TWI499125B - 一種通信方法和通信系統 - Google Patents

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阿瑪德雷茲 羅弗戈蘭
瑪雅姆 羅弗戈蘭
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Description

一種通信方法和通信系統
本發明涉及無線通信，更具體地說，涉及一種使用漏波天線(leaky wave antenna)將RF功率轉換為DC功率的方法和系統。
移動通信改變了人們的通信方式，移動電話已從奢侈品轉變為日常生活必不可少的部分。當今，移動電話的使用由社會狀況控制，而不受地域或技術的牽制。語音連接滿足了通信的基本需求，而移動語音連接將會更深入的滲透到日常生活中，移動互聯網將會是移動通信變革的下一目標。移動互聯網隨時會成為人們日常資訊的來源，而且方便、通用地移動訪問這些資料將會成為必然。
隨著支援有線和/或移動通信的電子設備數量的增加，為了使得這些設備具有更高的功效，已做了相當大的努力。例如，通信設備中很大比例都是移動無線設備，而且往往在電池電源下運作。另外，這些移動無線設備中的發射和/或接收電路往往佔用了這些設備所消耗的功率中的很大一部分。而且，在一些常用的通信系統中，與可擕式通信設備的其他模組相比，發射器和/或接收器具有較低的功率效率。因此，這些發射器和/或接收器對移動無線設備的電池壽命有重要影響。
比較本發明後續將要結合附圖介紹的系統，現有技術的其他 缺陷和弊端對於本領域的技術人員來說是顯而易見的。
本發明提出一種使用漏波天線將RF功率轉換為DC功率的方法和/或系統，下面將結合至少一幅附圖來充分展示和/或說明，並且將在權利要求中進行完整的闡述。
根據本發明的一方面，提出一種通信方法，包括：使用無線設備中的一個或多個漏波天線接收RF無線信號；以及使用級聯整流單元(cascaded rectifier cell)從所述已接收的RF信號中生成用在無線設備中的一個或多個DC電壓。
作為優選，所述方法進一步包括使用微機電系統(micro-electro-mechanical system，簡稱MEMS)偏離(deflection)配置所述一個或多個漏波天線的諧振頻率。
作為優選，所述方法進一步包括配置所述一個或多個漏波天線使其從期望的方向接收所述RF信號。
作為優選，所述一個或多個漏波天線包括微帶波導(microstrip waveguide)。
作為優選，所述一個或多個漏波天線的諧振腔高度取決於所述微帶波導中傳導線之間的間隔。
作為優選，所述一個或多個漏波天線包括共面波導(coplanar waveguide)。
作為優選，所述一個或多個漏波天線的諧振腔高度取決於所述共面波導中傳導線之間的間隔。
作為優選，所述一個或多個漏波天線集成在一個或多個積體電路中，所述一個或多個積體電路倒裝焊(flip-chip-bonded)於一個或多個積體電路封裝。
作為優選，所述一個或多個漏波天線集成在一個或多個積體 電路封裝中，所述積體電路封裝附加在一個或多個印刷電路板上。
作為優選，所述一個或多個漏波天線集成在一個或多個印刷電路板中。
根據本發明的另一方面，提出一種通信系統，包括：在包括一個或多個漏波天線的無線設備中，其中：所述無線設備用於使用所述一個或多個漏波天線接收RF無線信號；所述無線設備用於使用級聯整流單元從所述已接收的RF信號中生成用在所述無線設備中的一個或多個DC電壓。
作為優選，所述無線設備用於使用微機電系統(MEMS)偏離配置所述一個或多個漏波天線的諧振頻率。
作為優選，所述無線設備用於配置所述一個或多個漏波天線使其從期望的方向接收所述RF信號。
作為優選，所述一個或多個漏波天線包括微帶波導(microstrip waveguide)。
作為優選，所述一個或多個漏波天線的諧振腔高度取決於所述微帶波導中傳導線之間的間隔。
作為優選，所述一個或多個漏波天線包括共面波導(coplanar waveguide)。
作為優選，所述一個或多個漏波天線的諧振腔高度取決於所述共面波導中傳導線之間的間隔。
作為優選，所述一個或多個漏波天線集成在一個或多個積體電路中，所述一個或多個積體電路倒裝焊(flip-chip-bonded)於一個或多個積體電路封裝。
作為優選，所述一個或多個漏波天線集成在一個或多個積體電路封裝中，所述積體電路封裝附加在一個或多個印刷電路板上。
作為優選，所述一個或多個漏波天線集成在一個或多個印刷電路板中。
下文將結合附圖對具體實施例進行詳細描述，以幫助理解本發明的各種優點、各個方面和創新特徵。
150‧‧‧無線設備
151‧‧‧天線
152‧‧‧收發器
154‧‧‧基帶處理器
156‧‧‧處理器
158‧‧‧系統記憶體
160‧‧‧邏輯模組
162‧‧‧積體電路或晶片
163‧‧‧BT無線收發器/處理器
164‧‧‧漏波天線
165‧‧‧開關
166‧‧‧外部耳機埠
167‧‧‧封裝
168‧‧‧類比麥克風
169‧‧‧RF-DC轉換模組
170‧‧‧集成免提(Integrated Hands Face)身歷聲揚聲器
171‧‧‧印刷電路板
172‧‧‧CODEC
174‧‧‧助聽相容(HAC)線圈
176‧‧‧數位麥克風(Dual Digital Microphone)
178‧‧‧振動感測器(vibration transducer)
180‧‧‧鍵盤和/或觸摸屏
182‧‧‧顯示幕
201A‧‧‧部分反射面
201B‧‧‧射面
203‧‧‧饋點
300‧‧‧部分反射面
320‧‧‧部分反射面
400‧‧‧漏波天線
420‧‧‧漏波天線
500‧‧‧對比圖
600‧‧‧漏波天線
601A-601C‧‧‧回饋點
720‧‧‧微帶波導
711A、711B‧‧‧諧振腔
723‧‧‧信號傳導線
725‧‧‧接地面
727‧‧‧隔離層
730‧‧‧共面波導
731、733‧‧‧信號傳導線
801A-801G‧‧‧金屬層
803‧‧‧錫球(solder ball)
805‧‧‧連線層(interconnect layer)
807‧‧‧熱環氧樹脂(thermal epoxy)
811A-811C‧‧‧漏波天線
820‧‧‧RF信號源
900‧‧‧RF-DC轉換模組
920、930、940‧‧‧整流單元
圖1是依據本發明一實施例的具有漏波天線的示範性無線系統結構示意圖，所述無線系統能夠接收RF信號並轉換為DC電壓；圖2是依據本發明一實施例的示範性漏波天線結構示意圖；圖3是依據本發明一實施例的示範性部分反射面(partially reflective surface)俯視圖；圖4是依據本發明一實施例的漏波天線的示範性相位依賴性(phase dependence)示意圖；圖5是依據本發明一實施例的漏波天線的示範性同相和不同相波束形狀示意圖；圖6是依據本發明一實施例的具有可變輸入阻抗回饋點的漏波天線結構示意圖；圖7是依據本發明一實施例的共面波導(Coplanar Waveguide)和微帶波導的橫截面示意圖；圖8是依據本發明一實施例的具有用於接收RF信號的集成漏波天線的積體電路封裝的橫截面示意圖；圖9是依據本發明一實施例的示範性的RF-DC轉換模組結構示意圖；圖10是依據本發明一實施例的將漏波天線所接收的RF功率轉換為DC功率的示範性實施步驟示意圖。
本發明的一些方面提供了一種使用漏波天線將RF功率轉換為DC功率的方法和系統。本發明的示範性方面包括使用無線設備中的一個或多個漏波天線接收RF無線信號；以及使用級聯整流單元從所述已接收的RF信號中生成用在無線設備中的一個或多個DC電壓。使用微機電系統(MEMS)偏離(deflection)配置所述 一個或多個漏波天線的諧振頻率。所述一個或多個漏波天線用於從期望的方向接收所述RF信號。所述一個或多個漏波天線包括微帶波導，其中所述一個或多個漏波天線的諧振腔高度取決於所述微帶波導中傳導線之間的間隔。所述一個或多個漏波天線包括共面波導(coplanar waveguide)，其中所述一個或多個漏波天線的諧振腔高度取決於所述共面波導中傳導線之間的間隔。所接收的RF信號可通過級聯整流元件進行整流從而生成一個或多個DC電壓。所述一個或多個漏波天線集成在一個或多個積體電路、積體電路封裝和/或印刷電路板中。積體電路封裝可通過例如倒裝焊(flip-chip-bonded)附加於一個或多個印刷電路板，以及所述一個或多個積體電路倒裝焊於一個或多個積體電路封裝。
圖1是依據本發明一實施例的具有漏波天線的示範性無線系統結構示意圖，所述無線系統能夠接收RF信號並轉換為DC電壓。參考圖1，無線設備150包括天線151、收發器152、基帶處理器154、處理器156、系統記憶體158、邏輯模組160、晶片162、漏波天線164A、164B和164C、外部耳機埠166、以及封裝167，以及RF-DC轉換模組169。無線設備150還包括類比麥克風168、集成免提(Integrated Hands Face)身歷聲揚聲器170、印刷電路板171、助聽相容(HAC)線圈174、雙數位元麥克風(Dual Digital Microphone)176、振動感測器(vibration transducer)178、鍵盤和/或觸摸屏180、以及顯示幕182。
收發器152包括適當的邏輯、電路、介面和/或代碼，用於調製和上變頻基帶信號為RF信號以便由一個或多個天線發射出去，可由天線151作為代表。收發器152還用於下變頻和解調製所接收的RF信號為基帶信號。RF信號可由一個或多個天線接收，可由天線151或者漏波天線164作為代表。不同的無線系統使用不同的發射和接收天線，收發器152用於執行其他功能，例如，對基帶和/或RF信號進行濾波、和/或放大基帶和/或RF信號。儘 管示出的是單個收發器152，但本發明並不限於此。因此，收發器152可由單個發射器和單個接收器來實現。另外，還可包括多個收發器、發射器和/或接收器。在這點上，多個收發器、發射器和/或接收器使得無線設備150能夠處理多個無線協議和/或標準，包括蜂窩、WLAN和PAN。無線設備150所處理的無線技術包括例如GSM、CDMA、CDMA2000、WCDMA、GMS、GPRS、EDGE、WiMAX、WLAN、3GPP、UMTS、BLUETOOTH、以及ZigBee。
基帶處理器154包括適當的邏輯、電路、介面和/或代碼，用於處理基帶信號以便通過收發器152來發射，和/或處理接收自收發器162的基帶信號。處理器156可以是任何適當的處理器或控制器諸如CPU、DSP、ARM、或任何其他類型的積體電路處理器。處理器156包括適當的邏輯、電路和/或代碼，用於控制收發器152和/或基帶處理器154的操作。例如，處理器156用於更新和/或修改收發器152和/或基帶處理器154中多個元件、設備和/或處理元件的可編程參數和/或值。至少一部分可編程參數存儲在系統記憶體158中。
包括可編程參數的控制和/或資料資訊可從無線設備150的其他部分(圖1未示出)轉送至處理器156。類似地，處理器156用於將包括可編程參數的控制和/或資料資訊轉發至無線設備150的其他部分(圖1未示出)，所述其他部分是無線設備150的一部分。
處理器156使用所接收的包括可編程參數的控制和/或資料資訊，確定收發器152的操作模式。例如，處理器156用於為本地振盪器選擇特定頻率，為可變增益放大器選擇特定增益，配置本地振盪器和/或配置可變增益放大器以便依據本發明的多個實施例進行運作。而且，所選擇的特定頻率和/或計算特定頻率所需的參數和/或用於計算特定增益的特定增益值和/或參數，可通過例如處理器156存儲於系統記憶體158中。存儲在系統記憶體158中的 資訊可通過處理器156從系統記憶體158轉發至收發器152。
系統記憶體158包括適當的邏輯、電路、介面和/或代碼，用於存儲多個控制和/或資料資訊，包括計算頻率和/或增益所需的參數、和/或頻率值和/或增益值。系統記憶體158存儲處理器156控制的至少一部分可編程參數
邏輯模組160包括適當的邏輯、電路、介面和/或代碼，用於控制無線設備150的各種功能。例如，邏輯模組160包括一個或多個狀態機，用於生成控制收發器152和/或基帶處理器154的信號。邏輯模組160還包括寄存器，用於存儲控制例如收發器152和/或基帶處理器154的資料。邏輯模組160還生成和/或存儲狀態資訊，所述狀態資訊由例如處理器156讀出。放大器增益和/或濾波特性可由例如邏輯模組160控制。
BT無線收發器/處理器163包括適當的邏輯、電路、介面和/或代碼，用於發射和/或接收藍牙信號。BT無線收發器/處理器163可處理和/或操控BT基帶信號。基於來自已處理的BT信號的資訊，BT無線收發器/處理器163還可提供控制和/或回饋資訊給基帶處理器154和/或處理器156，或者提供來自基帶處理器154和/或處理器156的控制和/或回饋資訊。BT無線收發器/處理器163將來自已處理的BT信號得資訊和/或資料傳送至處理器156和/或系統記憶體158。而且，BT無線收發器/處理器163接收來自處理器156和/或系統記憶體158得資訊，所述資訊可通過無線通信媒介例如藍牙耳機進行處理和發射。
RF-DC轉換模組169包括適當的邏輯、電路、介面和/或代碼，用於將已接收的RF信號轉換為一個或多個DC電壓。RF-DC轉換模組169包括片上、封裝上和/或印刷電路板上元件，用於通過RFAC信號以及充電記憶元件諸如CMOS電容的整流生成一個或多個DC電壓。
CODEC 172包括適當的邏輯、電路、介面和/或代碼，用於處 理接收自和/或傳送至輸入/輸出設備的音頻信號。輸入設備可置於無線設備150中和/或與無線設備150通信連接，輸入設備包括例如類比麥克風168、身歷聲揚聲器170、助聽相容(HAC)線圈174、雙數位元麥克風(Dual Digital Microphone)176以及振動感測器178。CODEC 172用於上變頻和/或下變頻信號頻率至期望的頻率以便由輸出設備進行處理和/或發射。CODEC 172可使用多個數位音頻輸入，諸如16位或18位。CODEC 172還可使用多個資料採樣速率輸入。例如，CODEC 172在採樣速率諸如8kHz、11.025kHz、12kHz、16kHz、22.05kHz、24kHz、32kHz、44.1kHz、和/或48kHz。CODEC 172還可支援音頻源諸如一般音頻(general audio)、複調振鈴器(polyphonic ringer)、I2S FM音頻、振動驅動信號和語音。在這點上，一般音頻和複調振鈴器音頻源可支持音頻CODEC 172所能接受的多個採樣速率，而音頻源可支援所述多個採樣速率中的一部分，諸如8kHz和16kHz。
晶片162包括集成有多個功能模組的積體電路，諸如收發器152、處理器156、基帶處理器154、BT無線收發器/處理器163、CODEC 172。集成在晶片162中的功能模組的數量並不限於圖1所示的數量。因此，依賴例如晶片的空間和無線設備150的需求，可在晶片162上集成任何數量的模組。晶片162可倒裝焊于封裝167，如圖8所示。
漏波天線164包括具有強反射面(highly reflective surface)和弱反射面(lower reflective surface)的諧振腔(resonant cavity)，可集成在封裝167中和/或封裝167上。另外，漏波天線可集成在晶片162和/或印刷電路板171上。弱反射面允許諧振模式跳出該諧振腔。漏波天線164的弱反射面可配置成在金屬表面內的的狹槽或金屬補片構成的圖案，如圖2和圖3所示。可對漏波天線164的物理尺寸進行配置，使其優化發射帶寬和/或輻射的波束圖。通過將漏波天線164集成在封裝167和/或印刷電路板171上，漏波 天線164的尺寸不由晶片162的大小限制。
在本發明一示範性實施例中，漏波天線164用於發射和/或接收RF信號，並使用RF-DC轉換模組將所接收的RF信號進行轉換以生成用在無線設備150中的DC電壓。
開關165包括諸如CMOS或MEMS開關的開關，用於將漏波天線164中的不同天線切換至收發器152和/或將元件接入漏波天線和/或從漏波天線斷開，諸如圖3所示的補片和狹槽。
外部耳機埠166包括用於外部耳機的物理連接，所述外部耳機與無線設備150通信連接。類比麥克風168包括適當的電路、邏輯、介面和/或代碼，用於檢測聲波並通過例如壓電效應(piezoelectric effect)將其轉換為電信號。類比麥克風168所生成的電信號包括類比信號，該類比信號在處理之前需要進行模數轉換。
封裝167包括陶瓷封裝、印刷電路板或其他能夠支撐晶片162和無線設備150中其他元件的結構。在這點上，晶片162連接至封裝167。封裝167包括例如隔離和導電材料，可提供裝配在封裝167上的電元件之間的隔離。
身歷聲揚聲器170包括一對揚聲器，用於從接收自CODEC 172的電信號中生成音頻信號。HAC線圈174包括適當的電路、邏輯和/或代碼，能夠實現例如無線設備150和助聽器中的T線圈之間的通信。在這點上，電音頻信號可傳送至使用助聽器的用戶，無需通過揚聲器(諸如身歷聲揚聲器170)生成聲音信號，在助聽器中將所生成的聲音信號轉換回電信號，隨後在用戶耳朵中再將電信號轉換重播大的聲音信號。
雙數位元麥克風176包括適當的電路、邏輯、介面和/或代碼，用於檢測聲波並將其轉換為電信號。雙數位元麥克風176所生成的電信號包括數位信號，在CODEC 172中進行數位處理之前無需進行模數轉換。雙數位元麥克風176具有例如波束成形能力。
振動感測器178包括適當的電路、邏輯、介面和/或代碼，無需使用聲音就能將到達的呼叫、警報和/或消息通知給無線設備150。振動感測器生成振動，該振動與諸如語音或音樂的音頻信號同步。
在操作中，包括可編程參數的控制和/或資料資訊可從無線設備150的其他部分(圖1未示出)轉發至處理器156。類似地，處理器156可將包括可編程參數的控制和/或資料資訊轉發至無線設備150的其他部分(圖1未示出)，所述其他部分是無線設備150的組成部分。
處理器156使用所接收的包括可編程參數的控制和/或資料資訊，確定收發器152的操作模式。例如，處理器156用於為本地振盪器選擇特定頻率、為可變增益放大器選擇特定增益，配置本地振盪器和/或配置可變增益放大器以便依據本發明的多個實施例進行運作。而且，所選擇的特定頻率和/或計算特定頻率所需的參數和/或用於計算特定增益的特定增益值和/或參數，可通過例如處理器156存儲於系統記憶體158中。存儲在系統記憶體158中的資訊可通過處理器156從系統記憶體158轉發至收發器152。
無線設備150中的CODEC 172與處理器156通信，以便轉發音頻資料和控制信號。CODEC 172的控制寄存器可設置在處理器156中。處理器156通過系統記憶體158交換音頻信號和控制資訊。CODEC 172還可將多個音頻源的頻率上變頻和/或下變頻至期望的採樣頻率。
漏波天線164用於發射和/或接收無線信號。通過RF-DC轉換模組169將已接收的RF信號轉換為一個或多個DC電壓。以此方式，可為無線設備150外部的設備提供電源。在封裝167中和/或上的反射面之間配置諧振腔，使得可在封裝167上的任何位置發射和接收信號，無需常規天線以及相關電路所需的大的面積。
可由漏波天線164的諧振腔的高度確定發射和/或接收頻率。 因此，反射面可集成在封裝167中的不同高度或側向間距(lateral spacing)處，從而配置漏波天線具有不同的諧振頻率。
在本發明一實施例中，可通過使用MEMS驅動來調節諧振腔的高度，從而配置漏波天線164的諧振頻率。因此，可應用偏置電壓使得漏波天線164的一個或兩個反射面由所應用的電勢來偏離。以此方式，可配置諧振腔的高度、諧振腔的諧振頻率。類似地，部分反射面中的狹槽和/或補片的圖案(pattern)可由開關165進行配置。
可由漏波天線164發射和/或接收不同頻率的信號，通過有選擇地將收發器連接至具有不同諧振腔高度的漏波天線來實現。例如，在封裝167的頂部和底部具有反射面的漏波天線具有最大的諧振腔高度，從而通過最低的諧振頻率。相反地，在封裝167的表面上具有一反射面，在封裝167的該表面下方具有另一反射面的漏波天線可提供較高的諧振頻率。可通過晶片162中的開關165和/或CMOS設備實現可選擇性地連接。
圖2是依據本發明一實施例的示範性漏波天線結構示意圖。參考圖2，示出的漏波天線164包括部分反射面201A、反射面201B以及回饋點203。部分反射面201A和反射面201B之間的空間由例如絕緣材料填充，部分反射面201A和反射面201B之間的高度h用於配置漏波天線164的發射頻率。在本發明另一實施例中，在部分反射面201A和反射面201B之間的空間內集成有空氣間隙，以實現MEMS驅動。還示出了MEMS偏置電壓+VMEMS和-VMEMS。
回饋點203包括用於將輸入電壓應用於漏波天線的輸入端。本發明並不限於單個回饋點203，可將用於信號或多個信號源的不同相位的各種數量的回饋點應用於例如漏波天線164。
在本發明一實施例中，高度h是漏波天線164發射模式的波長的一半。以此方式，穿過腔體兩次的電磁模式的相位與回饋點 203處的輸入信號相干，從而將諧振腔配置為法布裏珀羅(Fabry-Perot)腔。諧振模式的幅度從回饋點以橫向(lateral direction)指數級地衰減，從而減少或消除對漏波天線164各個邊的約束結構(confinement structure)的需求。可由回饋點203的垂直位置來配置漏波天線164的輸入阻抗。
在操作中，通過收發器152中的功率放大器發射的信號可傳送至漏波天線164的頻率為f的回饋點203，或者由漏波天線164接收的信號指向該天線。可配置腔的高度h使其與頻率為f的信號的諧波波長的一半相關聯。信號穿過腔的高度並被部分反射面201A反射，然後再反射回反射面201B。由於波將會穿過對應于全波長的距離，因而會產生相長干涉(constructive interference)，且會建立諧振模式。
漏波天線無需大的天線陣列就能實現高增益天線的配置，所述大的天線陣列需要複雜的回饋網路且會因回饋線而造成丟失。漏波天線164可通過封裝167中和/或封裝167上的傳導層發射和/或接收無線信號。在這點上，與晶片162相比，由於封裝167較大的尺寸，諧振腔的諧振頻率可覆蓋較寬的範圍，不需要常規天線和相關電路所需的大的面積。另外，通過將漏波天線集成於一個或多個印刷電路板上的多個封裝中，就可實現封裝間的通信。
在本發明一示範性實施例中，通過選擇漏波天線164中對於期望頻率來說具有合適的諧振腔高度的一個漏波天線，對漏波天線164的發射和/或接收頻率進行配置。
在本發明另一實施例中，諧振腔的高度h可由MEMS驅動進行配置。例如，與0偏置相比，偏置電壓+VMEMS和-VMEMS偏離反射面201A或201B中的一個或兩個，從而配置諧振腔的諧振頻率。
漏波天線164可接收RF信號，該RF信號用於生成一個或多個DC電壓，該DC電壓用於為無線設備150中的電路提供電源。 以此方式，無線設備150無需電池或者使用較少的電源儲能就可運作。
圖3是依據本發明一實施例的示範性部分反射面(partially reflective surface)俯視圖。參考圖3，示出的部分反射表面300包括金屬表面中的週期性狹槽，部分反射表面320包括週期性金屬片。部分反射表面300/320包括圖2所示的部分反射表面201A的不同實施方式。
部分反射表面300/320中槽和/或片的空間、尺寸、形狀和/或方位用於配置部分反射表面300/320以及反射表面諸如圖2所示的反射表面201B所定義的諧振腔的帶寬和Q因數。由於信號的窄帶寬，可能會從狹槽和/或金屬片所配置的結構中洩露出去，部分反射表面300/320可句有頻率選擇表面。
片和/或狹槽之間的空間間隔與所發射和/或接收的信號的波長相關。某種程度上類似於具有多重天線(multiple antennas)的波束成形。由於狹槽和/或金屬片周圍區域的洩露會累加，類似於具有多重天線的波束成形，因此狹槽和/或金屬片的長度比所發射和/或接收的信號的波長的幾倍還大或者比所發射和/或接收的信號的波長更小。
在本發明一實施例中，可通過微機電系統(MEMS)開關(諸如圖1所述的開關165)對狹槽/金屬片進行配置以調節諧振腔的Q。可在封裝167中和/或封裝167上的傳導層中配置狹槽和/或金屬片，可使用開關165短路或開路狹槽和/或金屬片。在這點上，無需使用額外的電路和常規天線就能從不同位置發射RF信號諸如60GHz信號，所述常規天線具有需要可用的晶片空間的相應電路。
在本發明另一實施例中，可在晶片162、封裝167和/或印刷電路板171的垂直平面中的傳導層中配置狹槽或金屬片，從而支援該結構中水準方向上的無線信號的傳送。
在本發明另一實施例中，部分反射面300/320可集成在封裝 167內和/或封裝167上。通過這種方式，可發射和/或接收不同頻率的信號。因此，集成在封裝167內的部分反射面300/320和發射面201B可發射和/或接收的信號的頻率比來自封裝167表面上的部分反射面300/320和封裝167的其他表面上的反射面201B所定義的諧振腔的信號要高。
圖4是依據本發明一實施例的漏波天線的示範性相位依賴性(phase dependence)示意圖。參考圖4，示出的漏波天線包括部分反射面201A、反射面201B以及回饋點203。同相情形400闡述了當傳送至回饋點203的信號的頻率與諧振腔的頻率相匹配時，漏波天線164所發射的相對波束形狀；所述諧振腔是由諧振腔高度h和反射面之間的材料的介電常數(dielectric constant)所界定的。
類似地，不同相情形420闡述了當傳送至回饋點203的信號的頻率與諧振腔的頻率不相匹配時，漏波天線164所發射的相對波束形狀；所述諧振腔是由腔的高度h和反射面之間的材料的介電常數(dielectric constant)所界定的。這些在圖5中進行詳細闡述。漏波天線164可集成在封裝167的各個高度處，從而在具有可變諧振頻率的封裝167中提供多個發射和接收點。
將漏波天線配置為同相和不同相的情況，處理不同特性的信號以期望的方向射入和/或射出封裝167，從而實現多個封裝或設備之間的無線通信。在本發明一示範性實施例中，可動態地控制由漏波天線發射的信號的角度，從而信號可直接發射給期望的接收漏波天線。在本發明另一實施例中，漏波天線164用於接收RF信號，諸如60GHz信號。接收信號的方向可由同相和不同相情況進行配置。
在本發明一示範性實施例中，通過配置漏波天線使其接收來自任何期望方向的RF信號，無線設備150能夠在無線設備150的任意方向從其他RF發射設備生成DC電壓。
圖5是依據本發明一實施例的漏波天線的示範性同相和不同相波束形狀示意圖。參考圖5，示出了漏波天線同相和不同相情形下發射信號波束形狀和角度θ的對比圖500。
示意圖500中的同相曲線對應於傳送至漏波天線的信號的頻率與腔的諧振頻率相匹配的情況。在這點上，就會產生單垂直主節點(single vertical main node)。假設回饋點處的信號的頻率不在諧振頻率上，則會生成雙節點或錐形(conical-shaped)節點，如示意圖500中的不同相曲線所示。通過配置漏波天線為同相或不同相情形，信號就會以期望的方向直接從晶片162、封裝167和/或印刷電路板171輸出。
在本發明另一實施例中，漏波天線164用於接收無線信號，並通過同相和不同相配置從期望的方向接收信號。以此方式，從漏波天線164多個方向接收的RF信號生成DC電壓。
圖6是依據本發明一實施例的具有可變輸入阻抗回饋點的漏波天線結構示意圖。參考圖6，示出的漏波天線600包括部分反射面201A以及反射面201B。還示出了回饋點601A-601C。回饋點601A-601C可位於腔的高度h的不同位置，從而配置漏波天線的不同阻抗點。
以此方式，漏波天線用於耦合多個功率放大器、低雜訊放大器和/或其他具有可變輸出或輸入阻抗的電路。類似地，通過在晶片162、封裝167和/或印刷電路板171中的傳導層中集成漏波天線，漏波天線的阻抗可與功率放大器或低雜訊放大器相匹配，不會有阻抗的變化，而阻抗的變化在常規天線及其接近或遠離相應驅動電路的情況下就會產生。另外，通過集成具有可變腔高度和可變回饋點的反射面和部分反射面，就能支援具有不同阻抗和諧振頻率的漏波天線。在本發明一實施例中，回饋點601A-601C的高度可由MEMS驅動進行配置。
圖7是依據本發明一實施例的共面波導(Coplanar Waveguide) 和微帶波導的橫截面示意圖。參考圖7，示出了微帶波導720和共面波導730以及支撐結構701。微帶波導720包括信號傳導線723、地平面725、諧振腔711A、隔離層727。共面波導730包括信號傳導線731和733、諧振腔711B、隔離層727以及多層支撐結構701。支撐結構701包括例如晶片162、封裝167和/或印刷電路板171。
信號傳導線723、731以及733包括鍍在隔離層727中和/或上的金屬線或層(metal trace)。在本方面另一實施例中，信號傳導線723、731、和733包括多矽晶(poly-silicon)或其他傳導材料。信號傳導線723與地平面725之間的隔離和電勢(voltage potential)可確定其中生成的電場。另外，隔離層727的介電常數還可確定信號傳導線723與地平面之間的電場。
諧振腔711A和711B包括隔離層727、空氣間隙或者空氣間隙與隔離層727的結合，從而實現MEMS驅動以及頻率調諧。
隔離層727包括SiO2或能提供信號傳導線723和地平面725之間的高電阻層的其他隔離材料。另外，信號傳導線723和地平面725之間的電場依賴於隔離層727的介電常數。
隔離層727的厚度和介電常數可確定所應用信號生成的電場強度。漏波天線的諧振腔厚度依賴於信號傳導線723和地平面725之間或信號傳導線731和733之間的間距。
信號傳導線731和733、以及信號傳導線723和地平面725可限定漏波天線的諧振腔。每一層包括反射面或部分反射面，這依賴於傳導材料的樣式。例如，可通過交替設置傳導和隔離材料為期望的圖案，來配置部分反射面。以此方式，信號可直接射出晶片162、封裝167和/或印刷電路板171的表面或者由晶片162、封裝167和/或印刷電路板171的表面接收。在本發明另一實施例中，可使用共面波導730在晶片162、封裝167和/或印刷電路板171的水平面中傳送信號。
支撐結構701為微帶波導720、共面波導730以及集成於其中的其他設備提供機械支撐，在本發明另一實施例中，晶片162、封裝167和/或印刷電路板171包括例如Si、GaAs(砷化鎵)、藍寶石(sapphire)、InP、GaO、ZnO、CdTe、CdZnTe、陶器(ceramics)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)和/或AL2O3、或其他任何適合集成微帶結構的基片材料。
在操作中，可將偏置和/或信號電壓應用於信號傳導線723和地平面725和/或信號傳導線731和733上。漏波天線諧振腔厚度依賴於微帶波導720和/或共面波導730中傳導線之間的距離。
通過交替設置傳導材料和隔離材料，或者設置電介材料中的傳導材料的狹槽，就會產生部分反射面，所述部分反射面允許信號以某一方向洩露出去，如圖7的漏波天線所示。以此方式，無線信號可直接射入支撐結構710的表平面(surface plane)或從支撐結構710的表平面射出，或者與支撐結構710的表面平行。
類似地，通過順序放置傳導信號線731和733使其具有不同的間距，就會產生不同的腔高度，從而得到不同的諧振頻率，形成分散式漏波天線。以此方式，具有不同頻率的多個信號可由分散式漏波天線發射出去或者由分散式漏波天線接收。
通過在封裝167中集成傳導信號線731和733以及地平面725，可由封裝167接收無線信號。依賴於所能使用的漏波天線的類型，諸如共面或微帶結構，無線信號可在水準或垂直平面傳送。所接收的RF信號可傳送至RF-DC轉換電路，所述RF-DC轉換電路用於從所接收的RF信號中生成一個或多個DC電壓，如圖9的詳細描述。
圖8是依據本發明一實施例的具有用於接收RF信號的集成漏波天線的積體電路封裝的橫截面示意圖。參考圖8，示出了封裝167、金屬層801A-801G、錫球(solder ball)803、連線層(interconnect layer)805、和熱環氧樹脂(thermal epoxy)807、漏波天線811A-811C 以及RF信號源820。晶片162和印刷電路板171可參照前面所述。
晶片162或積體電路包括無線系統150中的一個或多個元件和/或系統。可使用錫球803將晶片162凸點粘合(bump-bonded)或倒裝(flip-chip)于封裝167上。在這點上，可消除晶片162在封裝167上的有線粘合連接，從而減少和/或消除源於例如有線粘合引起的不可控的雜散電感(stray inductance)。另外，可使用錫球803以及熱環氧樹脂807來大大改善晶片162向外的熱傳導(thermal conductance)。熱環氧樹脂807是電隔離的，但確是熱傳導的，允許熱能從晶片162導出到封裝167的更大的蓄熱介質(thermal mass)中。
金屬層801A-801G包括金屬鍍層，用於限定封裝167中和/或上的漏波天線和互聯。金屬層801A-801G用於限定封裝167上的漏波天線。在本發明一實施例中，成對金屬層(例如801A和801B、801C和801D、以及801E和801F)之間的間距，可由漏波天線的諧振腔來限定，所述漏波天線的腔的高度由金屬層之間的間距確定。在這點上，部分反射面，如圖2和圖3所示，可使得腔中的諧振電磁模式從表面洩露出。
在本發明一示範性實施例中，金屬層801C和801D均包括部分反射面，從而確保雙向接收和/或發射。例如，漏波天線811B用於接收來自外部設備諸如RF信號源820的RF信號，還可發射RF信號至漏波天線811C。在本發明一實施例中，漏波天線811B包括具有通用傳導面的多層漏波天線(stacked leaky wave antennas)，從而確保雙向發射/接收。
金屬層801A-801G包括共面和/或微帶結構，如圖7所示。金屬層801G包括傳導材料，可提供與漏波天線811A以及封裝167中的其他層和/或設備的電接觸。
金屬層的數目並不限於圖8中所示的金屬801A-801G。因此，可在封裝167中和/或上嵌入任意數目的金屬層，這依賴於晶片 162、封裝167、和/或印刷電路板171中和/或上設置的漏波天線、跡線(trace)、波導和其他設備的數目。
錫球803包括金屬球面球，可提供晶片162、封裝167、和/或印刷電路板171之間的電、熱和物理接觸。在使用錫球803進行接觸的過程中，晶片162和/或封裝167被施加足夠大的壓力以壓扁金屬球，以及在高溫度下執行該操作，從而提供合適的電阻和物理粘合強度。熱環氧樹脂807填充錫球803之間的容積，以及提供高熱傳導路徑以便向晶片162外傳送熱量。
RF信號源820包括具有一個或多個漏波天線的無線設備，所述漏波天線用於將RF信號傳送至漏波天線811A-811C。例如，RF信號源820包括接入點。
在操作中，晶片162包括RF前端，諸如RF收發器152，如圖1所示，用於在例如60GHz發射和/或接收RF信號。晶片162與封裝167電連接。集成在封裝167上或封裝167中的包括金屬層801A-801G的漏波天線，能夠接收RF信號，所述RF信號使用RF-DC轉換電路生成一個或多個DC電壓，如圖9所示。另外，使用具有可配置接收方向的多個漏波天線，可利用任何方向的RF信號以生成DC電壓。
來自晶片162的熱量可通過熱環氧樹脂807和錫球803傳導至封裝167。金屬層801A-801G可配置在封裝167的不同高度，確保漏波天線的配置具有不同的諧振頻率。
可通過調整包括諧振腔的成對金屬層之間的間距來配置包括金屬層801A-801F的漏波天線811A-811C，包括金屬層801A-801F的漏波天線811A-811C可通過MEMS驅動進行配置，如圖2所示。因此，漏波天線的腔的高度可由MEMS開關來限定，從而應用偏置來增加或減少間距，以進一步配置漏波天線的諧振頻率。另外，另外，包括漏波天線部分反射面的金屬層中的狹槽和/或片，可通過一個或多個開關進行配置，所述開關可改變腔的Q因數。以此 方式，可為多個應用配置集成在封裝167中的漏波天線的通信參數。
與常規系統中印刷電路板上設備的絲焊連接(wire-bonded connection)相比，特別是較高頻率諸如60GHz，漏波天線在封裝167中的集成會減少雜散阻抗(stray impedance)。以此方式，由於通過例如晶片162、封裝167中的開關，能夠獲取較低的丟失和對阻抗的精確控制，因此體積就會減少，性能也會提高。
圖9是依據本發明一實施例的示範性的RF-DC轉換模組結構示意圖。參考圖9，示出的RF-DC轉換模組900包括CMOS電晶體M1a、M1b、M2a、M2b、MNa、和MNb以及電容C1a、C1b、C2a、C2b、Can和CNb。還示出了輸入RF信號和輸出電壓DC。元件MNc和MNd意指RF-DC轉換模組900包括N級，其中N為整數。電容和CMOS電晶體包括級聯整流單元，諸如整流單元920、930和940。其中，整流單元920、930和940皆包含多個電容與CMOS電晶體，以整流單元920為例，電容C1a的一端用以接收RF信號，且電容C1a的另一端耦接CMOS電晶體M1a的源極與CMOS電晶體M1b的汲極，CMOS電晶體的閘極M1a耦接CMOS電晶體M1a的汲極與地端，CMOS電晶體M1b的閘極耦接CMOS電晶體M1b的汲極，CMOS電晶體M1b的源極耦接電容C1b的一端，電容C1b的另一端耦接所述地端。
每一CMOS電晶體M1a、M1b、M2a、M2b、MNa、和MNb包括等效二極體(diode-connected)MOSFET，實現AC信號的整流。因為所應用的RF信號，電容C1a、C1b、C2a、C2b、CNa和CNb可用於接收來自正向偏置CMOS電晶體的電荷。DC電壓、VDC等於2*N*(VRF-Vdrop)，其中N為級數，VRF為所應用的RF信號的幅度，Vdrop為正向偏置等效二極體CMOS電晶體M1a、M1b、M2a、M2b、MNa、和MNb的壓降。因此，具有較低門限電壓的電晶體會產生較低的Vdrop，諸如本征MOSFET(native mosfet)，從而能夠增加效率。
在操作中，RF信號、RF可應用於RF-DC轉換器900中。假設所應用信號RF的電壓為正，幅度大於CMOS電晶體的開啟電壓，CMOS電晶體M1b、M2b、…、MNb就會導通，從而允許電流為電容充電。類似地，當所應用信號RF的電壓為負，且幅度大於CMOS電晶體的開啟電壓，CMOS電晶體M1a、M2a、…、MNa就會導通，從而允許以相反方向由電流為電容C1a、C2a和can充電。通過級聯N個整流單元，諸如整流單元1 920、整流單元2 930、…和整流單元N 940，在標示為VDC的輸出端生成幅度為2*N*(VRF-Vdrop)的大DC電壓。
圖10是依據本發明一實施例的將漏波天線所接收的RF功率轉換為DC功率的示範性實施步驟示意圖。參考圖10，步驟1003在開始步驟1001之後，通過例如MEMS偏離或通過選擇封裝中具有合適腔高度的一個或多個漏波天線，將一個或多個漏波天線配置為期望的頻率。另外，腔的Q因數可通過短路和/或開路部分反射面中的狹槽或金屬片來進行調整，腔的Q因數可配置漏波天線的接收方向。在步驟1005中，由漏波天線接收高頻RF信號。在步驟1007中，高頻信號被轉換為在無線設備150中使用的一個或多個DC電壓。在步驟1009中，假設無線設備150掉電，示範性步驟進入結束步驟1011。在步驟1009中，假設無線設備150未掉電，示範性步驟進入步驟1003，配置漏波天線為期望的頻率/Q因數/接收方向。
在本發明一實施例中，揭露了一種使用無線設備150中的一個或多個漏波天線164、400、420、600、720、730、801A-801C接收RF無線信號，並使用級聯整流單元920、930、940從所接收的RF信號RF生成用在無線設備150中的一個或多個DC電壓的方法和系統。微機電系統(MEMS)偏離配置所述一個或多個漏波天線164、400、420、600、720、730、801A-801C的諧振頻率。 一個或多個漏波天線164、400、420、600、720、730、801A-801C用於接收來自期望方向的RF信號。一個或多個漏波天線164、400、420、600、720、730、801A-801C包括微帶波導720，其中一個或多個漏波天線164、400、420、600、720、730、801A-801C的腔高度依賴於微帶波導720中傳導線723和725之間的間隔。一個或多個漏波天線164、400、420、600、720、730、801A-801C包括共面波導730，其中一個或多個漏波天線164、400、420、600、720、730、801A-801C的腔的高度依賴於共面波導730中傳導線731和733之間的間隔。所接收的RF信號RF可通過級聯整流元件920、930、940進行整流從而生成一個或多個DC電壓VDC。一個或多個漏波天線164、400、420、600、720、730、801A-801C集成在一個或多個積體電路162中、積體電路封裝167和/或印刷電路板171中。一個或多個積體電路封裝167可通過例如倒裝焊(flip-chip-bonded)附加於一個或多個印刷電路板171，以及一個或多個積體電路162倒裝焊於一個或多個積體電路封裝167。
本發明的另一實施例提供一種機器和/或電腦可讀記憶體和/或介質，其上存儲的機器代碼和/或電腦程式具有至少一個可由機器和/或電腦執行的代碼段，使得機器和/或電腦能夠實現本文所描述的使用漏波天線將RF功率轉換為DC功率的步驟。
總之，本發明可用硬體、軟體、固件或其中的組合來實現。本發明可以在至少一個電腦系統中以集成的方式實現，或將不同的元件置於多個相互相連的電腦系統中以分立的方式實現。任何電腦系統或其他適於執行本發明所描述方法的裝置都是適用的。典型的硬體、軟體和固件的組合為帶有電腦程式的專用電腦系統，當該程式被裝載和執行，就會控制電腦系統使其執行本發明所描述的方法。
本發明的實施例可作為板級產品(board level product)來實施，如單個晶片、專用積體電路(ASIC)、或者作為單獨的部件以 不同的集成度與系統的其他部分一起集成在單個晶片上。系統的集成度主要取決於速度和成本考慮。現代處理器品種繁多，使得能夠採用目前市場上可找到的處理器。另外，如果作為ASIC核心或邏輯模組的該處理器是可獲得的，那麼經濟可行的處理器可作為多種功能由固件實現的ASIC設備的一部分來實現。
本發明還可以通過電腦程式產品進行實施，所述套裝程式含能夠實現本發明方法的全部特徵，當其安裝到電腦系統中時，通過運行，可以實現本發明的方法。本申請文件中的電腦程式所指的是：可以採用任何程式語言、代碼或符號編寫的一組指令的任何運算式，該指令組使系統具有資訊處理能力，以直接實現特定功能，或在進行下述一個或兩個步驟之後，a)轉換成其他語言、代碼或符號；b)以不同的格式再現，實現特定功能。
本發明是通過一些實施例進行描述的，本領域技術人員知悉，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以對這些特徵和實施例進行各種改變或等同替換。另外，在本發明的教導下，可以對這些特徵和實施例進行修改以適應具體的情況及材料而不會脫離本發明的精神和範圍。因此，本發明不受此處所公開的具體實施例的限制，所有落入本申請的權利要求範圍內的實施例都屬於本發明的保護範圍。
本發明是通過一些實施例進行描述的，本領域技術人員知悉，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以對這些特徵和實施例進行各種改變或等同替換。另外，在本發明的教導下，可以對這些特徵和實施例進行修改以適應具體的情況及材料而不會脫離本發明的精神和範圍。因此，本發明不受此處所公開的具體實施例的限制，所有落入本申請的權利要求範圍內的實施例都屬於本發明的保護範圍。
本發明是通過一些實施例進行描述的，本領域技術人員知悉，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以對這些特徵和 實施例進行各種改變或等同替換。另外，在本發明的教導下，可以對這些特徵和實施例進行修改以適應具體的情況及材料而不會脫離本發明的精神和範圍。因此，本發明不受此處所公開的具體實施例的限制，所有落入本申請的權利要求範圍內的實施例都屬於本發明的保護範圍。
相關申請的交叉引用
本申請引用並要求申請日為2009年9月29日的美國臨時專利申請61/246,618、以及申請日為2009年6月9日的美國臨時專利申請16/185,245的優先權
本申請還引用如下美國專利申請：申請號為No.12/650,212申請日為2009年12月30日的美國專利申請；申請號為No.12/650,295申請日為2009年12月30日的美國專利申請；申請號為No.12/650,277申請日為2009年12月30日的美國專利申請；申請號為No.12/650,192申請日為2009年12月30日的美國專利申請；申請號為No.12/650,224申請日為2009年12月30日的美國專利申請；申請號為No.12/650,176申請日為2009年12月30日的美國專利申請；申請號為No.12/650,246申請日為2009年12月30日的美國專利申請；申請號為No.12/650,292申請日為2009年12月30日的美國專利申請；申請號為No.12/650,324申請日為2009年12月30日的美國專利申請； 申請號為No.12/708,366申請日為2010年2月18日的美國專利申請；申請號為No.12/751,550申請日為2010年3月31日的美國專利申請；申請號為No.12/751,768申請日為2010年3月31日的美國專利申請；申請號為No.12/751,759申請日為2010年3月31日的美國專利申請；申請號為No.12/751,593申請日為2010年3月31日的美國專利申請；申請號為No.12/751,772申請日為2010年3月31日的美國專利申請；申請號為No.12/751,777申請日為2010年3月31日的美國專利申請；申請號為No.12/751,782申請日為2010年3月31日的美國專利申請；申請號為No.12/751,792申請日為2010年3月31日的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21204US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21212US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21215US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21216US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21217US02)申請日為的美國專利申請； 申請號為No.(律師事務所案卷號No.21219US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21221US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21223US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21224US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21225US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21226US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21228US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21229US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21234US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21235US02)申請日為的美國專利申請；申請號為No.(律師事務所案卷號No.21236US02)申請日為的美國專利申請。
在本文中引用上述美國專利申請的全部內容。
圖10為流程圖，無元件符號說明

Claims (10)

  1. 一種通信方法，其特徵在於，包括：使用無線設備中的一個或多個漏波天線接收RF無線信號；以及使用依次級聯的多個整流單元從所述已接收的RF信號中生成用在無線設備中的一個或多個DC電壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的通信方法，其中，所述方法進一步包括使用微機電系統偏離配置所述一個或多個漏波天線的諧振頻率。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的通信方法，其中，所述方法進一步包括配置所述一個或多個漏波天線使其從期望的方向接收所述RF信號。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的通信方法，其中，所述一個或多個漏波天線包括微帶波導，且所述多個整流單元中的任一整流單元包括第一電容、第二電容、第一電晶體與第二電晶體，所述電容的一端用以接收所述RF信號，且所述電容的另一端耦接所述第一電晶體的源極與所述第二電晶體的汲極，所述第一電晶體的閘極耦接所述第一電晶體的汲極與地端，所述第二電晶體的閘極耦接所述第一電晶體的汲極，所述第二電晶體的源極耦接所述第二電容的一端，所述第二電容的另一端耦接所述地端。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的通信方法，其中，所述一個或多個漏波天線的諧振腔高度取決於所述微帶波導中傳導線之間的間隔。
  6. 一種通信系統，其特徵在於，包括：在包括一個或多個漏波天線的無線設備中，其中：所述無線設備用於使用所述一個或多個漏波天線接收RF無線信號；以及 所述無線設備用於使用依次級聯的多個整流單元從所述已接收的RF信號中生成用在所述無線設備中的一個或多個DC電壓。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的通信系統，其中，所述無線設備用於使用微機電系統(MEMS)偏離配置所述一個或多個漏波天線的諧振頻率。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的通信系統，其中，所述無線設備用於配置所述一個或多個漏波天線使其從期望的方向接收所述RF信號。
  9. 如申請專利範圍第6項所述的通信系統，其中，所述一個或多個漏波天線包括微帶波導，且所述多個整流單元中的任一整流單元包括第一電容、第二電容、第一電晶體與第二電晶體，所述電容的一端用以接收所述RF信號，且所述電容的另一端耦接所述第一電晶體的源極與所述第二電晶體的汲極，所述第一電晶體的閘極耦接所述第一電晶體的汲極與地端，所述第二電晶體的閘極耦接所述第一電晶體的汲極，所述第二電晶體的源極耦接所述第二電容的一端，所述第二電容的另一端耦接所述地端。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的通信系統，其中，所述一個或多個漏波天線的諧振腔高度取決於所述微帶波導中傳導線之間的間隔。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8320856B2 (en) * 2009-06-09 2012-11-27 Broadcom Corporation Method and system for a leaky wave antenna as a load on a power amplifier
US8521106B2 (en) * 2009-06-09 2013-08-27 Broadcom Corporation Method and system for a sub-harmonic transmitter utilizing a leaky wave antenna
US8588686B2 (en) * 2009-06-09 2013-11-19 Broadcom Corporation Method and system for remote power distribution and networking for passive devices
US8708901B2 (en) * 2009-12-30 2014-04-29 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Health monitoring system with a waveguide to guide a wave from a power source
US8462968B2 (en) * 2010-06-18 2013-06-11 Research In Motion Limited Shared coil for inductive charging and hearing-aid-compliance requirements in mobile phones
US20120106103A1 (en) * 2010-06-23 2012-05-03 Tanios Nohra Radio frequency energy harvesting enclosure for radio frequency connected devices
US9318785B2 (en) 2011-09-29 2016-04-19 Broadcom Corporation Apparatus for reconfiguring an integrated waveguide
US8508029B2 (en) * 2011-09-29 2013-08-13 Broadcom Corporation Semiconductor package including an integrated waveguide
US9570420B2 (en) * 2011-09-29 2017-02-14 Broadcom Corporation Wireless communicating among vertically arranged integrated circuits (ICs) in a semiconductor package
US9614277B2 (en) * 2012-09-26 2017-04-04 Omniradar Bv Radiofrequency module
US11616520B2 (en) 2012-11-09 2023-03-28 California Institute Of Technology RF receiver
CN108390160B (zh) 2012-11-09 2021-04-27 加州理工学院 智能rf透镜效应：高效、动态和移动无线功率传输
US11843260B2 (en) 2012-11-09 2023-12-12 California Institute Of Technology Generator unit for wireless power transfer
DE102012023650B4 (de) 2012-12-03 2020-07-30 Audi Ag Ladevorrichtung zum Laden eines elektrischen Energiespeichers eines Kraftfahrzeugs
US8779564B1 (en) * 2013-03-14 2014-07-15 Intel IP Corporation Semiconductor device with capacitive coupling structure
US9598945B2 (en) 2013-03-15 2017-03-21 Chevron U.S.A. Inc. System for extraction of hydrocarbons underground
KR102367364B1 (ko) 2013-11-22 2022-02-23 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 무선 전력 송신을 위한 능동 cmos 복원 유닛들
EP3072214B1 (en) 2013-11-22 2018-10-10 California Institute of Technology Generator unit for wireless power transfer
US9401706B2 (en) * 2014-01-27 2016-07-26 Lattice Semiconductor Corporation Apparatus, system and method for providing switching with a T-coil circuit
WO2015172291A1 (zh) * 2014-05-12 2015-11-19 华为技术有限公司 一种天线及无线设备
CN104037504B (zh) * 2014-06-13 2016-08-24 华侨大学 一种喇叭型低剖面宽带高增益天线
EP3183797B1 (en) * 2014-08-19 2020-10-07 California Institute of Technology Wireless power transfer
KR102333559B1 (ko) * 2015-05-11 2021-12-01 삼성전자 주식회사 안테나 장치 및 그를 포함하는 전자 장치
GB2538576B (en) * 2015-09-14 2017-06-14 Drayson Tech (Europe) Ltd RF-to-DC Converter
GB2538575B (en) * 2015-09-14 2017-06-14 Drayson Tech (Europe) Ltd RF-to-DC Converter
US10319689B2 (en) * 2015-12-01 2019-06-11 Nxp Usa, Inc. Antenna assembly for wafer level packaging
TWI628858B (zh) * 2016-07-12 2018-07-01 中華電信股份有限公司 電子切換波束方向陣列天線
US10720797B2 (en) 2017-05-26 2020-07-21 California Institute Of Technology Method and apparatus for dynamic RF lens focusing and tracking of wireless power recovery unit
US10256550B2 (en) * 2017-08-30 2019-04-09 Ossia Inc. Dynamic activation and deactivation of switches to close and open slots in a waveguide device
TWI762197B (zh) * 2021-02-18 2022-04-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝件及其製法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1245778C (zh) * 1999-10-29 2006-03-15 Amc世纪公司 用于发送和接收无线电波的天线装置和方法
US20080291115A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Sibeam, Inc. Surface mountable integrated circuit packaging scheme

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6171702A (ja) * 1984-09-17 1986-04-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 小形アンテナ
US4943811A (en) 1987-11-23 1990-07-24 Canadian Patents And Development Limited Dual polarization electromagnetic power reception and conversion system
US5387885A (en) * 1990-05-03 1995-02-07 University Of North Carolina Salphasic distribution of timing signals for the synchronization of physically separated entities
US5128689A (en) 1990-09-20 1992-07-07 Hughes Aircraft Company Ehf array antenna backplate including radiating modules, cavities, and distributor supported thereon
US5590345A (en) * 1990-11-13 1996-12-31 International Business Machines Corporation Advanced parallel array processor(APAP)
US5138436A (en) * 1990-11-16 1992-08-11 Ball Corporation Interconnect package having means for waveguide transmission of rf signals
US5300875A (en) * 1992-06-08 1994-04-05 Micron Technology, Inc. Passive (non-contact) recharging of secondary battery cell(s) powering RFID transponder tags
KR960700533A (ko) * 1992-12-01 1996-01-20 스티븐 에이취 앤드레이드 고온 초전도 및 강유전막을 통합한 동조식 마이크로파 기구(TUNABLE MICROWAVE DEVICES INCORPORATING HIFH RWMPWEruew SUPERCONDUCTING AND FERROELECTRIC FILMS)
US5363075A (en) * 1992-12-03 1994-11-08 Hughes Aircraft Company Multiple layer microwave integrated circuit module connector assembly
US7253869B1 (en) * 1993-06-30 2007-08-07 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Silicon-on-sapphire display with audio transducer and method of fabricating same
US6700550B2 (en) * 1997-01-16 2004-03-02 Ambit Corporation Optical antenna array for harmonic generation, mixing and signal amplification
US5900843A (en) * 1997-03-18 1999-05-04 Raytheon Company Airborne VHF antennas
US5912598A (en) * 1997-07-01 1999-06-15 Trw Inc. Waveguide-to-microstrip transition for mmwave and MMIC applications
US6005520A (en) * 1998-03-30 1999-12-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Wideband planar leaky-wave microstrip antenna
US6037743A (en) * 1998-06-15 2000-03-14 White; Stanley A. Battery charger and power source employing an environmental energy extractor and a method related thereto
US6771935B1 (en) * 1998-10-05 2004-08-03 Alcatel Wireless bus
US6127799A (en) * 1999-05-14 2000-10-03 Gte Internetworking Incorporated Method and apparatus for wireless powering and recharging
US6735630B1 (en) * 1999-10-06 2004-05-11 Sensoria Corporation Method for collecting data using compact internetworked wireless integrated network sensors (WINS)
US7020701B1 (en) * 1999-10-06 2006-03-28 Sensoria Corporation Method for collecting and processing data using internetworked wireless integrated network sensors (WINS)
US6285325B1 (en) * 2000-02-16 2001-09-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Compact wideband microstrip antenna with leaky-wave excitation
JP2001320228A (ja) * 2000-03-03 2001-11-16 Anritsu Corp 誘電体漏れ波アンテナ
US6340951B1 (en) * 2000-06-02 2002-01-22 Industrial Technology Research Institute Wideband microstrip leaky-wave antenna
TW483190B (en) * 2000-06-02 2002-04-11 Ind Tech Res Inst Broadband microstrip leaky wave antenna and its feeding system
JP2002064324A (ja) * 2000-08-23 2002-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd アンテナ装置
US6882128B1 (en) * 2000-09-27 2005-04-19 Science Applications International Corporation Method and system for energy reclamation and reuse
US6512494B1 (en) * 2000-10-04 2003-01-28 E-Tenna Corporation Multi-resonant, high-impedance electromagnetic surfaces
US6603915B2 (en) * 2001-02-05 2003-08-05 Fujitsu Limited Interposer and method for producing a light-guiding structure
US6661408B2 (en) * 2001-03-23 2003-12-09 Eturbotouch Technology Inc. Touch screen capable of isolating noise signals
AU2002338136A1 (en) * 2001-12-29 2003-07-15 Tai Guen Enterprise Co., Ltd An electromagnetic induction electronic board with antenna arrayed in gridding inside
TW595128B (en) * 2002-04-09 2004-06-21 Mstar Semiconductor Inc Radio frequency data communication device in CMOS process
US6943610B2 (en) * 2002-04-19 2005-09-13 Intel Corporation Clock distribution network using feedback for skew compensation and jitter filtering
US6859114B2 (en) * 2002-05-31 2005-02-22 George V. Eleftheriades Metamaterials for controlling and guiding electromagnetic radiation and applications therefor
US7920827B2 (en) * 2002-06-26 2011-04-05 Nokia Corporation Apparatus and method for facilitating physical browsing on wireless devices using radio frequency identification
US7373133B2 (en) * 2002-09-18 2008-05-13 University Of Pittsburgh - Of The Commonwealth System Of Higher Education Recharging method and apparatus
CA2404183C (en) * 2002-09-19 2008-09-02 Scanimetrics Inc. Non-contact tester for integrated circuits
US7256695B2 (en) * 2002-09-23 2007-08-14 Microstrain, Inc. Remotely powered and remotely interrogated wireless digital sensor telemetry system
US6870503B2 (en) * 2002-11-19 2005-03-22 Farrokh Mohamadi Beam-forming antenna system
US7071888B2 (en) 2003-05-12 2006-07-04 Hrl Laboratories, Llc Steerable leaky wave antenna capable of both forward and backward radiation
US7245269B2 (en) * 2003-05-12 2007-07-17 Hrl Laboratories, Llc Adaptive beam forming antenna system using a tunable impedance surface
US7002517B2 (en) * 2003-06-20 2006-02-21 Anritsu Company Fixed-frequency beam-steerable leaky-wave microstrip antenna
US7324824B2 (en) * 2003-12-09 2008-01-29 Awarepoint Corporation Wireless network monitoring system
US20050134579A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Tsau-Hua Hsieh Wirelessly driven display system
CN1954461A (zh) * 2004-01-26 2007-04-25 科学、技术与研究机构 紧密多层平板式天线阵列
GB0401991D0 (en) * 2004-01-30 2004-03-03 Ford Global Tech Llc Touch screens
JP4328705B2 (ja) 2004-02-27 2009-09-09 均 北吉 Ｒｆｉｄタグ装置
US7330090B2 (en) * 2004-03-26 2008-02-12 The Regents Of The University Of California Zeroeth-order resonator
US7535958B2 (en) * 2004-06-14 2009-05-19 Rambus, Inc. Hybrid wired and wireless chip-to-chip communications
ATE373338T1 (de) * 2004-07-06 2007-09-15 Ericsson Telefon Ab L M Funkempfänger-eingangsstufe und verfahren zur unterdrückung von ausserbandstörung
US7199713B2 (en) * 2004-11-19 2007-04-03 Sirit Technologies, Inc. Homodyne single mixer receiver and method therefor
US7469152B2 (en) * 2004-11-30 2008-12-23 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for an adaptive multiple-input multiple-output (MIMO) wireless communications systems
US8155113B1 (en) * 2004-12-13 2012-04-10 Massachusetts Institute Of Technology Processing data in a parallel processing environment
US7348928B2 (en) * 2004-12-14 2008-03-25 Intel Corporation Slot antenna having a MEMS varactor for resonance frequency tuning
US7742787B2 (en) * 2005-04-25 2010-06-22 Medtronic, Inc. Wireless data communication card with compact antenna
DE102006023123B4 (de) * 2005-06-01 2011-01-13 Infineon Technologies Ag Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge mit einem Halbleitermodul mit Komponenten für Höchstfrequenztechnik in Kunststoffgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit Komponenten für ein Abstandserfassungsradar für Fahrzeuge in einem Kunststoffgehäuse
US20070171076A1 (en) * 2005-08-29 2007-07-26 Visible Assets, Inc. Low-frequency radio tag encapsulating system
ITTO20050822A1 (it) * 2005-11-21 2007-05-22 Cts Cashpro Spa Apparecchiatura per trattare banconote in mazzetta
US7764232B2 (en) * 2006-04-27 2010-07-27 Rayspan Corporation Antennas, devices and systems based on metamaterial structures
WO2008024993A2 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Rayspan Corporation Antennas based on metamaterial structures
US8570172B2 (en) * 2006-09-08 2013-10-29 Intelleflex Corporation RFID system with distributed transmitters
US9103902B2 (en) * 2007-05-09 2015-08-11 Infineon Technologies Ag Packaged antenna and method for producing same
US7974587B2 (en) * 2006-12-30 2011-07-05 Broadcom Corporation Local wireless communications within a device
WO2008115881A1 (en) * 2007-03-16 2008-09-25 Rayspan Corporation Metamaterial antenna arrays with radiation pattern shaping and beam switching
EP2269266A4 (en) * 2008-03-25 2014-07-09 Tyco Electronics Services Gmbh ADVANCED ACTIVE METAMATERIAL ANTENNA SYSTEMS
US8629650B2 (en) * 2008-05-13 2014-01-14 Qualcomm Incorporated Wireless power transfer using multiple transmit antennas
EP4234001A3 (en) * 2009-03-09 2023-10-18 NuCurrent, Inc. System and method for wireless power transfer in implantable medical devices
US8299971B2 (en) * 2009-03-25 2012-10-30 GM Global Technology Operations LLC Control module chassis-integrated slot antenna
US8784189B2 (en) * 2009-06-08 2014-07-22 Cfph, Llc Interprocess communication regarding movement of game devices
US8521106B2 (en) * 2009-06-09 2013-08-27 Broadcom Corporation Method and system for a sub-harmonic transmitter utilizing a leaky wave antenna

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1245778C (zh) * 1999-10-29 2006-03-15 Amc世纪公司 用于发送和接收无线电波的天线装置和方法
US20080291115A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Sibeam, Inc. Surface mountable integrated circuit packaging scheme

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1."Beamed Microwave Power Transmission and its Application to Space", Published in: Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on (Volume:40 , Issue: 6 ), Date of Publication: Jun 1992, Page(s): 1239 – 1250 *

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