透明導電層,以及多個金屬電極。在該電容型觸摸屏中,玻璃基板的材料為納鈣玻璃。透明導電層為例如銦錫氧化物
(ITO)或銻錫氧化物(ATO)等透明材料。電極為通過印製具有低電阻的導電金屬(例如銀)形成。電極間隔設置在透明導電層的各個角處。此外,透明導電層上塗覆有鈍化層。該鈍化層由液體玻璃材料通過硬化或緻密化工藝,並進行熱處理後,硬化形成。
當手指等觸摸物觸摸在觸摸屏表面上時,由於人體電場,手指等觸摸物和觸摸屏中的透明導電層之間形成一個耦合電容。對於高頻電流來說,電容為直接導體,手指等觸摸物的觸摸將從接觸點吸走一個很小的電流。這個電流分別從觸摸屏上的電極中流出,並且流經這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比,觸摸屏控制器通過對這四個電流比例的精確計算,得出觸摸點的位置。
因此,透明導電層對於觸摸屏為一必需的部件,先前技術中透明導電層通常採用ITO層,然,ITO層目前主要採用濺射或蒸鍍等方法製備,在製備的過程,需要較高的真空環境及加熱到200~300℃,因此,使得ITO層的製備成本較高。此外,ITO層作為透明導電層具有機械和化學耐用性不够好等缺點。進一步地,採用ITO層作透明導電層存在電阻阻值分布不均勻的現象,導致先前技術中的電容式觸摸屏存在觸摸屏的分辨率低、精確度不高等問題。
有鑒於此,確有必要提供一種分辨率高、精確度高及耐用的觸摸屏,以及一種方法簡單、成本低的觸摸屏的製備方法及使用該觸摸屏的顯示裝置。
一種觸摸屏,該觸摸屏包括一基體;一透明導電層,該透明導電層設置於上述基體的一表面;以及至少兩個電極,該至少兩個電
極間隔設置並與該透明導電層電連接。其中,上述透明導電層包括一奈米碳管層,該奈米碳管層包括多個相互纏繞的奈米碳管。
一種觸摸屏的製備方法,包括以下步驟:提供一奈米碳管原料及一基體;絮化處理上述奈米碳管原料從而獲得一奈米碳管層形成在基體的一個表面;以及提供至少兩個電極,並將至少兩個電極間隔設置並與上述的奈米碳管層形成電連接,從而形成所述的觸摸屏。
一種顯示裝置,其包括一觸摸屏,該觸摸屏包括一基體,一透明導電層,該透明導電層設置於上述基體的一表面,以及至少兩個電極,該至少兩個電極間隔設置並與該透明導電層電連接;一顯示設備,該顯示設備正對且靠近觸摸屏的基體設置。其中,上述透明導電層包括一奈米碳管層,該奈米碳管層包括多個相互纏繞的奈米碳管。
與先前技術相比較,本技術方案提供的觸摸屏、觸摸屏的製備方法及顯示裝置具有以下優點:其一,由於奈米碳管在所述奈米碳管層中通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞,形成網絡狀結構,從而使得上述的奈米碳管層具有較好的機械强度和韌性,故,採用上述的奈米碳管層作透明導電層,可以相應的提高觸摸屏及使用該觸摸屏的顯示裝置的耐用性。其二,由於多個奈米碳管各向同性,故可使得透明導電層具有均勻的阻值分布。進一步地,所述奈米碳管層包括大量的微孔結構,該微孔孔徑小於10微米。故,採用上述的奈米碳管層作透明導電層,可使得透明導電層具有較好的透光特性,從而提高觸摸屏及使用該觸摸屏的顯示裝置的分辨率和精確度。其三,採用本發明提供的絮化處理的方法製備奈米
碳管層形成透明導電層,由於無需濺射和加熱等工藝,故,降低了觸摸屏和使用該觸摸屏的顯示裝置的製作成本,簡化了製作工藝。
100‧‧‧顯示裝置
104‧‧‧鈍化層
106‧‧‧間隙
108‧‧‧支撑體
20‧‧‧觸摸屏
22‧‧‧基體
221‧‧‧第一表面
222‧‧‧第二表面
24‧‧‧透明導電層
25‧‧‧屏蔽層
26‧‧‧防護層
28‧‧‧電極
30‧‧‧顯示設備
40‧‧‧觸摸屏控製器
50‧‧‧中央處理器
60‧‧‧顯示設備控製器
70‧‧‧觸摸物
圖1為本技術方案實施例的觸摸屏的結構示意圖。
圖2為沿圖1所示的線II-II’的剖視圖。
圖3為本技術方案實施例觸摸屏的製備方法的流程示意圖。
圖4為本技術方案實施例獲得的奈米碳管層的掃描電鏡圖。
圖5為本技術方案實施例的顯示裝置的結構示意圖。
圖6為本技術方案實施例的顯示裝置的工作原理示意圖。
以下將結合附圖對本技術方案作進一步的詳細說明。
請參閱圖1和圖2,觸摸屏20包括一基體22、一透明導電層24、一防護層26及至少兩個電極28。基體22具有一第一表面221以及與第一表面221相對的第二表面222。透明導電層24設置在基體22的第一表面221上;上述至少兩個電極28分別設置在透明導電層24的每個角處或邊上,且與透明導電層24形成電連接,用以在透明導電層24上形成等電位面。防護層26可直接設置在透明導電層24以及電極28上。
所述基體22為一曲面型或平面型的結構。該基體22由玻璃、石英、金剛石或塑料等硬性材料或柔性材料形成。所述基體22主要起支撑的作用。
所述透明導電層24包括一個奈米碳管層。進一步地,該奈米碳管層多個相互纏繞且各向同性的奈米碳管,所述奈米碳管通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞,形成網絡狀結構。該網絡狀結構包括成大量的微孔結構,該微孔孔徑小於50微米。可以理解,上述奈米碳管層的長度、寬度和厚度不限,可根據實際需要製成具有任意長度、寬度和厚度的奈米碳管層,只需確保得到的奈米碳管層具有較好的透明度即可。
本技術方案實施例中獲得的奈米碳管層包括多個相互纏繞的奈米碳管,該奈米碳管的長度大於10微米。所述奈米碳管層可包括單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一種或几種。該單壁奈米碳管的直徑為0.5奈米~50奈米;該雙壁奈米碳管的直徑為1.0奈米~50奈米;該多壁奈米碳管的直徑為1.5奈米~50奈米。
由於奈米碳管相互纏繞,因此所述奈米碳管層具有很好的韌性,可以彎曲折叠成任意形狀而不破裂。故本技術方案實施例中的奈米碳管層可為平面結構也可為曲面結構。優選地,所述奈米碳管層為一平面結構。
另外,由於所述奈米碳管層包括多個各向同性的奈米碳管以及大量的微孔,該微孔的孔徑小於10微米,故上述的奈米碳管層作透明導電層具有較好的阻值分布和透光特性,從而提供了觸摸屏及使用該觸摸屏的顯示裝置的分辨率和精確度。
可以理解,所述透明導電層24和基體22的形狀可以根據觸摸屏20的觸摸區域的形狀進行選擇。例如觸摸屏20的觸摸區域可為具有一長度的長線形觸摸區域、三角形觸摸區域及矩形觸摸區域等。本實施例中,觸摸屏20的觸摸區域為矩形觸摸區域。
本實施例中,對於矩形觸摸區域,透明導電層24和基體22的形狀也為矩形。為了在上述的透明導電層24上形成均勻的電阻網絡,需在該透明導電層24的四個角處或四邊上分別形成四個電極28。上述的四個電極28可由金屬材料形成。具體地,在本實施例中,基體22為玻璃基板,所述四個電極28為由銀或銅等低電阻的導電金屬鍍層或者金屬箔片組成的條狀電極28。上述電極28間隔設置在上述的透明導電層24同一表面的四個邊上。可以理解,上述的電極28也可以設置在透明導電層24的不同表面上或基體22的一個表面上,其關鍵在於上述電極28的設置能使得在透明導電層24上形成等電位面即可。本實施例中,所述電極28設置在透明導電層24的遠離基體的一個表面上。所述電極28可以直接形成在透明導電層24上。另外,也可用銀膠等導電粘結劑將上述的四個電極28粘結在透明導電層24上。
進一步地,為了延長透明導電層24的使用壽命和限制耦合在接觸點與透明導電層24之間的電容,可以在透明導電層24和電極之上設置一透明的防護層26,防護層26可由氮化矽、氧化矽、苯並環丁烯(BCB)、聚酯膜或丙烯酸樹脂等形成。所述防護層26直接設置在電極28和透明導電層24上,該防護層26具有一定的硬度,對透明導電層24起保護作用。可以理解,還可通過特殊的工藝處理,從而使得防護層26具有以下功能,例如减小炫光、降低反射等。
在本實施例中,在形成有電極28的透明導電層24上設置一二氧化矽層用作防護層26,該防護層26的硬度達到7H(H為洛氏硬度試驗中,卸除主試驗力後,在初試驗力下壓痕殘留的深度)。可以
理解,防護層26的硬度和厚度可以根據需要進行選擇。所述防護層26可以通過粘結劑直接粘結在透明導電層24上。
此外,為了减小由顯示設備產生的電磁干擾,避免從觸摸屏20發出的信號產生錯誤,還可在基體22的第二表面222上設置一屏蔽層25。該屏蔽層25可由銦錫氧化物(ITO)薄膜、銻錫氧化物(ATO)薄膜或奈米碳管層等透明導電材料形成。所述奈米碳管層可以為包含相互纏繞的、定向排列的奈米碳管以及其它結構的奈米碳管層。本實施例中,該奈米碳管層包括多個相互纏繞的奈米碳管,其具體結構可與透明導電層24相同。該奈米碳管層作為電接地點,起到屏蔽的作用,從而使得觸摸屏20能在無干擾的環境中工作。
請參閱圖3,本技術方案實施例觸摸屏20的製備方法主要包括以下步驟:
步驟一:提供一奈米碳管原料及一基體22。
本技術方案實施例中的獲得奈米碳管原料包括以下步驟:
首先,提供一奈米碳管陣列形成於一基底,優選地,該陣列為超順排奈米碳管陣列。
本技術方案實施例提供的奈米碳管陣列為單壁奈米碳管陣列、雙壁奈米碳管陣列及多壁奈米碳管陣列中的一種。該奈米碳管陣列的製備方法採用化學氣相沈積法,其具體步驟包括:(a)提供一平整基底,該基底可選用P型或N型矽基底,或選用形成有氧化層的矽基底,本實施例優選為採用4英寸的矽基底;(b)在基底表面均勻形成一催化劑層,該催化劑層材料可選用鐵(Fe)、鈷
(Co)、鎳(Ni)或其任意組合的合金之一;(c)將上述形成有催化劑層的基底在700℃~900℃的空氣中退火約30分鐘~90分鐘;(d)將處理過的基底置於反應爐中,在保護氣體環境下加熱到500℃~740℃,然後通入碳源氣體反應約5分鐘~30分鐘,生長得到奈米碳管陣列,其高度大於100微米。該奈米碳管陣列的奈米碳管彼此平行,且垂直於生長的奈米碳管的基底。該奈米碳管陣列與上述基底面積基本相同。通過上述控制生長條件,該超順排奈米碳管陣列中基本不含有雜質,如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。
其次,採用刀片或其他工具將上述奈米碳管從基底刮落,獲得一奈米碳管原料,其中上述奈米碳管在一定程度上保持相互纏繞的狀態。所述的奈米碳管原料中,奈米碳管的長度大於10微米。
本技術方案實施例中碳源氣可選用乙炔、乙烯、甲烷等化學性質較活潑的碳氫化合物,本技術方案實施例優選的碳源氣為乙炔;保護氣體為氮氣或惰性氣體,本技術方案實施例優選的保護氣體為氬氣。
可以理解,本技術方案實施例提供的奈米碳管陣列不限於上述製備方法。
進一步地,在本實施例中,基體22為一矩形玻璃基板,該基體22與奈米碳管陣列面積基本相同;其中,基體22具有一第一表面221以及與第一表面221相對的第二表面222。
步驟二:絮化處理上述的奈米碳管原料從而獲得一奈米碳管層形成在基體22的第一表面221。
本技術方案實施例中,所述絮化處理上述的奈米碳管原料從而獲得一奈米碳管層形成在基體22的一個表面,有以下兩種方式:其一,將上述奈米碳管原料添加到一溶劑中並進行絮化處理獲得一奈米碳管絮狀結構;通過抽濾的方式獲得一奈米碳管層;將所述奈米碳管層通過粘結劑粘結在所述基體22的第一表面221上。其二,將上述奈米碳管原料添加到一溶劑中並進行絮化處理獲得一奈米碳管絮狀結構;分離所述奈米碳管絮狀結構;將上述奈米碳管絮狀結構按照所述基體22的形狀攤開在所述基體22上,施加一定壓力於攤開的奈米碳管絮狀結構;以及,將該奈米碳管絮狀結構中殘留的溶劑烘乾或等溶劑自然揮發後形成在基體22的第一表面221上。
具體地,本技術方案實施例中,溶劑可選用水、易揮發的有機溶劑等。絮化處理可通過采用超聲波分散處理或高强度攪拌等方法。優選地,本技術方案實施例採用超聲波分散10~30分鐘。由於奈米碳管具有極大的比表面積,相互纏繞的奈米碳管之間具有較大的凡德瓦爾力。上述絮化處理並不會將該奈米碳管原料中的奈米碳管完全分散在溶劑中,奈米碳管之間通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞,形成網絡狀結構。
本技術方案實施例中,所述的直接通過抽濾的方式獲得一奈米碳管層的過程包括以下步驟:提供一微孔濾膜及一抽氣漏斗;將上述含有奈米碳管絮狀結構的溶劑經過該微孔濾膜倒入該抽氣漏斗中;抽濾並乾燥後獲得一奈米碳管層。該微孔濾膜為一表面光滑、孔徑為0.22微米的濾膜。由於抽濾方式本身將提供一較大的氣壓作用於該奈米碳管絮狀結構,該奈米碳管絮狀結構經過抽濾會
直接形成一均勻的奈米碳管層。該奈米碳管層剪切成一預定形狀後,可通過粘結劑粘結在所述基體22的第一表面221上。
本技術方案實施例中,所述的分離奈米碳管絮狀結構的方法具體包括以下步驟:將上述含有奈米碳管絮狀結構的溶劑倒入一放有濾紙的漏斗中;靜置乾燥一段時間從而獲得一分離的奈米碳管絮狀結構,該奈米碳管絮狀結構包括多個相互纏繞的奈米碳管。
可以理解,也可將分離後的奈米碳管絮狀結構攤開在一基板上,施加一定壓力於攤開的奈米碳管絮狀結構,以及,將該奈米碳管絮狀結構中殘留的溶劑烘乾或等溶劑自然揮發後形成一奈米碳管層,然後將該奈米碳管層切割成一預定形狀的奈米碳管層,粘結在所述基體22上,從而使得奈米碳管層粘結在基體22上。
可以理解,本技術方案實施例可通過控制該奈米碳管絮狀結構攤開的面積來控制該奈米碳管層的厚度和面密度。奈米碳管絮狀結構攤開的面積越大,則該奈米碳管層的厚度和面密度就越小。施加的壓力的大小可控制上述絮狀結構攤開面積的大小。優選地,所述奈米碳管層的厚度為0.5奈米-100微米。
請參閱圖4,本實施例中獲得的奈米碳管層包括多個相互纏繞的奈米碳管,且上述的奈米碳管在所述的奈米碳管層中各向同性。所述奈米碳管通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞,形成網絡狀結構,因此該奈米碳管層具有很好的韌性。所述網絡狀結構包括大量的微孔結構,該微孔孔徑小於10微米。
步驟三:提供至少兩個電極28,將上述至少兩個電極28間隔設置於奈米碳管層遠離基體22的一個表面上,且與上述奈米碳管層形
成電連接,從而形成觸摸屏20。
其中,上述奈米碳管層用作透明導電層24,所述電極28可以採用濺射、電鍍、化學鍍等沈積方法直接形成在透明導電層24上。另外,也可用銀膠等導電粘結劑將上述的電極28粘結在透明導電層24上。本實施例中,上述至少兩個電極28為由銀或銅等低電阻的導電金屬鍍層或者金屬箔片組成的條狀電極。該條狀電極透過濺射方法直接間隔地沈積在奈米碳管層的四個邊上。
可以理解,所述的金屬電極28亦可設置於透明導電層24與基體22之間或基體22的一個表面上,且與透明導電層24電連接,並不限於上述的設置方式和粘結方式。只要能使上述的電極28與透明導電層24上之間形成電連接的方式都應在本發明的保護範圍內。
進一步地,可以在透明導電層24和電極之上設置一透明的防護層26,防護層26可由氮化矽、氧化矽、苯並環丁烯(BCB)、聚酯膜或丙烯酸樹脂等形成。該防護層26具有一定的硬度,對透明導電層24起保護作用。
在本實施例中,在形成有電極28的透明導電層24上設置一二氧化矽層用作防護層26,該防護層26的硬度達到7H(H為洛氏硬度試驗中,卸除主試驗力後,在初試驗力下壓痕殘留的深度)。可以理解,防護層26的硬度和厚度可以根據需要進行選擇。所述防護層26可以通過粘結劑直接粘結在透明導電層24上。
此外,為了减小由顯示設備產生的電磁干擾,避免從觸摸屏20發出的信號產生錯誤,還可在基體22的第二表面222上設置一屏蔽層25。該屏蔽層25可由銦錫氧化物(ITO)薄膜、銻錫氧化物(
ATO)薄膜、鎳金薄膜、銀薄膜或奈米碳管層等透明導電材料形成。本實施例中,該奈米碳管層包括多個奈米碳管相互纏繞的奈米碳管,其具體結構可與透明導電層24相同。該奈米碳管層作為電接地點,起到屏蔽的作用,從而使得觸摸屏20能在無干擾的環境中工作。可以理解,所述奈米碳管層還可以為其它結構的奈米碳管層。
請參閱圖5及圖2,本技術方案實施例提供一顯示裝置100,該顯示裝置100包括一觸摸屏20,一顯示設備30。該顯示設備30正對且靠近觸摸屏20設置。進一步地,上述的顯示設備30與觸摸屏20正對且靠近觸摸屏20的基體22的第二表面222設置。上述的顯示設備30與觸摸屏20可間隔一預定距離設置或集成設置。
顯示設備30可以為液晶顯示器、場發射顯示器、電漿顯示器、電致發光顯示器、真空螢光顯示器及陰極射線管等顯示設備中的一種。
請參閱圖6及圖2,進一步地,當顯示設備30與觸摸屏20間隔一定距離設置時,可在觸摸屏20的屏蔽層25遠離基體22的一個表面上設置一鈍化層104,該鈍化層104可由氮化矽、氧化矽、苯並環丁烯、聚酯膜或丙烯酸樹脂等材料形成。該鈍化層104與顯示設備30的正面間隔一間隙106設置。具體地,在上述的鈍化層104與顯示設備30之間設置兩個支撑體108。該鈍化層104作為介電層使用,所述鈍化層104與間隙106可保護顯示設備30不致於由於外力過大而損壞。
當顯示設備30與觸摸屏20集成設置時,可將上述的支撑體108直接除去,而將鈍化層104直接設置在顯示設備30上。即,上述的
鈍化層104與顯示設備30之間無間隙地接觸設置。
另外,上述的顯示裝置100進一步包括一觸摸屏控制器40、一顯示設備控制器60及一中央處理器50。其中,觸摸屏控制器40、中央處理器50及顯示設備控制器60三者用電路相互連接,觸摸屏控制器40連接觸摸屏20的電極28,顯示設備控制器60連接顯示設備30。
本實施例觸摸屏20及顯示裝置100在應用時的原理如下:觸摸屏20在應用時可直接設置在顯示設備30的顯示面上。觸摸屏控制器40根據手指等觸摸物70觸摸的圖標或菜單位置來定位選擇信息輸入,並將該信息傳遞給中央處理器50。中央處理器50通過顯示器控制器60控制顯示設備30顯示。
具體地,在使用時,透明導電層24上施加一預定電壓。電壓通過電極28施加到透明導電層24上,從而在該透明導電層24上形成等電位面。使用者一邊視覺確認在觸摸屏20後面設置的顯示設備30的顯示,一邊通過手指或筆等觸摸物70按壓或接近觸摸屏20的防護層26進行操作時,觸摸物70與透明導電層24之間形成一耦合電容。對於高頻電流來說,電容為直接導體,是故手指從接觸點吸走一個部分的電流。這個電流分別從觸摸屏20上的電極中流出,幷且流經這四個電極的電流與手指到四角的距離成正比,觸摸屏控制器40通過對這四個電流比例的精確計算,得出觸摸點的位置。之後,觸摸屏控制器40將數字化的觸摸位置數據傳送給中央處理器50。然後,中央處理器50接受上述的觸摸位置數據並執行。最後,中央處理器50將該觸摸位置數據傳輸給顯示器控制器60,從而在顯示設備30上顯示接觸物70發出的觸摸信息。
本技術方案實施例提供的觸摸屏20、觸摸屏20的製備方法及顯示裝置100具有以下優點:其一,由於奈米碳管在所述奈米碳管層中通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞,形成網絡狀結構,從而使得上述的奈米碳管層具有較好的機械强度和韌性,故,采用上述的奈米碳管層作透明導電層24,可以相應的提高觸摸屏20及使用該觸摸屏20的顯示裝置100的耐用性。其二,所述奈米碳管層中的奈米碳管為各向同性,故可使得透明導電層具有均勻的阻值分布。進一步地,所述網絡狀結構包括大量的微孔結構,該微孔孔徑小於50微米。故,採用上述的奈米碳管層作透明導電層24,可使得透明導電層24具有較好的透光特性,從而提高觸摸屏20及使用該觸摸屏20的顯示裝置100的分辨率和精確度。其三,採用本技術方案實施例提供的絮化處理的方法製備奈米碳管層作透明導電層24,由於無需濺射和加熱等工藝,故,降低了觸摸屏20和使用該觸摸屏20的顯示裝置100的製作成本,簡化了製作工藝。
綜上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施例,自不能以此限製本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化,皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
20‧‧‧觸摸屏
22‧‧‧基體
221‧‧‧第一表面
222‧‧‧第二表面
24‧‧‧透明導電層
25‧‧‧屏蔽層
26‧‧‧防護層
Claims (24)
- 一種觸摸屏,包括:一基體;一透明導電層,該透明導電層設置於所述基體的一表面;以及至少兩個電極,該至少兩個電極間隔設置並與該透明導電層電連接,其改良在於,所述透明導電層進一步包括一奈米碳管層,該奈米碳管層由相互纏繞的多個奈米碳管組成,該奈米碳管層不依附基體而獨立地保持其自身的形狀和結構。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述奈米碳管的長度大於10微米。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述多個奈米碳管各向同性。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述多個奈米碳管通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞,形成網絡狀結構。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述網絡狀結構包括大量的微孔,該微孔的孔徑小於10微米。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述奈米碳管層的厚度為0.5奈米~100微米。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述奈米碳管包括單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一種或几種,所述單壁奈米碳管的直徑為0.5奈米~50奈米,雙壁奈米碳管的直徑為1.0奈米~50奈米,多壁奈米碳管的直徑為1.5奈米~50奈米。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述至少兩電極為金屬鍍層或金屬箔片。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述至少兩個電極間隔地設置在透明導電層遠離基體的表面。
- 如請求項9所述的觸摸屏,其中,所述至少兩個電極通過一導電銀膠設置在透明導電層遠離基體的表面。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述觸摸屏進一步包括一防護層,該防護層設置於透明導電層的遠離基體的一個表面,所述防護層的材料為氮化矽、氧化矽、苯並環丁烯、聚酯膜或丙烯酸樹脂。
- 如請求項1所述的觸摸屏,其中,所述觸摸屏進一步包括一屏蔽層,該屏蔽層設置於上述基體遠離透明導電層的一表面,所述屏蔽層為銦錫氧化物薄膜、銻錫氧化物薄膜、鎳金薄膜、銀薄膜或奈米碳管層。
- 一種觸摸屏的製備方法,該方法包括以下步驟:提供一奈米碳管原料及一基體;絮化處理上述的奈米碳管原料從而獲得一奈米碳管層形成在基體的一個表面;以及提供至少兩個電極,將至少兩個電極間隔設置並與所述奈米碳管層形成電連接,從而形成所述的觸摸屏。
- 如請求項13所述的觸摸屏的製備方法,其中,所述絮化處理奈米碳管原料從而獲得一奈米碳管層形成在基體的一個表面的過程,具體包括以下步驟:將奈米碳管原料添加到溶劑中,並進行絮化處理獲得一奈米碳管絮狀結構;通過抽濾的方式獲得一奈米碳管層;以及將所述奈米碳管層通過粘結劑粘結在所述基體的一個表面。
- 如請求項14所述的觸摸屏的製備方法,其中,所述通過抽濾方式獲得一奈米碳管層的過程具體包括以下步驟:提供一微孔濾膜及一抽氣漏斗;將上述含有該奈米碳管絮狀結構的溶劑經過該微孔濾膜倒入該抽氣漏斗中;以及抽濾並乾燥後獲得一奈米碳管層。
- 如請求項13所述的觸摸屏的製備方法,其中,所述絮化處理奈米碳管原料從而獲得一奈米碳管層形成在基體的一個表面的過程,具體包括以下步驟:將奈米碳管原料添加到溶劑中,並進行絮化處理獲得一奈米碳管絮狀結構;分離所述奈米碳管絮狀結構;將上述奈米碳管絮狀結構攤開在所述基體上,施加壓力於攤開的奈米碳管絮狀結構;以及,將該奈米碳管絮狀結構中殘留的溶劑烘乾或等溶劑自然揮發後形成一粘結在基體上的奈米碳管層。
- 如請求項16所述的觸摸屏的製備方法,其中,所述的分離奈米碳管絮狀結構的過程,具體包括以下步驟:將上述含有奈米碳管絮狀結構的溶劑倒入一放有濾紙的漏斗中;靜置乾燥一段時間從而獲得一分離的奈米碳管絮狀結構。
- 如請求項14或16所述的觸摸屏的製備方法,其中,所述絮化處理的方法包括超聲波分散處理或高强度攪拌。
- 一種顯示裝置,包括:一觸摸屏,該觸摸屏包括一基體;一透明導電層,該透明導電層設置於上述基體的一表面;以及至少兩個電極,該至少兩個電極間隔設置並與該透明導電層電連接;一顯示設備,該顯示設備正對且靠近觸摸屏的基體遠離透明導電層的一個表面設置,其改良在於,上述透明導電層進一步包括一奈米碳管層,該奈米碳管層由相互纏繞的多個奈米碳管組成,該奈米碳管層不依附基體而獨立地保持其自身的形狀和結構。
- 如請求項19所述的顯示裝置,其中,所述的顯示設備為液晶顯示器、場發射顯示器、電漿顯示器、電致發光顯示器、真空螢光顯示器及陰極射線管中的一種。
- 如請求項19所述的顯示裝置,其中,所述顯示設備與觸摸屏間隔設置或集成設置。
- 如請求項19所述的顯示裝置,其中,所述的顯示裝置進一步包括一鈍化層,該鈍化層設置於觸摸屏和顯示設備之間,與觸摸屏相接觸設置,與顯示設備間隔一定距離設置。
- 如請求項22所述的顯示裝置,其中,所述鈍化層的材料為氮化矽、氧化矽、苯並環丁烯、聚酯膜或丙烯酸樹脂。
- 如請求項23所述的顯示裝置,其中,所述顯示裝置進一步包括一觸摸屏控制器、一顯示設備控制器及一中央處理器,其中,觸摸屏控制器、中央處理器及顯示設備控制器三者通過電路相互連接,觸摸屏控制器連接觸摸屏的電極,顯示設備控制器連接顯示設備。
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JPH0354624A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-08 | Sony Tektronix Corp | タッチパネル・システムの位置測定装置 |
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