TWI471983B - 產生晶圓級封裝之方法 - Google Patents

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Description

產生晶圓級封裝之方法
本發明屬於藉由複製程序製造光學元件之領域。更具體而言，本發明係有關製造至少兩個晶圓狀基板之晶圓級封裝，其中至少一者包括複數個光學元件。本發明進一步有關該晶圓級封裝。
藉由諸如壓凸或模塑之複製技術製造光學元件業已周知。晶圓級製程與大量製造特別有關，於此製程中藉由複製，在碟狀結構(「晶圓」)上製造光學元件陣列。於複製後，將該晶圓結構分成個別光學元件(「切割」)。
複製技術包含射出成型、輥式熱壓凸、平檯熱壓凸、UV(紫外線)壓凸。就UV壓凸程序之一例子而言，於一基板之頂面上，將一主結構之表面拓樸複製成諸如可UV固化環氧樹脂之可UV固化複製材料之薄膜。複製之表面拓樸可為光學上折射或繞射有效的結構。為了複製，例如由一正片製備一具有複數個複製段之複製工具，此等複製段係待製造光學結構之負拷貝。接著使用此工具來將環氧樹脂UV壓凸。正片可為以熔融石英或矽光微刻製成之結構、雷射或電子束寫成結構、金剛石銑削結構或任何其他類型結構。正片亦可藉由複製，於多段製程中，由一超正片製成。
為實現複製光學組件之成本效率佳的大量製造，較佳 為晶圓級複製程序。本文所用意義之晶圓或基板係碟片或矩形板或任何在尺寸上穩定，經常係透明材料之任何形狀之板。厚度通常遠小於另二維之大小；這亦稱為「大致平坦」。晶圓之平面可界定為垂直於晶圓大小最小之方向所界定之方向，例如與碟片或矩形板正交而延伸的平面。
晶圓碟片之直徑通常在5cm與40cm之間，例如在10cm與31cm之間。其經常係直徑為2，4，6，8或12英寸之圓柱，一英寸為2.54cm。晶圓厚度例如在0.2mm與10 mm之間，通常在0.4mm與6 mm之間。
若光須穿過晶圓，晶圓至少局部透明。晶圓亦可不透明。另外，其可為支承光電組件之晶圓，例如矽、GaAs(鎵砷)或CMOS(互補金屬氧化物半導體)晶圓。
晶圓級複製容許具有單一步驟之數百個大致相同結構之製造，例如單側或雙側UV壓凸程序。晶圓之後續分離(切割)步驟接著生產個別光學組件。
積體光學次系統包含大致沿光行進方向(z軸)堆疊在一起的功能元件，至少其中一個係光學元件。因此，沿z軸行進之光依序通過複數元件。此等元件集積成無需其等進一步對準，只要積體光學次系統與其他系統對準。
積體光學次系統可藉由堆疊晶圓製造，此等晶圓包括於晶圓上明確界定之空間配置之功能，例如光學元件。此一晶圓級封裝包括至少兩晶圓，其等沿對應於最小晶圓維度(z軸，軸向)之方向的軸堆疊，並相互附接。此等晶圓之一支承光學元件，另一個可包括或意圖收容諸如光學 或光電元件之功能元件。另外，可作成第二晶圓不支承任何功能元件，卻僅作為蓋或保護板。複數個並排配置之積體光學次系統藉由堆疊晶圓，使光學或其他功能元件對準而形成。後續切割接著製成個別積體光學次系統。
有不同方式將晶圓相互附接以實現晶圓封裝。例如已知將黏著層或黏著劑基材直接塗佈於兩晶圓之間。其他已知晶圓封裝，例如於US 2003/0010431或WO 2004/027880所揭示者，包括一隔片裝置，其例如為配置於兩個晶圓間之複數個分離之隔片或互連隔片矩陣。WO 2004/027880述及隔片矩陣亦可為諸晶圓之一的一部分。
在很多情況下，沿z軸，亦即垂直於晶圓之平面精密地定位功能元件對積體光學次系統之功能絕對必要。習知晶圓封裝及製程無法精密控制須對準之功能元件之z距離。例如，若僅使用一黏著劑基材，特別是若光學元件本身於z方向具有給定大小，即難以確立一明確界定之厚度。而且，雖然WO 2004/027880以隔片裝置控制兩個晶圓相對於彼此之z距離，卻未精密控制一晶圓上之一光學元件相對於另一晶圓或其上之一功能元件之z位置，此乃因為特別是若使用複製技術，其相對於晶圓之位置即可能改變。
經常期望減小晶圓級封裝之軸向(z)尺寸。惟，晶圓本身無法隨意製造而不負面影響其穩定性。
因此，本發明之目的在於提供一種生產至少二晶圓之晶圓級封裝之方法，可精密控制一藉由複製技術，在一第一晶圓上相對於一第二晶圓上，亦即第二晶圓之前或後表面上之一功能元件製造之光學元件之位置。特別是，其可望如沿垂直於晶圓平面之方向測量，控制該位置。
本發明之另一目的在於提供一種晶圓級封裝，其在一第一晶圓上的光學元件相對於一第二晶圓成明確界定之空間關係。
本發明之另一目的在於提供一種晶圓級封裝以及一生產該晶圓級封裝之方法，其中該封裝可以小尺寸沿軸向(z)製造。
本目的藉具有申請專利範圍獨立項之特點之一生產晶圓級封裝之方法及一晶圓級封裝達成。較佳實施例陳述於申請專利範圍附屬項、說明及圖式中。
本發明係有關一種生產晶圓級封裝之方法，該晶圓級封裝包括：一第一基板(第一晶圓)，具有複數個藉由複製製造之光學元件；以及一第二基板(第二晶圓)，沿軸向堆疊。軸向係與大致平坦之第一及第二晶圓所界定之平面正交，亦即與(巨視)晶圓表面正交，或治最小晶圓尺寸所界定之方向的方向。軸向一般，惟不必，對應光學元件之光軸之方向。軸向亦稱為z方向。本發明前後文所述距離係沿z方向所測距離。
第二基板可包括複數個功能元件，例如影像捕捉元件、光源、如透鏡或偏振器之被動光學元件，或可有意於稍 後製造階段收容此等功能元件。亦可將第二基板作為蓋而無意收容任一個此種元件。第二基板界定一垂直於軸向延伸之第二基板抵接平面。第二基板抵接平面可例如藉第二晶圓之一前或後表面界定。
本發明方法提供一種晶圓封裝，其中配置於第一基板之光學元件具有隔該第二基板或隔與其平行延伸之任何其他參考平面之預定軸向距離。假定功能元件隔明確界定距離附接或將附接於第二基板抵接平面，即達成光學元件及複製光學元件之精密控制。
為達成此目的，本發明方法包括以下步驟：－提供一第一基板以及一第二基板，其中該第一基板及該第二基板之至少一者預成形，並包括至少一凹處；－提供一具有複數個複製段之複製工具，該等複製段具有對應該等光學元件之形狀之結構特點；－藉由該複製工具與該第一基板相互朝向對方移動，製造該等光學元件於該第一基板上，一複製材料成可變形狀態位於該複製工具與該第一基板之間，使該第一基板抵接該複製工具，該複製材料留於該等複製段與該第一基板之間，將該複製材料硬化，並使該第一基板與該複製工具分離；－使該第一基板與該第二基板相互朝向對方移動，並使該第一基板抵接於該第二基板，俾至少一空腔形成於該凹處區域中，其中至少一光學元件位於該至少一空腔中；－連接該第一基板與該第二基板。
本晶圓級封裝特別是藉由本發明方法製造，惟亦可藉由其他適當方法製造。其包括兩個基板及複數個光學元件，
其中基板沿軸向堆疊。至少諸基板之一預成形成其於前表密或於後表面或於兩表面中具有至少一凹處。另一基板可為具有未結構化表面之標準晶圓，或可預成形成於前及/或後表面具有一或更多凹處。第一基板與第二基板相互連接成第一基板抵接於第二基板。光學元件配置於空腔中，此空腔由一基板之至少一凹處結合與第二基板所界定之一參考平面隔一預定軸向距離之另一基板所形成。
一包括一具有至少一凹處並界定一抵接平面之前表面之預成形晶圓特別適用於本發明方法。
本發明達到以下效果：第一基板之前表面界定第一基板之一抵接/參考平面，以作為複製工具之止動部。因此，該平面限制複製工具朝第一基板的移動。由於複製工具抵接於第一基板之抵接平面，因此，抵接平面發揮參考作用，俾該參考與複製光學元件(更特別的是一給定表面點，例如一透鏡之頂點)間的軸向距離固定。該軸向距離對應複製段至一工具參考平面的軸向距離，該工具參考平面例如為抵接於第一基板之工具之表面結構所界定。因此，其可藉由選擇適當之工具形狀精密控制。這有正確數量之複製材料不會影響光學元件相對於第一表面參考平面之軸向位置的優點。特別是若第一基板包括至少一凹處，該凹處本身之形狀即不會影響光學元件之軸向位置。第一基板 之表面結構之變化藉複製材料補償。而且，抵接平面亦用來校正第二基板之定位。一般而言，第二基板之前或後表面可被視為界定一第二基板抵接平面，且二抵接平面成重疊關係。因此，明確界定光學元件相對於第二基板，或相對於和第二基板抵接平面成一給定空間關係配置在第二基板，例如配置在第二基板之前或後表面之任何其他元件的距離。
就第二效果而言，此等非凹處之區域中第一或第二基板之前表面起間隔裝置之作用，該間隔裝置容許具有某一軸向尺寸之光學元件配置於不具有任何個別間隔裝置之兩基板間。雖為光學元件之某一軸向尺寸，卻可製造具有僅對應基板厚度總和之厚度的晶圓級封裝。基板於凹處區的厚度可小至150μm，特別是凹處分立，例如每一光學元件一個凹處，即不會影響封裝的穩定。
較佳地，至少一凹處的最大深度大於複製段相對於工具參考平面的最大高度。若凹處在第二基板中，即可使用平坦的未構形第一基板，反之亦然。這簡化晶圓之製造。
本發明可以不同方式進行。於一較佳實施例中，第一基板收容光學元件之表面於複製程序中未結構化，例如平坦。使用一複製工具，其形成為例如藉由於複製段之間有突出超過複製段的間隔裝置，抵接於未結構化之表面。複製工具抵接於未結構化之表面意謂著複製光學元件相對於該平面具有預定z距離。因此，該表面作為第一基板之參考平面。第二基板藉由於別的未結構化，例如平面狀之前 或後表面具有至少一凹處，予以預成形。接著，第一與第二基板對準，使光學元件配置於第二基板中的凹處及第一基板之光學元件之支承表面所形成的空腔中。由於第二基板抵住第一基板且其厚度已知，因此，光學元件距第二基板之表面，特別是距其後表面亦有明確界定z距離。
其他光學元件可複製於第二基板的後表面，較佳地在其附接於第一基板之後複製。這有助於光學元件於第一及第二基板上的對準，原因在於，不僅基板本身須以非常小公差對準，且分別使用複製工具來複製光學元件於第一及第二基板上。製造順序及所製造晶圓級封裝進一步例如闡述於第10圖及11圖及相關說明中，且可結合上述方法亦可結合用以製造晶圓級封裝之其他適當方法使用。
於第二較佳實施例中，第一基板預成形，並於其諸表面之一，亦即前表面中包括一凹處。光學元件被製成於凹處中。再者，複製工具抵接於第一基板，使複製光學元件相對於該平面具有預定z距離。因此，前表面作為第一基板之參考平面。藉由連接第二基板於第一基板，封閉凹處，並形成容納光學元件之空腔。由於第二基板抵住第一基板且其厚度已知，因此，光學元件距第二基板之表面，特別是距其後表面亦有明確界定z距離。
於兩實施例中，可進一步配置光學元件於第二基板的後表面。亦可進一步配置光學元件於第二基板的前表面(亦即面對第一基板的表面)，於第一實施例中，配置於其凹處，於第二實施例中，配置於對齊第一基板之凹處的區 域中。進而，第一基板之後表面可藉一或更多凹處結構化，此等凹處已收容或擬收容額外光學元件，或擬覆蓋另一基板上的又其他功能或光學元件。
兩實施例可組合，亦即凹處可配置於兩基板。亦可於一或兩基板之前或後表面具有凹處。
一般而言，預成形基板之前表面可具有任何形狀或足以界定抵接平面之結構。例如，抵接平面可僅由複數個自一別的平坦前表面突出之尖釘或配置於晶圓周邊之連續緣界定，且前表面之主要部分可被視為「凹處」。惟，以下較佳實施例有與晶圓製造、晶圓封裝製造期間之穩定性及定位光學元件之精密有關的優點。
在本發明之此一較佳實施例中，預成形基板包括複數個形成於別的平坦前表面的凹處。此等凹處可例如具有圓柱形，其較佳地具有圓形截面。凹處之每一者例如意圖僅收容一光學元件。於此情況下，藉凹處之側壁限制直接塗佈於一凹處之複製材料之一部分。另一較佳實施例包括複數個具有平坦前表面的突起，其等配置在一別的平坦前表面上(凹處對應於前表面之非突起的部分)。兩配置均在另一基板抵接以及在一些實施例中複製工具亦抵接時，對於彎曲及撓曲非常穩定，並藉預成形基板之前表面之一顯著部分支撐。這簡化晶圓封裝的製造。
於本發明之又一較佳實施例中，另一個，亦即第二晶圓係一具有抵接平面之預成形基板，且較佳地收容其他光學元件。使用與上述相同的方法，獲得一具有其他光學元 件之第二基板，此等光學元件相對於一第二基板抵接平面隔一明確界定距離。若兩基板相互附接，即獲得對應之光學元件之明確界定軸向距離。其他光學元件可配置於第二基板之任一側，亦即面對第一基板之表面及/或另一表面上。
亦可堆疊兩個以上基板以形成晶圓封裝，其中至少一者預成形。
用於本發明方法中之預成形基板一般由單件製成。此等預成形基板可藉由習知方法，例如蝕刻製成。於此例子中，抵接平面可對應於基板未被蝕除之原來平坦前表面之部分。如以上討論，本發明具有預成形晶圓之尺寸公差可藉由複製程序彌補的優點。
晶圓封裝之切割接著產生個別積體光學次系統。
於美國專利申請案第11/384,537中，特別是於第1，7及9圖及說明中揭示適於進行本發明方法之複製工具，尤其是第一基板具有未結構化之前表面，在此併入該申請案俾供參考。
於美國專利申請案第11/384,563中，特別是於第9圖及說明中揭示將光學元件複製入一凹處中，在此併入該申請案俾供參考。
為可將第一基板抵接於第二基板以確保明確的z距離，有利的是保持複製光學元件間之一區域無複製材料。美國專利申請案第11/384,562中揭示如何實現此發明，在此併入該申請案俾供參考。
第1a－c圖顯示自垂直於第一基板10之一般定向及垂直於軸向z所視之一預成形第一基板10的不同橫剖視圖。於所有圖式中，第一基板10具有一平面狀後表面18及一結構化前表面12，該結構化前表面12具有至少一凹處16及至少一非凹部14。凹處16及非凹處14係基板10之一體部分。前表面15或非凹部14之頂端15’界定一平行於第一基板(基板平面)之一般定向之抵接平面RS1 。凹處16意圖容納藉由複製製造之光學元件。z方向，亦即於待製造晶圓封裝中光行進之方向與第一基板10之一般定向並與抵接平面RS1 正交。一般而言，前表面12之所有點位於抵接平面RS1 或抵接平面RS1 與後表面18之間。
於第1a圖中，前表面12由複數個「截面」矩形之凹處16構成。第1a圖係例如第2及3圖所示基板之橫剖視圖。非凹部14之前表面15呈平面狀，並界定抵接平面RS1 。所有凹處16具有如沿z方向所視，自抵接平面RS1 測得之大約相同深度。一凹處16之一深度變化以d1’標示。如以下參考第4a－d圖所討論，此一變化可藉由本發明彌補。
第1b圖顯示抵接平面RS1 由「截面」三角形之非凹部14之頂端15’而非由平面狀表面所界定之一第一基板10例子。
第1c圖顯示非凹部14僅配置於第一基板10之周邊 ，例如形成一連續緣或若干簡單非凹部14。於前表面12中間之凹處16可收容複數個光學元件。
第2圖顯示一第一基板10，複數個圓柱形凹處16配置於一界定抵接平面RS1 之別的平面狀前表面12中。在此，第一基板之基本形狀呈立方形，惟亦可為具有圓形底部的圓柱。一般而言，基板10沿z方向之尺寸遠小於與其垂直者。
第3圖顯示另一基板10，其包括複數個立方形非凹部14，其等自一別的平面狀前表面12突出。此等突起具有位於一共同平面中並界定抵接平面RS1 之前表面15。
第4a－d圖示意顯示本發明方法之不同步驟。於第4a圖中，複製材料36之部分填入第一基板10(例如第1a，2或3圖之基板)之凹處16內。左側上之兩凹處16具有深度d1。為解說本發明方法如何可將第一基板10製造中之不規則均一化，示意顯示位於右側具有不同深度d1’之凹處。
一具有複數個複製段32之複製工具30沿z方向朝第一基板10移動。複製段32具有對應於待製造光學元件38之表面結構之負像的表面結構。複製段32之側面位置對應於凹處16之側面位置。複製工具30進一步於面對第一基板10之表面包括一參考表面部34。在此，參考表面部34係界定垂直於z方向延伸之工具30之工具參考平面RT 之平面狀表面部分。替代地，可設置一界定工具30之參考平面RT 之非平面狀表面結構。亦可使用如第1a－c圖之 類似結構以建構一工具參考平面RT ，其例如具有配置於複製段32之間的突起。複製段32具有距工具參考平面RT之明確界定軸向距離d2。
第4b圖顯示工具30抵接第一基板10，使個別抵接/參考平面RS1 ,RT一致。因此，第一基板10之非凹部14及工具30之參考表面部34用來作為彼此之止部。複製段32以期望方式使複製材料36變形。在複製材料36硬化之後或期間，移除工具30及/或第一基板10。如於第4c圖的下部所示，該步驟製造一在凹處16中具有複製光學元件38的第一基板10。根據本發明，不管凹處16之真實深度d1，d1’如何，如複製段32相對於工具參考平面RT ，光學元件38具有距第一基板抵接平面RS1 之相同距離d2(例如，如自一凹光學元件之頂點所測)。
於第4c圖中，一第二基板20沿z方向，朝第一基板10移動，使其前表面22抵接第一基板10之前表面12。於第4d圖中顯示完成之晶圓封裝1。功能元件40配置於第二基板20之後表面28上。假設第二基板20有恆定厚度，即亦明確界定距前表面22之距離d3。前表面22作為第二基板20之一抵接平面RS2 ，其在堆疊時與第一抵接平面RS1 一致。一封閉空腔16’形成於凹處16之區域中。該空腔16’容納至少一光學元件38。結果，提供一晶圓封裝1，其包括配置於一第一基板10上之光學元件38及配置於第二基板20上之功能元件40，其中不管凹處16之真正深度d1，d1’如何，功能元件40具有明確界定之軸向距離 D＝d2＋d3。第一與第二基板10，20藉一配置在非凹部14之前表面15上之黏著層50相互附接。另外或替代地，黏著劑可位於第二基板20之前表面22上。黏著層50具有1至10μm之厚度，較佳地不大於5μm。
於又一步驟中，晶圓封裝1可沿軸向延伸之線60切割，以製造分開之積體光學次系統，例如攝影機裝置。
第4e圖顯示一替代例，其中功能元件40附接於第二基板20之前表面22。於此情況下，第二基板20可不透明。
第5a－d圖示意顯示包含製造凸光學元件38之本發明方法之不同步驟。一第一基板10具有與第4a－d圖中者相同的形狀。如於第5a圖中顯示，一具有類似於第4a－d圖中者之結構之複製工具30包括複數個複製段32，於此情況下，此等複製段32具有一對應於凸光學元件38之負像之凹形。複製段32之頂點具有相對於工具參考平面RT 之預定軸向距離d2。於第5b圖中，複製材料36之一部分定位於複製段32之每一者。於第5c圖中，工具30朝第一基板10移動，使工具30與第一基板10之抵接參考平面RT ，RS1 一致。因此，製成一凸光學元件38，其具有一與基板抵接平面RS1 隔一預定軸向距離d2。於第5d圖中。如第4c及d圖所示，具有功能元件40之第二基板20藉抵接表面22，15間的黏著層50附接於第一基板10。當第一與第二基板10，20之抵接平面RS1 ，RS2 一致時，且在假設第二基板20具有恆定厚度t下，於功能元件40與光 學元件38之間亦有明確界定之軸向距離D，該距離於功能元件40與凸光學元件38之頂點間測得。顯然，於光學元件38表面上其他任何點亦具有距功能元件40之明確界定軸向距離。
顯然，就第4a-d圖及第5a-d圖之實施例而言，基板、工具及參考平面可具有任何定向，例如，水平或垂直，且於水平配置情況下，第一基板可配置於工具及第二基板上方或下方。進而，第一基板可朝工具及或第二基板移動，或者工具及/或第二基板20可朝第一基板移動。而且，複製材料36可置入凹處16內及/或複製段32，以製造凹或凸光學元件兩者，或任何其他複製光學元件。第4a-d圖及第5a-d圖所示功能元件40可為攝影機元件、光源、光電裝置、習知光學元件，亦可為藉由複製製造之光學元件。
第6圖及7進一步顯示藉由本發明方法製造之晶圓封裝1。於兩圖中，一第一基板10形成如第4a-d，5a-d圖，並在如第5a-d圖，距第一表面抵接平面RS1 隔一明確界定距離d2處設有複數個凸光學元件38。一第二基板20係具有與設有凹處及非凹部之第一基板10相同形狀之進一步預成形基板。亦設有配置於凹處中的複製光學元件39。為於第二基板20上製造光學元件39，較佳地，使用如第4a-b，5a-c圖之相同方法。這意謂第二基板20上之光學元件30亦具有距第二表面抵接平面RS2 之明確界定距離d3，在此，該第二表面抵接平面RS2 對應於前表面22。第 一與第二基板10，20以一黏著層50置於抵接表面間而相互附接，使凹處與光學元件38，39相互面對。因此，光學元件38，39具有一預定之彼此相隔軸向距離D=d2+d3。
於第7圖中，有其他複製光學元件39’配置在第二基板20之平坦後表面28上。此等元件藉由習知複製技術製造，俾於光學元件39’(在此自其定點測量)與後表面28有一明確界定之軸向距離，並於光學元件39’與第二表面抵接平面RS2 之間具有第二基板20之恆定厚度t。因此，在此，在配置於晶圓封裝1之二基板10，20上之光學元件38，39，39’之間有一明確界定之軸向關係。
第8a，b圖顯示在將基板相互附接之前及之後，包括一預成形第一基板10及一習知未結構化第二基板20之晶圓封裝1之另一例子。如於第4a-c圖中，第一基板設有凹光學元件38，其於與第一表面抵接平面RS1 隔一距離d2處之凹處16配置。第二基板20具有複數個複製光學元件39，在此，光學元件39為配置於其前表面22上的凸光學元件。其等藉由習知複製技術製造，俾各光學元件39至前表面22之距離d3恆定(在此自其定點測量)。由於光學元件39自第二基板20之前表面22(在此作為第二表面抵接平面RS2 )突出，因此，個別光學元件38，39間之軸向距離為D=d2-d3。
第9圖顯示晶圓封裝1之另一例子，其中二基板10，20如第6圖，各預成形，並設有複製光學元件38，39。 惟，凹處現在指向相同方向，且第二基板20之後表面28抵接第一表面10。假設有第二基板20之恆定厚度t，供第一與第二基板10，20及光學元件38，39之複製工具抵接之抵接平面RS1 ，RS2 即相對於彼此具有明確界定之軸向距離。
顯然，包括兩個以上，例如三或四個晶圓之晶圓封裝可使用如前面圖式所示成形之第一及第二基板製造。甚至於此種複雜之晶圓封裝中，仍可在配置於不同基板上的元件間維持明確界定之軸向關係。
而且，可使用具有成形之前及後表面之預成形基板，此等表面各側具有至少一凹處。
第10圖示意顯示一包括未結構化第一基板10及預成形第二基板20之個別積體光學次系統之另一晶圓封裝，光學元件38，38’，38”附接於第一基板10之前表面12及後表面18及第二基板20之後表面28。
第二基板20於其前表面22具有一凹處16。凹處16藉未結構化之第一基板10覆蓋，以形成一封閉空腔16’。空腔16’容納並保護附接於第一基板10之前表面12之光學元件38。在切割之後，光學元件38因此完全為第一及第二基板所圍繞。
另一光學元件38’在對應第二基板20之前表面22上之凹處16區域附接於第二基板20之後表面28。又另一光學元件38”附接於第一基板之未結構化後表面18。所有光學元件38，38’，38”可為凹或凸透鏡，且藉由複製製造。 其等對準於z方向。凹處16具有一平坦底部表面42，其平行於前及後表面12，18，22，28延伸。光學元件38，38’，38”藉由複製程序製作於其個別基板10，20上。
晶圓封裝可藉由上述本發明方法或其他適當方法製造。
較佳係於第一步驟中，將待配置於二基板10，20間之空腔16’中之光學元件38製成於第一基板10上。在光學元件38’製成於第二基板20上之前，第二基板20以凹處16匹配光學元件38之位置的方式附接於第一基板10。特別是若凹處具有平行於前及後表面22，28延伸之平面狀底部表面42，即無需凹處相對於光學元件38之完全正確對準。於又一步驟中，另一光學元件38’藉由複製製成於平面狀後表面28上。由於僅用來複製光學元件38，38’於第一及第二基板10，20之未結構化/平面狀表面12，28之複製工具須相對於彼此對準，惟工具相對於基板的對準及此二基板本身間的對準並不重要，因此，本實施例提供第一及第二基板之更簡易對準。
第一基板10之後表面18上之額外光學元件38”可在附接第二基板20之前或之後製造。
一般而言，若第一基板上的光學元件及第二基板上光學元件兩者均附接於對應基板的平坦表面，上述步驟順序(1.第一基板上的複製；2.附接第二基板；3.第二基板上的複製)即較佳。
雖然如此，可如第10圖所示，藉由首先複製光學元 件38及38’於其個別基板10，20上，並接著將基板10，20相互附接，製造封裝。
第11圖示意顯示第10圖所示晶圓封裝，其具有另一預成形基板20’附接於第二基板20之後表面28。此另一基板20’包括另一凹處於其前表面22’。此凹處覆蓋第二基板20之未結構化後表面28上的光學元件38’。另一光學元件38”’，例如凸或凹透鏡配置在另一基板20’之後表面28’上。所有光學元件對準於z方向。
較佳地，藉第一基板10上的第一複製元件38實現對準，接著附接無光學元件38’之第二基板20，接著複製此等光學元件38’，接著附接另一基板20’與複製光學元件38”’。
可進一步添加其他基板於第10及11圖中。顯然，整體厚度未顯著超過個別基板之厚度總和。光學元件仍可具有於z方向之大小，並牢固地收容在形成於基板中及基板間的空腔內。藉本發明實現於z方向中彼此距離之精密控制
10‧‧‧第一基板
12,22‧‧‧前表面
14‧‧‧非凹部
15‧‧‧前面
15’‧‧‧頂端
16‧‧‧凹處
16’‧‧‧空腔
20‧‧‧第二基板
18,28‧‧‧後表面
30‧‧‧複製工具
32‧‧‧複製段
34‧‧‧參考表面部
36‧‧‧複製材料
38,38’,38”,39,39’‧‧‧光學元件
40‧‧‧功能元件
50‧‧‧黏接層
60‧‧‧線
RS1 ‧‧‧第一基板抵接平面
RS2 ‧‧‧抵接平面
RT ‧‧‧參考平面
第1a－c圖示意顯示預成形基板之不同橫剖視圖；第2圖示意顯示一在別的平坦前表面中有複數個凹處之基板之3D(三維)視圖；第3圖示意顯示一在別的平坦前表面上有複數個突起之基板之3D視圖； 第4a－e圖示意顯示本發明方法之不同步驟，包含凹光學元件製造；第5a－d圖示意顯示本發明方法之不同步驟，包含凸光學元件製造；第6圖示意顯示包括二預成形基板之晶圓封裝，該等預成形基板具有明確界定之空間關係之光學元件；第7圖示意顯示包括二預成形基板之另一晶圓封裝，該等預成形基板具有明確界定之空間關係之光學元件；第8a及b圖分別示意顯示二晶圓及一晶圓封裝，其中一晶圓係預成形基板，另一晶圓呈平面狀；第9圖示意顯示包括二預成形基板之另一晶圓封裝，該等預成形基板具有明確界定之空間關係之光學元件；第10圖示意顯示包括一未結構化第一基板及一預成形第二基板之另一晶圓封裝，其中光學元件附接於第一基板之前及後表面，並附接於第二基板之後表面；第11圖示意顯示如第10圖所示晶圓封裝，其中另一預成形基板附接於第二基板之後表面。
10‧‧‧第一基板
14‧‧‧非凹部
16‧‧‧凹處
16’‧‧‧空腔
20‧‧‧第二基板
22‧‧‧前表面
28‧‧‧後表面
30‧‧‧複製工具
32‧‧‧複製段
34‧‧‧參考表面部
36‧‧‧複製材料
38‧‧‧光學元件
40‧‧‧功能元件
60‧‧‧線
RS1 ‧‧‧第一基板抵接平面
RS2 ‧‧‧抵接平面
RT ‧‧‧參考平面

Claims (32)

  1. 一種產生晶圓級封裝之方法，該晶圓級封裝包括兩個基板以及複數個光學元件，其中該等基板軸向堆疊，該方法包括以下步驟：-提供一第一基板以及一第二基板，其中該第一基板及該第二基板之至少一者預成形，並包括至少一凹處；-提供一具有複數個複製段之複製工具，該等複製段具有對應該等光學元件之形狀之結構特點；-藉由該複製工具與該第一基板相互朝向對方移動，製造該等光學元件於該第一基板上，其中一複製材料成可變形狀態位於該複製工具與該第一基板之間，使該第一基板抵接該複製工具，該複製材料留於該等複製段與該第一基板之間，將該複製材料硬化，並使該第一基板與該複製工具分離；-使該第一基板與該第二基板相互朝向對方移動，並使該第一基板抵接於該第二基板，俾至少一空腔形成於該凹處區域中，其中至少一光學元件位於該至少一空腔中；-連接該第一基板與該第二基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一基板包括一大致平面狀前表面，該第二基板預成形，並包括至少一凹處，且其中，該製造諸光學元件之步驟包括形成該等光學元件於該平面狀前表面上，其位置對應於該第二基板中該至少一凹處之位置。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一基 板預成形，並包括至少一凹處，且其中，該製造該等光學元件之步驟包括形成該等光學元件於該第一基板中至少一凹處內。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一基板預成形，並具有一前表面及一後表面，該前表面包括至少一凹處，並界定一本質上垂直於該軸向之第一基板抵接平面。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中，該製造該等光學元件之步驟包括使該第一基板抵接平面抵接於該複製工具，其中該複製材料留於該等複製段與該第一基板之該至少一凹處之間，且其中，使該第一基板抵接於該第二基板之步驟包括使該第一基板抵接平面抵接於該第二基板。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第二基板預成形，並具有一前表面及一後表面，該前表面包括至少一凹處，並界定一本質上垂直於該軸向之第二基板抵接平面。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中，使該第一基板抵接於該第二基板之步驟包括使該第二基板抵接平面抵接於該第一基板，俾該第二基板與該第一基板之該至少一凹處形成容納至少一光學元件之至少一空腔。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，將該第一基板與該第二基板相互連接之步驟包括將一黏著劑塗佈於該第二基板之一表面之一部分及該第一基板之一表面之一 部分中至少一者。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該至少一凹處之最大深度大於該等複製段相對於該複製工具之諸表面部分之最大距離，該等表面部分係抵接於該第一基板。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一基板與該第二基板之至少一者預成形，並包括複數個配置於一別的平面狀表面中之凹處。
  11. 如申請專利範圍第10項之方法，其中，該等凹處具有大致圓筒形。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，包括藉該複製工具形成至少一凹透鏡元件之步驟。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，包括之步驟為藉該複製工具形成至少一凸透鏡元件。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，包括之步驟為直接塗佈該複製材料之一部分於該第一基板之前表面，該前表面對應該等光學元件之指定位置。
  15. 如申請專利範圍第3項之方法，包括之步驟為將該複製材料之一部分塗入該至少一凹處，該至少一凹處對應於該等光學元件之指定部分。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，包括之步驟為將該複製材料之一部分塗佈於該複製工具之該等複製段之每一者。
  17. 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包括塗佈一1μm至10μm，較佳地不大於5μm之黏著層，俾將該第 一基板與該第二基板相互連接。
  18. 如申請專利範圍第3項之方法，其中，該第二基板預成形，並包括至少一凹處，其中至少一空腔由該第一基板及該第二基板之凹處形成。
  19. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第二基板包括複數個功能元件，該等功能元件選自以下群組：影像捕捉元件、光源、光學元件、透鏡元件、電光學元件。
  20. 如申請專利範圍第1項之方法，包括製造其他諸光學元件於該第二基板上，並沿軸向對準該第一基板上之該等光學元件與該第二基板上之該等其他光學元件。
  21. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一基板及該第二基板之至少一者具備一有至少一凹處之前表面，以及一後表面，且其中，該至少一凹處具有一平行於該前表面及該後表面延伸之大致平面狀底面。
  22. 一種產生晶圓級封裝之方法，該晶圓級封裝包括兩個大致平坦基板、複數個光學元件以及複製個功能元件，其中，該等基板軸向堆疊，且其中，該等光學元件及該等功能元件配置成相互隔一預定軸向距離，該方法包括以下步驟：-提供一預成形之第一基板，該第一基板具有一平面狀前表面及一後表面，該前表面形成一第一基板抵接平面，其於該前表面之該平面中延伸，並包括複數個大致圓柱形凹處；-提供一第二基板，該第二基板包括功能元件，其位 置對應於該第一基板中該等凹處之位置；-提供一具有複數個複製段之複製工具，該等複製段具有對應於該等光學元件之形狀之結構特點；-使該複製工具與該第一基板相互朝向對方移動，其中一複製材料以可變形狀態位於該複製工具與該第一基板之間；-使該第一基板抵接平面抵接於該複製工具，該複製材料留於該等複製段與該第一基板之該等凹處之間；-將該複製材料硬化以形成該等光學元件；-將該第一基板與該複製工具分離；-使該第一基板與該第二基板相互朝向對方移動，並使該第一基板抵接平面抵接於該第二基板之該前表面；-使該第二基板上之該等功能元件對準該第一基板上之該等光學元件；以及-藉一黏著劑，相互連接該第一基板與該第二基板。
  23. 如申請專利範圍第1或22項之方法，進一步包括沿軸向延伸之線切割該晶圓級封裝，以製造多數個別光學組件。
  24. 如申請專利範圍第1或22項之方法，其中，該複製工具進一步包括至少一表面部分，該至少一表面部分界定一垂直於軸向延伸之工具抵接平面。
  25. 一種晶圓級封裝，包括一第一基板、一第二基板以及複數個光學元件，其中，該等基板沿軸向堆疊，其中，該第一基板及該第二基板之至少一者預成形，並包括 至少一凹處，其中，該等基板以該等基板相互抵接之方式相互連接，俾至少一空腔形成於該凹處區域中，其中，至少一光學元件位於該至少一空腔中，其中，該第一基板包括一大致平面前表面，且該第二基板預成形，並包括至少一凹處，且其中，該等光學元件配置於該第一基板之該平面狀前表面上。
  26. 如申請專利範圍第25項之晶圓級封裝，其中，該等光學元件附接於該第一基板，並配置於該至少一空腔中與該第二基板之一前表面或後表面中至少一者隔一預定軸向距離處。
  27. 如申請專利範圍第25項之晶圓級封裝，其中，該第一基板預成形，並包括至少一凹處，且該等光學元件配置於該第一基板之該至少一凹處中。
  28. 如申請專利範圍第25項之晶圓級封裝，其中，該第二基板包括複數個功能元件，該等功能元件選自以下群組：影像捕捉元件、光源、光學元件、透鏡元件、電光學元件。
  29. 如申請專利範圍第28項之晶圓級封裝，其中，該等功能元件係複製之光學元件。
  30. 如申請專利範圍第25項之晶圓級封裝，其中，該第一基板及該第二基板係預成形之基板，各具有一前表面和一後表面以及該前表面和該後表面之至少一者中的至少一凹處。
  31. 如申請專利範圍第30項之晶圓級封裝，其中， 複製之光學元件配置於該第二基板之該至少一凹處中。
  32. 如申請專利範圍第25項之晶圓級封裝，進一步包括諸光學元件，該等光學元件配置於該第二基板上，軸向對準該第一基板上之該等光學元件。
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1542074A1 (en) * 2003-12-11 2005-06-15 Heptagon OY Manufacturing a replication tool, sub-master or replica
KR100867520B1 (ko) * 2007-04-23 2008-11-07 삼성전기주식회사 결상 렌즈 및 그 제조 방법
JP5580207B2 (ja) * 2007-11-27 2014-08-27 ヘプタゴン・マイクロ・オプティクス・プライベート・リミテッド ウェハ・スケール・パッケージおよびその製作方法、ならびに光学デバイスおよびその製作方法
WO2010033211A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Tessera North America, Inc. Recessed optical surfaces
NL1036360C2 (nl) * 2008-12-23 2010-06-24 Anteryon B V Optische eenheid.
EP2412734A1 (en) 2009-03-23 2012-02-01 FUJIFILM Corporation Curable resin composition for cemented lenses, image pick-up lens, and process for produciton of image pick-up lens
EP2561549A4 (en) 2010-04-21 2014-03-19 Empire Technology Dev Llc PRECISION DISTANCE FOR STACKED WAFER ARRANGEMENTS
WO2011156926A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-22 Heptagon Oy Method of manufacturing a plurality of optical devices
KR101890457B1 (ko) 2011-08-10 2018-08-21 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 광전자 모듈 및 그것을 제조하기 위한 방법
CN103890949B (zh) * 2011-08-25 2017-10-03 新加坡恒立私人有限公司 光学器件、特别是用于计算式摄像机的模块的晶片级制造
US9634051B2 (en) * 2012-07-17 2017-04-25 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical devices, in particular computational cameras, and methods for manufacturing the same
US8606057B1 (en) 2012-11-02 2013-12-10 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Opto-electronic modules including electrically conductive connections for integration with an electronic device
US9595553B2 (en) 2012-11-02 2017-03-14 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including focal length adjustment and fabrication of the optical modules
US9711552B2 (en) 2014-08-19 2017-07-18 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having a silicon substrate, and fabrication methods for such modules
US9507143B2 (en) * 2014-09-19 2016-11-29 Intel Corporation Compact illumination system
CN104991401A (zh) * 2015-06-30 2015-10-21 广东欧珀移动通信有限公司 移动终端

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004027880A2 (en) * 2002-09-17 2004-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Camera device, method of manufacturing a camera device, wafer scale package
US6844978B2 (en) * 1997-10-03 2005-01-18 Digital Optics Corp. Wafer level creation of multiple optical elements

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5568574A (en) * 1995-06-12 1996-10-22 University Of Southern California Modulator-based photonic chip-to-chip interconnections for dense three-dimensional multichip module integration
US6235141B1 (en) * 1996-09-27 2001-05-22 Digital Optics Corporation Method of mass producing and packaging integrated optical subsystems
US20020149107A1 (en) * 2001-02-02 2002-10-17 Avery Dennison Corporation Method of making a flexible substrate containing self-assembling microstructures
US6892002B2 (en) * 2001-03-29 2005-05-10 Ibsen Photonics A/S Stacked planar integrated optics and tool for fabricating same
EP1443344A1 (en) * 2003-01-29 2004-08-04 Heptagon Oy Manufacturing micro-structured elements
US20070216049A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Heptagon Oy Method and tool for manufacturing optical elements
US20070216048A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Heptagon Oy Manufacturing optical elements
US20070216046A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Heptagon Oy Manufacturing miniature structured elements with tool incorporating spacer elements

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6844978B2 (en) * 1997-10-03 2005-01-18 Digital Optics Corp. Wafer level creation of multiple optical elements
WO2004027880A2 (en) * 2002-09-17 2004-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Camera device, method of manufacturing a camera device, wafer scale package

Also Published As

Publication number Publication date
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