TWI489174B - 立體影像顯示器 - Google Patents

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Description

立體影像顯示器
本發明之實施例係關於係關於一種立體影像顯示裝置,其能夠選擇性地執行一二維平面影像(下文稱作為「2D影像」)及一三維立體影像(下文稱作為「3D影像」)。
近來,由於多樣式內容以及電路技術的發展,能夠選擇性地執行一2D影像和一三維3D影像之一立體影像顯示器已經被發展,並已經被投放在市場上。用於執行立體影像顯示之3D影像之一方法之示例大致包含一立體技術和一自動立體技術。
立體技術,係利用一使用者的左眼和右眼之間之一視差影像而具有一高立體效果,並包含一眼鏡型方法以及一非眼鏡型方法,其兩者都已經投入實際使用。在非眼鏡型方法中,例如用於分開左眼和右眼之間之視差影像之一光學軸的一視差屏障之一光學板通常安裝在一顯示螢幕的前方或後方。在眼鏡型方法中,每個具有一不同的偏振方向之左眼影像和右眼影像係顯示在一顯示面板上,並且使用偏振眼鏡或液晶(LC)快門眼鏡來執行一立體影像。
一LC快門眼鏡型立體影像顯示器係每隔一幀交替顯示一左眼影像和一右眼影像於一顯示元件上,並與一顯示時間同步打開和關閉LC快門眼鏡之一左眼鏡和一右眼鏡,從而執行3D影像。在LC快門眼鏡型立體影像顯示中,由於LC快門眼鏡在一較短時段被打開,3D影像之一亮度較低。進一步地,由於在顯示元件和 LC快門眼鏡之間之同步性以及開/關切換回應特性,明顯產生一3D二重像(crosstalk)。
在一偏振眼鏡型立體影像顯示器中,諸如一微相位延遲陣列之一偏振分離設備被附著至一顯示面板上。微相位延遲陣列分開顯示在顯示面板上之一左眼影像和一右眼影像之偏振。當一觀看者使用偏振眼鏡觀看偏振眼鏡型立體影像顯示器之一立體影像時,觀看者透過偏振眼鏡之一左眼濾光片觀看到左眼影像之偏振,以及透過偏振眼鏡之一右眼濾光片觀看到右眼影像之偏振。因此,觀看者可以感覺一立體感覺。
在習知技術偏振眼鏡型立體影像顯示器中,一液晶顯示面板可以被使用作為顯示面板。習知技術偏振眼鏡型立體影像顯示器由於在在液晶顯示面板之一畫素陣列和液晶顯示面板之一上玻璃基板之一厚度和一上偏振板之一厚度所造成之微相位延遲陣列兩者之間之視差,而提供一窄的垂直視角。當觀看者以大於或小於對應於液晶顯示面板之前面之一角度之一垂直視角觀看顯示在偏振眼鏡型立體影像顯示器上之立體影像時,觀看者可以感覺到3D二重像,其中當觀看者透過一隻眼睛(左眼或右眼)觀看時看到左眼影像和右眼影像之一雙重影像。
為了解決在偏振眼鏡型立體影像顯示器中之窄的垂直視角所造成之3D二重像之問題,日本專利特許公開號No.2002-185983提出了用於形成黑條於一立體影像顯示之一微相位延遲陣列(或3D薄膜)之一方法。作為另外一種選擇,具有用於增加形成在一液晶顯示面板上之一黑色矩陣之一寬度之一方法。但是,形成在 微相位延遲陣列上之黑條可以降低2D和3D影像之一亮度,以及可以與黑色矩陣相互作用以因此引起摩爾紋。用於增加黑色矩陣之寬度之方法降低了一開口率,以及因此降低2D和3D影像之亮度。
為了解決在日本專利特許公開號No.2002-185983中所揭露之立體影像顯示器之問題,本發明申請提出如在韓國專利申請號No.2009-0033534(2009年4月17日申請),美國專利申請號No.12/536,031(2009年8月5日申請)等中用於劃分一顯示面板之畫素之每個為兩部份以及使用於每個畫素之兩部份之一作為一主動黑條之一技術。本發明申請所提出的立體影像顯示器可以透過劃分每個畫素為兩部份和以2D模式顯示2D影像於每個畫素之兩部份上而可以避免在2D影像之亮度上之一降低。進而,本發明申請所提出的立體影像顯示器可以透過顯示3D影像於每個畫素之兩部份之一和以3D模式顯示一黑色影像於另一部份上而增加3D影像之垂直視角。但是,在使用主動黑帶之立體影像顯示器中,閘線之數量因為每個畫素被劃分為兩部份而雙倍。因此,一閘驅動器之結構係複雜的。
因此,鑒於上述問題,本發明之目的在於提供一種立體影像顯示器,其在沒有增加閘線之數量的情況下,提高一2D影像之一亮度和一3D影像之一垂直視角。
一方面,提供一立體顯示裝置,此立體影像顯示器包含配置以選擇地顯示一2D影像和一3D影像之一顯示面板,以及配置以 劃分來自該顯示面板之光線為第一偏振光和第二偏振光之一微相位延遲陣列,此顯示面板包含複數個畫素,其中複數個畫素之每個包含:一主顯示單元,此主顯示單元包含透過一第一薄膜電晶體(TFT)連接至一資料線之一第一畫素電極和與第一畫素電極相對並連接至一上共用線之一第一共用電極;一輔助顯示單元,此輔助顯示單元包含透過一第二TFT連接至資料線和透過一放電控制TFT連接至上共用線之一第二畫素電極,以及與該第二畫素電極相對並連接至上共用線之一第二共用電極;以及設置在主顯示單元和輔助顯示單元兩者之間之一線路單元,此線路單元包含一掃描脉衝通常被施加至第一TFT和第二TFT之一閘線、一放電控制電壓被施加至放電控制TFT之一放電控制線,以及一共用電壓被施加至上共用線之一下共用線,其中,主顯示單元之一第一儲存電容器和輔助顯示單元之一第二儲存電容器係形成在下共用線上。
另外一方面,提供一立體顯示裝置,此立體影像顯示器包含配置以選擇地顯示一2D影像和一3D影像之一顯示面板,以及配置以劃分來自該顯示面板之光線為第一偏振光和第二偏振光之一微相位延遲陣列,此顯示面板包含複數個畫素,其中複數個畫素之每個包含:一主顯示單元,此主顯示單元包含透過一第一TFT連接至一資料線之一第一畫素電極和與第一畫素電極相對並連接至一上共用線之一第一共用電極;一輔助顯示單元,此輔助顯示單元包含透過一第二TFT連接至資料線和透過一放電控制TFT連接至上共用線之一第二畫素電極,以及與該第二畫素電極相對並 連接至上共用線之一第二共用電極;以及設置在主顯示單元和輔助顯示單元兩者之間之一線路單元,此線路單元包含一掃描脉衝通常被施加至第一TFT和第二TFT之一閘線、一放電控制電壓被施加至放電控制TFT之一放電控制線,以及一共用電壓被施加至上共用線之一下共用線,其中,主顯示單元之一第一儲存電容器係形成在下共用線上,以及輔助顯示單元之一第二儲存電容器係形成在放電控制線上。
現在細節上參考本發明之實施例,闡述所附圖示之示例。無論哪種情況下,各處圖式中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。應該注意的是,若確定習知技術能夠誤導本發明之實施例,則關於已知技術之詳細描述將省略掉。
將參考「第1圖」至「第12C圖」對本發明的典型實施例進行描述。
「第1圖」和「第2圖」係闡述依照本發明之一典型實施例之一偏振眼鏡型立體影像顯示器。「第3圖」係闡述在「第2圖」中所示之複數個畫素之一。「第4圖」係闡述取決於一驅動模式之一放電控制電壓之一產生位準。「第5圖」係闡述在一2D模式中和一3D模式中之一畫素之一顯示影像。
如「第1圖」至「第5圖」所示,依照本發明實施例之立體影像顯示器係包含一顯示元件10、一微相位延遲陣列20、一控制器30、一面板驅動電路40、以及偏振眼鏡50。
顯示元件10可以被應用作為諸如一液晶顯示器、一場發射顯 示器(FED)、一電漿顯示面板(PDP)顯示器、包含一無機電致發光元件和一有機發光二極體(OLED)之一電致發光顯示器(EL)、以及一電泳顯示器(EPD)之一平板顯示器。在下述描述中,依照本發明實施例之立體影像顯示器使用液晶顯示器作為顯示元件10而進行描述。
顯示元件10係包含一顯示面板11、一上偏振薄膜11a、以及一下偏振薄膜11b。
顯示面板11以一2D模式顯示一2D影像和以一3D模式顯示一3D影像。顯示面板11包含一上玻璃基板、一下玻璃基板、以及位於上玻璃基板和下玻璃基板之間之一液晶層。複數個資料線DL、與複數個資料線DL相交叉之複數個閘線GL、兩者互相電連接並被提供有一共用電壓Vcom之一下共用線VCL1和一上共用線VCL2、提供有一放電控制電壓V3D之一放電控制線V3DL等,係配置在顯示面板11之下玻璃基板上。
黑色矩陣和彩色濾光片係形成在顯示面板11之上玻璃基板上。上偏振薄膜11a係附著於顯示面板11之上玻璃基板上,以及下偏振薄膜11b係附著於顯示面板11之下玻璃基板上。用於設置液晶之一預傾斜角之配向層係分別形成在顯示面板11之上玻璃基板上和下玻璃基板上。在諸如一扭轉向列(TN)模式以及一垂直配向(VA)模式之一垂直電場驅動方式中,被提供有共用電壓Vcom之共用電極可以形成在上玻璃基板上。在諸如一平板內切換(IPS)模式以及一邊緣場切換(FFS)模式之一水準電場驅動方式中,共用電極連同畫素電極一起形成在下玻璃基板上。一行空 間可以形成在上玻璃基板和下玻璃基板之間以保持液晶面板11的液晶單元之間的單元間隙恒定。
依照本發明實施例之顯示元件10可以被應用作為包含一透射液晶顯示器、一半透射液晶顯示器、以及一反射液晶顯示器之任何類型液晶顯示器。在透射液晶顯示器和半透射液晶顯示器中一背光單元12為必須的。背光單元12可以被應用作為一直下型背光單元或一邊緣型背光單元。
複數個單元畫素基於在資料線DL和閘線GL兩者之間之一交叉結構而被設置在顯示面板11上,因此構成一畫素陣列。複數個單元畫素之每個包含分別顯示紅(R)、綠(G)和藍(B)影像之三個畫素PIX。如「第3圖」所示,每個畫素PIX包含一主顯示單元MP和一輔助顯示單元SP,其係位於插入在主顯示單元MP和輔助顯示單元SP兩者之間之一線路單元之相對側邊上。輔助顯示單元SP用作一主動黑條。下共用線VCL1、閘線GL和包含在線路單元中之放電控制線V3DL交叉在主顯示單元MP和輔助顯示單元SP兩者之間。
主顯示單元MP透過一第一薄膜電晶體(TFT)ST1係連接至資料線DL。子顯示單元SP透過一第二薄膜電晶體(TFT)ST2係連接至資料線DL,也透過一放電控制TFT DST係連接至上共用線VCL2。第一TFT ST1和第二TFT ST2回應來自閘線GL之一掃描脈衝SCAN(在「第4圖」中所示)而被同時打開或關閉。 掃描脈衝SCAN在一閘低壓VGL和一閘高壓VGH兩者之間擺動。放電控制TFT DST回應透過放電控制線V3DL所提供之放電 控制電壓V3D而被打開或關閉。
如「第4圖」所示,放電控制電壓V3D回應一模式選擇訊號SEL而以不同的電壓位準產生。更特別的是,在2D模式中,放電控制電壓V3D可以以與能夠關閉放電控制TFT DST之閘低壓VGL之相同電壓位準而被產生。在3D模式中,放電控制電壓V3D可以以能夠打開放電控制TFT DST之高於閘低壓VGL和低於閘高壓VGH之一略開位準SOL而被產生。在一略開狀態中之放電控制TFT DSP之一溝道電阻係大於在一全開狀態中之放電控制TFT DSP之一溝道電阻。即,在一略開狀態中之放電控制TFT DSP之一源極和一汲極之間之電流流動之一數量係小於在全開狀態中之放電控制TFT DSP之源極和汲極之間之電流流動之一數量。在3D模式中,放電控制電壓V3D可以被定期地減少至閘低壓VGL,以減少放電控制TFT DST之退化。這在對應於本發明申請之韓國專利申請號No.10-2011-0070327(2011年7月15日申請)和No.10-2011-0090874(2011年9月7日申請)中被詳細揭露,並且這裡上述申請之全文可以結合作為參考。當閘低壓VGL係為大約-5V至0V,以及閘高壓VGH係為大約25V至30V時,略開位準SOL之一電壓可以為大約8V至12V。
如「第5圖」所示,主顯示單元MP在2D模式中顯示2D影像之視訊資料DATA,以及在3D模式中顯示3D影像之視訊資料DATA。另外一方面,輔助顯示單元SP在2D模式中顯示2D影像之視訊資料DATA,以及顯示一黑色灰階之一影像,以因此用作3D模式中之主動黑條。輔助顯示單元SP增加在2D模式中之2D 影像之一開口率和一亮度,並增加在3D模式中3D影像之一垂直視角。一個畫素PIX之主顯示單元MP和輔助顯示單元SP之尺寸和形狀可以考慮到面板驅動特性、一顯示影像之一亮度、3D影像之垂直視角、應用的產品等而被適當地設計。
如「第1圖」所示,微相位延遲陣列20係附著於顯示面板11之上偏振薄膜11a上。一第一圖案22係形成在微相位延遲陣列20之奇數線上,以及一第二圖案24係形成在微相位延遲陣列20之偶數線上。第一圖案22之一光吸收軸係不同於第二圖案24之一光吸收軸。第一圖案22係相反於畫素陣列之奇數水平畫素線,以及第二圖案24係相反於畫素陣列之偶數水平畫素線。第一圖案22將透過上偏振薄膜11a入射之線性偏振光線之一相位延遲了四分之一波長,並傳輸它作為第一偏振光(例如,左旋圓偏振光)。第二圖案24將透過上偏振薄膜11a之線性偏振光線之一相位延遲了四分之三波長,並傳輸它作為第二偏振光(例如,右旋圓偏振光)。
在2D模式和3D模式中,控制器30回應一模式選擇訊號SEL控制面板驅動電路40之一操作。控制器30透過諸如一觸摸屏、一螢幕顯示(OSD)、一鍵盤、一滑鼠、以及一遠程控制器之一用戶介面接收模式選擇訊號SEL。控制器30回應模式選擇訊號SEL可以在2D模式之一操作中和3D模式之一操作中切換。控制器30偵測編碼在一輸入影像之資料中之一2D/3D標識碼,比如,能夠被編碼在一數位廣播標準之一電子節目指南(EPG)或一電子服務指南(ESG)中之一2D/3D標識碼,從而區分2D模式和3D模式。
在3D模式中,控制器30將從一視訊源中接收的3D影像之視訊資料DATA劃分為一左眼影像之紅緑藍RGB資料和一右眼影像之紅緑藍RGB資料,然後,控制器30提供左眼影像之RGB資料和右眼影像之RGB資料至面板驅動電路40之一資料驅動器41。為此,控制器30可以包含一3D格式器(未示出)。在2D模式中,控制器30提供從視訊源中接收的一2D影像之RGB資料至資料驅動器41。控制器30可以包含用於產生放電控制電壓V3D之一3D板(未示出)。
控制器30使用諸如一垂直同步訊號Vsync、一水平同步訊號Hsync、一資料使能訊號DE、以及一點時鐘訊號DCLK之定時訊號,產生用於控制面板驅動電路40之操作時間之控制訊號。
用於控制資料驅動器41之控制操作時間之一資料控制訊號係包含一源起始脈衝SSP、一源採樣時鐘SSC、一源輸出使能訊號SOE、一極性控制訊號POL、以及類似訊號。在對應於一個水平線的資料被顯示之一個水準週期內,源起始脈衝SSP表示對應於一個水平線之資料之一電源起始時間點。源採樣時鐘SSC基於其一上升沿或一下降沿控制資料之一閂鎖操作。源輸出使能訊號SOE控制資料驅動器41之一輸出。極性控制訊號POL控制被提供給顯示面板11的液晶單元之一資料電壓之一極性。
用於控制面板驅動電路40之一閘驅動器42的操作時間之一閘控制訊號係包含一閘起始脈衝GSP、一閘移位時鐘GSC、一閘輸出使能訊號GOE、以及類似。閘起始脈衝GSP在一個螢幕被顯示之一個垂直週期內,表明一掃描操作之一起始水平線。閘移位 時鐘GSC被輸入至閘驅動器42內部之一移位暫存器,並依次移位閘起始脈衝GSP。閘輸出能動GOE控制閘驅動器42之一輸出。
控制器30將與一輸入幀頻率同步之定時訊號Vsync、Hsync、DE以及DCLK的頻率乘以N,以獲得(f×N)Hz之一幀頻,其中N係為等於或者大約2之一正整數,f係為輸入幀頻。因此,控制器30可以基於(f×N)Hz之幀頻控制面板驅動電路40之操作。輸入幀頻在一相位交替線(PAL)標準中係為50Hz,在一國際電視標準委員會(NTSC)標準中係為60 Hz。
面板驅動電路40包含用於驅動顯示面板11之資料線DL之資料驅動器41和用於驅動顯示面板11之閘線GL之閘驅動器42。
資料驅動器41包含複數個驅動積體電路(IC)。複數個驅動IC之每個包含一移位暫存器、一閂鎖、一數位-類比轉換器(DAC)、一輸出緩衝器等。資料驅動器41回應資料控制訊號SSP、SSC和SOE,鎖存2D影像或3D影像之RGB資料。資料驅動器41回應極性控制訊號POL,將2D影像或3D影像之RGB資料轉換為類比正、反伽瑪補償電壓,並轉化資料電壓之一極性。資料驅動器41輸出資料電壓至資料線DL,進而資料電壓與從閘驅動器42所輸出之一掃描脈衝(或一閘脈衝)同步。資料驅動器41之源驅動IC可以透過一帶式自動接合(TAB)製程被結合至顯示面板11之下玻璃基板。
閘驅動器42回應閘控制訊號GSP、GSC以及GOE產生掃描脈衝,掃描脈衝在閘高壓和一閘低壓之間擺動。閘驅動器42回應閘控制訊號GSP、GSC以及GOE,以一線連續形式提供掃描脈衝 至閘線GL。閘驅動器42包含一閘移位暫存器陣列等。閘驅動器42之閘移位暫存器陣列以一板內閘極(GIP)方式,可以形成在畫素陣列被形成之顯示面板11的一顯示區域外側之一非顯示區域中。包含在閘移位暫存器器陣列中之複數個閘移位暫存器以GIP方式,在畫素陣列的一TFT製程中可以沿著畫素陣列而形成。閘驅動器42之閘移位暫存器陣列可以被應用為透過TAB製程結合至顯示面板11之下玻璃基板之複數個驅動IC。
面板驅動電路40包含一電源電路(未示出)、一放電控制電壓產生電路等。電源電路產生即將被提供至顯示面板11之諸如共用電壓Vcom、閘高壓VGH、閘低壓VGL、正/負伽馬參考電壓和略開位準電壓Vsol之面板驅動電壓。電源電路可以被應用為一直流-直流(DC-DC)轉換器。放電控制電壓產生電路在控制器30之控制下,輸出與「第4圖」中所示相同之放電控制電壓V3D。放電控制電壓產生電路可能被應用為用於切換略開位準電壓Vsol和閘低壓VGL之一電源切換裝置。
偏振眼鏡50包含具有一左眼偏振濾光片之一左眼眼鏡50L和具有一右眼偏振濾光片之一右眼眼鏡50R。左眼偏振濾光片係具有與微相位延遲陣列20之第一圖案22之相同光吸收軸,以及右眼偏振濾光片係具有與微相位延遲陣列20之第二圖案24之相同光吸收軸。例如,一左旋圓偏振濾光片可以被選擇作為偏振眼鏡50之左眼偏振濾光片,以及一右旋圓偏振濾光片可以選擇作為偏振眼鏡50之右眼偏振濾光片。當一觀看者帶偏振眼鏡50時,他或她透過他或她的左眼僅觀看到左眼影像,以及透過他或她的右 眼僅觀看到右眼影像。因此,他/她可以透過一雙眼差異感覺到一立體感覺。 「第6圖」係為依照本發明之實施例之畫素之一等效電路圖。「第7圖」係為具有「第6圖」中所示之一電路結構之畫素之線路單元(參考「第3圖」)之一細節平面圖。「第8A圖」係為沿著「第7圖」之1-1'線之一剖視圖。「第8B圖」係為沿著「第7圖」之2-2'線之一剖視圖。「第8C圖」係為沿著「第7圖」之3-3'線之一剖視圖。在「第8A圖」至「第8C圖」中,「ACT」表示用於在一TFT之一源極和一汲極之間形成一通道之一主動層,「N+ 」代表用於在TFT之主動層和源極之間形成一歐姆接觸和在TFT之主動層和汲極之間形成一歐姆接觸之一歐姆接觸層,以及「SUB」代表下玻璃基板。主動層ACT和歐姆接觸層N+ 包含一半導體層。
如「第6圖」至「第8C圖」所示,主顯示單元MP包含互相相對並形成一第一液晶(LC)電容器Clc1之一第一畫素電極Ep1和一第一共用電極Ec1。第一畫素電極Ep1透過一第一TFT ST1連接至資料線DL。第一TFT ST1回應來自閘線GL之掃描脈衝SCAN而被打開,因此施加資料線DL上之一資料電壓Vdata至第一畫素電極Ep1。第一TFT ST1之一閘極係連接至閘線GL,第一TFT ST1之一汲極D1係連接至資料線DL,以及第一TFT ST1之一源極S1透過穿過一有機絕緣層PAC和一無機絕緣層PAS之一第一接觸孔CH1係連接至第一畫素電極Ep1。第一TFT ST1之源極S1使用插入在源極S1和下共用線VCL1兩者之間之一閘絕緣 層GI和一半導體層與下共用線VCL1重疊,以形成一第一存儲電容器Cst1。第一儲存電容器Cst1均勻地保持第一LC電容器Clc1之一充電電壓經過一預定時間週期。第一共用電極Ec1係連接至由共用電壓Vcom所提供之上共用線VCL2。上共用線VCL2透過穿過有機絕緣層PAC、無機絕緣層PAS和閘絕緣層GI之一第三接觸孔CH3連接至下共用線VCL1。因此,來自下共用線VCL1之共用電壓Vcom被提供至上共用線VCL2。
輔助顯示單元SP包含一第二畫素電極Ep2和一第二共用電極Ec2,兩者互相相對,並且在兩者之間形成一第二LC電容器Clc2。第二畫素電極Ep2透過一第二TFT ST2係連接至資料線DL。第二TFT ST2回應來自閘線GL之掃描訊號SCAN而被打開,因此提供在資料線DL上之資料電壓Vdata至第二畫素電極Ep2。第二TFT ST2之一閘極係連接至閘線GL,第二TFT ST2之一汲極D2係連接至資料線DL,以及第二TFT ST2之一源極S2透過穿過有機絕緣層PAC和無機絕緣層PAS之一第二接觸孔CH2係連接至第二畫素電極Ep2。第二TFT ST2之汲極D2係連接至第一TFT ST1之汲極D1。第二TFT ST2之源極S2使用插入在源極S2和下共用線VCL1兩者之間之閘絕緣層GI和一半導體層與下共用線VCL1重疊,以形成一第二存儲電容器Cst2。第二儲存電容器Cst2均勻地保持第二LC電容器Clc2之一充電電壓經過一預定時間週期。第二共用電極Ec2係連接至由共用電壓Vcom所提供之上共用線VCL2。
第二畫素電極Ep2透過放電控制TFT DST係連接至上共用線 VCL2。放電控制TFT DST回應放電控制電壓V3D打開或關閉在第二畫素電極Ep2和上共用線VCL2兩者之間之一電流路徑。放電控制TFT DST之一閘極係連接至放電控制線V3DL,放電控制TFT DST之一源極S3係連接至第二畫素電極Ep2,以及放電控制TFT DST之一汲極D3透過穿過有機絕緣層PAC之一第四接觸孔CH4係連接至上共用線VCL2。放電控制TFT DST之源極S3係連接至第二TFT ST2之汲極D2。
閘線GL、放電控制線V3DL、下共用線VCL1可以形成在相同位準層上。進一步,第一畫素電極Ep1和第二畫素電極Ep2、第一共用電極Ec1和第二共用電極Ec2以及上共用線VCL2可以被形成在相同位準層上。
在2D模式中,當與閘低壓VGL相同位準之放電控制電壓V3D被施加時,放電控制TFT DST完全關閉放電控制TFT DST之一源極-汲極通道,並切斷在第二畫素電極Ep2和上共用線VCL2兩者之間之電流通道。在3D模式中,當與略開位準SOL相同位準之放電控制電壓V3D被施加時,放電控制TFT DST部份地打開放電控制TFT DST之源極-汲極通道,並部份允許在第二畫素電極Ep2和上共用線VCL2兩者之間之電流通道被形成。
放電控制TFT DST被設計,進而它具有與第一TFT ST1和第二TFT ST2相同之通道電容。放電控制TFT DST透過施加低於閘高壓VGH之略開位準SOL之放電控制電壓V3D至放電控制線V3DL,透過低於全開位準之略開位準SOL之電壓而被打開。即使第二TFT ST2和放電控制TFT DST同時被打開,流過放電控制 TFT DST之一電流量係小於流過第二TFT ST2之一電流量。即,放電控制TFT DST之一溝道電阻係大於第二TFT ST2之一溝道電阻,即使第二TFT ST2和放電控制TFT DST同時被打開。這是因為TFT之溝道電阻與被施加至TFT之閘極之電壓成反比。
「第9圖」係闡述在每個驅動模式中具有在「第6圖」至「第8C圖」中所示之結構之充電波形和放電波形。
在每個驅動模式中畫素PIX之一操作和一操作效果參考「第6圖」至「第9圖」被描述。
首先,在2D模式中畫素PIX之一操作和一操作效果被描述。
在2D模式中,放電控制電壓V3D可以以與掃描脈衝SCAN之閘低壓VGL相同之位準而被產生。放電控制TFT DST回應具有與閘低壓VGL之相同位準之放電控制電壓V3D而被持續地維持在關閉狀態。
在所提供之掃描脈衝SCAN係位於閘高壓VGH之一週期(下文稱為一T1週期)中,第一TFT ST1和第二TFT ST2以全開位準被同時打開。主顯示單元MP之第一畫素電極Ep1由於第一TFT ST1之一打開操作,被一第一畫素電壓VEp1所充電,作為用於2D影像之顯示之資料電壓Vdata。輔助顯示單元SP之第二畫素電極Ep2由於第二TFT ST2之一打開操作,被一第二畫素電壓VEp2所充電,作為用於2D影像之顯示之資料電壓Vdata。
在所提供之掃描脈衝SCAN係位於閘低壓VGL之一週期(下文稱為一T2週期)中,第一TFT ST1和第二TFT ST2被同時關閉。當第一TFT ST1被關閉時,已經被提供至主顯示單元MP之 第一畫素電極Ep1之第一畫素電壓VEp1因為一反沖電壓之一影響而被移位一預定值,然後透過第一儲存電容器Cst1被維持在一移位的數值上。當第二TFT ST2被關閉時,已經被提供至輔助顯示單元SP之第二畫素電極Ep2之第二畫素電壓VEp2因為反沖電壓之影響而被移位一預定值,然後透過第二儲存電容器Cst2被維持在一移位的數值上。
在T1和T2週期,共用電壓Vcom透過上共用線VCL2被施加至主顯示單元MP之第一共用電極Ec1和輔助顯示單元SP之第二共用電極Ec2。在第一畫素電壓VEp1和共用電極Vcom兩者之間之一差可以被維持在實質上等於在第二畫素電壓VEp2和共用電壓Vcom兩者之間之一差。液晶單元之一透光率與在一正常黑色液晶模式中之畫素電極和共用電極兩者之間之一電壓差成比例。因此,如「第5圖」之A所示,主顯示單元MP和輔助顯示單元SP顯示相同灰階之2D影像。顯示在輔助顯示單元SP上之2D影像起著增加2D影像之亮度之作用。
接下來,在3D模式中畫素PIX之一操作和一操作效果被描述。
在3D模式中,放電控制電壓V3D可以以略開位準SOL而被產生。放電控制TFT DST回應略開位準SOL之放電控制電壓V3D而被持續地維持在略開狀態。
在T1週期中,第一TFT ST1和第二TFT ST2回應閘高壓VGH之掃描脈衝SCAN而被同時打開在全開位準。主顯示單元MP之第一畫素電極Ep1由於第一TFT ST1之打開操作,被第一畫素電壓VEp1充電,作為用於3D影像之顯示之資料電壓Vdata。輔助 顯示單元SP之第二畫素電極Ep2由於第二TFT ST2之打開操作,被第二畫素電壓VEp2充電,作為用於3D影像之顯示之資料電壓Vdata。在T1週期中,具有略開位準之開狀態之放電控制TFT DST之溝道電阻係遠遠大於具有全開位準之開狀態之第二TFT ST2之溝道電阻。因此,從第二畫素電極Ep2流走之一放電電流損耗遠小於被提供至第二畫素電極Ep2之一充電電流。因此,在T1週期中,具有略開位準之開狀態之放電控制TFT DST幾乎不影響第二畫素電壓VEp2之充電特性。
在T2週期中,第一TFT ST1和而TFT ST2回應閘低壓VGL之掃描脈衝SCAN而被同時關閉。當第一TFT ST1被關閉時,已經被提供至主顯示單元MP之第一畫素電極Ep1之第一畫素電壓VEp1因為反沖電壓之影響而被移位一預定值,然後被第一儲存電容器Cst1維持在一移位的數值上。當第二TFT ST2被關閉時,已經被提供至主顯示單元SP之第二畫素電極Ep2之第二畫素電壓VEp2因為經由放電控制TFT DST流走之放電電流,而經過一預定時間週期被減少至共用電壓Vcom之位準。具有略開位準之開狀態之放電控制TFT DST之溝道電阻係遠小於具有關狀態之第二TFT ST2之溝道電阻。因此,已經被提供至輔助顯示單元SP之第二畫素電極Ep2之第二畫素電壓VEp2,透過放電控制TFT DST之操作,在沒有反沖電壓影響的情況下,被漸漸減少至共用電壓Vcom之位準。
與在第一畫素電壓VEp1和共用電壓Vcom兩者之間之差不同,當第二畫素電極Ep2之放電被完成時,在第二畫素電壓VEp2 和共用電壓Vcom兩者之間之一差變得大體上為零。因此,如「第5圖」之(B)所示,依照在正常黑色液晶模式中之電壓透射率差特性,主顯示單元MP顯示一預定灰階之3D影像,以及輔助顯示單元SP顯示一黑色灰階之一影像。因此,輔助顯示單元SP用作主動黑條。顯示在輔助顯示單元SP上之黑色影像增加在一垂直方向互相鄰近之3D影像之間(即在左眼影像和右眼影像兩者之間)之一顯示距離。因此,一二重像沒有產生之3D影像之垂直視角在沒有一額外黑條圖案的情況下,使用輔助顯示單元SP之黑色影像可以被廣闊地獲得。
如上所述,依照本發明之實施例之立體影像顯示器在沒有閘線之數量之一增加的情況下,透過「第6圖」至「第8C圖」中所闡述之畫素結構,可以提高2D影像之亮度和3D影像之垂直視角。但是,依照本發明之實施例之畫素結構稍微減少畫素之開口率。這將在下面詳細描述。
在本發明之實施例中,主顯示單元MP之第一儲存電容器Cst1和輔助顯示單元SP之第二儲存電容器Cst2兩者係形成在下共用線VCL1上。在這種情況下,如「第6圖」至「第8C圖」所示,保持在輔助顯示單元SP中之一第二寄生電容Cgs2係大於保持在主顯示單元MP中之一第一寄生電容Cgs1兩倍。第一寄生電容Cgs1係為產生在第一TFT ST1之源極S1和閘線GL兩者之間之一電容。另外一方面,除了在第二TFT DST之源極S2和閘線GL兩者之間所產生之一電容之外,第二寄生電容Cgs2更包含在第二畫素電極Ep2和閘線GL兩者之間所產生之一電容,以及在放電 控制TFT DST之源極S3和閘線GL兩者之間所產生之一電容。
反沖電壓係表示當TFT從一打開狀態被轉換為一關閉狀態時,LC電容器之畫素電壓之一移位電壓量。反彈電壓(即移位的電壓量)係與寄生電容Cgs成比例。當在第一寄生電容Cgs1和第二寄生電容Cgs2之間之一差增加時,主顯示單元MP之充電特性和輔助顯示單元SP之充電特性互相變化。具有相對大寄生電容之顯示單元之儲存電容器不得不被設計為相對大尺寸,以確保在主顯示單元MP和輔助顯示單元SP兩者之間之相同的充電特性。依照本發明之實施例之畫素結構,第二儲存電容器Cst2被設計為大於第一儲存電容器Cst1近似三倍,以減少在主顯示單元MP和輔助顯示單元SP之反彈電壓兩者之間之一差。因此,在依照本發明之實施例之畫素結構中,在主顯示單元MP和輔助顯示單元SP兩者之間之線路單元之一區域有必要增加。因此,畫素之開口率略微減少。
以下所描述之本發明之另一實施例可以獲得與本發明之上述實施例之相同效果,並可以增加相比本發明之上述實施例之一開口率。
「第10圖」係為依照本發明之另一實施例之一畫素之一等效電路圖。「第11圖」係為具有「第10圖」中所示之一電路結構之一畫素之一線路單元(參考「第3圖」)之一詳細平面圖。「第12A圖」係為沿「第11圖」之1-1'線之一剖視圖。「第12B圖」係為沿「第11圖」之2-2'線之一剖視圖。「第12C圖」係為沿「第11圖」之3-3'線之一剖視圖。在「第12A圖」至「第12C圖」中,「ACT」 表示用於在一TFT之一源極和一汲極兩者之間形成一通道之一主動層,「N+ 」表示用於在TFT之主動層和源極之間形成一歐姆接觸和在TFT之主動層和汲極之間形成一歐姆接觸之一歐姆接觸層,以及「SUB」表示下玻璃基板。主動層ACT和歐姆接觸層N+ 包含一半導體層。
本發明之另一實施例特徵在於一第一寄生電容和一第二寄生電容以相同位準被調節,以減少一輔助顯示單元之一第二儲存電容器之尺寸。
如「第10圖」至「第12C圖」所示,一主顯示單元MP包含一第一畫素電極Ep1和一第一共用電極Ec1,第一畫素電極Ep1和第一共用電極Ec1兩者互相相對並在兩者之間之間形成一第一LC電容器Clc1。第一畫素電極Ep1透過一第一TFT ST1連接至一資料線DL。第一TFT ST1回應來自閘線GL之掃描脈衝SCAN而被打開,並因此施加資料線DL上之一資料電壓Vdata至第一畫素電極Ep1。第一TFT ST1之一閘極係連接至閘線GL,第一TFT ST1之一汲極D1係連接至資料線DL,以及第一TFT ST1之一源極S1透過穿過一有機絕緣層PAC和一無機絕緣層PAS之一第一接觸孔CH1係連接至第一畫素電極Ep1。第一TFT ST1之源極S1使用插入在源極S1和下共用線VCL1兩者之間之一閘絕緣層GI和一半導體層與下共用線VCL1重疊,以形成一第一存儲電容器Cst1。第一儲存電容器Cst1均勻地保持第一LC電容器Clc1之一充電電壓經過一預定時間週期。第一共用電極Ec1係連接至由共用電壓Vcom所提供之上共用線VCL2。上共用線VCL2透過穿過 有機絕緣層PAC、無機絕緣層PAS和閘絕緣層GI之一第三接觸孔CH3連接至下共用線VCL1。因此,來自下共用線VCL1之共用電壓Vcom被提供至上共用線VCL2。
一輔助顯示單元SP包含一第二畫素電極Ep2和一第二共用電極Ec2,兩者互相相對,並且在兩者之間形成一第二LC電容器Clc2。第二畫素電極Ep2透過一第二TFT ST2係連接至資料線DL。第二TFT ST2回應來自閘線GL之掃描訊號SCAN而被打開,因此提供在資料線DL上之資料電壓Vdata至第二畫素電極Ep2。第二TFT ST2之一閘極係連接至閘線GL,第二TFT ST2之一汲極D2係連接至資料線DL,以及第二TFT ST2之一源極S2透過穿過有機絕緣層PAC和無機絕緣層PAS之一第二接觸孔CH2係連接至第二畫素電極Ep2。第二TFT ST2之汲極D2係連接至第一TFT ST1之汲極D1。第二TFT ST2之源極S2使用插入在源極S2和一放電控制線V3DL兩者之間之閘絕緣層GI和一半導體層與放電控制線V3DL重疊,以形成一第二存儲電容器Cst2。第二儲存電容器Cst2均勻地保持第二LC電容器Clc2之一充電電壓經過一預定時間週期。第二共用電極Ec2係連接至由共用電壓Vcom所提供之上共用線VCL2。
第二畫素電極Ep2透過一放電控制TFT DST連接至上共用線VCL2。放電控制TFT DST回應放電控制電壓V3D打開或關閉在第二畫素電極Ep2和上共用線VCL2兩者之間之一電流路徑。放電控制TFT DST之一閘極係連接至放電控制線V3DL,放電控制TFT DST之一源極S3係連接至第二畫素電極Ep2,以及放電控制 TFT DST之一汲極D3透過穿過有機絕緣層PAC和無機絕緣層PAS之一第四接觸孔CH4係連接至上共用線VCL2。放電控制TFT DST之源極S3係連接至第二TFT ST2之汲極D2。
閘線GL、放電控制線V3DL、下共用線VCL1可以形成在相同位準層上。進一步,第一畫素電極Ep1和第二畫素電極Ep2、第一共用電極Ec1和第二共用電極Ec2以及上共用線VCL2可以被形成在相同位準層上。
在一2D模式中,當與一閘低壓VGL相同位準之放電控制電壓V3D被施加時,放電控制TFT DST完全關閉放電控制TFT DST之一源極-汲極通道,並切斷在第二畫素電極Ep2和上共用線VCL2兩者之間之電流通道。在一3D模式中,當一略開位準SOL之放電控制電壓V3D被施加時,,放電控制TFT DST部份地打開放電控制TFT DST之源極-汲極通道,並部份允許在第二畫素電極Ep2和上共用線VCL2兩者之間之電流通道被形成。
既然依照本發明之另一實施例之畫素之一操作和一操作效果係實質與依照本發明之上述實施例之畫素之一操作和一操作效果實質相同,可以簡要地進行一進一步描述或可以被完全省略。
在本發明之另一實施例中,主顯示單元MP之第一儲存電容器Cst1係形成在下共用線VCL1上,以及輔助顯示單元SP之第二儲存電容器Cst2係形成在放電控制線V3DL。因此,包含在一第二寄生電容Cgs2之電容(在本發明之上述實施例中所描述),即在第二畫素電極Ep2和閘線GL兩者之間所產生之一電容,以及在放電控制TFT DST之源極S3和閘線GL兩者之間所產生之一 電容被移除。因此,保持在主顯示單元MP之一第一寄生電容Cgs1和保持在輔助顯示單元SP之第二寄生電容Cgs2以相同位準被調節。因此,保留在主顯示單元MP中之一第一寄生電容Cgs1和保留在輔助顯示單元SP中之第二寄生電容Cgs2以相同位準被調節。因此,本發明之另一實施例可以減少輔助顯示單元SP之第二儲存電容器Cst2,因此減少線路單元之一寬度。進一步地,本發明之另一實施例可以更增加相比本發明之上述實施例之開口率。
雖然本發明之實施例以示例性之實施例揭露如上,然而本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下,所作之更動與潤飾,均屬本發明之專利保護範圍之內。特別是可在本說明書、圖式部份及所附之申請專利範圍中進行構成部份與/或組合方式的不同變化及修改。除了構成部份與/或組合方式的變化及修改外,本領域之技術人員也應當意識到構成部份與/或組合方式的交替使用。
10‧‧‧顯示元件
11‧‧‧顯示面板
11a‧‧‧上偏振薄膜
11b‧‧‧下偏振薄膜
12‧‧‧背光單元
20‧‧‧微相位延遲陣列
22‧‧‧第一圖案
24‧‧‧第二圖案
30‧‧‧控制器
40‧‧‧面板驅動電路
41‧‧‧資料驅動器
42‧‧‧閘驅動器
50‧‧‧偏振眼鏡
50L‧‧‧左眼眼鏡
50R‧‧‧右眼眼鏡
ACT‧‧‧主動層
Cgs1‧‧‧第一寄生電容
Cgs2‧‧‧第二寄生電容
CH1‧‧‧第一接觸孔
CH2‧‧‧第二接觸孔
CH3‧‧‧第三接觸孔
CH4‧‧‧第四接觸孔
Clc1‧‧‧第一LC電容器
Clc2‧‧‧第二LC電容器
Cst1‧‧‧第一儲存電容器
Cst2‧‧‧第二儲存電容器
D1‧‧‧汲極
D2‧‧‧汲極
D3‧‧‧汲極
DATA‧‧‧視訊資料
DCLK‧‧‧點時鐘訊號
DE‧‧‧資料使能訊號
DL‧‧‧資料線
DST‧‧‧放電控制TFT
Ec1‧‧‧第一共用電極
Ec2‧‧‧第二共用電極
Ep1‧‧‧第一畫素電極
Ep2‧‧‧第二畫素電極
GI‧‧‧閘絕緣層
GL‧‧‧閘線
GOE‧‧‧閘輸出使能訊號
GSC‧‧‧閘移位時鐘
GSP‧‧‧閘起始脈衝
Hsync‧‧‧水平同步訊號
MP‧‧‧主顯示單元
N+ ‧‧‧歐姆接觸層
PAC‧‧‧有機絕緣層
PAS‧‧‧無機絕緣層
PIX‧‧‧畫素
POL‧‧‧極性控制訊號
S1‧‧‧源極
S2‧‧‧源極
S3‧‧‧源極
SCAN‧‧‧掃描脈衝
SEL‧‧‧模式選擇訊號
SOE‧‧‧源輸出使能訊號
SOL‧‧‧略開位準
SP‧‧‧輔助顯示單元
SSC‧‧‧源採樣時鐘
SSP‧‧‧源起始脈衝
ST1‧‧‧第一TFT
ST2‧‧‧第二TFT
SUB‧‧‧下玻璃基板
V3D‧‧‧放電控制電壓
V3DL‧‧‧放電控制線
VCL1‧‧‧下共用線
VCL2‧‧‧上共用線
Vcom‧‧‧共用電壓
Vdata‧‧‧資料電壓
VEp1‧‧‧第一畫素電壓
VEp2‧‧‧第二畫素電壓
VGH‧‧‧閘高壓
VGL‧‧‧閘低壓
Vsync‧‧‧垂直同步訊號
第1圖和第2圖係闡述依照本發明之一典型實施例之一偏振眼鏡型立體影像顯示器;第3圖係闡述在第2圖中所示之複數個畫素之一;第4圖係闡述取決於一驅動模式之一放電控制電壓之一產生位準;第5圖係闡述在一2D模式中和一3D模式中之一畫素之一顯 示影像;第6圖係為依照本發明之一實施例之一畫素之一等效電路圖;第7圖係闡述具有第6圖中所示之一電路結構之一畫素之一線路單元;第8A圖係為沿著第7圖之1-1'線之一剖視圖;第8B圖係為沿著第7圖之2-2'線之一剖視圖;第8C圖係為沿著第7圖之3-3'線之一剖視圖;第9圖係闡述在每個驅動模式中一畫素之充電波形和放電波形;第10圖係為依照本發明之另一實施例之一畫素之一等效電路圖;第11圖係闡述具有第10圖中所示之一電路結構之一畫素之一線路單元;第12A圖係為沿第11圖之1-1'線之一剖視圖;第12B圖係為沿第11圖之2-2'線之一剖視圖;以及第12C圖係為沿第11圖之3-3'線之一剖視圖。
10‧‧‧顯示元件
11‧‧‧顯示面板
11a‧‧‧上偏振薄膜
11b‧‧‧下偏振薄膜
12‧‧‧背光單元
20‧‧‧微相位延遲陣列
22‧‧‧第一圖案
24‧‧‧第二圖案
30‧‧‧控制器
40‧‧‧面板驅動電路
50‧‧‧偏振眼鏡
50L‧‧‧左眼眼鏡
50R‧‧‧右眼眼鏡
DATA‧‧‧視訊資料
DCLK‧‧‧點時鐘訊號
DE‧‧‧資料使能訊號
Hsync‧‧‧水平同步訊號
SEL‧‧‧模式選擇訊號
Vsync‧‧‧垂直同步訊號

Claims (16)

  1. 一種包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該些畫素之每個係設置在一資料線和一閘線兩者之間,並包含:一線路單元,係包含一下共用線、該閘線和一放電控制線;一主顯示單元,係分別透過一第一薄膜電晶體(TFT)連接至該資料線和該閘線;以及一輔助顯示單元,係包含一第二儲存電容器,該第二儲存電容器分別透過一第二薄膜電晶體連接至該資料線和該閘線,並透過連接至一上共用線之一放電控制薄膜電晶體連接至該放電控制線,該上共用線連接至該下共用線,其中該第二儲存電容器係形成在該線路單元上。
  2. 如請求項第1項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該第二儲存電容器係形成在該第二薄膜電晶體之一源極和該下共用線兩者之間。
  3. 如請求項第2項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中一閘絕緣層和一半導體層被插入在該第二薄膜電晶體之該源極和該下共用線兩者之間,以及該半導體層係形成在該閘絕緣層上。
  4. 如請求項第3項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該放電控制薄膜電晶體之一汲極透過穿過形成在一無機絕緣層上之一有機絕緣層之一第四接觸孔,而連 接至該上共用線。
  5. 如請求項第4項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該無機絕緣層覆蓋該第二薄膜電晶體之該源極和該汲極、該第一薄膜電晶體之一源極和一汲極以及該放電控制薄膜電晶體之一源極。
  6. 如請求項第1項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該第二儲存電容器係形成在該第二薄膜電晶體之一源極和該放電控制線之間。
  7. 如請求項第6項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該第二薄膜電晶體之該源極覆蓋該放電控制線,以及形成在該閘絕緣層上之一閘絕緣層和一半導體層被插入在該第二薄膜電晶體之該源極和該放電控制線兩者之間。
  8. 如請求項第7項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該放電控制薄膜電晶體之一汲極係透過穿過形成在該無機絕緣層上之一無機絕緣層和一有機絕緣層之一第四接觸孔而連接至該上共用線。
  9. 如請求項第8項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該無機絕緣層覆蓋該第一薄膜電晶體之一源極和一汲極、該第二薄膜電晶體之該源極和一汲極以及該放電控制薄膜電晶體之該汲極。
  10. 如請求項第1項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立 體影像顯示器,其中該輔助顯示單元更包含:一第二液晶(LC)電容器,係形成在一第二畫素電極和與該第二畫素電極相對之一第二共用電極兩者之間。
  11. 如請求項第10項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該主顯示單元包含:一第一液晶(LC)電容器,係形成在一第一畫素電極和與該第一畫素電極相對之一第一共用電極兩者之間;以及一第一儲存電容器,係形成在該第一薄膜電晶體之一源極和該下共用線兩者之間。
  12. 如請求項第11項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該上共用線透過穿過一有機絕緣層、一無機絕緣層和一閘絕緣層之一第三接觸孔係連接至該下共用線,以及該有機絕緣層係形成在該無機絕緣層上。
  13. 如請求項第12項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該閘絕緣層覆蓋該下共用線、該閘線和該放電控制線。
  14. 如請求項第12項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該第二薄膜電晶體之一源極透過穿過該有機絕緣層和該無機絕緣層之一第二接觸孔係連接至該第二畫素電極。
  15. 如請求項第12項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之 立體影像顯示器,其中該第一薄膜電晶體之該源極透過穿過該有機絕緣層和該無機絕緣層之一第一接觸孔係連接至該第一畫素電極。
  16. 如請求項第11項所述之包含具有複數個畫素之一顯示面板之立體影像顯示器,其中該第一薄膜電晶體之該源極與該下共用線重疊,以及該閘絕緣層和一半導體層被插入在該第一薄膜電晶體之該源極和該下共用線兩者之間。
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