TWI496056B - 觸控裝置與其應用於其上的選取方法 - Google Patents

Description

觸控裝置與其應用於其上的選取方法

本發明是一種觸控裝置與應用於其上的選取方法，且特別是一種光學式觸控裝置與應用於其上的選取方法。

根據運作原理的不同，觸控技術可分為：電容式觸控技術、電阻式觸控技術、光學式觸控技術等類型。

其中，光學式觸控技術利用光遮斷的座標，計算出觸控點的位置。光學式觸控技術相對容易被應用於大尺寸，且生產成本較低。

請參照第1A圖，其繪示習用的光學式觸控裝置，判斷單一個待測物體的觸控點之示意圖。

簡言之，光學式觸控裝置10是利用光機(M1、M2)內的光源發出出射光線後，利用影像感測器來感測是否存在觸控點，並判斷待測物體(觸控點)的座標位置。

由光源出射的紅外線，會因為待測物體O的緣故，而使與待測物體O相對應位置的反射光分布產生變化。此時，影像感測器便可根據反射光分布的變化，搭配控制器計算觸控點的位置。

為了便於說明，本文的圖式均將待測物體O與第一光機M1之間的連線，以及與顯示面板14的第四側邊IV所形成的夾角稱為左側夾角θ l。同理，將待測物體O與第 二光機M2之間的連線，以及與顯示面板14的第四側邊IV所形成的夾角稱為右側夾角θ r。下文中，因假設感測器設置於光機內，兩者的位置相當接近。因此，說明時均一般性的以M1代表第一光機/第一感測器，以及以M2代表第二光機/第二感測器。

在第1A圖中，控制器可根據待測物體O的位置與兩個光機(M1、M2)構成的三角形(L、R、IV)，得出三角形左上與右上的兩個角度(左側夾角θ l、右側夾角θ r)。之後，再根據三角函數來算觸控點的座標。

然而，針對多點觸控的應用，習用的光學式觸控技術卻無法準確判斷觸控點。這是因為在待測物體的個數超過一個時，習用的光學式觸控裝置會因為左側夾角θ l與右側夾角θ r的不同組合方式，而於判斷觸控點時產生混淆。

以下，當顯示面板因為存在多個待測物體，進而產生多個左側夾角θ l、右側夾角θ r時，該些左側夾角與右側夾角的編號均根據夾角角度的遞增順序而定義。例如：左側夾角θ l的角度為最小者編號為θ l1、右側夾角θ r的角度為最小者編號為θ r1，其餘類推。

連帶的，當待測物體為複數個時，將待測物體與第一光機M1之間的連線L搭配左側夾角的編號而標示。以及，將待測物體與第二光機M1之間的連線R搭配右側夾角的編號而標示。

請參見第1B圖，其繪示顯示面板存在兩個待測物體時，習用的光學式觸控裝置對觸控點產生誤判之示意圖。

在此圖式中，假設第一待測物體O1在顯示面板14的 位置為P1、第二待測物體O2在顯示面板14的位置為P2。

因此，根據第一待測物體O1與第一光機M1、第二光機M2所形成的三角形，可以得出第二左側夾角θ l2與第一右側夾角θ r1。同理，根據第二待測物體O2與第一光機M1、第二光機M2所形成的三角形，將得出第一左側夾角θ l1、第二右側夾角θ r2。

承上，當顯示面板14上有兩個待測物體時，第一感測器與第二感測器共感測得出四個夾角，即，第一左側夾角θ l1、第二左側夾角θ l2、第一右側夾角θ r1、第二右側夾角θ r2。

其中，如果以第一左側夾角θ l1分別搭配第一右側夾角θ r1、第二右側夾角θ r2估測觸控點時，控制器將分別得出候選觸控位置F1與候選觸控位置P2。

另一方面，如果以第二左側夾角θ l2分別搭配第一右側夾角θ r1、第二右側夾角θ r2估測觸控點時，控制器將分別得出候選觸控位置P1與候選觸控位置F2。

也就是說，這四個夾角共可組合得出顯示面板上的四個候選觸控位置(P1、P2、F1、F2)。其中，候選觸控位置F1與候選觸控位置F2並非觸控點所在的真正位置。

這是因為控制器是根據感測器回傳的陰影位置而判斷，在四取二的情況下，這時有兩個陰影位置是假的，因而被稱為鬼點。第1B圖的候選觸控位置F1與候選觸控位置F2即為鬼點。鬼點的存在，讓控制器無法判斷觸控點所在的真正位置。

如前所述，當待測物體的個數為兩個時，第一感測器 M1會感測而得兩個左側夾角，第二感測器M2也會感測得出兩個右側夾角。兩個左側夾角與兩個右側夾角可組合而成四個候選觸控位置。在這四個候選觸控位置的位置中，扣除實際的觸控點的位置，共有兩個鬼點。

同樣的，當觸控點個數更多，感測器感測得出的陰影(候選觸控位置)個數也越多。連帶的，將鬼點誤判為觸控點的風險也越高。

例如：當待測物體有三個(相當於顯示面板上有三個觸控點)時，第一感測器會感測而得三個左側夾角，第二感測器也會感測得出三個左側夾角。三個左側夾角與三個右側夾角組合而成的候選觸控位置的個數共有九個。其中，扣除實際的觸控點的位置，共有六個鬼點。

由此可知，候選觸控位置之個數相當於待測物體之個數的平方。因此，當待測物體的個數增加時，如何能快速的在眾多候選觸控位置中排除鬼點的位置，進而選取觸控點，成為一個光學式觸控裝置應考量的問題。

本發明之一方面係為一種觸控裝置，其係自複數個候選觸控位置中，選取與至少二個待測物體相對應之觸控點，該觸控裝置係包含：一顯示面板；一第一光源，位於該顯示面板的左側，其係產生一第一初始結構光，該至少二個待測物體反射該第一初始結構光而形成一第一反射光分布；一第一感測器，其係感測該第一反射光分布所包 含的一第一左側反射結構光、一第二左側反射結構光；一第二光源，位於該顯示面板的右側，其係產生一第二初始結構光，該至少二個待測物體反射該第二初始結構光而形成一第二反射光分布；一第二感測器，其係感測該第二反射光分布所包含的一第一右側反射結構光、一第二右側反射結構光；以及，一控制器，電連接於該第一感測器與該第二感測器，其係根據該第一左側反射結構光、該第二左側反射結構光、該第一右側反射結構光，以及該第二右側反射結構光，而自該等候選觸控位置中，選取與該至少二個待測物體相對應之觸控點。

本發明之另一方面係為一種選取方法，其係應用於自觸控裝置上的複數個候選觸控位置中，選取與至少二個待測物體相對應之觸控點，該選取方法係包含以下步驟：驅動一第一光源產生產生一第一初始結構光，其中該至少二個待測物體反射該第一初始結構光而形成一第一反射光分布；感測該第一反射光分布所包含的一第一左側反射結構光、一第二左側反射結構光；驅動一第二光源產生一第二初始結構光，其中該至少二個待測物體反射該第二初始結構光而形成一第二反射光分布；感測該第二反射光分布所包含的一第一右側反射結構光、一第二右側反射結構光；以及，根據該第一左側反射結構光、該第二左側反射結構光、該第一右側反射結構光，以及該第二右側反射結構光，而自該等候選觸控位置中，選取與該至少二個待測物體相對應之觸控點。

為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文 特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

為此，本發明提供了可自複數個候選觸控位置中，選取觸控點實際位置的觸控裝置與應用於其上的選擇方法。

請參照第2圖，其繪示本發明的光學式觸控裝置之示意圖。本發明的觸控裝置20包含：顯示面板24、第一光源21a、第一感測器21b、第二光源22a、第二感測器22b、控制器25。

其中，顯示面板24為具有第一側邊I、第二側邊II、第三側邊III、第四側邊IV的矩形。在此圖式中，顯示面板的第一側邊I與第三側邊III彼此平行、顯示面板24的第二側邊II與第四側邊IV彼此平行。

在第一側邊I與第四側邊IV所形成的夾角，以及第三側邊與第四側邊所形成的夾角，分別裝設第一光機M1與第二光機M2。顯示面板24的下緣(第二側邊II)與左、右兩側(第一側邊I與第三側邊III)則裝設消光邊條27a、27b、27c。

其中，使用消光邊條時，大部分的反射光均被消光邊條吸收。

此外，每個光機均包含了影像感測器(image sensor)以及光源。其中，觸控裝置使用的光源種類並不需要限定，而可使用紅外線光源、雷射光源或發光二極體光源等。

當光源為雷射光源時，光機可包含準直透鏡與濾片等 元件(準直透鏡和濾片只用在雷射光源中)。其後的光機，其使用的光源將以雷射光源為例。實際應用時，影像感測器可能與光源設置於同一側，或者設置於光源的對角位置。

控制器25電連接於第一感測器21b與第二感測器22b。其係根據第一左側反射結構光SL1、第二左側反射結構光SL2、第一右側反射結構光SR1，以及第二右側反射結構光SR2，而自候選觸控位置中，選取與待測物體相對應之觸控點。

請參見第3A圖，其繪示搭配顯示面板使用的光機之整體外觀圖。由光機30的外觀可以看出，感測器31b與光源31a並立在一起。

請參見第3B圖，其繪示搭配顯示面板使用的光源與感測器之正視圖。

請參見第3C圖，其繪示光機產生出射光之構造示意圖。當光源31a產生出射光線後，出射光線先透過設置於光源31a前方的準直透鏡33，使出射光線集中而形成點光源。之後，點光源再透過設置於準直透鏡33前方的濾片35，形成平面光；以及，平面光再經過濾片35前的光閘36，將平面光轉換為初始結構光。其後，感測器31b再接收由待測物體對初始結構光反射產生之反射結構光。本發明以主動式的光源搭配光閘為基礎，因而可彈性變更初始結構光的圖案。

以第一光機M1為例，先驅動第一光源21a發出第一出射光線。接著，透過設置於第一光源21a前方的第一準 直透鏡，將第一出射光線集中而形成第一點光源。其後，再藉由設置於第一準直透鏡前方的第一濾片，進而使第一點光源形成第一平面光。

再者，第一平面光再透過設置於第一濾片前方的第一光閘，將第一平面光轉換為第一初始結構光。

當第一初始結構光照射於觸控物體時(例如：使用者的手指、觸控筆等)，觸控物體將反射第一初始結構光。此時，觸控物體靠近顯示面板的下緣處，將形成第一反射光分布。接著，再透過設置於顯示面板24的第一感測器21b，感測左側反射光分布。

由於第一光機M1與第二光機M2的用法與其內部構造均類似，此處不再重述。光閘的紋理圖樣使得初始結構光具有複數條初始亮紋與複數條初始暗紋。當然，兩側的光閘可採用相同或相異紋理圖案。

就簡化控制的考量而言，可進一步假設各個第一初始亮紋的寬度大致相等、各個第二初始亮紋的寬度大致相等。以及，假設各個第一初始暗紋的寬度大致相等、各個第二初始暗紋的寬度大致相等。其中，初始亮紋的寬度與初始暗紋的寬度並不一定相等。

請參見第4A圖，其繪示一種光閘圖樣之示意圖。透過光閘的使用，光機將發射點狀或線段狀的結構光。

如圖所示，由於光閘36具有多個孔隙36a。這些孔隙36a使光閘具有紋理圖樣，代表部分的平面光將被遮蔽。因此初始結構光將根據光閘的設計而包含不同外觀與組合的初始亮紋與初始暗紋。

由於本發明針對的是反射亮紋與反射暗紋寬度改變的相對性，因此光閘的紋理圖樣只要事先得知即可。至於光閘的紋理圖樣如何改變初始亮紋、初始暗紋，進而改變反射亮紋、反射暗紋等細節，均可由本案相關領域的人士自行根據應用的需要而更替。

請參見第4B圖，其繪示由第二光源輸出的第二初始結構光之示意圖。

由此圖式可以看出，第二光機將產生複數條亮紋與暗紋相間的第二初始結構光。第二初始結構光由顯示面板的右上角(第四側邊與第三側邊的夾角)出射至周邊的消光邊條。

需留意的是，僅管第4B圖的出射光線看起來似乎呈現向外發散的紋理。但是實際上因為光閘的密度相當高，且顯示面板的面積較小。因此，光線在顯示面板的範圍內，並不至於產生偏移。因此，實際上的光線會如同第4B圖右上方放大的圖式所示，彼此互相平行。

請參見第5A圖，其係左側夾角與左側位置索引對應關係之示意圖。

首先假設第一感測器M1與第二感測器M2可感測的夾角範圍均是90度。當然，該些感測器可以感測的夾角範圍並不以此為限。

根據本發明的構想，第一感測器M1所能感測的90度左側夾角，可以利用複數個左側位置索引表示。例如：以左側位置索引1代表0度、以左側位置索引512代表90度，其餘度數與左側位置索引的對應關係則依據內差方式 以比例計算，或根據事先定義等方式而決定。當然，左側位置索引的個數、左側位置索引與左側夾角之對應關係並不需要被限定。

請參見第5B圖，其係光學式觸控裝置使用消光邊條，且無觸控點存在時，感測器感測而得的亮度分布之示意圖。

當結構光接觸消光邊條後，結構光會被散射，導致結構光無法射入鏡頭內，因此只能取得亮度很低的影像。

此時，如果沒有待測物體在顯示面板上，第一感測器M1所接收的第一反射光分布、第二感測器M2所接收的第二反射光分布均呈現亮度很低的情形。

反之，如果顯示面板上存在待測物體O時，待測物體O會反射第一/第二初始結構光。此時，第一感測器M1所接收的第一反射光分布、第二感測器M2所接收的第二反射光分布，將在與待測物體相對應的位置，分別呈現左側反射結構光SL與右側反射結構光SR。

由於結構光呈現點狀，因此反射到鏡頭的結構光是數點排列成直線的光(相當於複數條反射亮紋)。此處可假設感測器為一般的鏡頭，此時，鏡頭將看到大部分亮度很低、小部分亮度很高的影像。其中亮度很高的位置即為帶測物體反射產生的反射結構光。

請參見第6圖，其係說明本發明的感測器，接收反射結構光之示意圖。

此圖式假設顯示面板上有兩個觸控點，因此，第一感測器M1將在第一反射光分布中，得出兩個左側反射結構 光SL。此處假設第一觸控點P1對應於第一左側反射結構光61、第二觸控點P2對應於第二左側反射結構光62。

為了便於說明，此處假設第一左側反射結構光61、第二左側反射結構光62分別包含三個反射亮紋與兩個反射暗紋。然而，實際應用時，反射亮紋與反射暗紋的個數亦會隨著待測物體的尺寸不同而改變。例如：使用手指觸控時，反射亮紋與反射暗紋的個數可能較使用觸控筆的時候多。

請參見第7A圖，其係說明本發明的觸控裝置，利用感測器感測反射結構光之反射亮紋、反射暗紋之示意圖。

此處將反射結構光以數值化的方式，形成亮度與左測位置索引間的對應關係。其中，反射亮紋所對應的亮度較高，反射亮紋以及其他區段的亮度較低。

僅管反射亮紋/暗紋的實際寬度並不會因為待測物體相對於感測器的遠近而改變。但是，由鏡頭感測得出的結果，卻能透過呈現反射亮紋/暗紋所需之像素個數，判斷反射亮紋/暗紋的產生位置。

根據本發明的構想，當待測物體相對接近光源時，感測器感測而得的反射結構光，無論是反射亮紋或是反射暗紋，其寬度均較遠離光源時寬。這是因為相機解析度的緣故，鏡頭感測的物體較近時，需要使用較多的像素呈現。

依據圖中由左而右的方向看來，第一個反射亮紋的寬度定義為W_b1、第二個反射亮紋的寬度定義為W_b2、第三個反射亮紋的寬度定義為W_b3。其中，由於初始結構光的初始亮紋寬度大致相同，連帶的，每個反射亮紋的寬度 亦大致相同。

同樣的，第一個反射暗紋的寬度定義為W_d1、第二個反射暗紋的寬度定義為W_d2、第三個反射暗紋的寬度定義為W_d3。其中，由於初始結構光的初始暗紋寬度大致相同，連帶的，每個反射暗紋的寬度亦大致相同。

請參見第7B圖，其係說明本發明的觸控裝置，利用反射結構光判斷觸控點位置之示意圖。

根據各個反射亮紋所對應的索引位置，可以計算反射結構光的平均分布密度(Average Density，簡稱為AD)。以及，根據各個反射亮紋的寬度而計算得出一平均寬度(Average Width，簡稱為AW)。

更進一步的，觸控裝置可包含儲存元件。在儲存元件內建平均分布密度AD與平均寬度AW的查找表格(lookup table)。在查找表格中，記錄顯示面板上各個座標與平均分布密度AD、平均寬度AW的對應關係。如此一來，當感測器(鏡頭)取得待側物體的平均分布密度AD與平均寬度AW時，便能直接查表找出待側物體在顯示面板上的精確座標。

須留意的是，後續說明反射亮紋與反射暗紋的寬度時，可能代表經過平均後的寬度、或是經過加權運算後得出的寬度。也就是說，反射亮紋與反射暗紋的寬度可根據應用的需要而定義。

若複數個觸控點彼此相當接近時，不同的反射結構光間，可能彼此相當接近。此時，感測器感測而得的反射光分布可先進行反射結構光的分群處理。即，先將相鄰的反 射結構光逐群區分開後，再針對各個反射結構光內部的反射亮紋/暗紋而進行相對距離的遠近判斷。

由於反射亮紋與反射暗紋具有類似的特性，以下說明均以反射亮紋的例子為主。關於如何利用反射暗紋的寬度判斷觸控點與感測器間的相對距離，均可類推反射亮紋的做法而得出。

請參見第8圖，其繪示本發明的觸控裝置判斷一個觸控點與第一感測器之相對距離之示意圖。此圖式說明待測物體O分別位於觸控點P與觸控點P’的情形。

對第一感測器(鏡頭)而言，待測物體與第一感測器的距離越近，反射光分布中，回傳到鏡頭的光越大(反射亮紋的寬度也越寬)，而且各個反射暗紋的寬度也越寬。另一方面，若待測物體與鏡頭的距離越遠，反射回到鏡頭的光越小(反射亮紋的寬度越窄)，各個反射暗紋的寬度也變窄。

同樣的，待測物體與第二感測器間，也會因為兩者的相對距離改變，影響反射亮紋與反射暗紋的寬度。第二感測器的判斷方式因與第一感測器類似，此處不再重述。

請參見第9A圖，其繪示當觸控點位於第7圖的觸控位置P時，左側位置索引與左側反射結構光關係之示意圖。

請參見第9B圖，其繪示當觸控點位於第7圖的觸控位置P’時，左側位置索引與左側反射結構光關係之示意圖。

比較第9A、9B圖可以看出，僅管第9A圖位於中間的反射亮紋與第9B圖位於中間的反射亮紋具有相同的左側 位置索引Idx_1c。

但是，進一步比較反射亮紋的亮度值時，可以看出第9A圖的亮度值較低。即，同一個待測物體與感測器的相對距離越短時，產生的反射結構光之反射亮紋較亮。

再者，第9A圖的三個反射亮紋之寬度均明顯較第9B圖的反射亮紋之寬度小。以及，第9A圖的三個反射暗紋之寬度均明顯較第9B圖的反射暗紋之寬度小。

當觸控點與M1的相對距離改變，但是左側夾角維持時。第一感測器感測而得的左側反射結構光的特性將產生變化，但是第一個反射亮紋所對應的左側位置索引仍維持不變。

例如，當觸控點的位置由P移動至P’時，因為相對距離變小，左側反射結構光的反射亮紋/暗紋寬度亦逐漸變寬。

也就是說，當待測物體與感測器的相對距離越遠時，反射結構光所包含的的反射亮紋與反射暗紋將較為集中，且反射亮紋的亮度相對較小。因此，本發明的控制器便可根據此種特性，做為估測待測物體與感測器相對距離之遠近關係的判斷基礎。

請參見第10圖，其繪示本發明的觸控裝置判斷一個觸控點與第一感測器之相對距離之示意圖。此圖式說明待測物體O分別位於觸控點P與觸控點P"的情形。

請參見第11A圖，其繪示當觸控點位於第10圖的觸控位置P時，左側位置索引與左側反射結構光關係之示意圖。

請參見第11B圖，其繪示當觸控點位於第10圖的觸控位置P”時，左側位置索引與左側反射結構光關係之示意圖。

進一步比較第11A圖與第11B圖可以看出，前者的反射結構光分布相對靠近左側。這是因為P的左側夾角較小的緣故。

另一方面，第11A圖與第11B圖的待測物體與第一光機之間的相對距離並未改變。因此，第11A圖與第11B圖的亮紋寬度、暗紋寬度大致相同。

換言之，當觸控點與M1的相對距離維持相同，但是位置改變時。第一感測器M1感測而得的左側反射結構光的分布情形(反射亮紋/暗紋的個數/寬度等)維持不變，但是第一左側位置索引Idx_11的數值將根據左側夾角的改變而變化。

請參見第12A圖，其係觸控裝置存在兩個觸控點之示意圖。

為了便於說明，此處將第一觸控點P1與第一感測器M1間的距離定義為第一左側相對距離Dist(P1,M1)、第二觸控點P2與第一感測器M1的距離定義為第二左側相對距離Dist(p2,M1)、將第一觸控點P1與第二感測器M2間的距離定義為第一右側相對距離Dist(P1,M2)、第二觸控點P2與第二感測器M2間的距離定為第二右側相對距離Dist(P2,M2)。

第一左側反射結構光SL1與第一右側反射結構光SR1對應於第一觸控點P1，且第二左側反射結構光SL2與第二 右側反射結構光SR2對應於第二觸控點P2。其中第一左側反射結構光SL1、第二左側反射結構光SL2、第一右側反射結構光SR1、第二右側反射結構光SR2均各自包含彼此相間的複數條反射亮紋與複數條反射暗紋。

也就是說，當觸控點的個數為兩個時，第一反射光分布包含第一左側反射結構光SL1、第二左側反射結構光SL2；以及，第二反射光分布包含第一右側反射結構光SR1、第二右側反射結構光SR2。

承上，當觸控裝置根據三角定位方式得出候選觸控位置P1、P2、F1、F2時，控制器必須能判斷觸控點為候選觸控位置P1、P2的組合，或是候選觸控位置F1、F2的組合。此處利用第12B、12C圖，討論待測物體位於候選觸控位置P1、P2的情形。

請參見第12B圖，其係本發明的觸控裝置存在兩個觸控點時，第一感測器感測而得的左側反射結構光與左側位置索引關係之示意圖。

如前所述，當待測物體與感測器的相對距離越遠的時候，反射結構光的反射亮紋與反射暗紋將較為集中，且反射亮紋的亮度相對較小。因此，控制器可進一步根據左側位置索引與左側反射結構光的對應關係，得出以下資訊：

與較小的左側位置索引相對應的反射結構光，具有較窄的反射亮紋/反射暗紋。這代表了左側夾角較小的觸控點與第一感測器M1的相對距離較長。

與較大的左側位置索引相對應的反射結構光，具有較寬的反射亮紋/反射暗紋。這代表了左側夾角較大的觸控 點與第一感測器M1的相對距離較短。

比較候選觸控位置(P1,P2)與候選觸控位置(F1,F2)時，可以看出僅有候選觸控位置(P1,P2)符合前述現象。是故，控制器可以根據第一感測器M1感測得出第12B圖之資訊時，判斷觸控點為P1、P2。也因此，第12B圖中，與較小的左側物索引相對應的是第二左側反射結構光SL2、與較大的左側物索引相對應的是第一左側反射結構光SL1。

請參見第12C圖，其係本發明的觸控裝置存在兩個觸控點時，第二感測器感測而得的右側反射結構光與右側位置索引關係之示意圖。

同樣的，控制器可進一步根據右側位置索引與右側反射結構光的對應關係，得出以下資訊：

與較小的右側位置索引相對應的反射結構光，具有較窄的反射亮紋/反射暗紋。這代表了右側夾角較小的觸控點與第二感測器M2的相對距離較長。

與較大的右側位置索引相對應的反射結構光，具有較寬的反射亮紋/反射暗紋。這代表了右側夾角較大的觸控點與第二感測器M2的相對距離較短。

比較候選觸控位置(P1,P2)與候選觸控位置(F1,F2)時，可以看出僅有候選觸控位置(P1,P2)符合前述現象。是故，控制器可以根據第二感測器M2感測得出第12C圖之資訊時，判斷觸控點為P1、P2。也因此，第12C圖中，與較小的右側位置索引相對應的是第一右側反射結構光SR1、與較大的右側位置索引相對應的是第二右側反射結 構光SR2。

附帶一提的是，當觸控點的實際位置為候選觸控位置F1、F2時，由於光點分布的相對關係也會改變。僅管此處不多說明其細節，但本技術領域的人士仍能類推與應用前述做法。

為了便於比較，以下利用第13圖比較兩個觸控點分別位於候選觸控位置P1、P2，以及位於候選觸控位置F1、F2時，感測器感測而得資訊。

請參見第13圖，其係彙整顯示面板上有兩個待測物體時，如何根據第一感測器與第二感測器產生的資訊，判斷候選觸控位置(P1、P2)或(F1、F2)何者為觸控點之示意圖。

如果第一感測器M1感測而得的兩組反射結構光中，左側位置索引數值較小的反射結構光具有較窄的反射亮紋(代表對應的待測物體與第一感測器M1的相對距離較遠)、左側位置索引數值較大的反射結構光具有較寬的反射亮紋(代表對應的待測物體與第一感測器M1的相對距離較近)。此外，若第二感測器M2感測而得的兩組反射結構光中，右側位置索引數值較小的反射結構光具有較寬的反射亮紋(代表對應的待測物體與第二感測器M2的相對距離較近)、右側位置索引數值較大的反射結構光具有較窄的反射亮紋(代表對應的待測物體與第二感測器M2的相對距離較遠)。此時，控制器便可判斷兩個待測物體所在的觸控點為P1、P2。

如果第一感測器M1感測而得的兩組反射結構光中， 左側位置索引數值較小的反射結構光具有較寬的反射亮紋(代表對應的待測物體與第一感測器M1的相對距離較近)、左側位置索引數值較大的反射結構光具有較窄的反射亮紋(代表對應的待測物體與第一感測器M1的相對距離較遠)。

此外，若第二感測器M2感測而得的兩組反射結構光中，右側位置索引數值較小的反射結構光具有較窄的反射亮紋(代表對應的待測物體與第二感測器M2的相對距離較遠)、右側位置索引數值較大的反射結構光具有較寬的反射亮紋(代表對應的待測物體與第二感測器M2的相對距離較近)。此時，控制器便可判斷兩個待測物體的位置為F1、F2。

同理，當觸控點的個數為三個時，第一反射光分布將包含第一左側反射結構光SL1、第二左側反射結構光SL2、第三左側反射結構光SL3；以及，第二反射光分布將包含第一右側反射結構光SR1、第二右側反射結構光SR2、第三右側反射結構光SR3。

其後，控制器可再進一步根據第一左側反射結構光SL1、第二左側反射結構光SL2、第三左側反射結構光SL3、第一右側反射結構光SR1、第二右側反射結構光SR2，以及第三右側反射結構光SR3，而自該等候選觸控位置中，選取三個觸控點的位置。

請參見第14圖，其係應用本發明的觸控裝置與選擇方法，判斷三個待測物體之觸控點的之示意圖。

在此圖式中，假設共有三個待測物體(O1、O2、O3) 位於顯示面板的P1g1、P2g1、P3g1三個位置上。

其中，第一待測物體O1與第一光機M1之間的連線L1，與顯示面板的第四側邊IV形成左側夾角θ 11。第二待測物體O2與第一光機M1之間的連線L2，與顯示面板的第四側邊IV形成左側夾角θ 12。第三待測物體O3與第一光機M1之間的連線L3，與顯示面板的第四側邊IV形成左側夾角θ 13。同理，三個待測物體(O1、O2、O3)與第二光機M2共形成三個右側夾角。

然而，由三個左側夾角與三個右側夾角可能產生九個觸控候選位置。其中，第一種排列方式由觸控候選位置P1g1、觸控候選位置P2g1、觸控候選位置P3g1組成；第二種排列方式由觸控候選位置P1g2、觸控候選位置P2g2、觸控候選位置P3g2組成；以及，第三種排列方式由觸控候選位置P1g3、觸控候選位置P2g3、觸控候選位置P3g3組成。

同樣的，本發明可透過第一感測器M1所感測而得的左側反射結構光的反射亮紋/暗紋寬度比較，以及第二感測器M2所感測而得的右側反射結構光的反射亮紋/暗紋寬度比較，判斷待測物體實際的觸控位置。

請參見第15圖，其係彙整三個觸控點形成的三種排列方式，由第一感測器與第二感測器產生的資訊之示意圖。以下的反射結構光均以位置索引順序遞增(對應於左/右側夾角由小而大)的方向說明。

如果觸控點呈現第一種排列方式(P1g1、P2g1、P3g1)時，依照相對應的左側位置索引順序，第一感測器所感測 到的反射結構光依序為：反射亮紋寬度較寬的反射結構光(代表觸控點的相對距離較近)、反射亮紋寬度居中的反射結構光、反射亮紋寬度較窄的反射結構光(代表觸控點的相對距離較遠)。

且，依照相對應的右側位置索引順序，第二感測器所感測到的反射結構光依序為：反射亮紋寬度較寬的反射結構光(代表觸控點與第二感測器的相對距離較近)、反射亮紋寬度居中的反射結構光、反射亮紋寬度較窄的反射結構光(代表觸控點與第二感測器的相對距離較遠)。

換言之，當觸控裝置根據感測器的感測結果，發現反射結構光具有前述關係時，便能判斷三個觸控點形成第一種排列方式。

如果觸控點呈現第二種排列方式(P1g2、P2g2、P3g2)時，依照相對應的左側位置索引順序，第一感測器所感測到的反射結構光依序為：反射亮紋寬度居中的反射結構光、反射亮紋寬度較窄的反射結構光(代表觸控點的相對距離較遠)、反射亮紋寬度較寬的反射結構光(代表觸控點的相對距離較近)。

且，依照相對應的右側位置索引順序，第二感測器M2所感測到的反射結構光依序為：反射亮紋寬度較窄的反射結構光(代表觸控點與第二感測器M2的相對距離較遠)、反射亮紋寬度較寬的反射結構光(代表觸控點與第二感測器M2的相對距離較近)、反射亮紋寬度居中的反射結構光。

換言之，當觸控裝置根據感測器的感測結果，發現反 射結構光具有前述關係時，便能判斷三個觸控點形成第二種排列方式。

如果觸控點呈現第三種排列方式(P1g3、P2g3、P3g3)時，依照相對應的左側位置索引順序，第一感測器M1所感測到的反射結構光依序為：反射亮紋寬度較窄的反射結構光(代表觸控點與第一感測器M1的相對距離較遠)、反射亮紋寬度較寬的反射結構光(代表觸控點與第一感測器的相對距離較近)、反射亮紋寬度居中的反射結構光。

且，依照相對應的右側位置索引順序，第二感測器M2所感測到的反射結構光依序為：反射亮紋寬度居中的反射結構光、反射亮紋寬度較窄的反射結構光(代表觸控點與第二感測器M2的相對距離較遠)、反射亮紋寬度較寬的反射結構光(代表觸控點與第二感測器M2的相對距離較近)。

換言之，當觸控裝置根據感測器的感測結果，發現反射結構光具有前述關係時，便能判斷三個觸控點形成第三種排列方式。

由於觸控點的位置呈現這三種排列方式時，感測器所感測得到的位置索引/反射結構光順序具有特殊性。因此，本發明的觸控裝置與選取方法便可據以自多個候選觸控位置中，判斷待測物體所在的觸控點。

附帶一提的是，若觸控裝置使用的是消光邊條時，第一反射光分布除了包含第一左側反射結構光SL1、第二左側反射結構光SL2外，還包含至少一左側消光區段。同樣的，第二反射光分布除了包含第一右側反射結構光SR1、 第二右側反射結構光SR2外，還包含至少一右側消光區段。其中，左側消光區段與右側消光區段相當於消光邊條未被觸控點遮蔽的部分。

舉例來說，當第一觸控點P1與第二觸控點P2分別位於顯示面板的側邊時，存在一個左側消光區塊。若其中一個觸控點位於一個側邊，另外一個觸控點位於顯示面板的顯示區域內，則存在兩個左側消光區段。或者，當兩個觸控點均位於顯示面板內部時，則存在三個左側消光區段。

請參見第16圖，其係本發明的選取方法應用於觸控板上，自複數個候選觸控位置中，選取至少二個觸控點的位置的流程圖。下述的左側分支流程與右側分支流程可同時或先後進行。若以先後方式進行時，其先後順序亦毋須限定。

在左側分支的流程中：首先驅動第一光源產生第一初始結構光(步驟S11)。其中，待測物體反射第一初始結構光而形成第一反射光分布。接著，透過第一感測器感測第一反射光分布所包含的第一左側反射結構光、第二左側反射結構光(步驟S13)。

在右側分支的流程中：首先驅動第二光源產生第二初始結構光(步驟S12)。其中，待測物體反射第二初始結構光而形成第二反射光分布。接著，透過第二感測器感測第二反射光分布所包含的第一右側反射結構光、第二右側反射結構光(步驟S14)。

於兩側分支流程結束後，控制器再根據第一左側反射結構光SL1、第二左側反射結構光SL2、第一右側反射結 構光SR1，以及第二右側反射結構光SR2的特性，而自候選觸控位置中，選取與待測物體相對應之觸控點(步驟S17)。

其中，步驟S17的實際做法會根據所要判斷的基礎為反射亮紋或反射暗紋而有變化。如前所述，第一左側反射結構光SL1、第二左側反射結構光SL2、第一右側反射結構光SR1，以及第二右側反射結構光SR2均各自包含複數個反射亮紋與反射暗紋，該些反射亮紋與反射暗紋具有相同的特性。

即，當觸控點越靠近感測器時，相對應產生的反射結構光中，反射亮紋/反射暗紋的寬度較寬。因此，以下的說明僅以反射亮紋為例。關於反射暗紋的應用，可由本發明相關領域人士應用而不詳述。

簡言之，步驟S17首先根據第一感測器M1的感測結果，比較第一左側反射結構光SL1的反射亮紋寬度、第二左側反射結構光SL2的反射亮紋寬度(相當於左側相對距離比較結果)。以及，根據第二感測器M2的感測結果，比較第一右側反射結構光SR1的反射亮紋寬度、第二右側反射結構光SR2的反射亮紋寬度(相當於右側相對距離比較結果)。

以下，利用第17A圖說明控制器如何根據第一左側反射結構光SL1的反射亮紋寬度W_b11、第二左側反射結構光SL2的反射亮紋寬度W_b12的比較，得出第一左側相對距離Dist(P1,M1)、第二左側相對距離Dist(P2,M1)間的左側相對距離比較結果。

以及，利用第17B圖說明控制器如何根據第一右側反射結構光SR1的反射亮紋寬度W_br1、第二右側反射結構光SR2的反射亮紋寬度W_br2比較，得出第一右側相對距離Dist(P1,M2)、第二右側相對距離Dist(P2,M2)間的右側相對距離比較結果。

請參見第17A圖，其係控制器產生左側相對距離比較結果的細部流程圖。

首先，比較第一左側反射結構光SL1之反射亮紋的寬度W_b11，以及第二左側反射結構光SL2之反射亮紋的寬度W_b12(步驟S161)。

當第一左側反射結構光SL1之反射亮紋的寬度W_b11，大於第二左側反射結構光SL2之反射亮紋的寬度W_b12時，控制器可判斷出第一左側相對距離Dist(P1,M1)小於第二左側相對距離Dist(P2,M1)(步驟S163)。即，根據(W_b11>W_b12)的關係式而判斷Dist(P1,M1)<Dist(P2,M1)。

當第一左側反射結構光SL1之反射亮紋的寬度W_b11，小於第二左側反射結構光SL2之反射亮紋的寬度W_b12時，控制器可判斷出第一左側相對距離Dist(P1,M1)大於第二左側相對距離Dist(P2,M1)(步驟S165)。即，根據(W_b11<W_b12)的關係式而判斷Dist(P1,M1)>Dist(P2,M1)。

因此，若有兩個待測物體時，左側相對距離比較結果為以下兩種情形之一者：

其一為Dist(P1,M1)<Dist(P2,M1)；其二則是 Dist(P1,M1)>Dist(P2,M1)。

請參見第17B圖，其係控制器產生右側相對距離比較結果的細部流程圖。

首先，比較第一右側反射結構光SR1之反射亮紋的寬度W_br1，以及第二右側反射結構光SR2之反射亮紋的寬度W_br2(步驟S171)。

當第一右側反射結構光SR1之反射亮紋的寬度W_br1，大於第二右側反射結構光SR2之反射亮紋的寬度W_br2時，控制器可判斷出第一右側相對距離小於第二右側相對距離(步驟S173)。即，根據(W_br1>W_br2)的關係式而判斷Dist(P1,M2)<Dist(P2,M2)。

當第一右側反射結構光SR1之反射亮紋的寬度W_br1，小於第二右側反射結構光SR2之反射亮紋的寬度W_br2時，控制器可判斷出第一右側相對距離Dist(P1,M2)大於第二右側相對距離Dist(P2,M2)(步驟S175)。即，根據(W_br1<W_br2)的關係式而判斷Dist(P1,M2)>Dist(P2,M2)。

因此，若有兩個待測物體時，右側相對距離比較結果為以下兩種情形之一者：

其一為Dist(P1,M2)<Dist(P2,M2)；其二則是Dist(P1,M2)>Dist(P2,M2)。

一旦控制器得出左側相對距離比較結果、右側相對距離比較結果後，便能由候選觸控位置中，正確的選擇觸控點。

當觸控點的個數增加時，候選觸控位置的個數也會增 加。此時，亦可以類推本發明的實施例而排除其中的鬼點，進而選取實際的觸控點位置。本發明的左側反射結構光的個數、右側反射結構光的個數係根據觸控點的個數而決定。即，當觸控點的個數增加時，該等左側反射結構光的個數、該等右側反射結構光的個數亦同樣隨著增加。

此外，根據本發明的構想，光源與感測器所設置於觸控板的位置並不以此為限。本發明所提出利用反射結構光判斷相對距離的方式，亦可由本領域習用技藝之人根據應用的需要而調整控制器判斷觸控點位置。

綜上所述，雖然本發明已以諸項實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10、20、‧‧‧觸控裝置

14、24、54、64、74、134‧‧‧顯示面板

21a‧‧‧第一光源

21b‧‧‧第一感測器

22a‧‧‧第二光源

22b‧‧‧第二感測器

25‧‧‧控制器

27a、27b、27c‧‧‧消光邊條

30‧‧‧光機

31a‧‧‧光源

31b‧‧‧感測器

33‧‧‧準直透鏡

35‧‧‧濾片

36‧‧‧光閘

36a‧‧‧孔隙

61‧‧‧第一左側反射結構光

62‧‧‧第二左側反射結構光

第1A圖，其繪示習用的光學式觸控裝置，判斷單一個待測物體的觸控點之示意圖。

第1B圖，其繪示顯示面板存在兩個待測物體時，習用的光學式觸控裝置對觸控點產生誤判之示意圖。

第2圖，其繪示本發明的光學式觸控裝置之示意圖。

第3A圖，其繪示搭配顯示面板使用的光機之整體外觀圖。

第3B圖，其繪示搭配顯示面板使用的光源與感測器 之正視圖。

第3C圖，其繪示以光源搭配準直鏡之構造示意圖。

第4A圖，其繪示一種光閘圖樣之示意圖。

第4B圖，其繪示由第二光源輸出的第二初始結構光之示意圖。

第5A圖，其係左側夾角與左側位置索引對應關係之示意圖。

第5B圖，其係光學式觸控裝置使用消光邊條，且無觸控點存在時，感測器感測而得的亮度分布之示意圖。

第6圖，其係說明本發明的感測器，接收反射結構光之示意圖。

請參見第7A圖，其係說明本發明的觸控裝置，利用感測器感測反射結構光之反射亮紋、反射暗紋之示意圖。

第7B圖，其係說明本發明的觸控裝置，利用反射結構光判斷觸控點位置之示意圖。

第8圖，其繪示本發明的觸控裝置判斷一個觸控點與第一感測器之相對距離之示意圖。

第9A圖，其繪示當觸控點位於第7圖的觸控位置P時，左側位置索引與左側反射結構光關係之示意圖。

第9B圖，其繪示當觸控點位於第7圖的觸控位置P’時，左側位置索引與左側反射結構光關係之示意圖。

第10圖，其繪示本發明的觸控裝置判斷一個觸控點與第一感測器之相對距離之示意圖。

第11A圖，其繪示當觸控點位於第10圖的觸控位置P時，左側位置索引與左側反射結構光關係之示意圖。

第11B圖，其繪示當觸控點位於第10圖的觸控位置P”時，左側位置索引與左側反射結構光關係之示意圖。

第12A圖，其係觸控裝置存在兩個觸控點之示意圖。

第12B圖，其係本發明的觸控裝置存在兩個觸控點時，第一感測器感測而得的左側反射結構光與左側位置索引關係之示意圖。

第12C圖，其係本發明的觸控裝置存在兩個觸控點時，第二感測器感測而得的右側反射結構光與右側位置索引關係之示意圖。

第13圖，其係彙整顯示面板上有兩個待測物體時，如何根據第一感測器與第二感測器產生的資訊，判斷候選觸控位置(P1、P2)或(F1、F2)何者為觸控點之示意圖。

第14圖，其係應用本發明的觸控裝置與選擇方法，判斷三個待測物體之觸控點的之示意圖。

第15圖，其係彙整三個觸控點形成的三種排列方式，由第一感測器與第二感測器產生的資訊之示意圖。

第16圖，其係本發明的選取方法應用於觸控板上，自複數個候選觸控位置中，選取至少二個觸控點的位置的流程圖。

第17A圖，其係控制器產生左側相對距離比較結果的細部流程圖。

第17B圖，其係控制器產生右側相對距離比較結果的細部流程圖。

Claims (28)

1. 一種觸控裝置，其係自複數個候選觸控位置中，選取與至少二個待測物體相對應之觸控點，該觸控裝置係包含：一顯示面板；一第一光源，位於該顯示面板的左側，其係產生一第一初始結構光，該至少二個待測物體反射該第一初始結構光而形成一第一反射光分布；一第一感測器，其係感測該第一反射光分布所包含的一第一左側反射結構光、一第二左側反射結構光，其中該第一左側反射結構光與該第二左側反射結構光均各自包含彼此相間的複數條反射亮紋與複數條反射暗紋；一第二光源，位於該顯示面板的右側，其係產生一第二初始結構光，該至少二個待測物體反射該第二初始結構光而形成一第二反射光分布；一第二感測器，其係感測該第二反射光分布所包含的一第一右側反射結構光、一第二右側反射結構光，其中該第一右側反射結構光與該第二右側反射結構光均各自包含彼此相間的複數條反射亮紋與複數條反射暗紋；以及，一控制器，電連接於該第一感測器與該第二感測器，其係根據該第一左側反射結構光、該第二左側反射結構光、該第一右側反射結構光，以及該第二右側反射結構光的比較，而自該等候選觸控位置中，選取與該至少二個待測物體相對應之觸控點。
2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該等左側反射結構光的個數、該等右側反射結構光的個數係根據該至少二個待測物體的個數而決定。
3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第一左側反射結構光與該第一右側反射結構光係對應於該第一觸控點，且該第二左側反射結構光與該第二右側反射結構光係對應於該第二觸控點。
4. 如申請專利範圍第3項所述之觸控裝置，其中該第一觸控點與該第一感測器間的相對距離為一第一左側相對距離；該第二觸控點與該第一感測器間的相對距離為一第二左側相對距離；該第一觸控點與該第二感測器間的相對距離為一第一右側相對距離；以及，該第二觸控點與該第二感測器間的相對距離為一第二右側相對距離。
5. 如申請專利範圍第4項所述之觸控裝置，其中該控制器係根據該第一左側反射結構光，與該第二左側反射結構光的比較，得出該第一左側相對距離、該第二左側相對距離間的一左側相對距離比較結果；以及，根據該第一右側反射結構光、該第二右側反射結構光的比較，得出該第一右側相對距離、該第二右側相對距離間的一右側相對距離比較結果。
6. 如申請專利範圍第5項所述之觸控裝置，其中該 控制器係比較該第一左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度、該第二左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，進而得出該左側相對距離比較結果；以及，比較該第一右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度、該第二右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，進而得出該右側相對距離比較結果。
7. 如申請專利範圍第6項所述之觸控裝置，其中當該第一左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，大於該第二左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度時，該第一左側相對距離小於該第二左側相對距離；以及，當該第一左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，小於該第二左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度時，該第一左側相對距離大於該第二左側相對距離。
8. 如申請專利範圍第6項所述之觸控裝置，其中當該第一右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，大於該第二右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度時，該第一右側相對距離小於該第二右側相對距離；以及，當該第一右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，小於該第二右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度時，該第一右側相對距離大於該第二右側相對距離。
9. 如申請專利範圍第5項所述之觸控裝置，其中該控制器係比較該第一左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度、該第二左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，進而 得出該左側相對距離比較結果；以及，比較該第一右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度、該第二右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，進而得出該右側相對距離比較結果。
10. 如申請專利範圍第9項所述之觸控裝置，其中當該第一左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，大於該第二左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度時，該第一左側相對距離小於該第二左側相對距離；以及，當該第一左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，小於該第二左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度時，該第一左側相對距離大於該第二左側相對距離。
11. 如申請專利範圍第9項所述之觸控裝置，其中當該第一右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，大於該第二右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度時，該第一右側相對距離小於該第二右側相對距離；以及，當該第一右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，小於該第二右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度時，該第一右側相對距離大於該第二右側相對距離。
12. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第一光源係發出一第一出射光線、該第二光源係發出一第二出射光線，而該觸控板更包含：一第一準直透鏡，設置於該第一光源的前方，其係使該第一出射光線集中而形成一第一點光源；一第一濾片，設置於該第一準直透鏡的前方，其係使該第一點光源形成一第一平面光； 一第一光閘，設置於該第一濾片的前方，其係將該第一平面光轉換為該第一初始結構光；一第二準直透鏡，設置於該第二光源的前方，其係使該第二出射光線集中而形成一第二點光源；以及，一第二濾片，設置於該第二準直透鏡的前方，其係使該第二點光源形成一第二平面光；以及，一第二光閘，設置於該第二濾片的前方，其係將該第二平面光轉換為該第二初始結構光。
13. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該第一光閘具有一紋理圖樣，該紋理圖樣係使該第一初始結構光具有複數條第一初始亮紋與複數條第一初始暗紋；以及，該第二光閘具有該紋理圖樣，該紋理圖樣係使該第二初始結構光具有複數條第二初始亮紋與複數條第二初始暗紋。
14. 如申請專利範圍第13項所述之觸控裝置，其中各該第一初始亮紋的寬度彼此大致相等、各該第二初始亮紋的寬度彼此大致相等、各該第一初始暗紋的寬度彼此大致相等、各該第二初始暗紋的寬度彼此大致相等。
15. 如申請專利範圍第1項所述之觸控裝置，其中該顯示面板係為具有一第一側邊、一第二側邊、一第三側邊、一第四側邊的矩形，且該第一側邊與該第三側邊彼此平行、該第二側邊與該第四側邊彼此平行，其中該第一光源係設置於該第一側邊與該第四側邊所形成的夾角，而該第二光源係設置於該第三側邊與該第四側邊所形成的夾角。
16. 一種選取方法，其係應用於自觸控裝置上的複數個候選觸控位置中，選取與至少二個待測物體相對應之觸控點，該選取方法係包含以下步驟：驅動一第一光源產生產生一第一初始結構光，其中該至少二個待測物體反射該第一初始結構光而形成一第一反射光分布；感測該第一反射光分布所包含的一第一左側反射結構光、一第二左側反射結構光，其中該第一左側反射結構光與該第二左側反射結構光均各自包含彼此相間的複數條反射亮紋與複數條反射暗紋；驅動一第二光源產生一第二初始結構光，其中該至少二個待測物體反射該第二初始結構光而形成一第二反射光分布；感測該第二反射光分布所包含的一第一右側反射結構光、一第二右側反射結構光，其中該第一右側反射結構光與該第二右側反射結構光均各自包含彼此相間的複數條反射亮紋與複數條反射暗紋；以及，根據該第一左側反射結構光、該第二左側反射結構光、該第一右側反射結構光，以及該第二右側反射結構光的比較，而自該等候選觸控位置中，選取與該至少二個待測物體相對應之觸控點。
17. 如申請專利範圍第16項所述之選取方法，其中該等左側反射結構光的個數、該等右側反射結構光的個數係根據該至少二個待測物體的個數而決定。
18. 如申請專利範圍第16項所述之選取方法，其中 該第一左側反射結構光與該第一右側反射結構光係對應於該第一觸控點，且該第二左側反射結構光與該第二右側反射結構光係對應於該第二觸控點。
19. 如申請專利範圍第18項所述之選取方法，其中該第一觸控點與該觸控裝置之一第一感測器間的相對距離為一第一左側相對距離；該第二觸控點與該第一感測器間的相對距離為一第二左側相對距離；該第一觸控點與該觸控裝置之一第二感測器間的相對距離為一第一右側相對距離；以及，該第二觸控點與該第二感測器間的相對距離為一第二右側相對距離。
20. 如申請專利範圍第19項所述之選取方法，其中根據該第一左側反射結構光、該第二左側反射結構光、該第一右側反射結構光，以及該第二右側反射結構光，而自該等候選觸控位置中，選取與該至少二個待測物體相對應之觸控點之步驟係包含以下步驟：根據該第一左側反射結構光、該第二左側反射結構光的比較，得出該第一左側相對距離、該第二左側相對距離間的一左側相對距離比較結果；以及，根據該第一右側反射結構光、該第二右側反射結構光的比較，得出該第一右側相對距離、該第二右側相對距離間的一右側相對距離比較結果。
21. 如申請專利範圍第20項所述之選取方法，其中根據該第一左側反射結構光，與該第二左側反射結構光的 比較，得出該第一左側相對距離、該第二左側相對距離間的該左側相對距離比較結果之步驟係指：比較該第一左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度、該第二左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，進而得出該左側相對距離比較結果；或，比較該第一左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度、該第二左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，進而得出該左側相對距離比較結果。
22. 如申請專利範圍第21項所述之選取方法，其中比較該第一左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度、該第二左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，進而得出該左側相對距離比較結果之步驟係包含以下步驟：當該第一左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，大於該第二左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度時，該第一左側相對距離小於該第二左側相對距離；以及，當該第一左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，小於該第二左側反射結構光之該等反射亮紋的寬度時，該第一左側相對距離大於該第二左側相對距離。
23. 如申請專利範圍第21項所述之選取方法，其中比較該第一左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度、該第二左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，進而得出該左側相對距離比較結果之步驟係包含以下步驟：當該第一左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，大於該第二左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度時，該第一左側相對距離小於該第二左側相對距離；以及， 當該第一左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，小於該第二左側反射結構光之該等反射暗紋的寬度時，該第一左側相對距離大於該第二左側相對距離。
24. 如申請專利範圍第20項所述之選取方法，其中根據該第一右側反射結構光、該第二右側反射結構光的比較，得出該第一右側相對距離、該第二右側相對距離間的該右側相對距離比較結果之步驟係指：比較該第一右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度、該第二右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，進而得出該右側相對距離比較結果；或，比較該第一右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度、該第二右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，進而得出該右側相對距離比較結果。
25. 如申請專利範圍第24項所述之選取方法，其中比較該第一右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度、該第二右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，進而得出該右側相對距離比較結果之步驟係包含以下步驟：當該第一右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，大於該第二右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度時，該第一右側相對距離小於該第二右側相對距離；以及，當該第一右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度，小於該第二右側反射結構光之該等反射亮紋的寬度時，該第一右側相對距離大於該第二右側相對距離。
26. 如申請專利範圍第24項所述之選取方法，其中比較該第一右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度、該第 二右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，進而得出該右側相對距離比較結果之步驟係包含以下步驟：當該第一右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，大於該第二右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度時，該第一右側相對距離小於該第二右側相對距離；以及，當該第一右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度，小於該第二右側反射結構光之該等反射暗紋的寬度時，該第一右側相對距離大於該第二右側相對距離。
27. 如申請專利範圍第16項所述之選取方法，其中該第一初始結構光具有複數條第一初始亮紋與複數條第一初始暗紋；以及，該第二初始結構光具有複數條第二初始亮紋與複數條第二初始暗紋。
28. 如申請專利範圍第27項所述之選取方法，其中各該第一初始亮紋的寬度彼此大致相等、各該第二初始亮紋的寬度彼此大致相等、各該第一初始暗紋的寬度彼此大致相等、各該第二初始暗紋的寬度彼此大致相等。