TWI395079B - 具限流機制之低壓降穩壓器 - Google Patents

Description

具限流機制之低壓降穩壓器

本發明係有關於一種低壓降穩壓器，尤指一種具限流機制之低壓降穩壓器。

請參考第1圖，第1圖為習知具限流機制之低壓降穩壓器(Low Dropout Regulator)的電路示意圖。如第1圖所示，低壓降穩壓器100包含感測電阻Rsen、參考電阻Rref、回授分壓單元195、參考電流源190、比較器120、誤差放大器110、第一電晶體115、以及第二電晶體125。低壓降穩壓器100係用來將輸入電壓Vin轉換為穩定的輸出電壓Vout供應至負載101。

回授分壓單元195通常包含二分壓電阻Rfb1及Rfb2，用以提供輸出電壓Vout之分壓Vdiv至誤差放大器110。參考電阻Rref用來根據輸入電壓Vin及參考電流源190之參考電流Iref，提供第一參考電壓Vref1。感測電阻Rsen用來根據流經第一電晶體115之輸出電流Iout以產生感測電壓Vsen。比較器120比較感測電壓Vsen與第一參考電壓Vref1，用以產生第二控制訊號Sct2饋入第二電晶體125之閘極端。誤差放大器110根據第二參考電壓Vref2執行分壓Vdiv的誤差放大處理，用以產生第一控制訊號Sct1饋入第一電晶體115之閘極端。第一電晶體115根據第一控制訊號Sct1以控制輸出電流Iout，並進而控制輸出電壓Vout。在低壓降穩壓器100的限流機制運作中，當輸出電流Iout高於上限電流時，比較器120會輸出具高準位電壓之第二控制訊號Sct2，用來導通第二電晶體125以下拉第一控制訊號Sct1至低準位電壓。第一電晶體115即可根據具低準位電壓之第一控制訊號Sct1以降低輸出電流Iout至低於上限電流。

然而，由於感測電阻Rsen係與第一電晶體115串聯，所以當流經感測電阻Rsen之輸出電流Iout增加時，從輸入電壓Vin到輸出電壓Vout的內部壓降，會因感測電阻Rsen之壓降而增加，即低壓降穩壓器100的輸入電壓Vin與輸出電壓Vout的壓差會增加，並導致高內部功率耗損及高晶片溫度，因而降低電路工作效率。此外，低壓降穩壓器100係根據感測電阻Rsen之電阻壓降以執行限流機制，所以就要使用具相當電阻值的感測電阻Rsen，用以在過電流狀況中產生具所需壓降變化之感測電壓Vsen，亦即需要耗用相當的晶片面積以設置感測電阻Rsen，因此不利於生產成本的降低。

依據本發明之實施例，其揭露一種具限流機制之低壓降穩壓器，用以降低輸出入電壓之間的壓差、節省內部功率耗損、與縮減晶片面積，進而降低晶片溫度、提高電路工作效率、與降低生產成本。此種低壓降穩壓器包含感測控制單元、參考電流單元、訊號處理電路、與上拉單元。

感測控制單元係用以根據輸入電壓與第一控制訊號產生輸出電壓饋入負載，感測控制單元另用以根據第一內部電流產生感測電壓，其中流經負載之輸出電流包含第一內部電流。參考電流單元係用以根據輸入電壓產生參考電流訊號。訊號處理電路電連接於感測控制單元與參考電流單元，用來根據輸入電壓、感測電壓、與參考電流訊號產生第一內部電壓與第二內部電壓，並比較第一內部電壓與第二內部電壓以提供第二控制訊號。上拉單元電連接於訊號處理電路以接收第二控制訊號，並根據第二控制訊號以上拉第一控制訊號至輸入電壓，進而使感測控制單元據以控制輸出電壓。

為讓本發明更顯而易懂，下文依本發明具限流機制之低壓降穩壓器，特舉實施例配合所附圖式作詳細說明，但所提供之實施例並非用以限制本發明所涵蓋的範圍。

請參考第2圖，第2圖為本發明第一實施例之低壓降穩壓器的電路示意器。如第2圖所示，低壓降穩壓器200包含感測控制單元210、參考電流單元220、訊號處理電路230、上拉單元280、分壓單元295、誤差放大器291、以及濾波電容293，輸入電壓Vin係從輸入端202輸入。感測控制單元210用來根據輸入電壓Vin與第一控制訊號Sct1產生輸出電壓Vout饋入至負載201，並用來根據第一內部電流11產生感測電壓Vsen，而流經負載201之輸出電流Iout係包含第一內部電流I1。參考電流單元220根據輸入電壓Vin產生參考電流Iref，並據以提供參考電流訊號Siref。訊號處理電路230電連接於感測控制單元210與參考電流單元220，用來根據輸入電壓Vin、感測電壓Vsen、與參考電流訊號Siref產生第一內部電壓Vint1與第二內部電壓Vint2，並比較第一內部電壓Vint1與第二內部電壓Vint2以提供第二控制訊號Sct2。上拉單元280電連接於訊號處理電路230以接收第二控制訊號Sct2，並根據第二控制訊號Sct2上拉第一控制訊號Sct1至輸入電壓Vin，進而使感測控制單元210可據以控制輸出電流Iout與輸出電壓Vout。

感測控制單元210包含第一電晶體215、第二電晶體217、與感測電阻Rsen。第一電晶體215包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於輸入端202以接收輸入電壓Vin，閘極端電連接於上拉單元280以接收第一控制訊號Sct1，第二端電連接於負載201。第二電晶體217包含第一端、第二端、與閘極端，其中閘極端電連接於上拉單元280以接收第一控制訊號Sct1，第二端電連接於負載201。感測電阻Rsen電連接於第二電晶體217之第一端與輸入端202之間，用以產生感測電壓Vsen饋入至訊號處理電路230。流經感測電阻Rsen之第一內部電流I1與輸出電流Iout之電流比係由第二電晶體217與第一電晶體215的通道寬長比所設定。濾波電容293電連接於第一電晶體215之第二端與接地端GND之間。第一電晶體215與第二電晶體217係為P型金氧半場效電晶體(P-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或P型接面場效電晶體(P-type Junction Field Effect Transistor,P-JFET)。

參考電流單元220包含電流源221與第三電晶體223。第三電晶體223包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端用以輸出參考電流訊號Siref，閘極端電連接於第一端，第二端電連接於接地端GND。電流源221電連接於輸入端202與第三電晶體223的第一端之間，用以提供參考電流Iref，而第三電晶體223即根據參考電流Iref以產生參考電流訊號Siref。第三電晶體223係為N型金氧半場效電晶體(N-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或N型接面場效電晶體(N-type Junction Field Effect Transistor,N-JFET)。

訊號處理電路230包含第一位準移位單元240、第二位準移位單元250、與比較單元260。第一位準移位單元240電連接於感測控制單元210以接收感測電壓Vsen，用來執行感測電壓Vsen之位準移位處理以產生第一內部電壓Vint1。第二位準移位單元250連接於輸入端202以接收輸入電壓Vin，用來執行輸入電壓Vin的位準移位處理以產生第二內部電壓Vint2。比較單元260電連接於第一位準移位單元240與第二位準移位單元250，用來比較第一內部電壓Vint1與第二內部電壓Vint2以產生第二控制訊號Sct2。

第一位準移位單元240包含第四電晶體241與第五電晶體243。第四電晶體241包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於輸入端202以接收輸入電壓Vin，閘極端電連接於第二電晶體217之第一端以接收感測電壓Vsen，第二端用以輸出第一內部電壓Vint1。第五電晶體243包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於第四電晶體241之第二端，閘極端電連接於第三電晶體223之第一端以接收參考電流訊號Siref，第二端電連接於接地端GND。第四電晶體241與第五電晶體243係為N型金氧半場效電晶體或N型接面場效電晶體。

第二位準移位單元250包含第六電晶體251與第七電晶體253。第六電晶體251包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於輸入端202以接收輸入電壓Vin，閘極端電連接於第一端，第二端用以輸出第二內部電壓Vint2。第七電晶體253包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於第六電晶體251之第二端，閘極端電連接於第三電晶體223之第一端以接收參考電流訊號Siref，第二端電連接於接地端GND。第六電晶體251與第七電晶體253係為N型金氧半場效電晶體或N型接面場效電晶體。

比較單元260包含第八電晶體261、第九電晶體262、第十電晶體263、第十一電晶體264、第十二電晶體265、與偏壓電阻Rb。上拉單元280包含第十三電晶體281。第八電晶體261包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於輸入端202以接收輸入電壓Vin，閘極端電連接於第二端。第九電晶體262包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於輸入端202以接收輸入電壓Vin，閘極端電連接於第八電晶體261之閘極端，第二端用以輸出第二控制訊號Sct2。第十三電晶體281包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端用以接收輸入電壓Vin，閘極端電連接於第九電晶體262之第二端以接收第二控制訊號Sct2，第二端電連接於第一電晶體215與第二電晶體217之閘極端。第八電晶體261、第九電晶體262、與第十三電晶體281係為P型金氧半場效電晶體或P型接面場效電晶體。

第十電晶體263包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於第八電晶體261之第二端，閘極端電連接於第四電晶體241之第二端以接收第一內部電壓Vint1。第十一電晶體264包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於第九電晶體262之第二端，閘極端電連接於第六電晶體251之第二端以接收第二內部電壓Vint2。第十二電晶體265包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於第十電晶體263之第二端，閘極端電連接於第三電晶體223之第一端以接收參考電流訊號Siref，第二端電連接於接地端GND。第十電晶體263、第十一電晶體264、與第十二電晶體265係為N型金氧半場效電晶體或N型接面場效電晶體。偏壓電阻Rb電連接於第十一電晶體264的第二端與第十二電晶體265的第一端之間。第二內部電流I2在偏壓電阻Rb所產生之壓降可以在第十一電晶體264的閘極端提供負偏移電壓作用，比較單元260關於負偏移電壓作用的電路運作係為熟知相關技藝者所習知，因此不再贅述。

分壓單元295包含二分壓電阻Rfb1及Rfb2，串接於第一電晶體215之第二端與接地端GND之間，用以提供輸出電壓Vout之分壓Vdiv至誤差放大器291。誤差放大器291包含正輸入端、負輸入端、與輸出端，其中正輸入端電連接於分壓單元295以接收分壓Vdiv，負輸入端用以接收參考電壓Vref，輸出端用以輸出第一控制訊號Sct1。誤差放大器291係根據參考電壓Vref以執行分壓Vdiv的誤差放大處理，用來產生第一控制訊號Sct1饋入至第一電晶體215與第二電晶體217之閘極端，而第一電晶體215與第二電晶體217即可根據第一控制訊號Sct1以控制輸出電流Iout，並進而控制輸出電壓Vout。

基本上，低壓降穩壓器200包含電壓負反饋機制與限流機制，其運作原理分別說明如下。在低壓降穩壓器200的電壓負反饋機制運作中，當輸出電壓Vout高於上限電壓時，分壓單元295所提供輸出電壓Vout之分壓Vdiv會大於參考電壓Vref，誤差放大器291因而產生具高準位電壓之第一控制訊號Sct1。第一電晶體215與第二電晶體217即可根據具高準位電壓之第一控制訊號Sct1以降低輸出電流Iout，進而降低輸出電壓Vout。

在低壓降穩壓器200的限流機制運作中，當輸出電流Iout高於上限電流時，感測電壓Vsen會下降以使第十電晶體263之第一閘源極壓降Vgs1小於第十一電晶體264之第二閘源極壓降Vgs2，訊號處理電路230之比較單元260因而輸出具低準位電壓之第二控制訊號Sct2，用以導通第十三電晶體281，進而上拉第一控制訊號Sct1至輸入電壓Vin，第一電晶體215與第二電晶體217即可根據第一控制訊號Sct1以降低輸出電流Iout。

藉由第2圖所示之第一路徑與第二路徑的電路壓降關係，可分析出當Vgs1＜Vgs2時，係對應於I1×Rsen＞I2×Rb，亦即(I1/I2)＞(Rb/Rsen)。換句話說，在低壓降穩壓器200的限流機制運作中，並非根據感測電阻Rsen的電阻壓降作為判斷過電流狀況的依據，而係根據第一內部電流I1與第二內部電流I2的電流比作為判斷過電流狀況的依據，其中感測電阻Rsen與偏壓電阻Rb的電阻值比例即用以設定電流比的臨界值。因此，所使用的感測電阻Rsen之電阻值可以遠小於習知技術所使用感測電阻之電阻值，用來顯著縮減晶片面積以降低生產成本。

在較佳實施例中，第一電晶體215之通道寬長比係遠大於第二電晶體217之通道寬長比，用來使流經感測電阻Rsen的第一內部電流I1僅為輸出電流Iout的部分微量電流，因此可節省內部功率耗損及降低晶片溫度以提高電路工作效率。此外，由於輸出電流Iout大部分係經第一電晶體215輸出，所以輸入電壓Vin與輸出電壓Vout的壓差實質上並不包含感測電阻Rsen的壓降，亦即可顯著降低輸出入電壓之間的壓差。

請參考第3圖，第3圖為本發明第二實施例之低壓降穩壓器的電路示意圖。如第3圖所示，低壓降穩壓器300係類同於第2圖所示之低壓降穩壓器200，主要差異在於將分壓單元295替換為分壓單元395，並將參考電流單元220替換為參考電流單元320。分壓單元395包含第十四電晶體396與第十五電晶體397。第十四電晶體396包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於第一電晶體215之第二端，第二端電連接於誤差放大器291之正輸入端，閘極端用以接收第一閘極控制訊號Sg1，第一閘極控制訊號Sg1係用以調整第十四電晶體396之第一通道電阻。第十五電晶體397包含第一端、第二端、與閘極端，其中第一端電連接於第十四電晶體396之第二端，第二端電連接於接地端GND，閘極端用以接收第二閘極控制訊號Sg2，第二閘極控制訊號Sg2係用以調整第十五電晶體397之第二通道電阻。第十四電晶體396與第十五電晶體397係為金氧半場效電晶體或接面場效電晶體。參考電流單元320包含參考電阻Rref與第三電晶體223，其中參考電阻Rref電連接於輸入端202與第三電晶體223的第一端之間，用以設定參考電流Iref，使第三電晶體223據以產生參考電流訊號Siref。

基本上，分壓單元395係為可調整分壓器，其係利用被調整之第一通道電阻與第二通道電阻以提供輸出電壓Vout之分壓Vdiv至誤差放大器291。在另一實施例中，第十四電晶體396與第十五電晶體397的閘極端係用以接收相同控制訊號，而第一通道電阻可由第十四電晶體396的通道寬長比所設定，第二通道電阻可由第十五電晶體397的通道寬長比所設定。換句話說，分壓單元395之分壓比例可根據第十四電晶體396與第十五電晶體397的通道寬長比而設定。第十四電晶體396的通道寬長比係可相同或相異於第十五電晶體397的通道寬長比。

綜上所述，在本發明低壓降穩壓器的運作中，輸入電壓與輸出電壓的壓差並不包含感測電阻的壓降，所以可降低輸出入電壓之間的壓差。此外，輸出電流包含流經感測電阻的電流，而且流經感測電阻的電流僅為微量電流，所以可節省內部功率耗損及降低晶片溫度，用以提高電路工作效率。至於在本發明低壓降穩壓器的電路結構中，由於限流機制用以判斷過電流狀況的臨界值係為電阻值比例而非電阻壓降，因此所使用的感測電阻之阻值可以遠小於習知技術所使用感測電阻之阻值，用來顯著縮減晶片面積以降低生產成本。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何具有本發明所屬技術領域之通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300．．．低壓降穩壓器

101、201．．．負載

110、291．．．誤差放大器

115、215．．．第一電晶體

120．．．比較器

125、217．．．第二電晶體

190．．．參考電流源

202．．．輸入端

210．．．感測控制單元

220、320．．．參考電流單元

221．．．電流源

223．．．第三電晶體

230．．．訊號處理電路

240．．．第一位準移位單元

241．．．第四電晶體

243．．．第五電晶體

250．．．第二位準移位單元

251．．．第六電晶體

253．．．第七電晶體

260．．．比較單元

261．．．第八電晶體

262．．．第九電晶體

263．．．第十電晶體

264．．．第十一電晶體

265．．．第十二電晶體

280．．．上拉單元

281．．．第十三電晶體

293．．．濾波電容

295、395．．．分壓單元

396．．．第十四電晶體

397．．．第十五電晶體

GND．．．接地端

I1．．．第一內部電流

I2．．．第二內部電流

Iout．．．輸出電流

Iref．．．參考電流

Rb．．．偏壓電阻

Rfb1、Rfb2．．．分壓電阻

Rref．．．參考電阻

Rsen．．．感測電阻

Sct1．．．第一控制訊號

Sct2．．．第二控制訊號

Siref．．．參考電流訊號

Vdiv．．．分壓

Vgs1．．．第一閘源極壓降

Vgs2．．．第二閘源極壓降

Vin．．．輸入電壓

Vint1．．．第一內部電壓

Vint2．．．第二內部電壓

Vout．．．輸出電壓

Vref．．．參考電壓

Vref1．．．第一參考電壓

Vref2．．．第二參考電壓

Vsen．．．感測電壓

第1圖為習知具限流機制之低壓降穩壓器的電路示意圖。

第2圖為本發明第一實施例之低壓降穩壓器的電路示意器。

第3圖為本發明第二實施例之低壓降穩壓器的電路示意圖。

200．．．低壓降穩壓器

201．．．負載

202．．．輸入端

210．．．感測控制單元

215．．．第一電晶體

217．．．第二電晶體

220．．．參考電流單元

221．．．電流源

223．．．第三電晶體

230．．．訊號處理電路

240．．．第一位準移位單元

241．．．第四電晶體

243．．．第五電晶體

250．．．第二位準移位單元

251．．．第六電晶體

253．．．第七電晶體

260．．．比較單元

261．．．第八電晶體

262．．．第九電晶體

263．．．第十電晶體

264．．．第十一電晶體

265．．．第十二電晶體

280．．．上拉單元

281．．．第十三電晶體

291．．．誤差放大器

293．．．濾波電容

295．．．分壓單元

GND．．．接地端

I1．．．第一內部電流

I2．．．第二內部電流

Iout．．．輸出電流

Iref．．．參考電流

Rb．．．偏壓電阻

Rfb1、Rfb2．．．分壓電阻

Rsen．．．感測電阻

Sct1．．．第一控制訊號

Sct2．．．第二控制訊號

Siref．．．參考電流訊號

Vdiv．．．分壓

Vgs1．．．第一閘源極壓降

Vgs2．．．第二閘源極壓降

Vin．．．輸入電壓

Vint1．．．第一內部電壓

Vint2．．．第二內部電壓

Vout．．．輸出電壓

Vref．．．參考電壓

Vsen．．．感測電壓

Claims (20)

1. 一種具限流機制之低壓降穩壓器，包含：一感測控制單元，用以根據一輸入電壓與一第一控制訊號產生一輸出電壓饋入一負載，該感測控制單元另用以根據一第一內部電流產生一感測電壓；一參考電流單元，用以根據該輸入電壓產生一參考電流訊號；一訊號處理電路，電連接於該感測控制單元與該參考電流單元，用來根據該輸入電壓、該感測電壓、與該參考電流訊號產生一第一內部電壓與一第二內部電壓，並比較該第一內部電壓與該第二內部電壓以提供一第二控制訊號；以及一上拉單元，電連接於該訊號處理電路以接收該第二控制訊號，並根據該第二控制訊號以上拉該第一控制訊號至該輸入電壓。
2. 如請求項1所述之低壓降穩壓器，其中該感測控制單元包含：一第一電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端用以接收該輸入電壓，該閘極端電連接於該上拉單元以接收該第一控制訊號，該第二端電連接於該負載；一第二電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該閘極端電連接於該上拉單元以接收該第一控制訊號，該第二端電連接於該負載；以及一感測電阻，電連接於該第一電晶體之第一端與該第二電晶體之 第一端之間，用以產生該感測電壓饋入至該訊號處理電路。
3. 如請求項2所述之低壓降穩壓器，其中該第一電晶體之通道寬長比係遠大於該第二電晶體之通道寬長比。
4. 如請求項2所述之低壓降穩壓器，其中該第一電晶體與該第二電晶體係為P型金氧半場效電晶體(P-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或P型接面場效電晶體(P-type Junction Field Effect Transistor,P-JFET)。
5. 如請求項2所述之低壓降穩壓器，另包含：一濾波電容，電連接於該第一電晶體之第二端與一接地端之間；一分壓單元，電連接於該第一電晶體之第二端與該接地端之間，用來對該輸出電壓執行分壓處理以產生一分壓；以及一誤差放大器，包含一正輸入端、一負輸入端、與一輸出端，其中該負輸入端用以接收一參考電壓，該正輸入端電連接於該分壓單元以接收該分壓，該輸出端用以輸出該第一控制訊號饋入至該第一電晶體之閘極端。
6. 如請求項5所述之低壓降穩壓器，其中該分壓單元包含：一第一電阻，電連接於該第一電晶體之第二端與該誤差放大器之正輸入端之間；以及一第二電阻，電連接於該誤差放大器之正輸入端與該接地端之 間。
7. 如請求項5所述之低壓降穩壓器，其中該分壓單元包含：一第三電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端耦接於該第一電晶體之第二端，該第二端耦接於該誤差放大器之正輸入端，該閘極端用以接收一第一閘極控制訊號；以及一第四電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端耦接於該第三電晶體之第二端，該第二端耦接於該接地端，該閘極端用以接收一第二閘極控制訊號。
8. 如請求項7所述之低壓降穩壓器，其中該第三電晶體及該第四電晶體係為金氧半場效電晶體或接面場效電晶體，該第三電晶體之通道寬長比係相同或相異於該第四電晶體之通道寬長比。
9. 如請求項1所述之低壓降穩壓器，其中該參考電流單元包含：一電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該閘極端電連接於該第一端，該第二端電連接於一接地端；以及一電流源，包含一第一端與一第二端，其中該第一端用以接收該輸入電壓，該第二端電連接於該電晶體之第一端；其中該電流源係用以提供一參考電流，該電晶體係用以根據該參考電流產生該參考電流訊號。
10. 如請求項9所述之低壓降穩壓器，其中該電晶體係為一N型金氧半場效電晶體(N-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或一N型接面場效電晶體(N-type Junction Field Effect Transistor,N-JFET)。
11. 如請求項1所述之低壓降穩壓器，其中該參考電流單元包含：一電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該閘極端電連接於該第一端，該第二端電連接於一接地端；以及一參考電阻，包含一第一端與一第二端，其中該第一端用以接收該輸入電壓，該第二端電連接於該電晶體之第一端；其中該參考電阻係用以設定一參考電流，該電晶體係用以根據該參考電流產生該參考電流訊號。
12. 如請求項11所述之低壓降穩壓器，其中該電晶體係為N型金氧半場效電晶體或N型接面場效電晶體。
13. 如請求項1所述之低壓降穩壓器，其中該訊號處理電路包含：一第一位準移位單元，電連接於該感測控制單元以接收該感測電壓，用來執行該感測電壓之位準移位處理以產生該第一內部電壓；一第二位準移位單元，用來執行該輸入電壓之位準移位處理以產生該第二內部電壓；以及一比較單元，電連接於該第一位準移位單元與該第二位準移位單 元，用來比較該第一內部電壓與該第二內部電壓以產生該第二控制訊號。
14. 如請求項13所述之低壓降穩壓器，其中該第一位準移位單元包含：一第一電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端用以接收該輸入電壓，該閘極端電連接於該感測控制單元以接收該感測電壓，該第二端用以輸出該第一內部電壓；以及一第二電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端電連接於該第一電晶體之第二端，該閘極端電連接於該參考電流單元以接收該參考電流訊號，該第二端電連接於一接地端。
15. 如請求項14所述之低壓降穩壓器，其中該第一電晶體與該第二電晶體係為N型金氧半場效電晶體或N型接面場效電晶體。
16. 如請求項13所述之低壓降穩壓器，其中該第二位準移位單元包含：一第一電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端用以接收該輸入電壓，該閘極端電連接於該第一端，該第二端用以輸出該第二內部電壓；以及一第二電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該 第一端電連接於該第一電晶體之第二端，該閘極端電連接於該參考電流單元以接收該參考電流訊號，該第二端電連接於一接地端。
17. 如請求項16所述之低壓降穩壓器，其中該第一電晶體與該第二電晶體係為N型金氧半場效電晶體或N型接面場效電晶體。
18. 如請求項13所述之低壓降穩壓器，其中該比較單元包含：一第一電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端用以接收該輸入電壓，該閘極端電連接於該第二端；一第二電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端用以接收該輸入電壓，該閘極端電連接於該第一電晶體之閘極端，該第二端用以輸出該第二控制訊號；一第三電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端電連接於該第一電晶體之第二端，該閘極端電連接於該第一位準移位單元以接收該第一內部電壓；一第四電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端電連接於該第二電晶體之第二端，該閘極端電連接於該第二位準移位單元以接收該第二內部電壓；一第五電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端電連接於該第三電晶體之第二端，該閘極端電連接於該參考電流單元以接收該參考電流訊號，該第二端電連接於一接地端；以及 一偏壓電阻，電連接於該第四電晶體的第二端與該第五電晶體的第一端之間。
19. 如請求項18所述之低壓降穩壓器，其中該第一電晶體與該第二電晶體係為P型金氧半場效電晶體或P型接面場效電晶體，該第三電晶體、該第四電晶體、與該第五電晶體係為N型金氧半場效電晶體或N型接面場效電晶體。
20. 如請求項1所述之低壓降穩壓器，其中該上拉單元包含：一電晶體，包含一第一端、一第二端、與一閘極端，其中該第一端用以接收該輸入電壓，該閘極端電連接於該訊號處理電路以接收該第二控制訊號，該第二端電連接於該感測控制單元；其中該電晶體係為一P型金氧半場效電晶體或一P型接面場效電晶體。