TWI460893B - 發光二極體封裝基板及發光二極體封裝結構之形成方法 - Google Patents

Description

發光二極體封裝基板及發光二極體封裝結構之形成方法

本發明涉及一種發光二極體封裝基板及發光二極體封裝結構之形成方法。

傳統之發光二極體封裝結構之切割方法一般採用鐳射切割，但是為了降低切割成本以及簡化制程，目前在發光二極體制程上大多採用裂片（breaking）方式。具體方法為：在用於形成多個封裝結構之封裝基板上預切割多條切割線，在完成封裝制程後，沿著所述切割線將多個發光二極體封裝結構分別剝離下來，得到多個分離之發光二極體封裝結構。但是為了保持封裝基板整體結構，防止在預切割或後續封裝制程時封裝基板出現斷裂，切割線不能切之太深，這就導致了在剝離發光二極體封裝結構之過程中，由於應力無法很好地進行傳遞至切割線處，容易造成剝離後之發光二極體封裝結構邊緣不規則，從而影響到發光二極體封裝結構之良率。

有鑒於此，有必要提供一種剝離後之發光二極體封裝結構邊緣規則，良率較高之發光二極體封裝基板以及發光二極體封裝結構之形成方法。

一種發光二極體封裝基板，其包括相對之上表面和下表面。所述上表面和下表面分別形成多條相交之切割線，所述切割線將所述發光二極體封裝基板分割成多個單片。所述切割線之交點處形成有貫通所述基板上下表面之通孔，所述通孔內壁靠近所述發光二極體封裝基板之上表面及下表面之兩端沿所述切割線分別開設有切口。

一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下幾個步驟：

提供一發光二極體封裝基板， 其包括相對之上表面和下表面，所述上表面和下表面分別形成多條相交之切割線，所述切割線將所述發光二極體封裝基板均勻分割成多個單片；

在所述切割線之交點處開設貫通所述發光二極體封裝基板上表面及下表面之通孔；

在所述通孔內壁靠近所述發光二極體封裝基板之上表面及下表面之上下兩端沿所述切割線分別開設切口；

將多個發光二極體晶粒分別設置在所述發光二極體封裝基板之每個單片上；

沿著所述切割線分別剝離下每個單片，從而形成多個發光二極體封裝結構。

相較於現有技術，本發明之發光二極體封裝基板在上下表面分別預切割有切割線，並且在上下表面上沿所述切割線分別開設切口，從而在剝離過程中，有利於應力之傳遞，剝離更容易，剝離後之發光二極體封裝結構之邊緣更規則，良率比較高。

以下將結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。

請參閱圖1，圖2以及圖3，本發明實施方式提供之一種發光二極體封裝基板100包括相對之上表面110以及下表面120。

所述上表面110以及下表面120分別形成有多條相交之橫向及縱向之切割線130，所述切割線130將所述發光二極體封裝基板100均勻分割成多個單片140。為保持所述發光二極體封裝基板100之整體結構，防止其斷裂，所述切割線130之深度不宜太深，其具體深度應視基板材質而定。

所述橫向及縱向之切割線130之交點處形成有貫通所述發光二極體封裝基板100之上表面110以及下表面120之通孔150。

在所述發光二極體封裝基板100之上表面110上，所述每個單片140都開設有凹槽141，所述凹槽141中設置有上電極142。在所述發光二極體封裝基板100之下表面120上設置有與所述上電極142相對應之下電極143，所述上電極142與所述下電極143彼此電性連接。在本實施方式中，所述發光二極體封裝基板100為一陶瓷基板。可以理解，在其他實施方式中，所述單片140上也可不形成凹槽141。

所述通孔150內壁靠近所述發光二極體封裝基板100之上表面110以及下表面120之上下兩端沿所述切割線130分別開設有切口160。所述切口160與所述切割線130連通，並且比所述切割線130之深度要深。在本實施方式中，所述切口160在垂直所述發光二極體封裝基板100之方向上呈“V”字型。

本發明實施方式中之發光二極體封裝基板100，由於預切割之所述切割線130之深度不深，從而可以很好之保持所述發光二極體封裝基板100之整體性，防止在預切割或後續封裝制程時所述發光二極體封裝基板100出現斷裂。同時，又由於所述發光二極體封裝基板100之上下表面沿切割線130分別開設有切口，從而在剝離過程中，更有利於應力之傳遞，剝離更容易，剝離後之發光二極體封裝結構之邊緣更規則，良率較高。

請一併參閱圖4以及圖5，本發明實施方式提供一種發光二極體封裝結構之形成方法，所述方法包括以下幾個步驟：

步驟一，請參閱圖1至圖3，提供一發光二極體封裝基板100，其包括相對之上表面110以及下表面120，在所述上表面110以及下表面120分別對應預切割形成多條相交之橫向及縱向之切割線130，所述切割線130將所述發光二極體封裝基板100均勻分割成多個單片140。在所述發光二極體封裝基板100之上表面110上，所述每個單片140都開設有凹槽141，所述凹槽141中設置有上電極142。在所述發光二極體封裝基板100之下表面120上設置有與所述上電極142相對應之下電極143，所述上電極142與所述下電極143彼此電性連接。

步驟二，在所述橫向及縱向之切割線130之交點處開設貫通所述發光二極體封裝基板100上表面110以及下表面120之通孔150。

步驟三，在所述通孔150內壁靠近所述發光二極體封裝基板100之上表面110以及下表面120之上下兩端沿所述切割線130分別開設切口160。所述切口160與所述切割線130連通，並且比所述切割線130之深度要深。在本實施方式中，所述切口160在垂直所述發光二極體封裝基板100之方向上呈“V”字型。

步驟四，請參閱圖4，將多個發光二極體晶粒200分別設置在所述每個單片140之凹槽141中，並且電性連接其中之上電極142。

步驟五，請參閱圖5，在每個單片140之凹槽141中形成封裝層300，覆蓋所述發光二極體晶粒200。在本實施方式中，所述封裝層300可以為環氧樹脂、矽樹脂或者是兩者組合材料構成。所述封裝層300中還可包括有螢光粉，所述螢光粉可以為石榴石結構化合物、矽酸鹽、氮化物、氮氧化物、磷化物、硫化物或前述材料之組合。

步驟六，沿著所述切割線130分別剝離下每個單片140，從而形成多個發光二極體封裝結構。

在剝離過程中，當對所述發光二極體封裝基板100之上表面110施以下壓力時，上表面110之切口160處就會產生張應力，該應力將會向下延伸尋找所述發光二極體封裝基板100之相對脆弱之區域，從而就會延伸至所述下表面120之相對較深之切口160處，進而將發光二極體封裝結構從所述發光二極體封裝基板100上剝離下來。由於在所述發光二極體封裝基板100之上表面110以及下表面分別開設相對於切割線130較深之切口160，從而更有利於應力之傳遞，剝離更容易，剝離後之發光二極體封裝結構之邊緣更規則，良率比較高。

相較於現有技術，本發明之發光二極體封裝基板在上下表面分別預切割有切割線，並且在上下表面上沿所述切割線分別開設切口，從而在剝離過程中，有利於應力之傳遞，剝離更容易，剝離後之發光二極體封裝結構之邊緣更規則，良率比較高。

另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，這些依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。

100．．．發光二極體封裝基板

110．．．上表面

120．．．下表面

130．．．切割線

140．．．單片

141．．．凹槽

142．．．上電極

143．．．下電極

150．．．通孔

160．．．切口

200．．．發光二極體晶粒

300．．．封裝層

圖1為本發明實施方式中之發光二極體封裝基板之俯視圖。

圖2為本發明實施方式中之發光二極體封裝基板之仰視圖。

圖3為圖1中之發光二極體封裝基板沿III-III之剖面示意圖。

圖4為將圖1中之發光二極體封裝基板設置發光二極體晶粒之俯視圖。

圖5為在圖4中之發光二極體晶粒上設置封裝層之發光二極體封裝基板之俯視圖。

100．．．發光二極體封裝基板

110．．．上表面

130．．．切割線

140．．．單片

141．．．凹槽

142．．．上電極

150．．．通孔

160．．．切口

Claims (9)

1. 一種發光二極體封裝基板，其包括相對之上表面和下表面，所述上表面和下表面分別形成多條相交之切割線，所述切割線將所述發光二極體封裝基板分割成多個單片，其改進在於，所述切割線之交點處形成有貫通所述基板上下表面之通孔，所述通孔內壁靠近所述發光二極體封裝基板之上表面及下表面之兩端沿所述切割線分別開設有切口。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝基板，其中：所述基板為陶瓷基板。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝基板，其中：所述切口與所述切割線連通，並在垂直所述發光二極體封裝基板之方向上呈“V”字型。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝基板，其中：在所述基板之上表面上，所述每個單片都開設有凹槽，所述凹槽中設置有上電極，在所述基板之下表面上設置有與所述上電極相對應之下電極，所述上電極與所述下電極彼此電性連接。
5. 一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下幾個步驟：
   提供一發光二極體封裝基板， 其包括相對之上表面和下表面，所述上表面和下表面分別形成多條相交之切割線，所述切割線將所述發光二極體封裝基板均勻分割成多個單片；
   在所述切割線之交點處開設貫通所述發光二極體封裝基板上表面及下表面之通孔；
   在所述通孔內壁靠近所述發光二極體封裝基板之上表面及下表面之上下兩端沿所述切割線分別開設切口；
   將多個發光二極體晶粒分別設置在所述發光二極體封裝基板之每個單片上；
   沿著所述切割線分別剝離下每個單片，從而形成多個發光二極體封裝結構。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：在所述發光二極體封裝基板之上表面上，所述每個單片都開設有凹槽，所述凹槽中設置有上電極，在所述發光二極體封裝基板之下表面上設置有與所述上電極相對應之下電極，所述上電極與所述下電極彼此電性連接。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述多個發光二極體晶粒分別設置在所述每個單片之凹槽中，並且電性連接其中之上電極。
8. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述切口與所述切割線連通，並呈“V”字型。
9. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：在將多個發光二極體晶粒分別設置在所述發光二極體封裝基板之每個單片上之步驟之後還包括在每個單片之凹槽中形成封裝層，覆蓋所述發光二極體晶粒之步驟。