TWI487594B - 形成開放網路研磨墊之方法 - Google Patents

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TWI487594B TW101133429A TW101133429A TWI487594B TW I487594 B TWI487594 B TW I487594B TW 101133429 A TW101133429 A TW 101133429A TW 101133429 A TW101133429 A TW 101133429A TW I487594 B TWI487594 B TW I487594B
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Description

形成開放網路研磨墊之方法
本發明關於一種用於化學機械研磨(CMP)之研磨墊。特別是關於形成適用於研磨磁性基板、光學基板或半導體基板之開放網路(open-network)研磨墊之方法。
具有積體電路製造於其上之多層半導體晶圓必須經研磨以提供光滑且平坦之晶圓表面。此研磨需為後續層提供平坦表面，以及避免無研磨時發生的過度結構變形。半導體製造業者係透過多種CMP操作達到上述效果，其中化學活性漿料或無研磨料之研磨溶液與轉動之研磨墊作用而光滑化或平坦化晶圓表面。
有關CMP操作之單一且最大之問題經常為晶圓刮痕(scratching)。某些研磨墊可與外來材料作用而導致晶圓凹鑿(gouging)或刮痕。例如，此與外來材料之作用可導致硬質材料(如TEOS介電質)上之顫痕(chatter marks)。為了本說明書之目的，TEOS代表自四乙氧基矽酸鹽分解形成之似玻璃硬質介電質。此對介電質之損傷可導致晶圓缺陷及較低晶圓產率。有關CMP操作之另一刮痕議題係對非鐵互連(如銅互連)之損傷。倘若該研磨墊之刮痕過於深入互連線，該線之電阻將增加至使半導體無法正常作用的程度。於極端之情況下，研磨所產生之巨大刮痕可導致整個晶圓刮除。
雖然所有剛性墊不具有高晶圓刮痕率，但刮痕傾向隨著研磨墊之剛性(stiffness)或模數(modulus)而增加。歷年來，研磨墊製造業者於多種途徑中嘗試尋找具有低缺陷率之軟性墊。此等嘗試係著眼於組成物及製程技術以改善缺陷。雖然研磨墊製造業者不斷改善缺陷率，惟產業上不斷有著超越最先進研磨墊的低缺陷之需求。Cook等人於美國專利第6,036,579號揭示一種用於製造軟性墊之光硬化製程。此製程係將液態光可硬化聚合物施用至固體聚合物片或膜，並將光可硬化聚合物曝露以硬化或交聯經選擇的陸地區(land area)，如透過光罩所定義者或呈直接圖案(direct pattern)。直接圖案包含，例如，直接雷射UV光，如電腦直接製版技術(computer to screen technologies)。待透過光罩或直接圖案曝露墊後，用水洗去未曝露之聚合物以形成溝槽。雖然此等墊含有促進平坦化之固體聚合物底層(base layer)，惟該等層缺乏於最高要求之應用中減少缺陷的必要可壓縮性。再者，此等墊無法提供用於CMP應用要求之充分的研磨均勻性。具體而言，該等墊因水分吸收而無法早熟，導致具有嚴重尺寸不穩定性之研磨墊。
降低缺陷之另一途徑係改變研磨墊之物理性質。例如，與基板表面交互作用之研磨墊表面粗糙度或接觸區域之增加可降低缺陷。增加接觸區域以降低缺陷係藉由降低基板表面上之平均研磨下壓力達成。雖然這些原則上聽來簡單，惟其仍為困難的目標。例如，可以聚合性微粒與凝聚之聚氨酯之組合來製造墊，以達到具有充分紋路(texture)而不危及研磨率之表面區域的理想平衡。另一方面，紡織結構可具有與基板表面交互作用之大表面，但此等結構通常缺乏用於均勻研磨之一致的橫切面。
除了低缺陷率外，該研磨墊亦必須具有熱穩定性而在微量溫度變化下有一致的研磨性能。典型地，研磨墊隨著增加的溫度變軟。但該墊之軟化通常導致移除率降低。因此，該研磨墊之物理性質應該呈現最小的溫度相關退化(deterioration)。
產業上仍不斷需求著提供改良的平坦化、移除率及缺陷之組合的研磨墊。此外，仍有對於在研磨墊中提供此等性質及極低缺陷率之研磨墊的需求。最後，仍有對於含有軟性紋路且具有尺寸穩定性以於要求的研磨條件下倖存而無研磨性質之過度退化之研磨墊的需求。
本發明係提供一種形成適用於研磨磁性基板、半導體基板及光學基板之開放網路研磨墊之方法，係包括：a)提供可硬化聚合物之聚合物片或膜，該聚合物片或膜具有厚度及背襯層；b)將該聚合物片或膜曝露於能量源，以於該聚合物片或膜中產生曝露圖案，該曝露圖案具有曝露於該能量源之細長部；c)將該聚合物片或膜黏貼至開放網路基板；以及d)藉由下述(i)或(ii)而用溶劑自該中間體結構移除與經曝露聚合物片或膜相鄰之聚合物：(i)於黏貼該聚合物片或膜及傳送溶劑與聚合物通過該開放網路基板後，移除該聚合物片或膜之該背襯層，或是(ii)於黏貼該聚合物片或膜至該開放網路基板前，在該背襯層黏附至該聚合物片或膜之情況下移除該聚合物，該(i)或(ii)各形成呈紋路圖案之穿過聚合物片或膜之細長通道，該紋路圖案係對應於具有支撐該聚合物之開放網路的該曝露圖案，該細長通道貫穿該聚合物片或膜之厚度以形成該開放網路研磨墊。
本發明之另一種態樣係提供一種形成適用於研磨磁性基板、半導體基板及光學基板之至少一者之開放網路研磨墊之方法，係包括：a)提供可硬化聚合物片或膜，該聚合物片或膜具有厚度及背襯層；b)將該聚合物片或膜曝露於光源，以於該聚合物片或膜中產生曝露圖案，該曝露圖案具有曝露於該能量源之細長部；c)將該聚合物片或膜黏貼至開放網路基板；以及d)藉由下述(i)或(ii)而用溶劑自該中間體結構移除與經曝露聚合物片或膜相鄰之聚合物：(i)於黏貼該聚合物片或膜及傳送溶劑與聚合物通過該開放網路基板後，移除該聚合物片或膜之背襯層，或是(ii)於黏貼該聚合物片或膜至該開放網路基板前，在背襯層黏附至該聚合物片或膜之情況下移除該聚合物，而各具有呈紋路圖案之穿過聚合物片或膜之細長通道，該紋路圖案係對應於具有支撐該聚合物之開放網路的該曝露圖案，該細長通道貫穿該聚合物片或膜之厚度；以及e)硬化該聚合物片或膜以黏貼該第一及第二聚合物片或膜並形成研磨墊，該第一聚合物片或膜之圖案及該第二聚合物片或膜之圖案交叉，其中，該第一聚合物片或膜支撐該第二聚合物片或膜，且源自該第一聚合物片或膜之細長通道及源自該第二聚合物片或膜之細長通道係連結以形成該開放網路研磨墊。
10‧‧‧可硬化聚合物片或膜之輥
12‧‧‧(可硬化聚合物)片或膜
14‧‧‧能量源
15、134‧‧‧背襯層
16‧‧‧顯影站/清洗站
18‧‧‧噴水機
20、46、56、90‧‧‧乾燥機
30、34、86、88、122‧‧‧輥
32、36‧‧‧細長通道
40‧‧‧開放網路基板
42、54‧‧‧噴射器
44、58、74、76‧‧‧按壓輥
48‧‧‧分離輥
50‧‧‧反向輥
52‧‧‧噴蒸汽機
60‧‧‧開放網路研磨墊材料
70‧‧‧研磨基板
80‧‧‧第一背襯層
82、92‧‧‧側輥
94‧‧‧第二背襯層
96‧‧‧第三背襯層
110‧‧‧光可硬化膜
112‧‧‧成像單元
114a、114b‧‧‧步驟膜傳送單元
116‧‧‧緩衝輥
118‧‧‧顯影單元
120‧‧‧乾燥單元
122a、122b、122c、122d‧‧‧硬化膜
130‧‧‧組裝單元
132‧‧‧研磨基板
第1圖係說明一種形成成品原料之連續方法的示意圖。
第2圖係說明一種將成品原料轉換為開放網路研磨墊材料之連續方法的示意圖。
第3圖係說明無使用開放網路背襯層而將成品原料轉換為開放網路研磨墊材料之連續方法的示意圖。
第4圖係說明光可硬化聚合物之經對準成像及用於組合四顯影層之組裝單元之示意圖。
第5圖係根據實施例1所製造之形成於紡織基板上之開放網路研磨墊的SEM。
第6圖係根據實施例2所製造之形成於紡織基板上之開放網路研磨墊的SEM。
第7圖係根據實施例5所製造之形成於紡織基板上之開放網路研磨墊的SEM。
第8圖係根據實施例7所製造之形成於非紡基板上之開放網路研磨墊的SEM。
第9圖係根據實施例8所製造之形成於非紡基板上之開放網路研磨墊的SEM。
第10圖係根據實施例11所製造之無底基板之開放網路研磨墊的SEM。
第11圖係根據實施例12所製造之有固體底基板之開放網路研磨墊的SEM。
第12圖係根據實施例13所製造之無底基板之開放網路研磨墊的SEM。
本發明提供一種適用於研磨磁性基板、半導體基板及光學基板之至少一者之開放網路研磨墊之方法。具體而言，本發明使用可硬化聚合物之聚合物片或膜。該方法係將可硬化聚合物曝露於能量源以產生曝露圖案。該曝露圖案包含細長部。接著將聚合物片或膜黏貼至開放網路結構。該製程係用溶劑(如水)自中間體結 構移除與經曝露聚合物片或膜相鄰之聚合物。該製程於黏貼聚合物片或膜及傳送溶劑與聚合物通過開放網路基板後，移除聚合物片或膜之背襯層。或者，該製程係在將聚合物片或膜黏貼至開放網路基板前，用溶劑移除聚合物(在背襯層黏貼於聚合物片或膜之情況下)。藉此形成呈紋路圖案之穿過聚合物片或膜的細長通道，該紋路圖案相應於該曝露圖案。此方法允許形成單一研磨墊層或層疊兩層或多層之聚合物片或膜以形成之多層墊。
藉由先固定聚合物片或膜而形成中間體層狀片結構並接著添加該中間體結構至多孔基板，或是依序添加片狀層至多孔基板，皆可固定開放網路結構。於此等具體態樣中，多孔基板可提供研磨墊改善之彈性，以促進不平坦晶圓或晶圓內之困難形貌(topography)的研磨。當依序添加片狀層至多孔基板時，該方法包含將各具有背襯層之第一及第二聚合物片或膜中之至少一者曝露；黏貼第一層至多孔基板；黏貼第二層至第一層，接著於黏貼第二層片或膜至第一片或膜前自第一片或膜移除背襯層。於添加後續層前移除背襯層使網路於多層間形成開放通道。為了建構更大的開放網路，移除較早黏貼層之背襯層係提供該聚合物片或膜開放通道的位置。最後或頂部聚合物片或膜形成研磨表面。
視需要地，可不使用多孔基板而製造研磨墊。於此製程中，係於曝露後黏貼第一及第二聚合物片或膜而形成研磨墊。第一聚合物片或膜之圖案及第二聚合物片或膜之圖案交叉且第一聚合物片或膜支撐第二聚合物片或膜。源自第一聚合物片或膜之細長通道及源自第二聚合物片或膜之細長通道亦連接以形成層狀開放網路研磨墊，該墊以第一層形成用以黏貼至研磨平台之底層。該底層可藉由 黏合劑或最好藉由雙側壓感黏合劑黏貼至研磨層。此結構提供自頂部至底部之均勻的物理性質之優點且可改善墊之剛性及平坦化。
此外，該方法係包含多個溶劑曝露及乾燥步驟，或單一清洗及乾燥步驟。用於精細的通道或紋路之製程，較佳係以多個步驟顯影該等層。於此方法中，該溶劑(如水)於黏貼聚合物片或膜至開放網路基板前移除聚合物(在背襯層黏貼於該聚合物片或膜之情況下)。再者，較佳為於黏貼聚合物片或膜前乾燥該聚合物片或膜。此乾燥亦可提供部分硬化該聚合物片或膜之好處。帶有大通道時，係可於單一步驟中，以溶劑自多孔基板移除聚合物而顯影該聚合物。
顯影後，硬化該層狀開放網路研磨墊而固定層狀開放網路研磨墊。當固定多於一層之聚合物片或膜時，第一及第二片具有充分剛性以減少下垂(sagging)係重要的。該聚合物片或膜之部分硬化可減少下垂。再者，於聚合物片或膜之細長通道與平行面間形成正交關係係重要的。若過度曝露，那麼聚合物片或膜將橋接通道。且，若曝露不足，那麼該等片將於層間彎曲或下垂。當適當曝露及硬化時，該等層形成正交結構。正交網路結構具有垂直通道邊牆(side wall)及聚合物片或膜之水平頂表面與底表面。於特定溫度硬化該等層一段預先決定的時間，如0.5至4小時，鎖固其機械性質。由於研磨可發生於超過100℃的溫度，較佳為使用前硬化聚合物而非於使用時硬化該墊。
聚合物片或膜包含於可硬化有機材料(即，藉由曝露於光、機械、熱或其他能量源時可聚合或交聯之聚合物次單元(subunit)或材料)中之能量驅動黏結劑。能量驅動黏結劑包含胺基聚合物或胺基 塑膠類聚合物(aminoplast polymers)，如烷化脲-甲醛聚合物、三聚氰胺-甲醛聚合物、及烷化苯并胍胺(benzoguanamine)-甲醛聚合物；丙烯酸酯類(丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯兩類)，如丙烯酸烷基酯、環氧丙烯酸酯類、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、油丙烯酸酯、及丙烯酸化矽酮；乙烯基醚單體類或寡聚體類；乙烯醇類，如聚乙烯醇；醇酸聚合物類，如聚胺酯醇酸聚合物；聚酯聚合物類；活性聚胺酯聚合物類；羥基丁酸酯類，如聚(3-羥基丁酸酯)；酚聚合物類，如可溶酚醛樹脂(resole)及酚醛清漆樹脂(novolac resin)；酚/乳膠混合物類；環氧樹脂聚合物類，如雙酚環氧樹脂；異氰酯類；異氰脲酸酯類；聚矽氧烷聚合物類，包含烷基烷氧基矽烷聚合物。所得聚合物片或膜可為單體、寡聚物、聚合物或其組合之形式。每分子或寡聚物之胺基塑膠黏結劑前驅物具有至少一個側鏈α,β-未飽和羰基。研磨墊之水解及熱穩定性因材料而異。在熱穩定性方面，於研磨前硬化該墊係重要的。關於水解穩定性，完全硬化與開放網路結構之組合限制由尺寸改變引起之不利影響。相似地，多孔基板亦可調解與延長曝露於水有關之某些尺寸改變。
細長通道貫穿聚合物片或膜之厚度以形成開放網路研磨墊。此網路可含有可硬化聚合物之一層或多層片或膜。對於精細紋路(如具有特徵(feature)間之距離小於100微米之研磨層)而言，該網路較佳含有二層或多層經硬化層。對粗糙紋路(如具有於特徵間之距離大於100微米之該等研磨層)而言，該網路較佳含有於底層上之單層經硬化層。
本發明之方法使用多步驟，該等步驟係適用於連續、半連續 及批式製程。較佳地，該方法操作於連續或半連續輥對輥(roll-to-roll)製程中。參照第1圖，可硬化聚合物片或膜12之輥10係由可硬化材料，如光可硬化、熱可硬化或超音波可硬化聚合物組成。背襯層15(第2圖)，如聚酞酸乙二酯膜支撐可硬化聚合物片或膜12。
接著透過光罩(未顯示)或其它圖案產生裝置將膜曝露於能量源14，產生研磨層之圖案。該研磨層含有最終形成通道之細長部。層疊平行通道提供了允許層疊層間單純90度移轉之優點。較佳地，80至100度之轉動角提供層間充足的支撐。惟，圓形、螺旋形、彎曲螺旋形及低漿料通道需要位移以堆疊該等研磨層。能量源可為輻射，如光或電磁輻射、超音波(機械)能或熱能。最佳能源係與準直儀(collimation apparatus)或裝置，如拋物面反射器(parabolic reflector)或雷射光線有關之金屬鹵化物燈或氙氣燈。迅速曝露於光源硬化光可硬化聚合物。典型地，曝露於光線提供部分硬化，而曝露於熱提供最終硬化。
使用光罩或其它圖案產生裝置如電腦直接製版裝置(例如，但不限於購自瑞士Signtronic,AG之Stencilmaster、購自美國Kiwo,Inc.之Screensetter或購自瑞士Luscher,AG之Xpose)允許形成多紋路圖案組合。例如，可製造通道，該通道係相應於任何昔知溝槽圖案，如平行、X-Y座標、圓形、螺旋形、彎曲螺旋形、輻射形、低漿料或該等圖案之組合。最佳圖案係依所需之研磨應用及研磨層而異。此外，可製造各種尺寸之通道及貫穿多個層之大通道。該通道間距係依墊之物理性質、所使用之研磨液種類及被研磨之晶圓特性而異。針對層至層間最小中斷之常規研磨而言，該等通 道較佳為平行通道。再者，透過對準(registration)之使用，可藉由層疊對準之二層或多層製造深通道。於層疊層時，亦較佳為使奇數層對準且使偶數層對準。其促進均勻的頂部至底部之研磨性質。當此等交互層組成平行通道，較佳為細長通道與相鄰聚合物片或膜之細長通道間之正交關係。例如，第5至12圖顯示此關係。
硬化後，將經曝露之聚合物片或膜運送至顯影站16以移除未硬化之聚合物。顯影站16可使用任何適合溶劑(如水)以溶解及移除未硬化之聚合物。顯影站之典型實例為移除水溶性聚合物之超音波浴或噴水機(water jet)18。雖然有機溶劑適用於某些聚合物，水性基底溶劑及水係促進未硬化聚合物之迅速溶解。聚合物之移除形成貫穿片或膜12之厚度的細長通道。移除未硬化聚合物後，將該聚合物片或膜12運送至乾燥機20以移除多餘溶劑，接著送至收集輥30。
收集輥30含有與片或膜12之長度或機器方向垂直之細長通道32。製造具有垂直通道之輥30後，調整或轉動輻射源之光罩，將下一輥曝露於與片或膜12之長度或機器方向平行之能量。接著傳送該片或膜12經過清洗站16及乾燥機20，製造含有細長通道36之收集輥34。細長通道36與片或膜12之長度或機器方向平行。
製備垂直通道輥30及平行通道輥34後，下一步驟係自饋料來源(如，輥)添加開放網路基板40。開放網路基板40可具有紡織或非紡結構。較佳地，該開放網路基板含有用於黏貼至研磨平台之壓感黏合層。為了提供可壓縮性，開放網路基板具有充分多孔性以允許壓縮係重要的。此可壓縮性促進研磨變形或非平坦晶圓。為了連接垂直輥30至該開放網路結構，噴射器42噴灑輥30之經 曝露表面及開放網路基板40之頂表面。按壓(pinch)輥44及隨後之乾燥機46將材料連接在一起。接著係提供分離輥48來移除背襯層15。為了說明性目地，垂直通道片或膜及開放網路基板運送經過視需要的反向輥50以翻轉該片或膜。接著平行通道輥34透過使用噴蒸汽機52及按壓輥54組合垂直通道32(第1圖)與平行通道36(第1圖)。接著乾燥機56固定此連結，以及按壓輥58自開放網路研磨墊材料60分離背襯層15。最後，於連續烘箱硬化開放網路研磨墊材料60或呈輥而於批次烘箱中固定該材料之最終性質。於切割此最終硬化開放網路研磨墊材料60後可製造適合形狀及尺寸之研磨墊，如圓形研磨墊。
為了產生單一研磨層，該方法要麼省略添加平行通道輥34，要麼省略添加平行通道輥34而改以對準輥之方式添加，如多個垂直輥30及接續交替平行輥34。可添加具有各種通道構形之對準通道輥。為了增加層數，可簡單地交替垂直及平行通道至所欲層數。至於圓形、螺旋形、彎曲螺旋形及低漿料通道，必須於輥間位移通道。例如，各位移層具有於研磨墊之平面中間隔之中央軸，以提供對相鄰層之支撐。
視需要地，可於移動顯影站16及乾燥機20至位於添加最後輥之後的位置。此製程允許於單一步驟中移除未硬化聚合物。雖然此製程可更有效率，惟，以單獨方式顯影或部分硬化各輥可改善最終研磨層之均勻性及外貌。例如，部分顯影或硬化可減少片或膜12之下垂。
參照第3圖，垂直輥30可與一或多個平行輥34組合以形成缺少開放網路基板之研磨基板70。於此製程中，透過使用按壓輥 74、76及乾燥機78，以蒸汽組合垂直輥30與第一平行輥34。乾燥後，該方法使用側輥82分離第一背襯層80。移除背襯層80後，該基板被運送至第二平行輥34，其中輥86、88與乾燥機90將垂直輥34固定至基板，其中該等棒90度交替。乾燥後，側輥92移除第二背襯層94。最終研磨基板70包含用以支撐之第三背襯層96。按尺寸切割研磨基板70後，可移除背襯層96以固定研磨基板70至研磨平台(未顯示)或留下背襯層96並固定背襯層96至研磨平台。
參照第4圖，使用對準步驟膜傳送單元114a及114b將光可硬化膜110之輥運送經過成像單元112。步驟A中，成像單元112以45度角曝露兩個間隔開之區域。此兩單元曝露該單元長度的一半。步驟A後，於步驟B中使用步驟膜傳送單元114a及114b將光可硬化膜110運送四分之一距離。接著於步驟C中，該成像單元曝露該單元長度剩餘的一半。步驟C後，光可硬化膜110運送一個完整單元長度以準備重覆三步驟製程。緩衝輥116調整光可硬化膜110之整體速度為恆定速率。接著該膜110運送經過顯影單元118，於該處噴水器移除未曝露之聚合物。最後乾燥單元120硬化聚合物膜110並以輥122收集該經硬化聚合物膜。
於組裝單元130中，將硬化膜122a、122b、122c及122d之四輥組合而形成研磨基板132。此單元使用之一系列輥及黏合劑(如水或黏膠)來固定硬化膜122a、122b、122c及122d，並移除除了背襯層134外的所有背襯層。於組裝單元130後，將該膜切割至用於研磨操作之尺寸。
當層疊上述兩層時，較佳為分別對準奇數層疊層與偶數層疊 層。該對準方法係基於將光可硬化膜打孔並使用具有針的尺，以將膜與其它各膜排成一線。第一及第三層(及後續奇數層)係以相同方位及相同打孔機打洞，以保證所打孔處的固定相對位置。第二及第四層(及後續偶數層)亦以相似方式打孔，但係轉動90度的方向。接下來，使用亦使用具有針的尺打孔之光罩曝露各對光可硬化聚合物，使得每個曝露係以線圖案之相同相對位置方式進行。其結果係良好複製及於每個另一膜間有具有良好對準之線圖案。亦使用具有針的尺且光罩轉動90度，對偶數層進行相同加工。最後，將該尺再次用於組裝以保持該線圖案從一層至另一層之相對位置固定。
實施例
以一系列十三個實施例說明將光可硬化片或膜轉換為有用之研磨材料之方法。以一系列十個實施例說明使用本發明之製程所達到的製造彈性。表1係總結實施例如下： 測試之材料及所用之曝露時間如下列表2所列示：
實施例1
此實施例係關於透過使用開放網路基板及光可硬化膜形成開放網路墊。首先，於鋁框以20牛頓/米(N/m)拉伸205網目(75.5μm)之紡織聚酯纖維基板，以自該基板去除任何皺紋。較佳地，以市售的網版印刷去汙劑清洗及去除該聚酯基板之任何灰塵或污漬。由於灰塵及髒汙會防止光可硬化膜與該紡織基板之聚酯纖維間的良好接觸，此步驟係重要的。接著以乾淨的水潤濕紡織基板並夠斜使多餘的水流下。接著，將Ulano光可硬化膜CDF QT50(如送達時黏貼至其美拉聚對酞酸乙二酯(Mylar polyethylene terephthalate)保護性片之膜)以光可硬化膜之未受保護側朝外之方式展開。將該輥施加於紡織基板頂部，接著施加些許適度的壓力向下鋪開。此壓力組合上該紡織基板之濕表面係保證該等元件(component)有暫時性連結。此暫時性連結形成具有充足「生胚強度」(green strength)之組裝件以在輸送期間固定該等元件。該組裝 件於35℃之空氣中乾燥1小時以允許將該保護性美拉PET膜剝除。接著將與紡織網相異側之光可硬化膜之表面與光罩接觸，該光罩係透明美拉片且帶有不透光標記，並將之曝露於光源。列示於表2之曝露時間足以硬化該膜。紫外光源係購自Nuarc之MSP 3140 UV曝露單元之金屬鹵化物燈，其係透過Infinite Graphics所製之光罩(具特殊圖案設計，如節距與間隔之線圖案)曝露45秒。接著使用電動壓力清洗機顯影該層，該電動壓力清洗機使用1500磅/平方英吋(psi)(10.3MPa)之標準壓力並饋送自來水。最佳地，該清潔以去離子水及過濾水實施。接著將該組裝件置於35℃，1小時而完全乾燥。後續層係於多步驟中以相同方式建構。1)將光可硬化膜浸於自來水10秒以使水均勻覆蓋並立即層合於線圖案表面上。最佳為浸於去離子水及過濾水中。2)將該組裝件於35℃乾燥1小時以固定該層疊元件。3)於乾燥及固定該層疊元件後，成像及顯影經固定之多層。成像步驟係轉動細長部90度以確保多個部間有支撐。4)添加第二層後，於35℃乾燥1小時係提供部分硬化或顯影以減少下垂。該部分硬化或顯影形成用於建構下一層之穩定基座，係因乾燥基座將較佳地黏貼至施加於其上之新添加濕層。第5圖說明設置於紡織基板上之開放網路最終產物。
實施例2
此實施例係關於透過使用黏合劑形成開放網路墊以形成開放網路基板。具體而言，該方法藉由以膠黏合光可硬化聚合物膜至紡織網基板來建構結構化之墊。於鋁框架上，以15至20 N/m拉伸305網目(56.6μm)之紡織聚酯纖維以自該基板去除任何皺紋。以市售的網版印刷去汙劑清洗及去除該聚酯基板之灰塵或污漬。 此清潔步驟促進紡織網與光可硬化膜間之接觸及後續黏合。接著將Ulano CDF QT50光可硬化膜(約60μm厚)置於該紡織基板頂部，且其邊緣黏貼至該聚酯紡織基板或鋁框架。黏貼該紡織基板之剩餘部份係防止自下一步驟溢流(spillage)之預防措施。該下一步驟係施加些許光乳劑至該網的一側。接著將光乳劑漿(photoemulsion puddle)自頂部至底部用橡膠滾壓。光乳劑係具有些許用於在輻射下更迅速交聯之添加的重氮敏感劑之光敏感QLT乳劑。藉由橡膠滾壓往下牽引，該乳劑填滿聚酯紡織基板之孔洞且與黏貼其它光可硬化膜之光可硬化膜接觸。使該組裝件於35℃乾燥1小時。接著光可硬化聚合物膜之保護性聚酞酸乙二酯片剝除。接著使用描述於表2之曝露時間及實施例1所闡述者，以50秒曝露該組裝件，接著以相似方式顯影並乾燥。以水洗去未曝露之光乳劑，而留於紡織基板上之經交聯之光乳劑將該經光硬化之膜鎖固至該紡織基板。第6圖說明設置於紡織基板上之開放網路最終產物。
實施例3
使用約100μm厚之SaatiChem Thik Film光可硬化膜之底層的製備，係如實施例2所述方法以120秒曝露時間實現。透過多步驟添加光可硬化膜之後續層。首先，層合第二光可硬化膜層需潤濕該光可硬化膜與該第二層間之界面。最重要的觀點係於該第二光可硬化膜之表面達到均勻的水分吸收。
噴水無法提供足夠良好之產物，但在水中完全浸漬光可硬化膜8至10秒的期間係提供用以均勻黏合第二光可硬化層之均勻潮濕性及充分吸收。此濕層合後，於35℃乾燥該組裝件(框架上之紡 織網加上兩層體)1小時。接著第二層之保護性美拉聚酞酸乙二酯片剝除，且使用描述於表2之曝露時間，將該層透過相較於第一層為轉動90度角的光罩曝露於UV輻射線。接著如第一層，以壓力清洗機顯影第二光學可硬化聚合物膜，並使其於35℃乾燥1小時。
實施例4
使用約100μm厚之Ulano CDF QT100光可硬化膜之底層的製備係如實施例2所述方法實現。進行多步驟添加Ulano CDF QT100光可硬化膜之後續層。1)將第二光可硬化聚合物膜置於Nuarc MSP 3140 UV曝露單元之玻璃平板上，該光可硬化側朝上而該保護性美拉聚酞酸乙二酯片朝下。2)接下來，將底層黏貼至該聚酯紡織網，然後置於Nuarc UV曝露單元中之可硬化聚合物膜上，且由大間隔片立起。接著，使用市售水蒸汽清淨機噴灑蒸汽至此組裝件之兩側50秒，並層合一起。該組裝件之配置將兩元件帶往一起並於兩層間藉由曝露單元的真空橡膠膜施加均勻壓力。3)接著，破真空且自該儀器移除該組裝件，並於35℃乾燥1小時。4)使用描述於表2之曝露時間曝露第二層且如實施例3所述的顯影並乾燥。5)重複用於第二層之步驟來層合後續層。
實施例5
使用約110μm厚之Ulano CDF QT100光可硬化膜之底層之製備係如實施例2所述方法實現。如下述進行添加Ulano CDF QT100光可硬化膜之後續層。使用表2指定之曝露時間透過光罩曝露第二光可硬化聚合物膜，並帶著其保護性片進行顯影。將所得之經圖案化的光可硬化聚合物膜置於平桌頂端，該光可硬化膜朝上而 該保護性美拉聚酞酸乙二酯片朝下。接著以該光可硬化膜朝上方式將與聚酯紡織基板黏合之底層置於第二層旁。接著將該組裝件之兩側皆噴灑Ulano硬化劑D光可硬化膜硬化劑。接著將該兩元件於Nuarc曝露單元之真空膜系統中層合在一起，以該曝露單元之真空橡膠膜處理60秒，而於兩層間施加均勻壓力。接著破真空且自該儀器移除該組裝件，並於35℃乾燥1小時。重複用於第二層之步驟來製備及層合後續層。第7圖說明設置於紡織基板上之開放網路最終產物。
實施例6
使用約60μm厚之Ulano CDF QT50光可硬化膜如實施例2所述方法及表2指定之曝露時間而實現底層之製備。進行經修飾之步驟而添加Ulano CDF QT50光可硬化膜之後續層。1)將光可硬化膜平放，並使用於鋁框架張力下之200網目(74μm)的紡織聚酯纖維沉積之光可硬化Ulano QTX光乳劑之薄膜。2)透過該網橡膠滾壓光乳劑，並使用橡膠輥提供之輕微壓力層何該平的光可硬化聚合物膜。光可硬化聚合物與液體光乳劑間之適當壓力係提供緊密接觸，但過高壓力可能導致大量光乳劑自該桿與平面間之接觸區擠出。因此，此製程係使用減少之壓力。3)接著，該組裝件於35℃乾燥1小時，使用描述於表2之曝露時間曝露之且如實施例1所述般顯影並乾燥之。4)重複用於第二層之步驟層合後續層。
實施例7
此實施例之底層係購自Crane&Co.Inc.(道爾頓，MA)之CU 632 UF非紡聚酯片材料。使用網版印刷框架與200網目(74μm)之聚酯紡織纖維將Elmer's® 多目的膠施加於該非紡纖維材料之面 上。將該鋁框架置於非紡片頂部且將Elmer's® 膠分注於該網區域之頂部。接著透過該網的孔洞橡膠滾壓膠，並自表面移除該框架。於所得之膠薄層上，使用描述於表2之曝露時間曝露光可硬化聚合物面並緩慢壓下村上(日本)照片之光可硬化聚合物膜MS100顯影之。使該組裝件於35℃乾燥1小時，且將MS 100保護性片剝除。使用Elmer's® 多目的膠之相同沉積方法將第二層黏於第一層。第8圖說明設置於非紡基板上之開放網路最終產物。
實施例8
使用描述於表2之曝露時間透過光罩曝露約100μm厚之Ulano CDF QT100光可硬化膜，接著使用自來水，以電動清洗機顯影之，且於乾燥櫃中35℃乾燥1小時。將光乳劑Ulano QLT光乳劑沉積於線圖案之表面上，該線圖案係藉由使用200網目(74μm)紡織纖維及橡膠滾壓產生之。該網版平放於膜表面且壓下，而將乳劑透過紡織基板推出。接著將該光可硬化膜壓於Pellon,Saint Petersburg，FL所製之聚酯非紡網上。光乳劑之迅速乾燥需要光可硬化膜快速層合於網上。接著使該組裝件於35℃乾燥1小時。Ulano光可硬化膜之保護性美拉聚酞酸乙二酯背襯片剝除。第9圖說明設置於非紡基板上之開放網路最終產物。
實施例9
光可硬化膜係約80μm厚之Chromaline Magnacure 70® 。使用描述於表2之曝露時間，如實施例2所述般成像及顯影各層。使用實施例7所述之相同方法將第一層黏合至基板。使用實施例5所述之Ulano硬化劑D® 組裝第二層及上方。
實施例10
使用描述於表2之曝露時間曝露約100μm厚之村上(日本)MS100® 之光可硬化膜。使用實施例7所述之相同方法將第一層黏合至底層。使用實施例5所述之村上硬化劑AB® 組合第二層及上方。
實施例11
使用描述於表2之曝露時間，透過光罩曝露兩個Fotec Topaz 50光可硬化聚合物膜，且其帶著固定於其下側之保護性片顯影。將所得具有圖案之光可硬化膜置於平桌上，該經曝露膜朝上而該保護性美拉聚酞酸乙二酯片朝下。
接著於此組裝件之兩側噴灑Ulano硬化劑D(市售聚合物膜硬化劑)。接著將該兩元件於Nuarc曝露單元之真空膜系統中層合在一起，以設定曝露時間為60秒之曝露單元之真空橡膠膜，於兩層間施加均勻壓力。接著破真空且自該儀器移除該組裝件，並於35℃乾燥1小時。重複上述用於第二層之步驟製備與層合後續層。第10圖說明無使用底基板之經黏合之開放網路最終產物。
實施例12
使用描述於表2之曝露時間曝露光可硬化Ulano CDF QT 100膜且於其背襯層上進行顯影，並於35℃乾燥1小時。接著將該兩元件於Nuarc曝露單元之真空膜系統中層合在一起，以設定曝露時間為270秒之該曝露單元之真空橡膠膜於兩層間施加均勻壓力。接著破真空且自該儀器移除該組裝件。將該三明治結構置於玻璃平板間且使用紙夾將整個組裝件固定在一起，將之留於烘箱，於95℃乾燥16小時。接著可自美拉聚酞酸乙二酯保護性背襯層剝離所得之雙層結構。第11圖說明黏合於固體底基板上之開 放網路最終產物。
實施例13
已使用描述於表2之曝露時間來成像自支撐光可硬化膜，並使用實施例12之光罩及曝露單元於其保護性聚酞酸乙二酯美拉片上顯影之。接著使用市售之蒸汽機Deluxe Portable Steam Pocket SC650 Shark將各層曝露於蒸汽各50秒。接著將光可硬化膜輕壓在一起並在乾燥櫃中35℃乾燥整夜。接著自一側剝除保護性美拉聚酞酸乙二酯片。使用描述於表2之曝露時間，重覆該等蒸汽處理光可硬化膜步驟，並顯影層體，可添加額外層體。第12圖說明無使用底基板之開放網路最終產物。
110‧‧‧光可硬化膜
112‧‧‧成像單元
114a、114b‧‧‧步驟膜傳送單元
116‧‧‧緩衝輥
118‧‧‧顯影單元
120‧‧‧乾燥單元
122‧‧‧輥
122a、122b、122c、122d‧‧‧硬化膜
130‧‧‧組合單元
132‧‧‧研磨基板
134‧‧‧支撐層

Claims (10)

  1. 一種形成適用於研磨磁性基板、半導體基板及光學基板之開放網路研磨墊之方法，係包括：a)提供可硬化聚合物之聚合物片或膜，該聚合物片或膜具有厚度及黏附於該聚合物片或膜之可剝離背襯層；b)產生中間體結構，係藉由以圖案產生裝置將該聚合物片或膜曝露於能量源，以於該聚合物片或膜中產生曝露圖案，該曝露圖案具有曝露於該能量源之細長部；c)將開放網路基板黏貼至該中間體結構之含有可剝離背襯層之經曝露聚合物片或膜；以及d)藉由下述(i)或(ii)而用溶劑自該聚合物片或膜移除與該中間體結構之經曝露聚合物片或膜的曝露圖案相鄰之聚合物：(i)在該經曝露聚合物片或膜之中間體結構黏附至該開放網路基板之情況下，剝除該聚合物片或膜之該可剝離背襯層，及傳送溶劑與來自該聚合物片或膜且與該聚合物片或膜的曝露圖案相鄰之該聚合物通過該開放網路基板，或是(ii)於將該聚合物片或膜黏貼至該開放網路基板前，在該可剝離背襯層黏附至該聚合物片或膜之情況下，用該溶劑自該聚合物片或膜移除與該聚合物片或膜的曝露圖案相鄰之該聚合物，接著，於將該經曝露聚合物片或膜之該中間體結構黏貼至該開放網路基板後，剝除該可剝離背襯層，該(i)或(ii)各形成呈紋路圖案之穿過聚合物片或膜之細長通道，該紋路圖案係對應於具有支撐該聚合物片或膜之暴露圖案之開放網路的該曝露圖案，該細長通道貫穿該聚合物片或膜之厚度以形成該開 放網路研磨墊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該曝露係至少包含各具有可剝離背襯層之第一及第二聚合物片或膜，並包含先黏貼該第一聚合物片或膜至該開放網路基板，接著將該第二聚合物片或膜黏貼至該第一聚合物片或膜，以及於將該第二聚合物片或膜黏貼至該第一聚合物片或膜前自該第一聚合物片或膜移除該可剝離背襯層之額外步驟，以在該第一及第二聚合物片或膜及該開放網路研磨墊間形成開放網路。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該將聚合物片或膜曝露於能量源之步驟係包含透過光罩傳遞或呈直接圖案之準直光以形成該曝露圖案。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該曝露係以該曝露圖案具有平行通道之方式形成該曝露圖案。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該方法包含於將該聚合物片或膜黏貼至該開放網路基板前，在該可剝離背襯層黏附至該聚合物片或膜之情況下用該溶劑自該聚合物片或膜移除該聚合物，且包含於將該聚合物片或膜黏貼至該開放網路基板前乾燥該聚合物片或膜之額外步驟。
  6. 一種形成適用於研磨磁性基板、半導體基板及光學基板之至少一者之開放網路研磨墊之方法，係包括：a)提供可硬化聚合物片或膜，該聚合物片或膜具有厚度及黏附於該聚合物片或膜之可剝離背襯層；b)產生中間體結構，係藉由以圖案產生裝置將該聚合物片或膜曝露於光源，以於該聚合物片或膜中產生曝露圖案， 該曝露圖案具有曝露於該能量源之細長部；c)將開放網路基板黏貼至該中間體結構之含有可剝離背襯層之經曝露聚合物片或膜；以及d)藉由下述(i)或(ii)而用溶劑自該聚合物片或膜移除與該中間體結構之經曝露聚合物片或膜的曝露圖案相鄰之聚合物：(i)在該經曝露聚合物片或膜之中間體結構黏附至該開放網路基板之情況下，剝除該聚合物片或膜之該可剝離背襯層，及傳送溶劑與來自該聚合物片或膜且與該聚合物片或膜的曝露圖案相鄰之該聚合物通過該開放網路基板後，移除該聚合物片或膜之背襯層，或是(ii)於將該聚合物片或膜黏貼至該開放網路基板前，在該可剝離背襯層黏附至該聚合物片或膜之情況下，用該溶劑自該聚合物片或膜移除與該聚合物片或膜的曝露圖案相鄰之該聚合物，接著，在將該被曝露之聚合物片或膜黏貼至該開放網路基板之後，於將該經曝露聚合物片或膜之該中間體結構黏貼至該開放網路基板後，剝除該可剝離背襯層，該(i)或(ii)各具有呈紋路圖案之穿過聚合物片或膜之細長通道，該紋路圖案係對應於具有支撐該聚合物片或膜之暴露圖案之開放網路的該曝露圖案，該細長通道貫穿該聚合物片或膜之厚度；以及e)硬化該聚合物片或膜以黏貼該聚合物片或膜至該開放網路基板而形成該開放網路研磨墊。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該將聚合物片或膜曝露於能量源之步驟係包含透過光罩傳遞或呈直接圖案之準直光以形成該曝露圖案。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該曝露係以該曝露圖案具有平行通道之方式形成該曝露圖案，且該研磨墊包含具有對準之平行通道之層以形成深通道。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該曝露係以該曝露圖案具有交互奇數及偶數曝露圖案之方式形成該曝露圖案，且該奇數及偶數曝露圖案與其分別之曝露圖案對準。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該方法包含於將該聚合物片或膜黏貼至該多孔開放網路基板前，在該可剝離背襯層黏附至該聚合物片或膜之情況下用該溶劑自該聚合物片或膜移除該聚合物，且包含於將該聚合物片或膜黏貼至該開放網路基板前乾燥該聚合物片或膜之額外步驟。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100112919A1 (en) * 2008-11-03 2010-05-06 Applied Materials, Inc. Monolithic linear polishing sheet
US9108291B2 (en) * 2011-09-22 2015-08-18 Dow Global Technologies Llc Method of forming structured-open-network polishing pads
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
KR102436416B1 (ko) 2014-10-17 2022-08-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 ｃｍｐ 패드 구성
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
US11179822B2 (en) * 2017-08-31 2021-11-23 Hubei Dinghui Microelectronics Materials Co., Ltd Polyurethane polishing layer, polishing pad comprising polishing layer, method for preparing polishing layer and method for planarizing material
CN108890546B (zh) * 2018-06-05 2020-06-26 江苏大学 一种金刚石磨片的自动化生产线
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US12006442B2 (en) 2019-09-11 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing of polishing pads
US11813712B2 (en) 2019-12-20 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Polishing pads having selectively arranged porosity
US11806829B2 (en) 2020-06-19 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5554336A (en) * 1984-08-08 1996-09-10 3D Systems, Inc. Method and apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
TW567114B (en) * 2000-12-01 2003-12-21 Toyo Boseki Polishing pad and manufacture method thereof and buffer layer for polishing pad
TW200910443A (en) * 2007-08-16 2009-03-01 Rohm & Haas Elect Mat Layered-filament lattice for chemical mechanical polishing

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5474719A (en) 1991-02-14 1995-12-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for forming solid objects utilizing viscosity reducible compositions
WO1998030356A1 (en) 1997-01-13 1998-07-16 Rodel, Inc. Polymeric polishing pad having photolithographically induced surface pattern(s) and methods relating thereto
US5965460A (en) 1997-01-29 1999-10-12 Mac Dermid, Incorporated Polyurethane composition with (meth)acrylate end groups useful in the manufacture of polishing pads
US6217432B1 (en) 1998-05-19 2001-04-17 3M Innovative Properties Company Abrasive article comprising a barrier coating
WO2001053040A1 (en) * 2000-01-19 2001-07-26 Rodel Holdings, Inc. Printing of polishing pads
US6656019B1 (en) * 2000-06-29 2003-12-02 International Business Machines Corporation Grooved polishing pads and methods of use
CN100496896C (zh) * 2000-12-01 2009-06-10 东洋橡膠工业株式会社 研磨垫
US20040259479A1 (en) * 2003-06-23 2004-12-23 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad for electrochemical-mechanical polishing
JP2005074614A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Nitta Haas Inc 研磨パッドの製造方法および研磨パッド
US7604529B2 (en) 2006-02-16 2009-10-20 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Three-dimensional network for chemical mechanical polishing
US7503833B2 (en) 2006-02-16 2009-03-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Three-dimensional network for chemical mechanical polishing
US7635290B2 (en) 2007-08-15 2009-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interpenetrating network for chemical mechanical polishing
US7530887B2 (en) 2007-08-16 2009-05-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with controlled wetting
US7828634B2 (en) 2007-08-16 2010-11-09 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interconnected-multi-element-lattice polishing pad
JP2011143533A (ja) * 2009-12-16 2011-07-28 Toray Ind Inc 研磨パッドおよび半導体ウエハの研磨方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5554336A (en) * 1984-08-08 1996-09-10 3D Systems, Inc. Method and apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
TW567114B (en) * 2000-12-01 2003-12-21 Toyo Boseki Polishing pad and manufacture method thereof and buffer layer for polishing pad
TW200910443A (en) * 2007-08-16 2009-03-01 Rohm & Haas Elect Mat Layered-filament lattice for chemical mechanical polishing

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