TWI457713B - 微影設備中聚光裝置之對齊 - Google Patents

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TWI457713B
TWI457713B TW098125257A TW98125257A TWI457713B TW I457713 B TWI457713 B TW I457713B TW 098125257 A TW098125257 A TW 098125257A TW 98125257 A TW98125257 A TW 98125257A TW I457713 B TWI457713 B TW I457713B
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Description

微影設備中聚光裝置之對齊
本發明大體上係關於微影工具之領域，且更特定而言，係關於微影設備中聚光裝置之對齊。
微影設備為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化裝置(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(例如，抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影設備可包括：所謂的「步進器」，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的「掃描器」，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化裝置轉印至基板。
為了能夠將愈來愈小之結構投影至基板上，已提議使用具有(例如)在約13奈米至14奈米之範圍內之波長的遠紫外線輻射(EUV)。已進一步提議可使用具有小於約10奈米(例如，約6.7奈米或6.8奈米)之波長的輻射。在微影術之情境中，小於約10奈米之波長有時被稱作「超EUV」(beyond EUV)或「軟x射線」。
可使用(例如)電漿來產生遠紫外線輻射及超EUV輻射。可(例如)藉由在適當材料(例如，錫)之粒子處引導雷射或藉由在適當氣體或蒸汽(例如，Xe氣體或Li蒸汽)之流處引導雷射來形成電漿。所得電漿發射EUV(或超EUV輻射)，其係使用聚光器(諸如，聚焦鏡面或掠入射聚光器)而聚集。
聚光器之定向及/或位置將判定自聚光器引導(例如，自聚光器反射)輻射之方向。將需要將輻射精確地引導至微影設備之不同部件，且因此重要的係使聚光器在特定方向上引導輻射。當第一次建構及使用微影設備時，可有可能確保聚光器在該特定方向上引導輻射。然而，隨著時間推移，可能難以確保始終在此特定方向上引導輻射光束。舉例而言，微影設備之部件(例如，輻射源之部件)的移動可使輻射之方向移位。另外或或者，當替換微影設備之部件(例如，出於維護目的)時，甚至替換部件之略微未對齊亦可使輻射之方向移位。
因此，需要對齊或重新對齊輻射源之聚光器與微影設備之沿著輻射光束之路徑而更遠定位之部件。因為照明器(在下文中亦被稱作「照明系統」或「照明配置」)為微影設備之接收由聚光器所引導之輻射的部件，所以需要相對於照明器而對齊或重新對齊輻射源之聚光器。
相對於照明器而對齊聚光器之經提議方法涉及將發光二極體(LED)附著至聚光器。由LED所發射之輻射的量測可用以判定聚光器相對於預設(或參考)位置之定向(例如，傾斜)及/或位置。然而，此方法之問題在於：LED可能對耐受聚光器周圍之惡劣環境並不穩固。舉例而言，高溫及至EUV輻射之延長曝光可快速地損害或破壞LED。此外，必須以高精確度而將LED附著至聚光器，其中隨著時間推移而具有LED之位置之極小漂移或無漂移。在給定此等條件的情況下，難以達成基於LED之實施。
需要用於聚光裝置相對於照明器裝置之對齊之微影設備及方法以解決上述問題。
根據本發明之一實施例，一種用於微影設備之配置可包括以下各項：輻射源，輻射源係用於提供輻射；輻射聚光器，輻射聚光器係用於聚集來自輻射源之輻射；照明系統，照明系統經組態以調節由聚光器所聚集之輻射且提供輻射光束；其中微影設備可包括：偵測器，偵測器經安置以對於待使聚光器相對於其對齊的照明系統之部件呈固定位置關係；及聚光器之區域，聚光器之區域經組態以引導自輻射源發出且橫穿該區域朝向偵測器之輻射之一部分，偵測器經配置以偵測輻射之該部分之特性之改變，該改變指示出，對於聚光器待相對於照明系統之部件對齊，聚光器相對於照明系統之部件之位置或定向之改變。
由聚光器所聚集之輻射可橫穿具有反射率之聚光器表面，且該區域可為或可具備包括具有相對於該反射率之經增加反射率之表面、具有相對於該反射率之經減少反射率之表面、孔徑或圖案之群組中的至少一者。
該區域可具有一表面，該表面具有不同於聚光器之表面之形狀(或構形)的形狀(或構形)，諸如，以在不同方向上重新引導輻射。該區域可為聚光器之部件或可附著至聚光器。
偵測器可附著至照明系統、位於照明系統上或內、附著至待使聚光器相對於其對齊的照明系統之部件，或位於待使聚光器相對於其對齊的照明系統之部件上或內。
照明系統可具備光學元件，其中光學元件可包括光域元件，光域元件係用於劃分碰撞彼等元件之輻射光束，且其中偵測器附著至光學元件或形成光學元件之部件。
用於微影設備之配置亦可包括複數個偵測器，如上述偵測器且經配置以類似於上述偵測器而起作用。
聚光器之區域可經配置以影響朝向偵測器所引導之輻射之強度剖面，或影響引導輻射朝向偵測器之方向。聚光器之區域可經配置以在聚光器之位置或定向相對於待使聚光器相對於其對齊的照明系統之部件而改變時影響朝向偵測器所引導之輻射。
根據本發明之另一實施例，一種用於微影設備之配置可包括以下各項：輻射源，輻射源係用於提供輻射；輻射聚光器，輻射聚光器係用於聚集來自輻射源之輻射；照明系統，照明系統經組態以調節由聚光器所聚集之輻射且提供輻射光束；其中該配置可包括：偵測器，偵測器經安置以對於待使聚光器相對於其對齊的照明系統之部件呈固定位置關係；及另一輻射源，該另一輻射源經配置以引導對應另一輻射朝向聚光器之區域，該區域經組態以引導該另一輻射朝向偵測器，偵測器經配置以偵測自該區域所反射之該另一輻射之特性之改變，該改變指示出，對於聚光器待相對於照明系統之部件對齊，聚光器相對於照明系統之部件之位置或定向之改變。可提供一個以上區域。
該另一輻射源可附著至照明系統、位於照明系統上或內、附著至待使聚光器相對於其對齊的照明系統之部件，或位於待使聚光器相對於其對齊的照明系統之部件上或內。
該配置之微影設備可進一步包括以下各項：支撐件，支撐件經建構以支撐圖案化裝置，圖案化裝置能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，基板台經建構以固持基板；及投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上。
根據本發明之又一實施例，一種對齊聚光器與該配置之照明系統之該部件的方法可包括以下各項：偵測自聚光器所具備之區域所引導之輻射；根據該偵測而判定聚光器是否與照明系統之該部件對齊；及若聚光器未與照明系統之該部件對齊，則移動聚光器或照明器之該部件。在移動聚光器或照明器之該部件之後，可重複該方法。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部件。
在以下描述中，為了解釋之目的，闡明眾多特定細節，以便提供對本發明之實施例的詳盡理解。然而，對於熟習相關技術者而言將明顯的係，可在無此等特定細節的情況下實踐本發明之實施例。在其他情況下，未詳細地展示熟知電路、結構及技術，而是以方塊圖形式來展示熟知電路、結構及技術，以便避免不必要地使對此描述之理解模糊。
在該描述中對「一實施例」之參考意謂結合該實施例所描述之特定特徵、結構或特性包括於本發明之至少一實施例中。位於此描述中之各種位置處之措詞「在一實施例中」未必指代同一實施例。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影設備2。微影設備2包括以下各項：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)；支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化裝置(例如，光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位圖案化裝置之第一定位器PM；基板台(例如，晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數而精確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構向圖案化裝置提供支撐(亦即，承載圖案化裝置)。支撐結構以取決於圖案化裝置之定向、微影設備2之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化裝置。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置。支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐結構可確保圖案化裝置(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之使用與更通用之術語「圖案化裝置」同義。
本文所使用之術語「圖案化裝置」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案(例如)以便在基板之目標部分中形成圖案的任何裝置。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之裝置(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化裝置之實例包括光罩及可程式化鏡面陣列。光罩在微影術中係熟知的，且通常在EUV(或超EUV)輻射微影設備中將係反射的。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統。通常，在EUV(或超EUV)輻射微影設備中，光學元件將係反射的。然而，可使用其他類型之光學元件。光學元件可在真空中。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。
微影設備2可為反射類型(例如，使用反射光罩)。微影設備2可具有兩個(例如，雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上光罩台)。在該等「多平台」組態中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。輻射源與微影設備可為單獨實體，其中不認為輻射源形成微影設備2之部件，且輻射光束係藉助於光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。光束傳送系統可包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器。或者，輻射源可為微影設備2之整體部件。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括(例如)用於調整輻射光束之角強度分布的調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器(integrator)及聚光器(condenser)。照明器IL可用以調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如，光罩台MT)上之圖案化裝置(例如，光罩MA)上，且係由圖案化裝置圖案化。在反射離開光罩MA之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動(例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑而精確地定位光罩MA(例如，在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間)。一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部件的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現光罩台MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部件的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對齊標記M1、M2及基板對齊標記P1、P2來對齊光罩MA及基板W。儘管如所說明之基板對齊標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對齊標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於光罩MA上之情形中，光罩對齊標記可位於該等晶粒之間。
微影設備2可用於以下模式中之至少一者中：
1.　在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使光罩台MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.　在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描光罩台MT及基板台WT(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.　在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使光罩台MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化裝置，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2展示圖1所示且參看圖1所描述之照明器IL及源SO的更詳細但仍為示意性的描繪。圖2展示傳遞通過在反射表示中具有兩個琢面化光學元件100及160之照明器IL之輻射光束的光束路徑。光束路徑係由軸線「A」示意性地指示。自輻射源SO之發射點105所發射之輻射係藉由聚光器鏡面CO而聚集且轉換成以軸線A為中心之會聚光束。源SO之影像位於中間焦點IF處。第一光學元件100包括配置於第一光域元件板120上之場光域元件110。場光域元件110將碰撞第一光學元件100之輻射光束劃分成複數個光通道，且在表面140處形成二次光源130，在表面140中安置第二光學元件160之光瞳光域元件150。第二光學元件160之光瞳光域元件150配置於光瞳光域元件板170上。二次光源130安置於照明系統之光瞳中。圖2中未展示的在第二光學元件160之下游之光學元件可用來將光瞳成像至照明器IL之出射光瞳上(圖2中未展示)。投影系統之入射光瞳與照明器IL之出射光瞳重合(根據所謂的「柯勒照明」(illumination))。反射照明器IL系統可進一步包括經建構及配置用於場成像及場成形之光學元件(諸如，掠入射場鏡面GM)。
第一光學元件100之光域元件110及第二光學元件160之光域元件150分別經建構為鏡面。光域元件110及150分別在特定定向(例如，位置及傾斜角)的情況下配置於光域元件板120及170上。在場光域元件板120上個別場光域元件110之預選定定向(例如，傾斜角)的情況下，有可能固定場光域元件110中之每一元件至光瞳光域元件板170上之對應光瞳光域元件150的一對一分配。
為了減少與光罩MA重合之物件平面處之照明的非均一性，場光域元件110至光瞳光域元件150之分配可不同於如圖2中由虛線180所示之分配。
圖3示意性地描繪聚光器CO及其相對於第一光學元件100之位置。輻射200經展示為自發射點105發射且由聚光器CO引導朝向第一光學元件100。需要使聚光器CO在特定方向上引導輻射200。亦需要使特定方向在使用微影設備期間恆定，使得微影設備之經組態以考慮引導輻射200之方向之任何元件均可以所意欲方式起作用。如以上所論述，因此，需要提供一種允許聚光器CO與照明器IL(或更一般化地為照明器IL之一部件)之對齊或重新對齊以使得在特定方向上聚焦輻射的方法及設備。
微影設備中聚光裝置之例示性對齊
圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的聚光器CO及第一光學元件100。圖4亦示意性地描繪在對齊聚光器CO與在此實例中為第一光學元件100時所使用之量測配置300及310。量測配置包括偵測器300及位於聚光器CO上之區域310，此可影響輻射200之引導或重新引導。輻射200可入射於區域310上。
偵測器300可對於待使聚光器CO相對於其對齊的的照明器IL之部件呈固定位置。在此情況下，偵測器300與第一光學元件100具有固定位置關係。可藉由(例如)將偵測器300安裝至第一光學元件100或藉由單獨地安裝偵測器300與第一光學元件100來確保固定位置關係。此確保偵測器300與第一光學元件100之相對位置不會相對於彼此而改變。
在使用中，自發射點105發射輻射200。聚光器CO聚集輻射200且重新引導輻射200朝向第一光學元件100。自發射點105所發射之輻射200之一部分入射於區域310上。可藉由偵測器300來量測入射於區域310上之輻射200之改變。舉例而言，區域310及偵測器300可經組態成使得輻射200入射於區域310上且反射朝向偵測器300。藉由量測由區域310所影響之輻射之改變，可獲得指示聚光器CO之定向的資訊。
圖5a至圖5c示意性地描繪根據本發明之實施例的聚光器CO之一部件及影響入射輻射之重新引導之區域的替代組態。
圖5a展示位於聚光器CO上之區域320。在一實施例中，區域320具有相對於聚光器CO之剩餘表面的經減少反射率。因此，自此經減少反射率區域320所反射之輻射的強度與入射於聚光器CO之其他表面上之輻射的強度相比可減少。在參看圖4時，可藉由偵測器300來偵測該強度減少。組合地參看圖4與圖5a，區域320因此可導致經減少強度區域成像至偵測器300上且由偵測器300偵測。聚光器CO之移動將導致區域320之移動且因此導致偵測器300上經減少強度區域之繼起移動。可使用(例如)偵測器300上之偵測元件陣列來偵測該移動。總之，可藉由使用偵測器300來偵測經減少強度區域之移動而獲得至少指示聚光器CO相對於偵測器300(且因此相對於照明器IL)之位置及/或定向的資訊。
儘管已描述經減少反射率區域320，但其他組態亦係可能的。圖5b展示聚光器CO之區域可具備孔或孔徑330。孔徑330可導致入射於聚光器CO之此區域上之輻射及朝向偵測器300所引導之對應輻射的強度減少。以與以上關於圖5a所描述之方式類似的方式，可藉由偵測器300來偵測自具備孔徑330之區域所反射之輻射的該強度減少。此經減少強度區域之移動可經偵測且用以判定至少指示聚光器CO相對於偵測器300(且因此相對於照明器IL)之位置及/或定向的資訊。
圖5c展示聚光器CO之區域可具備圖案340。舉例而言，圖案340可包括經組態以影響入射於圖案340上之輻射之反射的具有不同反射率之區域。可偵測藉由圖案340朝向偵測器300所重新引導之輻射，且因此，偵測器300上圖案特徵(例如，具有不同強度之區域)之移動可經偵測且用以判定至少指示聚光器CO相對於偵測器300(且因此相對於照明器IL)之位置及/或定向的資訊。
提供於聚光器上或附著至聚光器之區域可具有不同於關於圖5a至圖5c所描述之特徵或功能性的特徵或功能性。舉例而言，該區域可具有相對於聚光器CO之剩餘表面的經增加反射率。因此，自此經增加反射率區域所反射之輻射的強度可大於自聚光器之其他部件所反射之輻射的強度。該強度增加可由偵測器300偵測，且具有經增加強度之區域的移動可由偵測器300偵測。一般而言，偵測器300可經配置以偵測由該區域所重新引導之輻射之該部分之特性之改變，其中該改變可指示出，對於待使聚光器CO相對於其對齊的照明系統之部件，聚光器CO相對於該照明系統之該部件的位置或定向之改變。此特性可為(例如)經偵測強度之改變、經偵測波長之改變、經偵測頻率之改變，或經偵測圖案之改變。
一旦已獲得至少指示聚光器CO之位置及/或定向的資訊，便可使用該資訊以對齊聚光器CO與光學元件(例如，圖2中之第一光學元件100)或一般而言為照明器IL中或上之與偵測器300具有固定位置關係之參考點。可移動聚光器CO或定位有聚光器CO之外殼或其類似者，以便對齊聚光器CO與光學元件。或者或另外，可移動照明器IL之一部件，以便使聚光器CO與該部件對齊。可藉由任何適當致動配置(諸如，線性致動器、壓電致動器及步進器馬達)來進行該移動。聚光器CO可藉由確保偵測器300偵測(例如)特定位置中之經減少強度區域而正確地對齊。藉由偵測器300來偵測經減少強度區域之特定位置可對應於聚光器CO與光學元件之所要對齊組態。
熟習相關技術者應根據圖4、圖5a、圖5b及圖5c之評論而瞭解，無需額外輻射源以對齊聚光器CO與光學元件(或一般而言為照明器IL中或上之與偵測器300與具有固定位置關係之另一參考點)。實情為，自發射點(例如，圖4中之發射點105)所發射之輻射係用以對齊聚光器CO與光學元件(例如，圖4中之第一光學元件100)。此外，無需LED或其類似者位於聚光器CO上以便對齊聚光器CO與光學元件。又，此減少與該等LED之購買及維護相關聯的成本，且亦避免對歸因於在聚光器CO周圍之惡劣環境中所遭受之損害而定期地替換LED的需要。如以上所論述，在已知配置中，可難以將LED定位於聚光器上且在該位置中維持某一精確度，因此影響聚光器之對齊精確度。因為本發明之實施例不依賴於附著至聚光器之LED的使用，所以避免該等問題且可改良可進行聚光器之對齊的精確度。
圖6示意性地描繪根據本發明之另一實施例的聚光器CO及第一光學元件100連同量測配置400、410及420。量測配置400、410及420可包括輻射源400，其可為(例如)LED或其類似者。輻射源400亦可被稱作「另一輻射源」或「額外輻射源」以區別於EUV輻射源之發射點105。輻射源400經組態以發射輻射405且引導輻射405朝向位於聚光器CO之周邊上的區域410。區域410可經組態以反射輻射405朝向偵測器420。在此實施例中，偵測器420可鄰近於輻射源400而定位。可藉由偵測自區域410(位於聚光器之周邊上)所反射之輻射405而獲得至少指示聚光器CO之位置及/或定向的資訊。
在一實施例中，區域410可具有相對於聚光器CO之剩餘表面的經增加反射率。舉例而言，區域410可為聚光器CO之拋光區域。或者或另外，區域410可採取以上關於圖5a至圖5c所描述之區域中之任一者的形式。一般而言，區域410經組態成使得聚光器CO之移動導致藉由區域410而對輻射405之反射之改變。如此，反射之此改變可經偵測且用以獲得至少指示聚光器CO之位置及/或定向的資訊。該改變可為位置的，諸如，經減少或經增加強度區域之位置之改變。在另一實例中，該改變可為經反射至偵測器上之圖案之本性之改變。一般而言，偵測器可經組態以偵測由區域410所重新引導之輻射之該部分之特性之改變，其中該改變指示出，對於待使聚光器CO相對於其對齊的照明系統之部件，聚光器CO相對於該照明系統之該部件的位置或定向之改變。此特性可為(例如)經偵測強度之改變、經偵測波長之改變、經偵測頻率之改變，或經偵測圖案之改變。
在一實施例中，偵測器420及/或輻射源400位於相對於第一光學元件100(或一般而言為照明器IL之將進行對齊所相對之部件)之固定位置中。此係使得可進行聚光器CO相對於照明器IL之該部件之對齊。如以上所描述，可(例如)藉由使用致動配置以移動聚光器CO或定位有聚光器CO之外殼或待使聚光器CO相對於其對齊的照明器IL之部件來進行聚光器CO之對齊。
圖6所示且參看圖6所描述之實施例與已知配置相比係有利的。此係因為無需LED或其類似者位於聚光器上以便對齊其與光學元件。此避免對歸因於在聚光器周圍之惡劣環境中所遭受之損害而定期地替換LED的需要。如以上所論述，在已知配置中，可能難以將LED定位於聚光器上且維持該位置之某一精確度。此可影響可進行聚光器對齊之精確度。因為本發明之實施例不依賴於附著至聚光器之LED的使用，所以避免該等問題且可改良聚光器對齊之精確度。
在以上實施例中，已描述偵測器如何可(例如)位於一位置中，對於待進行對齊的照明器之部件(例如，圖2至圖6中之第一光學元件100)，該位置相對於該照明器之該部件係固定的。圖7及圖8示意性地描繪第一光學元件100之平面圖。若將實施以上實施例，則偵測器較佳地位於相對於光學元件100係固定之位置中。圖7展示此如何可被達成之實例，其中偵測器300、420可位於第一光學元件100上。偵測器300、420可位於第一光學元件100之不控制自第一光學元件100所反射之輻射光束之性質之部件中。舉例而言，在一實施例中，偵測器300、420可位於第一光學元件100之周邊上且不位於場光域元件110上或中。然而，輻射可仍入射於偵測器300、420上，且因此，可使用圖7所示之組態來實施圖4、圖5a、圖5b及圖5c所示且參看圖4、圖5a、圖5b及圖5c所描述之實施例。
在圖7之另一實施例中，可在聚光器之對齊中使用額外輻射源。圖8展示根據本發明之一實施例的在不影響輻射光束自第一光學元件100之反射的位置中位於第一光學元件100上之輻射源400。輻射源400可位於第一光學元件100之周邊上且不位於場光域元件110中或上。
組合地參看圖7與圖8，藉由將偵測器300、420定位於待使聚光器相對於其對齊的物件(例如，第一光學元件100)上，達成偵測器與待相對於其對齊的物件之間呈固定位置關係。圖8展示輻射源400可位於待使聚光器相對於其對齊的物件上。輻射源400與待使聚光器相對於其對齊的物件之間的固定位置關係可在微影應用中係有利的。熟習相關技術者應瞭解，偵測器300、420及/或輻射源400可位於第一光學元件100旁邊或上方。
已將至此所描述之偵測器及輻射源描述為處於與待使聚光器相對於其對齊的照明器之部件呈固定位置關係。偵測器及/或輻射源可位於照明器或照明器之該部件內及/或附著至照明器或照明器之該部件。
可組合以上所描述之實施例。自發射點所發射之輻射可用以相對於照明器而對齊聚光器，且又，由另一輻射源所產生且朝向聚光器所引導之輻射亦可用以對齊聚光器。此處，可使用一或多個偵測器。以上所描述之實施例之組合可導致聚光器之精確對齊，或可在量測配置中之一者發生故障的情況下提供冗餘。
在以上實施例中，已描述之聚光器係藉由(例如)凹入反射表面而形成。在使用額外輻射源以在聚光器之區域處引導輻射且接著使用偵測器以偵測自此區域所反射之輻射之改變(例如，見圖6之描述)的實施例中，聚光器亦可為(例如)掠入射聚光器。該區域可為掠入射聚光器之組成部件之部件或附著至掠入射聚光器之組成部件。
在所有所描述實施例中，已描述為影響入射於彼等區域上之輻射之方向的該等區域可形成聚光器之部件或可附著至聚光器。該等區域可位於聚光器之周邊上或附著至聚光器之周邊。
在以上實施例中，僅已描述單一偵測器。可藉由使用(例如)一個以上偵測器(例如，三個偵測器)而獲得額外及/或更精確的位置及/或定向資訊。或者或另外，可藉由使用(例如)一個以上區域(例如，三個區域)而獲得額外及/或更精確的位置及/或定向資訊。可針對每一區域而提供一偵測器，且可提供複數個該等區域-偵測器配對。
可在任何適當時間進行聚光器相對於照明器之對齊。舉例而言，在一實施例中，可在關於微影設備之一部件或全部所進行之校準例行工作期間進行對齊。可在微影設備尚未用以將圖案施加至基板時進行對齊。可在第一次致動微影設備時或在一延長之不活動時期之後進行對齊。可在(例如)替換或移除聚光器或照明器之部件時(例如，在維護例行工作或其類似者期間)進行對齊。在一實施例中，對齊聚光器與照明系統之一部件的方法可包括以下各項：偵測自聚光器所具備之區域所引導之輻射；根據該偵測而判定聚光器是否與照明系統之該部件對齊；及若聚光器未與照明系統之該部件對齊，則移動聚光器或照明器之該部件。在移動聚光器或照明器之該部件之後，可重複該方法。
儘管本發明之實施例之以上描述係關於產生EUV輻射(例如，5奈米至20奈米)之輻射源，但本發明亦可體現於產生具有不同波長之輻射的輻射源中。舉例而言，輻射源可產生「超EUV」輻射(例如，具有小於10奈米之波長的輻射)。超EUV輻射可具有(例如)6.7奈米或6.8奈米之波長。產生超EUV輻射之輻射源可以與以上所述之輻射源相同的方式而操作。
儘管以上已描述本發明之各種實施例，但應理解，其已藉由實例而非限制進行呈現。對於熟習相關技術者而言將顯而易見的係，在不脫離本發明之範疇的情況下，可在該等實施例中進行各種改變。此外，應瞭解，本文所提供之本發明之詳細描述(而非[發明內容]及[中文發明摘要]章節)意欲用以解釋申請專利範圍。[發明內容]及[中文發明摘要]章節可闡明如由發明者所預期之本發明之一或多個但並非所有例示性實施例。
特定實施例之前述描述將因此充分地揭露本發明之一般本性：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用對此項技術之熟習的認識針對各種應用而容易修改及/或調適該等特定實施例，而無不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示及指導，該等調適及修改意欲在所揭示實施例之等效物的意義及範圍內。應理解，本文之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習此項技術者按照該等教示及指導而進行解釋。
2．．．微影設備
100．．．琢面化光學元件/第一光學元件
105．．．發射點
110．．．場光域元件
120．．．第一光域元件板/場光域元件板
130．．．二次光源
140．．．表面
150．．．光瞳光域元件
160．．．琢面化光學元件/第二光學元件
170．．．光瞳光域元件板
180．．．虛線/分配
200．．．輻射
300．．．量測配置/偵測器
310．．．量測配置/位於聚光器CO上之區域
320．．．位於聚光器CO上之區域
330．．．孔徑
340．．．圖案
400．．．量測配置/輻射源
405．．．輻射
410．．．量測配置/位於聚光器CO之周邊上的區域
420．．．量測配置/偵測器
A．．．軸線/光束路徑
B．．．輻射光束
C．．．目標部分
CO．．．聚光器鏡面/聚光器
GM．．．掠入射場鏡面
IF．．．中間焦點
IF1．．．位置感測器
IF2．．．位置感測器
IL．．．照明器
M1．．．光罩對齊標記
M2．．．光罩對齊標記
MA．．．光罩
MT．．．光罩台
P1．．．基板對齊標記
P2．．．基板對齊標記
PM．．．第一定位器
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
SO．．．輻射源
W．．．基板
WT．．．基板台
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影設備；
圖2示意性地描繪微影設備之源及照明器；
圖3示意性地描繪微影設備之聚光器與琢面化光學元件的相對位置；
圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的聚光器及琢面化光學元件連同量測配置；
圖5a至圖5c示意性地描繪根據本發明之實施例的用於在微影設備中聚光器之對齊中量測配置之部件的替代例；
圖6示意性地描繪根據本發明之另一實施例的聚光器及琢面化光學元件連同量測配置；
圖7示意性地描繪根據本發明之一實施例的用於量測配置之替代組態；及
圖8示意性地描繪根據本發明之另一實施例的用於量測配置之替代組態。
上文已參看隨附圖式而詳細地描述本發明之另外特徵及優點以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的而呈現該等實施例。基於本文所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將係顯而易見的。
100．．．琢面化光學元件/第一光學元件
105．．．發射點
110．．．場光域元件
200．．．輻射
300．．．量測配置/偵測器
310．．．量測配置/位於聚光器CO上之區域
CO．．．聚光器鏡面/聚光器
IF．．．中間焦點

Claims (12)

  1. 一種用於一微影設備之配置，該配置包含：一輻射源，該輻射源係用於提供輻射；一輻射聚光器(collector)，該輻射聚光器係用於聚集來自該輻射源之輻射；一照明系統，該照明系統經組態以調節由該聚光器所聚集之輻射且提供一輻射光束；其中：該配置進一步包含：一偵測器，該偵測器經安置以與該聚光器待相對於其對齊的該照明系統之一部件呈一固定位置關係；及另一輻射源，該另一輻射源經配置以引導對應之另一輻射朝向該聚光器之一區域，該區域經組態以引導該另一輻射朝向該偵測器，其中該輻射源、該另一輻射源及該偵測器均位於該輻射聚光器之同一側，且其中該偵測器經配置為鄰近該另一輻射源，以偵測自該區域所反射之該另一輻射之一特性之一改變，該改變指示出，對於待使該聚光器相對於其對齊的該照明系統之該部件，該聚光器相對於該照明系統之該部件之一位置或定向之一改變。
  2. 如請求項1之配置，其中該另一輻射源：附著至待使該聚光器相對於其對齊的該照明系統之一部件，或位於該部件上，或位於該部件內。
  3. 如請求項1或2之配置，其中由該聚光器所聚集之輻射橫穿具有一反射率之一聚光器表面，且其中該區域為或具 備包含以下各項之群組中的至少一者：具有相對於該反射率之一經增加反射率之一表面；具有相對於該反射率之一經減少反射率之一表面；一孔徑；及一圖案。
  4. 如請求項1或2之配置，其中該區域為該聚光器之一部件或附著至該聚光器。
  5. 如請求項1或2之配置，其中該偵測器：附著至待使該聚光器相對於其對齊的該照明系統之一部件，或位於該部件上，或位於該部件內。
  6. 如請求項1或2之配置，其中該照明系統具備一光學元件，該光學元件具備光域元件，該等光域元件係用於劃分碰撞彼等元件之一輻射光束，且其中該偵測器附著至該光學元件或形成該光學元件之部件。
  7. 如請求項1或2之配置，其中該區域經配置以影響朝向該偵測器所引導之該輻射之一強度剖面，或影響引導輻射朝向該偵測器之方向。
  8. 如請求項1或2之配置，其中該區域經配置以在該聚光器之該位置或定向相對於待使該聚光器相對於其對齊的該照明系統之一部件而改變時影響朝向該偵測器所引導之該輻射。
  9. 一種微影設備，其包含如請求項1-8中任一項之配置。
  10. 如請求項9之微影設備，其進一步包含：一支撐件，該支撐件經建構以支撐一圖案化裝置，該 圖案化裝置能夠在輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板台，該基板台經建構以固持一基板；及一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上。
  11. 一種對齊聚光器與如請求項1-8中任一項之配置之照明系統之部件的方法，該方法包含：偵測自該聚光器所具備之區域所引導之輻射；根據該偵測而判定該聚光器是否與該照明系統之該部件對齊；及若該聚光器未與該照明系統之該部件對齊，則移動該聚光器或該照明系統之該部件。
  12. 如請求項11之方法，其中，在移動該聚光器或該照明系統之該部件之後，重複該方法。
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