TWI473410B - 非隔離型雙向直流／直流轉換器 - Google Patents
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Description
本發明是有關於一種非隔離型態的電源轉換器，且特別是有關於一種非隔離型雙向直流/直流轉換器。
一般脈波寬度調變技術所實施的電源轉換器，大部分為硬式切換，其開關端電壓和電流波形如圖1所示，圖1繪示為先前技術的脈波寬度調變實施的電源轉換器之開關導通與截止時的波形圖。請參考圖1，其中，V表示金屬半導體場效應電晶體開關的VDS(源極對汲極電壓)波形，I表示金屬半導體場效應電晶體開關的IDS(源極對汲極電流)波形。上述兩波形因為彼此互相重疊且不等於零，所以造成開關有較高的切換損失，以及開關在導通或截止暫態有極大的變動，於是產生極大的dv/dt或di/dt雜訊，造成嚴重的電磁干擾現象。
為了改進硬式切換產生的問題，便發展出緩振電路(Snubber Circuit)。先前技術，最常使用的緩振電路也就是所屬技術領域常用的RCD電路(電阻、電容、二極體)。此種電路主要是轉移漏電感的能量到電容上，並藉由電阻放電。但是，此種RCD電路本身會有靜態功率消耗，且電壓電流諧振仍然存在，只是被減緩。
為了更加改進硬式切換產生的問題，柔性切換技術便被提出。柔性切換(Soft Switching)的基本概念，即是縮小開關切換暫態時，電壓電流的重疊面積，甚至使重疊面積為零，達到切換損失為零。當開關電晶體轉態截止時，
電流IDS先下降至零後，電壓VDS才開始上升，如此便不會讓開關的截止電流與電壓波形重疊而產生截止暫態的切換損失，這種方式，稱之為零電流切換(Zero Current Switching，ZCS)；當開關電晶體轉態導通時，電壓VDS先下降到零，接著電流IDS才開始上升，使得導通電流不與端電壓波形產生重疊而造成導通暫態切換損失，這種方式稱之為零電壓切換(Zero Voltage Switching，ZVS)。
以往的研究提出的緩振器(snubber)大多只針對單向性直流/直流轉換器(轉換器的輸入端與輸出端為固定的，不可變換)，而用於雙向直流/直流轉換器的緩振器，也只有在降壓或者是升壓才對開關有緩振或軟切換效果，無法使兩種操作都可以有緩振或是軟切換。
本發明的目的是提供一種非隔離型雙向直流/直流轉換器，用以減少開關的切換損失，增加電路效率，使轉換器的開關無論是在降壓或升壓操作皆有柔性切換的效果。
為了達成本發明的上述目的及其他目的，本發明提出一種非隔離型雙向直流/直流轉換器。此非隔離型雙向直流/直流轉換器可用以由輸入節點對輸出節點進行降壓，或由輸出節點對輸入節點進行升壓，此非隔離型雙向直流/直流轉換器包括一直流對直流轉換電路、一控制電路以及一主動式緩振器。上述直流對直流轉換電路包括一輸入側電容、一第一切換元件、一第二切換元件、一第一電感以及一輸出側電容。上述主動式緩振器包括一第一電晶體開關、一第二電感以及一第二電晶體開關。
輸入側電容包括一第一端以及一第二端，其中，上述輸入側電容的第一端耦接該輸入側節點，上述輸入側電容的第二端耦接一共接電壓。第一切換元件包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，上述第一切換元件的第一端耦接輸入節點，其中，上述第一切換元件具有一第一本體二極體，其中第一本體二極體耦接在第一切換元件的第一端與第一切換元件的第二端之間。第二切換元件包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，上述第二切換元件的第一端耦接該第一切換元件的第二端，上述第二切換元件的第二端耦接一共接電壓，其中，上述第二切換元件具有一第二本體二極體，其中第二本體二極體耦接在第二切換元件的第一端與第二切換元件的第二端之間。第一電感包括一第一端以及一第二端，其中，第一電感的第一端耦接第一切換元件的第二端與第二切換元件的第一端，第一電感的第二端耦接輸出節點。輸出側電容包括一第一端以及一第二端，其中，輸出側電容的第一端耦接第一電感的第二端與輸出節點，輸出側電容的第二端耦接該共接電壓。
第一電晶體開關包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，上述第一電晶體開關的第一端耦接第一切換元件的第一端，其中，上述第一電晶體開關具有一第三本體二極體，其中第三本體二極體耦接在第一電晶體開關的第一端與第一電晶體開關的第二端之間。第二電感包括一第一端以及一第二端，其中，第二電感的第一端耦接第一切換元件的第二端，第二電感的第二端耦接第一電晶體開關的第二端。第二電晶體開關包括一第一端、一第二端以及
一控制端，其中，上述第二電晶體開關的第一端耦接上述第二電感的第二端，上述第二電晶體開關的第二端耦接第二切換元件的第二端，其中，上述第二電晶體開關具有一第四本體二極體，其中第四本體二極體耦接在第二電晶體開關的第一端與第二電晶體開關的第二端之間。控制電路耦接第一切換元件的控制端、第二切換元件的控制端、第一電晶體開關的控制端以及第二電晶體的控制端。
當進行一降壓模式時，第二切換元件與第二電晶體開關維持截止，控制電路依照輸出節點的負載狀態控制第一切換元件，其中，在第一切換元件導通前一第一預設時間，控制電路控制第一電晶體開關導通，並且在第一切換元件導通後一第二預設時間，控制電路控制該第一電晶體開關截止。
當進行一升壓模式時，第一切換元件與第一電晶體開關維持截止，控制電路依照輸入節點的負載狀態控制第二切換元件，其中，在第二切換元件導通前第一預設時間，控制電路控制第二電晶體開關導通，並且在第二切換元件導通後第二預設時間，控制電路控制該第二電晶體開關截止。
本發明的精神主要是在升壓與降壓共用電路的兩個開關上，同時額外並聯開關與電感。藉此，兩個開關的寄生電容所儲存的能量會被轉移到並聯的電感上，使兩個開關分別在切換的時候是處於零電壓的狀態。換句話說，就是零電壓切換。因此，藉由此種柔性切換的方式，可以大大的降低切換損失(Switching Loss)以及電磁干擾(EMI)，同時，也增加了電路的轉換效率。
為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。
在下文中，將藉由圖式說明本發明之實施例來詳細描述本發明，而圖式中的相同參考數字可用以表示類似的元件。
(第一實施例)
圖2繪示為具有本發明實施例的具有主動式緩振器的非隔離型雙向直流/直流轉換器之電路圖。請參考圖2，此非隔離型雙向直流/直流轉換器包括一直流對直流轉換電路201、一控制電路202以及一主動式緩振器203。上述直流對直流轉換電路201包括一輸入側電容C01、一第一切換元件SW1、一第二切換元件SW2、一第一電感L1以及一輸出側電容C02。上述主動式緩振器203包括一第一電晶體開關MA、一第二電感L2以及一第二電晶體開關MB。
輸入側電容C01包括一第一端以及一第二端，其中，上述輸入側電容C01的第一端耦接輸入側節點N1，上述輸入側電容C01的第二端耦接一共接電壓VCOM。第一切換元件SW1包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，上述第一切換元件SW1的第一端耦接輸入節點N1，其中，上述第一切換元件SW1具有一本體二極體，其中本體二極體耦接在第一切換元件的第一端與第一切換元件的第二
端之間。第二切換元件SW2包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，上述第二切換元件SW2的第一端耦接第一切換元件SW1的第二端，上述第二切換元件SW2的第二端耦接一共接電壓VCOM，其中，上述第二切換元件SW2具有本體二極體，其中本體二極體耦接在第二切換元件SW2的第一端與第二切換元件的第二端之間。第一電感L1包括一第一端以及一第二端，其中，第一電感L1的第一端耦接第一切換元件SW1的第二端與第二切換元件SW2的第一端，第一電感L1的第二端耦接輸出節點N2。輸出側電容C02包括一第一端以及一第二端，其中，輸出側電容C02的第一端耦接第一電感的第二端與輸出節點，輸出側電容C02的第二端耦接共接電壓VCOM。
第一電晶體開關MA包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，上述第一電晶體開關MA的第一端耦接第一切換元件的第一端，其中，上述第一電晶體開關MA具有本體二極體，其中本體二極體耦接在第一電晶體開關MA的第一端與第一電晶體開關MA的第二端之間。第二電感L2包括一第一端以及一第二端，其中，第二電感L2的第一端耦接第一切換元件SW1的第二端，第二電感L2的第二端耦接第一電晶體開關MA的第二端。第二電晶體開關MB包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，上述第二電晶體開關MB的第一端耦接上述第二電感L2的第二端，上述第二電晶體開關MB的第二端耦接第二切換元件的第二端，其中，上述第二電晶體開關MB具有本體二極體，其中本體二極體耦接在第二電晶體開關MB的第一端與第二電晶體開關MB的第二端之間。控制電路202耦接第
一切換元件SW1的控制端、第二切換元件SW2的控制端、第一電晶體開關MA的控制端以及第二電晶體開關MB的控制端。
在此例中，第一切換元件SW1、第二切換元件SW2、第一電晶體開關MA以及第二電晶體開關MB都是以功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(Power MOSFET)實施。因此，由於其製程的緣故，在電路上都會有並聯的本體二極體。由於電源供應電路上一般都會有電感的存在，電感的電流必須要連續。當功率金屬氧化物半導體場效應電晶體截止時，其本體二極體將會發揮作用，導引電源供應電路的電感之電流。
由於此電路係屬於雙向直流/直流轉換器，因此，此電路可以從左側N1供應電力給右側N2，或從右側N2供應電力給左側N1。左側供電時，是採用降壓模式。右側供電時，是採用升壓模式。此種型態的電路的應用大部分是在高功率、再生能源、或輔助電源充放電時使用。以下分為降壓模式與升壓模式進行對電路運作的說明。
當此電路運作在降壓模式時，控制電路202控制第二切換元件SW2與第二電晶體開關MB截止。所屬技術領域具有通常知識者應當可以看出，第一切換元件SW1、第二切換元件SW2的本體二極體、第一電感L01以及輸出側電容C02構成了一個降壓電路。
接下來，如圖3所示，圖3繪示為本發明實施例的降壓模式的主要操作波形。請同時參考圖3與圖2，VGS(buck)
就是第一切換元件SW1的導通/截止波形；VGS(MA)
就是第一電晶體開關MA的導通/截止波形；VDS(buck)
就是第一切
換元件SW1的第一端與第二端之間的電壓變化波形；IDS(buck)
就是第一切換元件SW1的第一端與第二端之間的電流變化波形；IL
就是第二電感L2的第一端與第二端之間的電流變化波形。
第一切換元件SW1是受到控制器202所輸出的脈波寬度調變訊號來控制，此脈波寬度調變訊號係根據負載狀態決定其責任週期。由於此為先前技術，故不予贅述。由此波形圖，可以注意到，在第一切換元件SW1被導通(t1時間)前，也就是t0時間，第一電晶體開關MA先被導通，此時，第一切換元件SW1的寄生電容所儲存的能量會透過第一電晶體開關MA被轉移到第二電感L2，因此t0~t1時間，VDS(buck)
會下降。當能量釋放完畢，VDS(buck)
降為零電壓。當t1時間時，第一切換元件SW1被導通，此時，藉由波形圖可以看出，VDS(buck)
的電壓為0。因此，依照P=IV，電壓為0，功率消耗也為0。藉此，達到柔性切換的功效。在t2時間時，第一電晶體開關MA截止，第二電感L2的電感電流IL
必須保持連續，因此，電流會透過第二電晶體開關MB的本體二極體流動。
同樣的道理，當此電路運作在升壓模式時，控制電路202控制第一切換元件SW2與第一電晶體開關MB截止。所屬技術領域具有通常知識者應當可以看出，第二切換元件SW2、第一切換元件SW1的本體二極體、第一電感L01以及輸出側電容C02(由右側供應電力到左側)構成了一個升壓電路。
接下來，如圖4所示，圖4繪示為本發明實施例的升壓模式的主要操作波形。請同時參考圖4與圖2，VGS(boost)
就是第二切換元件SW2的導通/截止波形；VGS(MB)
就是第二電晶體開關MB的導通/截止波形；VDS(boost)
就是第二切換元件SW2的第一端與第二端之間的電壓變化波形；IDS(boost)
就是第二切換元件SW2的第一端與第二端之間的電流變化波形；IL
就是第二電感L2的第一端與第二端之間的電流變化波形。
第二切換元件SW2是受到控制器202所輸出的脈波寬度調變訊號來控制，此脈波寬度調變訊號係根據負載狀態決定其責任週期。由於此為先前技術，故不予贅述。由此波形圖，可以注意到，在第二切換元件SW2被導通(t1時間)前，也就是t0時間，第二電晶體開關MB先被導通，此時，第二切換元件SW2的寄生電容所儲存的能量會透過第二電晶體開關MB被轉移到第二電感L2，因此t0~t1時間，VDS(boost)
會下降。當能量釋放完畢，VDS(boost)
降為零電壓，。在t1時間時，第二切換元件SW2被導通，此時，藉由波形圖可以看出，VDS(boost)
的電壓為0。因此，依照P=IV，電壓為0，功率消耗也為0。藉此，達到柔性切換的功效。在t2時間時，第二電晶體開關MB截止，第二電感L2的電感電流IL
必須保持連續，因此，電流會透過第一電晶體開關MA的本體二極體流動。
所屬技術領域具有通常知識者應當知道，本案之切換元件SW1、SW2及電晶體開關雖然是使用功率金屬半導體場效應電晶體(Power MOSFET)實施，然切換元件SW1、SW2及電晶體開關並不限於功率金屬半導體場效應電晶體(Power MOSFET)，例如使用功率雙載子接面電晶體(Power BJT)再並聯二極體或是使用IGBT再並聯二極體也
適合。以功率半導體開關元件再並聯二極體皆適合本案提到的『切換元件』及『電晶體開關』。因此，本發明不以上述功率金屬半導體場效應電晶體為限。
圖5繪示為本發明實施例的PSpice軟體模擬1kW非隔離型雙向直流/直流轉換器在降壓模式的模擬波形圖。圖6繪示為本發明實施例的PSpice軟體模擬1kW非隔離型雙向直流/直流轉換器在升壓模式的模擬波形圖。模擬結果如第5圖與第6圖所示，由此模擬圖可以看出，VDS(buck)
在第一切換元件SW1導通時，電壓為0，且VDS(boost)
在第二切換元件SW2導通時，電壓為0，因此，此主動式緩振器確實使雙向轉換器有柔性切換效果。
綜上所述，本發明的精神主要是在升壓與降壓共用電路的兩個開關上，同時額外並聯開關與電感。藉此，兩個開關的寄生電容所儲存的能量會被轉移到並聯的電感上，使兩個開關分別在切換的時候是處於零電壓的狀態。換句話說，就是零電壓切換。因此，藉由此種柔性切換的方式，可以大大的降低切換損失(Switching Loss)以及電磁干擾(EMI)，同時，也增加了電路的轉換效率。
在較佳實施例之詳細說明中所提出之具體實施例僅用以方便說明本發明之技術內容，而非將本發明狹義地限制於上述實施例，在不超出本發明之精神及以下申請專利範圍之情況，所做之種種變化實施，皆屬於本發明之範圍。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為准。
201‧‧‧直流對直流轉換電路
202‧‧‧控制電路
203‧‧‧主動式緩振器
C01‧‧‧輸入側電容
C02‧‧‧輸出側電容
SW1‧‧‧第一切換元件
SW2‧‧‧第二切換元件
L1‧‧‧第一電感
L2‧‧‧第二電感
MA‧‧‧第一電晶體開關
MB‧‧‧第二電晶體開關
N1‧‧‧輸入側節點
N2‧‧‧輸出側節點
VCOM‧‧‧共接電壓
圖1繪示為先前技術的脈波寬度調變實施的電源轉換器之開關導通與截止時的波形圖。
圖2繪示為具有本發明實施例的具有主動式緩振器的非隔離型雙向直流/直流轉換器之電路圖。
圖3繪示為本發明實施例的降壓模式的主要操作波形。
圖4繪示為本發明實施例的升壓模式的主要操作波形。
圖5繪示為本發明實施例的PSpice軟體模擬1kW非隔離型雙向直流/直流轉換器在降壓模式的模擬波形圖。
圖6繪示為本發明實施例的PSpice軟體模擬1kW非隔離型雙向直流/直流轉換器在升壓模式的模擬波形圖。
201‧‧‧直流對直流轉換電路
202‧‧‧控制電路
203‧‧‧主動式緩振器
C01‧‧‧輸入側電容
C02‧‧‧輸出側電容
SW1‧‧‧第一切換元件
SW2‧‧‧第二切換元件
L1‧‧‧第一電感
L2‧‧‧第二電感
MA‧‧‧第一電晶體開關
MB‧‧‧第二電晶體開關
N1‧‧‧輸入側節點
N2‧‧‧輸出側節點
VCOM‧‧‧共接電壓
Claims (7)
- 一種非隔離型雙向直流/直流轉換器，可用以由一輸入節點對一輸出節點進行降壓，或由該輸出節點對該輸入節點進行升壓，此非隔離型雙向直流/直流轉換器包括：一直流對直流轉換電路，包括：一輸入側電容，包括一第一端以及一第二端，其中，該輸入側電容的第一端耦接該輸入側節點，該輸入側電容的第二端耦接一共接電壓；一第一切換元件，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，該第一切換元件的第一端耦接該輸入節點，其中，該第一切換元件具有一第一本體二極體，其中該第一本體二極體耦接在該第一切換元件的第一端與該第一切換元件的第二端之間；一第二切換元件，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，該第二切換元件的第一端耦接該第一切換元件的第二端，該第二切換元件的第二端耦接一共接電壓，其中，該第二切換元件具有一第二本體二極體，其中該第二本體二極體耦接在該第二切換元件的第一端與該第二切換元件的第二端之間；一第一電感，包括一第一端以及一第二端，其中，該第一電感的第一端耦接該第一切換元件的第二端與該第二切換元件的第一端，該第一電感的第二端耦接該輸出節點；一輸出側電容，包括一第一端以及一第二端，其中，該輸出側電容的第一端耦接該第一電感的第二端與該輸出節點，該輸出側電容的第二端耦接該共接電壓； 一主動式緩振器，包括：一第一電晶體開關，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，該第一電晶體開關的第一端耦接該第一切換元件的第一端，其中，該第一電晶體開關具有一第三本體二極體，其中該第三本體二極體耦接在該第一電晶體開關的第一端與該第一電晶體開關的第二端之間；一第二電感，包括一第一端以及一第二端，其中，該第二電感的第一端耦接該第一切換元件的第二端，該第二電感的第二端耦接該第一電晶體開關的第二端；一第二電晶體開關，包括一第一端、一第二端以及一控制端，其中，該第二電晶體開關的第一端耦接該第二電感的第二端，該第二電晶體開關的第二端耦接該第二切換元件的第二端，其中，該第二電晶體開關具有一第四本體二極體，其中該第四本體二極體耦接在該第二電晶體開關的第一端與該第二電晶體開關的第二端之間；一控制電路，耦接該第一切換元件的控制端、第二切換元件的控制端、第一電晶體開關的控制端以及第二電晶體的控制端；其中，當進行一降壓模式時，該降壓模式是由該輸入節點供應電力，該第二切換元件與該第二電晶體開關維持截止，該控制電路依照該輸出節點的負載狀態控制該第一切換元件，其中，在該第一切換元件導通前一第一預設時間，控制該第一電晶體開關導通，並且在該第一切換元件導通後一第二預設時間，控制該第一電晶體開關截止；其中，當進行一升壓模式時，該升壓模式是由該輸出節點供應電力，該第一切換元件與該第一電晶體開關維持 截止，該控制電路依照該輸入節點的負載狀態控制該第二切換元件，其中，在該第二切換元件導通前該第一預設時間，控制該第二電晶體開關導通，並且在該第二切換元件導通後該第二預設時間，控制該第二電晶體開關截止。
- 如申請專利範圍第1項所述的非隔離型雙向直流/直流轉換器，其中，該第一切換元件包括：一第一功率金屬半導體場效應電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該第一功率金屬半導體場效應電晶體的閘極為該第一切換元件的控制端，該第一功率金屬半導體場效應電晶體的第一源汲極為該第一切換元件的第一端，且該第一功率金屬半導體場效應電晶體的第二源汲極為該第一切換元件的第二端。
- 如申請專利範圍第2項所述的非隔離型雙向直流/直流轉換器，其中，該第一功率金屬半導體場效應電晶體包括一寄生電容，且該第一電晶體開關導通時，該寄生電容所儲存的能量透過該第一電晶體開關傳送給該第二電感以進行零電壓切換。
- 如申請專利範圍第1項所述的非隔離型雙向直流/直流轉換器，其中，該第二切換元件包括：一第二功率金屬半導體場效應電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該第二功率金屬半導體場效應電晶體的閘極為該第二切換元件的控制端，該第二功率金屬半導體場效應電晶體的第一源汲極為該第二切換元件的第 一端，且該第二功率金屬半導體場效應電晶體的第二源汲極為該第二切換元件的第二端。
- 如申請專利範圍第4項所述的非隔離型雙向直流/直流轉換器，其中，該第二功率金屬半導體場效應電晶體包括一寄生電容，且該第二電晶體開關導通時，該寄生電容所儲存的能量透過該第二電晶體開關傳送給該第二電感以進行零電壓切換。
- 如申請專利範圍第1項所述的非隔離型雙向直流/直流轉換器，其中，該第一電晶體開關包括：一第三功率金屬半導體場效應電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該第三功率金屬半導體場效應電晶體的閘極為該第一電晶體開關的控制端，該第三功率金屬半導體場效應電晶體的第一源汲極為該第一電晶體開關的第一端，且該第三功率金屬半導體場效應電晶體的第二源汲極為該第一電晶體開關的第二端。
- 如申請專利範圍第1項所述的非隔離型雙向直流/直流轉換器，其中，該第二電晶體開關包括：一第四功率金屬半導體場效應電晶體，包括一閘極、一第一源汲極以及一第二源汲極，其中，該第四功率金屬半導體場效應電晶體的閘極為該第二電晶體開關的控制端，該第四功率金屬半導體場效應電晶體的第一源汲極為該第二電晶體開關的第一端，且該第四功率金屬半導體場效應電晶體的第二源汲極為該第二電晶體開關的第二端。
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| TW102101128A TWI473410B (zh) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | 非隔離型雙向直流／直流轉換器 |
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| TW102101128A TWI473410B (zh) | 2013-01-11 | 2013-01-11 | 非隔離型雙向直流／直流轉換器 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| Country | Link |
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| TW (1) | TWI473410B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW497326B (en) * | 2000-10-23 | 2002-08-01 | Delta Electronics Inc | Zero-voltage and zero-current boosting-type converter |
| US7551462B2 (en) * | 2005-02-08 | 2009-06-23 | Hitachi, Ltd. | Soft switching DC-DC converter including a buck converter and a boost converter sharing a common transformer |
| US8203322B2 (en) * | 2008-09-10 | 2012-06-19 | Hitachi, Ltd. | DC-DC converter |
| TW201228206A (en) * | 2010-12-31 | 2012-07-01 | Univ Nat Cheng Kung | Series cascaded converter with single zero-voltage-transition auxiliary circuit |
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2013
- 2013-01-11 TW TW102101128A patent/TWI473410B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| TW497326B (en) * | 2000-10-23 | 2002-08-01 | Delta Electronics Inc | Zero-voltage and zero-current boosting-type converter |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201429140A (zh) | 2014-07-16 |
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