TWI430319B - 用於攜帶電弧偵測旗標及更新檻值的具有多位置電弧檻值比較器及通訊通道的電漿反應器系統 - Google Patents

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Description

用於攜帶電弧偵測旗標及更新檻值的具有多位置電弧檻值比較器及通訊通道的電漿反應器系統
本發明係關於用於處理半導體工件之電漿反應器，及關於此一反應器中之電弧偵測。
在半導體工件或晶圓處理期間，產生於電漿反應器中之電弧可對工件造成損害或使其無法正常作用，亦或者對反應器腔室造成不良影響。因此，偵測電弧以防止電漿反應器處理其它晶圓係必要的，以避免對一連串晶圓造成傷害。在物理氣相沈積(physical vapor depositon,PVD)電漿反應器中，電弧偵測係針對在偵測反應器頂之濺鍍靶材處之電弧。此種電弧偵測係藉由監視耦接至反應器頂濺鍍靶材之高壓D.C.電源供應器其輸出端來實現。瞬時電壓或電流可反應電弧現象。此種偵測方法提供一種可靠方式，可明確指示反應器頂之濺鍍靶材處或其附近之電弧現象，然而此種偵測方式無法可靠偵測在晶圓處之電弧現象(晶圓級電弧)。偵測晶圓級電弧可為特別困難，這是因為由於提供給晶圓支撐基座之RF功率在晶圓周圍所造成的RF雜訊的關係，而在某些反應器中，RF雜訊亦可能同時由提供給腔室側壁上導電線圈之RF功率所造成。另一挑戰為瞬時電壓電流或雜訊係大範圍動態變化，這種現象是例如由一程序方案所需使用到的RF產生器轉換所造成。這種由於轉換所引起的瞬變現必需與晶圓級電弧所造成的瞬變現作 一區別。
一般在電漿反應器之反應器腔室內之組件會因接觸到電漿而造成損壞或功能降級。在一PVD反應器中，該些會因此損壞之耗材可包括反應器頂之濺鍍靶材、內部側壁線圈及圍繞晶圓支撐基座之程序環形套件，該套件包含靜電式吸座(electrostatic chuck,ESC)。當此類耗材功能降級或物理上有所改變時，這些耗材變得更易受到電弧之影響。因此，如何判定何時該替換耗材，以在電弧現象發生前即完成替換，為一待解決之問題。
本發明提供一種用於處理半導體晶圓之電漿反應器系統，包含一反應器腔室與該腔室中一支撐基座用以承載一工件，及複數功率應用器，其具有個別功率產生器耦接至該些功率應用器。個別瞬時電壓或電流感測器係耦接至該些功率應用器中個別複數功率應用器及耦接至該支撐基座。個別比較器係耦接至該些個別瞬時感測器，且該些個別比較器係與個別比較檻值有關。該系統更包括一可程式設計之控制器，其經程式設計以執行以下步驟：(a)儲存一程序方案，其中包含複數步驟；(b)針對該程序方案中不同步驟，以個別經更新檻值進行更新該些個別比較器之個別檻值；及(c)回應該些比較器中一比較器所發送之一電弧偵測旗標，而關閉該個別功率產生器。在一具體實施例中，系統可更包括傳輸通道設備，其耦接於可程式控制器及每 一比較器之間。在一具體實施例中，該控制器係經程式設計，以透過傳輸通道設備傳送經更新檻值至個別比較器，藉以更新個別檻值。
第1A圖例示說明一PVD反應器，其具有一系統用於有效感測晶圓級電弧。該反應器包括一腔室100，其係由一圓柱形側壁102界定，一反應器頂部104及一底部106。在腔室100內部提供有一靶材110，其置於頂部104處；一RF線圈112，其置於側壁102處；及一晶圓支撐基座114，其由底部106向上延伸。一真空排氣泵116，其透過底部106處一排氣泵埠118將腔室100排空。一程序氣體供應器119，其提供程序氣體並將氣體引進腔室100。
在一實施例中，晶圓支撐基座114可包括一靜電式吸座(ESC)122，用以於基座114之上表面支承半導體晶圓或工件120。ESC122可包括一絕緣層124，其位於一導電座126上。在第1A圖所示之實施例中，ESC122為一雙極式吸座，其具有二電極128、130於絕緣層124中，及一導電中央銷132，其接觸晶圓120之背面。一吸座電壓供應器134提供反相但大小相同之D.C.電壓於中央銷132與電極128、130之間。第1B圖例示一具體實施例，其為第1A圖之實施例之變化，其中ESC122為一單極式吸座，其具有單一電極128，該電極128之直徑一般係相當於工件或晶圓120之直徑。在第1B圖之具體實施例中，中央銷132 可能不存在。除了這些差異外，第1A及1B圖之實施例包含相同的結構特徵，以下參照第1A圖針對這些相同特徵所作之說明同樣可用來說明第1B圖之實施例，因此為了簡潔目的將不再重覆說明。
再次參照第1A圖，D.C.功率係由一高壓D.C.功率產生器136提供至濺鍍靶材110。低頻RF功率係由一RF功率產生器140透過一RF匹配阻抗138提供給線圈112。RF功率產生器140係連接至匹配阻抗138之一RF輸入端。在一具體實施例中，RF匹配阻抗138除了具有該RF輸入端之外，亦可具有一低功率D.C.輸入端(未示出)。在第1A圖之具體實施例中，具有一適當頻率(如低頻及/或高頻)之RF偏壓功率係透過一偏壓匹配阻抗142及阻隔電容144、146由一RF功率產生器提供至ESC電極128、130。一RF阻隔濾波器150係連接於ESC電極、中央銷128、130、132與D.C.吸座電壓供應器134之間，其阻隔吸座電壓供應器134與RF功率。在第1B圖之具體實施例中，具有一適當頻率(例如低頻及/或高頻)之RF偏壓功率，其係由RF偏壓功率產生器148透過偏壓匹配阻抗142及阻隔電容144提供至單一ESC電極128。
再次參照第1A圖，一反應器控制器152用以控制反應器中所有主動元件之操作。具體而言，第1A圖表示ON/OFF命令係由控制器152傳送至每一功率產生器136、140及148，傳送至氣體供應器119，傳送至真空排氣泵116，以及傳送至ESC吸座電壓供應器134。雖然第1A圖 中圖示未顯示出，然而反應器中其它主動元件同樣地係由控制器152控制，其它主動元件例如包括冷卻劑泵、連鎖蓋(lid interlock)、上舉銷致動器、基座上升致動器、氣閉閥開口、晶圓處理機械手臂等。
晶圓級電弧偵測：
偵測晶圓處之電漿電弧係困難的，這是因為存在RF雜訊及諧波，及由於非電弧現象(功率產生器轉換)及電弧現象所引起的瞬時電壓或電流大範圍變動。此種問題可藉由檢測ESC122之RF偏壓功率輸入端之電流或電壓變化得到解決。一RF感測器154係配置於(或連接至)一RF導體155上(例如，一50歐姆同軸電纜之內部導體)，RF感測器154係在RF偏壓產生器148及RF偏壓匹配阻抗142間運作。在一具體實施例中，RF感測器154係包含在匹配阻抗142內，且係配置在一連接同軸電纜155的內部同軸輸出連接器處(未示出)。RF感測器154能夠偵測RF電流或RF電壓並據以產生一電壓訊號，該訊號與所偵測到的電流(或所偵測到的電壓)成比例。電壓訊號係由一訊號調節器156進行處理，以產生一輸出訊號，此輸出訊號係經過濾波處理及峰值檢測並且經由比例調整以符合一預定範圍。一電弧偵測比較器158將輸出訊號之大小與一預定檻值進行比較。若輸出訊號大小超過檻值，則電弧偵測比較器將輸出一電弧旗標給反應器控制器152。反應器控制器152回應此電弧旗標而關閉反應器中主動組件，諸如功率產生器 136、140及148。
現參照第2圖，感測器154可為一RF電流感測器。在此具體實施例中，感測器154包括一亞鐵鹽環160，其環繞RF導體155；及一導電(例如，銅)線圈162，其圍繞該亞鐵鹽環160之一部分。線圈162之一端162a可容許電性浮動，而另一端162b為感測器154之輸出終端。亞鐵鹽環160及線圈162結構之一優點為，通過線圈162之電流係弱耦接至通過RF功率型導體155之RF電流。因此，線圈162所產生的感應電壓會被減弱，而通過導體155之電流之瞬時變化或峰值將被限制於一小的動態範圈內。具有一相關特性，即弱耦接會限制感測器154從導體155之RF功率處所能夠汲取到的功率量或電流量。因此，感測器154對導體155之RF電流所造成的負載效應係微不足道的。
第3圖例示說明訊號調節器156之不同運作方式。訊號調節器156包括一峰值檢測器164；一RF濾波器166，用以移除雜訊並提供乾淨訊號；一大小調整電路168，用以提供一預定範圍；及一高阻抗轉換器170，用以控制訊號大小範圍，同時在訊號調節器156之輸出端及感測器154之間提供一高阻抗隔離。訊號調節器156之一具體實施例顯示於第2圖中。在第2圖之具體實施例中，峰值檢測器164於圖示中包括一二極體整流器164a及一電容164b。在另一具體實施例中，峰值檢測器可包括其它電路元件，以提供一指示真峰值之輸出位準。RF濾波器166於圖示中係一π－網路，其包括一對並聯電容166a、166b及一串聯電 感166c。大小調整電路168於第2圖中顯示為一分壓器，其包括一對電阻168a、168b，其輸出端電壓係依電阻168a之電阻值與電阻168a及168b二者電阻值總和之比例來調整縮小。轉換器170於第2圖中表示成包括一運算放大器171，其提供一某一範圍內之輸出訊號，其範圍係由放大器增益所決定(例如，0－10V)。該增益可由一連接於放大器輸入端及輸出端之變數迴授電阻172所決定。放大器171提供一高輸入阻抗，其可將訊號調節器156與該訊號調節器輸出端之負載隔離。
第4圖例示說明感測器154之一具體實施例，用以檢測RF導體155上之RF電壓。感測器154包括一電阻分離電路154a、154b，其係直接連接於導體155及接地電位之間，電阻分離電路154a、154b之串聯電阻相當高(百萬歐姆等級)。如此可避免大功率轉換至接地。電阻154a係比電阻154b小10－100倍，如此使得峰值檢測器164所偵測到之電壓相對於RF導體155上之電壓係非常小。其提供感測器154一高輸入阻抗，藉此避免自RF導體155處汲取大電流。上述參照第2圖及第3圖所說明之訊號調節器156，其亦可用於調節第4圖之RF電壓感測器154之輸出訊號。
第5A圖例示說明第1A圖具體實施例之變型，其中電弧偵測係執行於ESC電極128、130。第1A圖之RF偏壓功率產生器148及RF偏壓匹配阻抗142並未顯示於第5A圖之圖例中，然而當提供RF偏壓功率給ESC電極128、 130時，需具備RF偏壓功率產生器148及RF偏壓匹配阻抗142。或者，不提供RF偏壓功率給ESC電極128、130。第1A圖之感測器154在第5A圖中係由一電壓感測器174取代。電壓感測器174係連接橫跨BSC中央銷132(其連接半導體工件或晶圓120)及一參考點。參考點可為接地點或ESC電極128或130中之一電極。電壓感測器174為一差動放大器，其兩輸入端分別連接至中央銷132及該參考點(例如，接地點)。晶圓120上之瞬時電壓似乎在差動放大器174之兩輸入端間形成大差動訊號。放大器之輸出訊號係與此差動訊號成比例，且提供此輸出訊號給訊號調節器156。訊號調節器156之輸出訊號係藉由電弧偵測比較器158將該輸出訊號與一預定檻值進行比較測試，如同第1A圖之具體實施例。
第5B圖例示說明一針對第1B圖之類似變型，其中第1B圖之感測器154於第5圖中係由差動放大器174所取代。在第5B圖之具體實施例中，差動放大器174之兩輸入端係連接至單一ESC電極128及一適當參考電壓(如接地點)。第1B圖之RF偏壓功率產生器148及RF偏壓匹配阻抗142未顯示於第5B圖之圖例中，然而當RF偏壓功率係提供給ESC電極128時，需具備RF偏壓功率產生器148及RF偏壓匹配阻抗142。或者，不提供RF偏壓功率給ESC電極128。電壓晶圓120上之瞬時電壓似乎在差動放大器174之兩輸入端間形成大差動訊號。放大器之輸出訊號係與此差動訊號成比例，且提供此輸出訊號給訊號調節器 156。訊號調節器156之輸出訊號係藉由電弧偵測比較器158將該輸出訊號與一預定檻值進行比較測試，如同第1A圖之具體實施例。
第6A圖例示說明對第5A圖具體實施例之一變型，其中電流感測器176取代電壓感測器174。電流感測器176包括一亞鐵鹽環178環繞中央導體132及一導電線圈180環繞該環178。線圈180之一端180a為電流感測器176之輸出端，且其係連接至訊號調節器156之輸入端。第6B圖例示說明針對第5B圖之具體實施例之一變型，其中電流感測器176' 取代電壓感測器174。電流感測器176' 包括一亞鐵鹽環178' ，其環繞連接至單一ESC電極128之導體；及一導電線圈180' ，其圍繞該環178' 。線圈180' 之一端180a' 為電流感測器176' 之輸出端，且其係連接至訊號調節器156之輸出端。
再次參照第1A圖，一第二RF感測器184係耦接至一RF功率型導體185，該導體185係連接於RF產生器140及RF匹配阻抗138之間，以用於側壁線圈112。第二RF感測器184可為一RF電流感測器(如同第2圖)或一RF電壓感測器(如同第4圖)。第二RF感測器184之輸出係提供給一第二訊號調節器186，此調節器186與第2圖及第3圖之訊號調節器156可屬於相同類型之電路。一第二電弧偵測比較器188，其將訊號調節器之輸出訊號與一特定檻值進行比較，以判定是否有電弧產生。若有電弧產生，則比較器188將產生一電弧旗標傳送至控制器152。一第三 感測器190係耦接至D.C.功率產生器136之輸出端。第三感測器190之輸出可提供給一第三訊號調節器192。第三電弧偵測比較器194將訊號調節器192之輸出訊號與一特定檻值進行比較，以判定是否有電弧產生。其輸出一電弧旗標傳送至程序控制器152。
控制器152可包括一記憶體152a用以儲存一序列指令，及一微處理器152b用以執行這些指令。此等指令代表一程式可經下載存入控制器記憶體152a內，用以操作反應器。依據其中一特性，回應自電弧偵測比較器158、188或194中任一比較器處接收到電弧旗標，而程式將指示控制器152關閉功率產生器136、140及148。此程式將於本說明書稍後部分中作進一步說明。
程序控制器之操作
第1A圖之程序控制器152之操作流程說明係顯示於第7A及7B圖之流程圖，程序方案可經下載存入控制器記憶體152a中(第7A及7B圖之方塊300)。反應器組件歷史(例如，反應器中每一耗材之已使用時數記錄)亦可經下載存入控制器記憶體152a(方塊302)。然後，控制器啟動反應器中程序(方塊304)。在現行程序步驟中，控制器152執行該程序方案所要求的RF功率設定(即，提供RF功率給ESC122及提供RF功率給線圈112)。依據這些功率設定，控制器152預測每一感測器154、184及190將遭遇到的RF雜訊等級。對每一感測器而言，控制器152根據雜 訊等級來決定指派一適當的電弧偵測比較檻值給每一比較器158、188及194(第7A及7B圖之方塊306)。對於一特定感測器，若一偵測到的電壓(或電流)位準超過所指派的檻值，則視為發生電弧現象。或者，控制器152亦可定義一警告位準檻值，其值低於該電弧偵測檻值。
在每一感測器154、184及190之比較檻值皆已設定完成後，每一檻值依據反應器之耗材組件之相關已使用時數進行修正(方塊308)。可依據代表反應器中每一耗材組件之一般使用壽命之歷史資料來實現修正。例如，感測器154偵測最靠近晶圓120處之電弧現象，此時最靠近晶圓之耗材組件之狀態將影響最大，例如一環繞ESC之程序環形套件(第1A圖未示出)。因此，感測器154之電弧偵測比較檻值係依據該程序環形套件之已使用時數來進行修正。同樣的，感測器184偵測側壁線圈112處之電弧現象。因此，指派給感測器184之檻值將依據例如線圈112之已使用時數來進行修正。一般而言，會隨著耗材已使用時數來上修檻值，因為當耗材在暴露於電漿期間造成磨損且其表面變成較粗糙時，很容易遭受或引起更多RF雜訊及諧波。依據耗材之已使用時數進行修正電弧偵測檻值，可依據一代表大量耗材組件樣本歷史之經驗數據來實現。
在一具體實施例中，下一步驟將判定上修之檻值是否位在或太靠近一真實電弧現象之預期電壓或電流位準(方塊310)。若確是如此(方塊310之「是」分支)，則輸出一旗標(方塊311)傳送至使用者及/或發送至程序控制器 152。在一具體實施例中，此旗標可使程序控制器152關閉反應器。如此，可識別其檻值已因此超過之相應感測器之位置，且可識別最靠近該反應器之反應器耗材，進而通知使用者這些耗材已達替換期限需進行更換。
若經修正檻值不會過高(方塊310之「否」分支)，則將這些經修正檻值傳送至電弧偵測比較器158、188及194，以用於現行程序步驟中(方塊312)。依據程序方案，控制器152可識別一特定時刻發生之程序控制之瞬時電流(方塊314)，例如啟動或停止RF功率產生器時。在執行現行程序步驟期間，控制器152監視每一電弧偵測比較器158、188及194是否發送電弧旗標(方塊316)。在現行步驟下，每一比較器158、188及194分別持續將訊號調節器156、186及192之輸出訊號與接收自控制器152之檻值進行比較。每當訊號調節器之輸出訊號值超過所採用之檻值時，比較器將傳送一電弧旗標至控制器152。例如，控制器152可以30MHZ之速率對比較器輸出訊號進行取樣。針對每一比較器158、188及194之取樣，對是否已發出一電弧旗標作出判定(方塊318)。若未偵測到任何旗標(方塊318之「否」分支)，則控制器152判定現行程序步驟是否已完成(方塊320)。若判定為未完成(方塊320之「否」分支)，則控制器152回到方塊316之監視步驟。否則，(方塊320之「是」分支)控制器152轉移至程序方案之下一程序步驟(方塊322)而回到方塊306之步驟。
若偵測到一電弧旗標(方塊318之「是」分支)，則判 定所偵測到之瞬時電壓或電流係僅超過警告位準檻值或者已超過電弧檻值位準(方塊324)。此判定係依據由特定比較器所發出之旗標其內容來進行。若僅超出警告位準(方塊324之「是」分支)，則控制器152記錄此現象並將此現象與現行晶圓建立聯結關係(方塊326)。控制器152接著判定現行晶圓之警告數目是否過高(方塊328)。若該晶圓之警告數目超過一預定數目(方塊328之「是」分支)，則發送一旗標(方塊330)，且控制器152可關閉反應器。否則(方塊328之「否」分支)，控制器回到方塊316之步驟。
若電弧旗標係指示一全電弧現象，即已超過電弧檻值(方塊324之「否」分支)，則判定其是否與方塊314之步驟中所識別之功率轉換時間相一致。若一致(方塊332之「是」分支)，則將該旗標視為一錯誤指示而忽略它(方塊334)，同時控制器回到方塊316之監視步驟。否則(方塊332之「否」分支)，將電弧旗標視為一正確訊息。控制器152使用電弧旗標之內容來識別偵測到電弧現象之感測器其位置，並將其記錄於記體體中(方塊338)。控制器發送「OFF」命令給每一功率產生器136、140及148(方塊340)。電弧旗標可包括數位資訊，以識別有發送出電弧旗標之特定比較器。此資訊係藉由控制器152輸出至使用者介面，此介面可建立感測器位置與耗材組件之聯結關係(方塊342)。此特性可允許使用者能夠更好地識別反應器腔室中需要替換的耗材組件。例如，若控制器152判定電弧旗標係由比較器188發出，則其識別最靠近該比較器所監視之 RF功率之耗材組件，即側壁線圈112。對於一由比較器158所發送之電弧旗標而言，最靠近的耗材組件係圍繞晶圓的那些組件，特別是程序環形套件，而控制器152會例如將此一電弧旗標與此程序環形套件之間建立聯結關係。對於一由比較器194所發送之電弧旗標而言，相關組件為頂部靶材，而控制器會將此一電弧旗標與此頂部靶材之間建立聯結關係。因此，在一具體實施例中，控制器152可針對不同的電弧旗標提供使用者不同的可能候選替換耗材之清單。
第7A及7B圖所示之一具體實施例之程序，包括於每一電漿程序步驟中動態調整電弧偵測比較檻值。檻值係進一步依據耗材組件之已使用時數來進行調整。控制器152視需要可經常更新每一比較器158、188及194之檻值。藉由這樣的動態調整比較檻值，可尋找用於一特定晶圓程序步驟之最小檻值，進而最佳化每一比較器158、188及194之敏感度。每當雜訊狀況(例如)有所改善時，可下修檻值，而當例如RF功率位準上升而使雜訊程度隨之提升時，可上修檻值。升高檻值可避免當雜訊位準接近電弧偵測檻值位準時所產生的錯誤電弧指示。在一具體實施例中，第7A及7B圖之程序進一步包括執行識別電弧位置之步驟以及識別相關電弧現象中相應可能的耗材組件之步驟。控制器152將此類資訊傳達給使用者，以促進有效管理耗材並更正確地選擇需替換之耗材。
在一具體實施例中，第7A及7B圖之程序係以軟體指 令實現，而軟體指令可經下載存入控制器記憶體152a中。因此在此具體實施例中，所有智能動作皆係由控制器152所執行，而電弧偵測比較器僅執行比較功能。然而，在另一具體實施例中，電弧偵測比較器158、188及194可包括其本身之內部處理器及記憶體，以允許他們能夠執行第7A及7B圖之程序中某些功能。
翻新改進控制及通訊：
第7A及7B圖之程序汲及到控制器152與每一電弧偵測比較器158、188及194之間頻繁的雙向通訊。控制器152定期傳送經更新的比較檻值至比較器158、188及194中特定數個比較器，不同的值係經下載送給不同的比較器。每當偵測到電弧時，比較器158、188及194即傳送電弧旗標。電弧旗標包括發送該電弧旗標之個別比較器之識別符。控制器回應由電弧偵測比較器158、188及194中任一比較器所傳送之一正確電弧旗標，而進一步傳送關閉(ON/OFF)命令至功率產生器136、140及148。有意將第1A圖之電弧偵測特性(如實現於第7A及7B圖所示程序)加入至已運作於一區域中之電漿反應器上。對於已設置於該區域中之反應器，於每一反應器上安裝一客製化通訊網路以符合前述每一通訊需求，如此將會使成本過高。為了降低成本，將利用反應器上已存在之通訊系統進行通訊。在某些實施例中，已存在之通訊系統能夠符合並促進第1及7圖之電弧偵測特性之所有通訊需求。
在某些反應器中，提供一區域網路(LAN)，而控制器透過此區域網路與反應器上每一主動裝置及感測器進行通訊。第8圖例示說明第1A圖所示之反應器類型之區域網路結構。一介面裝置係耦接至由控制器152所控制之每一主動裝置。該介面裝置將所接收到的數位命令轉換成動作來關閉主動裝置。例如，在第8圖中，介面裝置355、357及359係分別連接至功率產生器136、140及148。這些介面裝置回應所接收到的數位命令，而能夠關閉該些產生器。提供一區域網路(LAN)360。此區域網路為一多導體傳輸通道或電纜，其具有多數I/O埠361、362、363、364、365、366及367，且其可實現為多導體連結器。於區域網路360上進行通訊之每一裝置皆具有一記憶體及有限的處理能力，以允許其於區域網路360上儲存並發送一獨特位址。因此，每一控制介面355、357、359及每一比較器158、188、194皆具有習知處理電路，以回應區域網路協定並儲存其本身之裝置位址。區域網路上每一裝置158、188、194、355、357及359僅回應指定送達至其裝置位址之所收訊息。此外，每一裝置於區域網路上將其本身之裝置位址附於其傳輸資料。每一裝置158、188、194、355、357及359分別透過其本身之多導體電纜371、372、373、374、375、376及3`7，於埠361、362、363、364、365、366及367處耦接至區域網路360。在經設置於具有此一區域網路之區域中之反應器上，可不具備比較器158、188及194。因此，第1A圖之電弧偵測系統通訊特性可藉由以下 動作來實現於此一反應器中：識別現有區域網路360上之剩餘(未經使用)埠(例如，埠363、365及366)，並將比較器158、188及194以第8圖所示方式與上述埠連接。
當啟動區域網路360時，區域網路360上所有裝置之裝置位址(即，比較器158、188、194及控制介面355、357、359)可使用習知技術由控制器152進行智能指派。在第8圖之系統中，控制器152例如藉由傳送一個別訊息給一個別比較器，該訊息具有指令其要求下載一特定檻值，來實現第7A及7B圖之程序。每一比較器回應一電弧現象，而傳送一包含比較器裝置位址之訊息給控制器152，及一傳送一訊息用以指示發生電弧現象。控制器152可回應一正確電弧現象，而傳送一訊息給每一功率產生器控制介面355、357、359，該訊息包含一命令用以要求關閉相應產生器。發送出旗標之感測器之位置，其係由控制器152依據相應電弧偵測比較器之裝置位址來推測得。控制器152可於控制器152之使用者介面153處提供此資訊給使用者。
在其它反應器中，不提供或無法使用區域網路，而提供一客製化通訊數位輸入/輸出(DI/O)網路，如第9圖所示。在第9圖之DI/O網路中，每一裝置透過該裝置專屬傳輸通道與控制器152進行通訊(反之亦然)。業已存在之反應器上之DI/O網路分別利用DI/O繼電器401、402、404、406與控制器152進行個別通訊，並監視個別安全點。具體而言，例如，DI/O繼電器401每當腔室100之蓋101係開啟時即發送訊號，DI/O繼電器402每當RF功率電纜 斷接側壁線圈時即發送訊號，DI/O繼電器404每當RF偏壓功率電纜斷接時即發送訊號，而DI/O繼電器406每當D.C.功率電纜斷接頂部靶材時即發送訊號。控制器152之輸入端A、B、D及F接收這些繼電器所發送之訊號，如第9圖之圖例所示。控制器152經由專屬傳輸通道J、K及L傳輸關閉(ON/OFF)命令給每一功率產生器136、148及140，如第9圖所示。
第1A圖之通訊特性可實現於第9圖之DI/O網路中，其中具有三個額外DI/O繼電器可與電弧偵測比較器158、188及194配合作用。在第9圖所示之例子中，業已存在之DI/O繼電器403、405及407係挪用於分別連接至電弧偵測比較器188、158及194之輸出端。每次電弧偵測比較器158、188或194中之一者發送一電弧旗標時，與該比較器連接之DI/O繼電器將發送信號以通知控制器152。控制器152依據承載該信號之電纜或通道之位置，進而推算出發送出電弧旗標之電弧偵測比較器之識別符。此資訊可被傳送給控制器使用者介面153，用以管理耗材之替換。
現行設置於一區域中之早型反應器可能不具備一區域網路亦不具備一DI/O網路。在此類反應器中，第1A圖之電弧偵測系統可實現為一基礎形式，其係利用提供於此類反應器中之24伏特安全中斷電路來實現偵測系統。每當腔室蓋係開啟或每當連接於腔室之功率電纜中斷時，此電路可確保立即關閉功率產生器。參照第10圖，功率產生器136具有一連鎖裝置501，功率產生器148具有一連鎖裝置 502及功率產生器140具有一連鎖裝置503。每一功率產生器136、148及140僅可在其連鎖裝置於一電路式導體504上不斷偵測到一24伏特DC電位時才運作。電路式導體504將所有連鎖裝置501、502、503串聯接至一24伏特DC供應器506。串聯電路式導體504係由數個簡單切換繼電器510、512、514、516、518、520及522切斷其連結。因此，每一繼電器本身可中斷產生器連鎖裝置501、502、503與24伏特供應器506間之串聯連結，藉以關閉反應器。繼電器510每當腔室蓋101係開啟時即開啟其連結。繼電器512每當RF功率電纜與側壁線圈112間之連結中斷時即開啟其連結。繼電器516每當RF功率電纜與ESC122間之連結中斷時即開啟其連結。繼電器522每當RF功率電纜與頂部靶材間之連結中斷時即開啟其連結。腔室100可自動關閉，以回應三個電弧偵測比較器158、188及194中任一比較器之電弧偵測，其中三個額外繼電器係沿著電路式導體504相互串聯，且可用於分別接收比較器158、188及194之輸出訊號。第10圖顯示此三個繼電器(即繼電器514、518及520)可分別連接至比較器188、158及194之輸出端。每當比較器188、158、194中任一者偵測到一超過其預定檻值之電壓(或電流)時，其將發送一電壓形式之電弧旗標，用以分別使相應繼電器514、518或520開啟其連結。如此將打斷導體504之24伏特路，而導致每一連鎖裝置501、502、503分別關閉相關功率產生器136、148及140。
第1A圖所示之RF匹配阻抗138之具體實施例具有單一RF輸入端及單一RF輸出端，然而在另一具體實施例中，RF匹配阻抗138可另外具有一低功率D.C.輸入端(未示於圖中)。在此一實施例中，前述類型之一額外電弧感測器及檻值比較器，其可耦接至未示出的RF匹配阻抗138之低功率D.C.輸入端。
前文已說明第1A或1B圖之反應器係依據各種感測器154、184、190等中之單一感測器來進行電弧偵測，然而電弧偵測之判定亦可依據該些感測器中數個(或可能全部)感測器。例如，已說明第1、8或9圖中具體實施例之控制器152係分別透過比較器158、186或194，進而依據感測器154、184或190中任一者之輸出訊號來回應電弧現象。然而，在一具體實施例中，第1、8或9圖之控制器152經程式設計可結合至少二個(或更多)檻值比較器158、186，並依據所結合之訊號來進行判定。輸出訊號可由處理器152依據線性、多項式或更複雜之數學函式進行結合。在此實施例中，控制器152係經程式設計來回應經結合之訊號，以判定是否偵測到電弧或決定是否關閉反應器。在又另一具體實施例中，感測器154、184、190之個別輸出訊號可先進行結合，然後再由一檻值比較器處理。感測器154、184、190中至少二者之個別輸出訊號可依據線性、多項式或更複雜之數學函式進行結合。所得到之經結合訊號於是提供給單一比較器(例如比較器186)，且該單一比較器之輸出訊號係提供給控制器152。
前文所述係針對本發明之具體實施例，然而其他與本發明相關或進一步的具體實施例亦可在不悖離本發明基本範疇下設計獲得。本發明之範疇係由以下之申請專利範圍所界定。
100‧‧‧腔室
101‧‧‧腔室蓋
102‧‧‧側壁
104‧‧‧頂部
106‧‧‧底部
110‧‧‧靶材
112‧‧‧RF線圈
114‧‧‧基座
116‧‧‧真空排氣泵
118‧‧‧排氣泵埠
119‧‧‧氣體供應器
120‧‧‧工件
122‧‧‧靜電式吸座
124‧‧‧絕緣層
126‧‧‧導電座
128、130‧‧‧電極
132‧‧‧導電中央銷
134‧‧‧電壓供應器
136‧‧‧D.C.功率產生器
138、142‧‧‧匹配阻抗
140、148‧‧‧RF功率產生器
144‧‧‧電容
146‧‧‧電容
150‧‧‧RF阻隔濾波器
152‧‧‧控制器
152a‧‧‧記憶體
152b‧‧‧微處理器
153‧‧‧使用者介面
154‧‧‧RF感測器
154a、154b‧‧‧電阻
155‧‧‧RF導體
156‧‧‧訊號調節器
158‧‧‧電弧比較器
160‧‧‧亞鐵鹽環
160a、160b‧‧‧線圈端
162‧‧‧線圈
164‧‧‧峰值檢測器
164a‧‧‧二極體整流器
164b‧‧‧電容
166‧‧‧RF濾波器
166a、166b‧‧‧電容
166c‧‧‧電感
168‧‧‧大小調整電路
168a、168b‧‧‧電阻
170‧‧‧轉換器
171‧‧‧放大器
172‧‧‧回授電阻
174‧‧‧電壓感測器
176、176' ‧‧‧電流感測器
178、178' ‧‧‧亞鐵鹽環
180、180' ‧‧‧導電線圈
180a、180a' ‧‧‧線圈端
184‧‧‧RF感測器
185‧‧‧RF功率型導體
186‧‧‧訊號調節器
188、194‧‧‧電弧比較器
190‧‧‧感測器
192‧‧‧訊號調節器
355、357、359‧‧‧控制介面
360‧‧‧網路
361~367‧‧‧I/O埠
371~377‧‧‧多導體電纜
401、402‧‧‧DI/O繼電器
404、406‧‧‧DI/O繼電器
501、502、503‧‧‧連鎖裝置
504‧‧‧電路式導體
506‧‧‧24伏特DC供應器
510、512、514‧‧‧切換繼電器
516、518‧‧‧切換繼電器
520、522‧‧‧切換繼電器
本發明所提供之方法中，方法實施例可由「發明內容」段落之說明獲得並瞭解其細節，而簡略總結於「發明內容」之本發明之特定說明係參照所附圖示進行說明。然而需注意到，所附圖示僅例示說明本發明之一般性實施例，且因此不應視為本發明之範圍限制，而其它等效實施例亦包括在本發明範疇中。
第1A及1B圖例示說明一電漿反應器，其分別具有雙極及單極靜電吸座，此反應器具有特定晶圓級電弧偵測及自動關閉特性。
第2圖為一概略圖，其例示說明第1A圖中反應器之RF電流感測器電路。
第3圖為一方塊圖，其例示說明第1A圖中反應器之訊號調節器。
第4圖為一概略圖，其例示說明第1A圖中反應器之RF電壓感測器電路。
第5A及5B圖分別例示說明第1A及1B圖之具體實施例之變型概略圖，其中在靜電吸座上具有一晶圓級電弧偵測電路，且使用一電壓感測器。
第6A及6B圖分別例示說明第1A及1B圖之具體實施例之變型概略圖，其中在靜電吸座上具有一晶圓級電弧偵測電路，且使用一電流感測器。
第7A及7B圖共同建立一完整流程圖，其例示說明前述具體實施例中任一者之反應器控制器之操作流程。
第8圖例示說明將第1A圖之電弧感測及通訊特性翻新應用於一具有區域網路之反應器。
第9圖例示說明將第1A圖之電弧感測及通訊特性翻新應用於一具有數位輸入/輸出網路之反應器。
第10圖例示說明將第1A圖之電弧感測及通訊特性翻新應用於一具有D.C.安全連鎖迴圈之反應器。
為了促進對本發明之瞭解，使用了元件符號來進行說明，相同的元件符號在所有圖示中係指代相同的元件。所附圖示之圖例皆為概略圖，而並未按比例表現。
100‧‧‧腔室
136‧‧‧D.C.功率產生器
138‧‧‧匹配阻抗
140‧‧‧RF功率產生器
142‧‧‧匹配阻抗
148‧‧‧RF功率產生器
152‧‧‧控制器
152a‧‧‧記憶體
152b‧‧‧微處理器
153‧‧‧使用者介面
154‧‧‧RF感測器
156‧‧‧訊號調節器
158‧‧‧電弧比較器
186‧‧‧訊號調節器
188‧‧‧電弧比較器
190‧‧‧感測器
192‧‧‧訊號調節器
194‧‧‧電弧比較器
355‧‧‧控制介面
357‧‧‧控制介面
359‧‧‧控制介面
360‧‧‧網路
361~367‧‧‧I/O埠
371~377‧‧‧多導體電纜

Claims (14)

  1. 一種電漿反應器系統，包含：一反應器腔室與該腔室中用以承載一工件(workpiece)之一支撐基座(support pedestal)；複數功率(power)應用器；複數功率產生器，該等複數功率產生器中之至少個別(respective)功率產生器耦接至該等複數功率應用器中之至少個別功率應用器；複數電壓或電流感測器，該等複數電壓或電流感測器中之至少個別電壓或電流感測器耦接至該等功率應用器中之該等至少個別功率應用器及耦接至該支撐基座；複數比較器，該等複數比較器中之至少個別比較器耦接至該等電壓或電流感測器中之該等至少個別電壓或電流感測器，該等比較器中之該等至少個別比較器係與個別比較檻值有關；一可程式控制器，其經程式設計以執行以下步驟：(a)儲存一程序方案(process recipe)，其中含有複數步驟；(b)針對該程序方案的該等步驟中之不同步驟，以個別經更新檻值來更新該等比較器中之該等至少個別比較器的該等個別檻值；及(c)藉由關閉該等複數功率產生器中之該等至少個別功率產生器，以回應來自於該等比較器中之一者的一電弧(arc)偵測旗標； 通訊通道設備(communication channel apparatus)，其耦接於該可程式控制器及該等比較器中之該等至少個別比較器的每個之間，其中該控制器係經程式設計以執行以下步驟：(a’)透過該通訊通道設備，藉由傳送該等更新的檻值到該等比較器中之該等至少個別比較器，以更新該等個別檻值的步驟，及(b’)透過該通訊通道設備，接收來自於該等比較器中之該等至少個別比較器的電弧偵測旗標的步驟；個別開/關(on/off)控制介面，其耦接至該等複數功率產生器中之該等至少個別功率產生器，該通訊通道設備更耦接於該可程式控制器及該等個別開/關控制介面之間；及其中該等比較器的每個響應於(responsive)一獨特(unique)裝置位址，且其中該控制器係經程式設計以執行以下步驟：藉由使用該通訊通道設備傳送該對應比較器的該裝置位址和一個別經更新檻值，以傳送該個別經更新檻值到該對應比較器的步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該等開/關控制介面的每個係關聯於一裝置位址，且其中該可程式控制器更經程式設計以執行以下步驟：藉由使用該通訊通道設備傳送關閉命令和該等控制介面的個別裝置位址，以關閉(deactivate)該等功率產生器的步驟。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之系統，更包含一使用者介面耦接至該可程式控制器，該可程式控制器更經程式設計以執行以下步驟：推算來自於使用該通訊通道設備所接收的裝置位址伴隨電弧旗標的電弧旗標之位置，且傳送(convey)該等位置至該使用者介面的步驟。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之系統，其中該通訊通道設備包含一區域網路。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該支撐基座包含一靜電吸座，其至少具有以下一者：一吸座電極(chucking electrode)或一用以接觸該工件背面之接觸桿(contact rod)，且其中耦接至該工件支撐基座之該感測器包含一電壓感測器，其係耦接用以感測該接觸桿或該吸座電極二者中之一者上之一瞬時電壓或電流。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該支撐基座包含一靜電吸座，其具有至少一吸座電極，該系統更包含一功率產生器及一匹配阻抗(impedance match)，其藉由一功率型導體(power conductor)耦接於該功率產生器與該吸座電極之間，耦接至該工件支撐基座的該感測器包含一電壓或電流感測器，其耦接至該功率型導體。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之系統，其中耦接至該功率型導體的該電壓或電流感測器包含圍繞該功率型導體的一導電環(conductive ring)及繞線(wind)圍繞該環的一線圈(coil)，該線圈之一端耦接至該相應比較器。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之系統，更包含：個別感測器繼電器(sensor relay)，該等繼電器中之一些繼電器耦接至該等比較器中之該等至少個別比較器之輸出端；其中該通訊通道設備包含：(a)個別通道，其專用於從該等感測器繼電器中之個別感測器繼電器到該控制器的電弧旗標的通訊；及(b)個別通道，其專用於從該等控制器到該反應器的該等功率產生器中之該等至少個別功率產生器的關閉指令的通訊。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之系統，其中該通訊通道設備更包含：個別通道，其專用於從該處理器到該等比較器中之個別比較器的經更新檻值的通訊。
  10. 一種電漿反應器系統，包含： 一反應器腔室與該腔室中用以承載一工件之一支撐基座；複數功率應用器；複數功率產生器，該等複數功率產生器中之至少個別功率產生器耦接至該等複數功率應用器中之至少個別功率應用器；複數電壓或電流感測器，該等複數電壓或電流感測器中之至少個別電壓或電流感測器耦接至該等功率應用器中之該等至少個別功率應用器及耦接至該支撐基座；複數比較器，該等複數比較器中之至少個別比較器耦接至該等感測器中之該等至少個別感測器，該等比較器中之該等至少個別比較器係與個別比較檻值有關；開/關控制裝置，其經連接(connect)於該等個別比較器和該等功率產生器之間；一可程式控制器，其經程式設計以執行以下步驟：針對一程序方案的不同步驟，以個別經更新檻值來更新該等比較器中之該等至少個別比較器的該等個別檻值的步驟；通訊通道設備，其耦接於該可程式控制器及該等比較器中之該等至少個別比較器的每個之間；其中該等比較器中之該等至少個別比較器的每個響應於一獨特裝置位址，且其中該控制器係經程式設計以執行以下步驟：藉由使用該通訊通道設備傳送該對應比較器的該裝置位址和一個別經更新檻值，以傳送該個別經更新檻值到該對應比較器的步驟。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中該等開/關控制裝置包含：一連鎖電性串聯電路(interlock electrical series circuit)包含：(a)繼電器，其經耦接以感測(sense)個別安全連結的中斷(interruption)；及(b)功率產生器連鎖，其用於依據該等連鎖串聯電路的中斷，而使該等功率產生器中之個別功率產生器失效(disable)；及該等比較器中之該等至少個別比較器耦接至該等繼電器中之個別繼電器。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中該支撐基座包含一靜電吸座，其至少具有以下一者：一吸座電極或一用以接觸該工件背面之接觸桿，且其中耦接至該工件支撐基座之該感測器包含一電壓感測器，其係耦接用以感測該接觸桿或該吸座電極二者中之一者上之一瞬時電壓或電流。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之系統，其中該支撐基座包含一靜電吸座，其具有至少一吸座電極，該系統更包含一功率產生器及一匹配阻抗，及耦接於該功率產生器與該吸座電極之間的一功率型導體，耦接至該工件支撐基座 的該感測器包含一電壓或電流感測器，其耦接至該功率型導體。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之系統，其中耦接至該功率型導體的該電壓或電流感測器包含圍繞該功率型導體的一導電環及繞線圍繞該環的一線圈，該線圈之一端耦接至該相應比較器。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090308734A1 (en) * 2008-06-17 2009-12-17 Schneider Automation Inc. Apparatus and Method for Wafer Level Arc Detection
DE102010021835B4 (de) 2010-05-28 2019-05-16 Airbus Operations Gmbh Kabelhaltevorrichtung zum bündelweise Verlegen von Kabeln, insbesondere Koaxialkabeln, in einem Flugzeug
US8587321B2 (en) * 2010-09-24 2013-11-19 Applied Materials, Inc. System and method for current-based plasma excursion detection
US9417280B2 (en) 2013-04-29 2016-08-16 Varian Semiconductor Associates, Inc. System and method for analyzing voltage breakdown in electrostatic chucks
JP6796066B2 (ja) * 2014-12-11 2020-12-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 高温ｒｆ用途のための静電チャック
CN107004628B (zh) * 2014-12-11 2020-09-15 应用材料公司 用于高温rf应用的静电吸盘
US10177018B2 (en) * 2016-08-11 2019-01-08 Applied Materials, Inc. Process kit erosion and service life prediction
KR20230006725A (ko) * 2021-07-02 2023-01-11 삼성전자주식회사 반도체 공정 시스템 및 그 제어 방법

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH612503A5 (zh) 1977-05-13 1979-07-31 Mettler Instrumente Ag
US4737970A (en) 1985-06-06 1988-04-12 Rca Corporation Clock recovery using cavity resonator
US5467013A (en) * 1993-12-07 1995-11-14 Sematech, Inc. Radio frequency monitor for semiconductor process control
US6190513B1 (en) 1997-05-14 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Darkspace shield for improved RF transmission in inductively coupled plasma sources for sputter deposition
US5847913A (en) * 1997-02-21 1998-12-08 Square D Company Trip indicators for circuit protection devices
US5993615A (en) * 1997-06-19 1999-11-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for detecting arcs
US6362629B1 (en) * 1997-08-14 2002-03-26 Hendry Mechanical Works Electric arc monitoring systems
US6033482A (en) * 1998-04-10 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Method for igniting a plasma in a plasma processing chamber
US20030101938A1 (en) * 1998-10-27 2003-06-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for the deposition of high dielectric constant films
US6395648B1 (en) 2000-02-25 2002-05-28 Wafermasters, Inc. Wafer processing system
US6894245B2 (en) 2000-03-17 2005-05-17 Applied Materials, Inc. Merie plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma with arcing suppression
US6462481B1 (en) * 2000-07-06 2002-10-08 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna
US6727655B2 (en) * 2001-10-26 2004-04-27 Mcchesney Jon Method and apparatus to monitor electrical states at a workpiece in a semiconductor processing chamber
US6736944B2 (en) 2002-04-12 2004-05-18 Schneider Automation Inc. Apparatus and method for arc detection
US20050236266A1 (en) * 2002-06-19 2005-10-27 Poole John E Sputter target monitoring system
US7199327B2 (en) 2002-06-28 2007-04-03 Tokyo Electron Limited Method and system for arc suppression in a plasma processing system
US7247218B2 (en) * 2003-05-16 2007-07-24 Applied Materials, Inc. Plasma density, energy and etch rate measurements at bias power input and real time feedback control of plasma source and bias power
US7292045B2 (en) * 2004-09-04 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Detection and suppression of electrical arcing
JP2006127217A (ja) 2004-10-29 2006-05-18 Hitachi Ltd 計算機システムおよび計算機システムの制御方法
JP4597886B2 (ja) 2005-02-24 2010-12-15 イーエヌ テクノロジー インコーポレイテッド プラズマ電源装置用アークエネルギー制御回路
US7262606B2 (en) 2005-03-26 2007-08-28 Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg Method of arc detection
US7511936B2 (en) 2005-07-20 2009-03-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for dynamic plasma treatment of bipolar ESC system

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