TWI456735B - 多槽式發光裝置 - Google Patents

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TWI456735B
TWI456735B TW100131258A TW100131258A TWI456735B TW I456735 B TWI456735 B TW I456735B TW 100131258 A TW100131258 A TW 100131258A TW 100131258 A TW100131258 A TW 100131258A TW I456735 B TWI456735 B TW I456735B
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central groove
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TW100131258A
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TW201310608A (zh
Inventor
Hsi Yan Chou
Tzu Chi Cheng
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Interlight Optotech Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Claims (19)

  1. 一種多槽式發光裝置，包括：一基座，具有一中央凹槽、設置在該中央凹槽外側的至少二側邊凹槽、複數導電通孔及一內層線路；一藍光發光單元，設置在該中央凹槽內；至少二個紅光發光單元，分別對應設置在該至少二側邊凹槽內；一光轉換層，覆蓋該藍光發光單元；以及一透鏡，凸設在該基座上，並封合該中央凹槽及該至少二側邊凹槽。
  2. 如請求項1所述之多槽式發光裝置，其中該基座為一陶瓷基座，該藍光發光單元及該等紅光發光單元經由該些導電通孔與該內層線路而電性導接。
  3. 如請求項1或2所述之多槽式發光裝置，其中該基座係具有四個側邊凹槽，該些側邊凹槽係環設在該中央凹槽的外側，該中央凹槽及該等側邊凹槽係大致呈長橢圓形狀，該中央凹槽與各該側邊凹槽之間的間距係為0.5mm以上。
  4. 如請求項1所述之多槽式發光裝置，其中該中央凹槽及該等側邊凹槽所設置的面積係佔該基座之面積的50%以上。
  5. 如請求項1所述之多槽式發光裝置，其中該藍光發光單元為藍色LED晶片陣列(LED chip array)，各該紅光發光單元為紅色LED晶片陣列(LED chip array)，該藍光發光單元及該等紅光發光單元所發出的光匯聚後的色溫範圍係為2700K至4000K之間。
  6. 如請求項1所述之多槽式發光裝置，其中該光轉換層係含有黃色或綠色螢光粉，該黃色螢光粉係為釔鋁石榴石(Yttrium aluminium garnet,YAG)。
  7. 一種多槽式發光裝置，包括：一基座，具有一中央凹槽、設置在該中央凹槽外側的至少二側邊凹槽、複數導電通孔及一內層線路；一紅光發光單元，設置在該中央凹槽內；至少二個藍光發光單元，分別對應設置在該至少二側邊凹槽內；至少二光轉換層，對應覆蓋該些藍光發光單元；以及一透鏡，凸設在該基座上，並封合該中央凹槽及該至少二側邊凹槽。
  8. 如請求項7所述之多槽式發光裝置，其中該基座為一陶瓷基座，該藍光發光單元及該等紅光發光單元經由該些導電通孔與該內層線路而電性導接。
  9. 如請求項7或8所述之多槽式發光裝置，其中該基座係具有四個側邊凹槽，該些側邊凹槽係環設在該中央凹槽的外側，該中央凹槽及該等側邊凹槽係大致呈長橢圓形狀，該中央凹槽與各該側邊凹槽之間的間距係為0.5mm以上。
  10. 如請求項7所述之多槽式發光裝置，其中該中央凹槽及該等側邊凹槽所設置的面積係佔該基座之面積的50%以上。
  11. 如請求項7所述之多槽式發光裝置，其中該紅光發光單元為紅色LED晶片陣列(LED chip array)，各該藍光發光單元為藍色LED晶片陣列(LED chip array)，該紅光發光單元及該等藍光發光單元所發出的光匯聚後的色溫範圍係為2700K至4000K之間。
  12. 如請求項7所述之多槽式發光裝置，其中該等光轉換層係含有黃色或綠色螢光粉，該黃色螢光粉係為釔鋁石榴石(Yttrium aluminium garnet,YAG)。
  13. 一種多槽式發光裝置，包括：一基座，具有一中央凹槽、設置在該中央凹槽外側的至少二側邊凹槽、複數導電通孔及一內層線路，該中央凹槽及該等側邊凹槽所設置的面積係佔該基座之面積的50%以上； 一第一發光單元，設置在該中央凹槽內；以及至少二個第二發光單元，分別對應設置在該至少二側邊凹槽內。
  14. 如請求項13所述之多槽式發光裝置，其更包括一光轉換層，且該第一發光單元為藍光發光單元，各該第二發光單元為紅光發光單元，該光轉換層係覆蓋該第一發光單元。
  15. 如請求項13所述之多槽式發光裝置，其更包括至少二光轉換層，且該第一發光單元為紅光發光單元，各該第二發光單元為藍光發光單元，該等光轉換層係覆蓋該等第二發光單元。
  16. 如請求項14或15所述之多槽式發光裝置，其中該基座為一陶瓷基座，該第一發光單元及該等第二發光單元經由該些導電通孔與該內層線路而電性導接。
  17. 如請求項13至15中任一項所述之多槽式發光裝置，其中該基座係具有四個側邊凹槽，該些側邊凹槽係環設在該中央凹槽的外側，該中央凹槽及該等側邊凹槽係大致呈長橢圓形狀，該中央凹槽與各該側邊凹槽之間的間距係為0.5mm以上。
  18. 如請求項14或15所述之多槽式發光裝置，其中該藍光發光單元為藍色LED晶片陣列(LED chip array)，該紅光發光單元為紅色LED晶片陣列(LED chip array)，該第一發光單元及該等第二發光單元所發出的光匯聚後的色溫範圍係為2700K至4000K之間。
  19. 如請求項14或15所述之多槽式發光裝置，其中該光轉換層係含有黃色或綠色螢光粉，該黃色螢光粉係為釔鋁石榴石(Yttrium aluminium garnet,YAG)。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201225532Y (zh) * 2008-05-06 2009-04-22 深圳市九洲光电子有限公司 功率型白光发光二极管
CN201490192U (zh) * 2009-08-12 2010-05-26 钧宇国际股份有限公司 发光二极管模块
CN201820755U (zh) * 2010-07-15 2011-05-04 弘凯光电(深圳)有限公司 发光二极管

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