TWI385681B - 磁場產生模組、磁場產生模組的製造方法及磁力提升的方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種產生模組、產生模組的製造方法及磁力提升的方法，特別關於一種磁場產生模組、磁場產生模組的製造方法及磁力提升的方法。
標靶治療係於體內注入一標靶藥物，使其針對特定的細胞進行攻擊而達到治療的效果。然而，注入身體內的標靶藥物易分散於體內，導致標靶治療的功效降低。另外，藥物的分散亦對患者產生很大的副作用，造成患者另一種傷害。
為了改善標靶治療的效果，磁導引控制系統結合標靶治療的方式因應而生。磁導引控制系統係利用一磁場產生裝置產生磁力，以導引具磁性之標靶藥物至一特定區域，以對某一疾病進行有效地治療。藉由磁導引控制系統的技術，可精確地導引標靶藥物至標的區域，因此，除了可針對特定區域的進行治療外，也可降低患者之副作用，進而可提高治療之效果。
請參照圖1A及圖1B所示，圖1A為習知一種磁場產生模組1的剖視圖，而圖1B係為圖1A之磁場產生模組1之磁力線分佈示意圖。磁場產生模組1係應用於磁導引控制系統，以產生導引磁性標靶藥物所需之磁力。
磁場產生模組1係包括一殼體11、三磁極121～123及複數個線圈組13。其中，殼體11具有一內側111，而磁極121～123係設置於殼體11之內側111，並使兩磁極121～123與中心點之間的夾角為120度。另外，線圈組13係分別對應設置於磁極121～123。藉由對線圈組13輪流通電，即可使磁場產生模組1產生如圖1B所示之磁力線(圖1B係對磁極121對應的線圈組13通電)。
然而，磁場產生模組1之磁力線分佈相當不均勻，也相當不密集，且由於空氣的磁阻效應，使磁通密度與磁力隨著與磁極的距離增加而大幅衰減，導致磁導引效果亦隨著距離增加而變差。為了使磁場產生單元1有較佳的磁通密度，則需提高線圈組13的電力，以提升磁通密度與磁力，此將導致成本的增加。
因此，如何提供一種磁場產生模組、磁場產生模組的製造方法及磁力提升的方法，可提供更密集的磁力線分佈，並可提升磁通密度與磁力，已成為重要課題之一。
有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種可具有更密集的磁力線分佈，並可提升磁通密度與磁力之磁場產生模組、磁場產生模組的製造方法及磁力提升的方法。
為達上述目的，依據本發明之磁場產生模組包括一殼體、複數個中間磁極、複數個短磁極以及複數個線圈組。殼體具有一環形截面，並具有一內側。中間磁極設置於殼體之內側，並具有相同的間距排列於該環形截面之內周緣。短磁極設置於殼體之內側，並平均地分佈於該等中間磁極之間，其中，相鄰近的兩該等短磁極之間具有一第一間距，各中間磁極與相鄰的該等短磁極之間分別具有一第二間距，第一間距與第二間距係相等。線圈組分別與該等中間磁極對應設置，並位於該等中間磁極與該等短磁極之間。
在本發明之一實施例中，殼體實質上係為中空圓柱體。
在本發明之一實施例中，殼體、中間磁極及短磁極的材質係包含導磁材料。
在本發明之一實施例中，殼體與中間磁極或短磁極的至少其中之一為一體成形。
在本發明之一實施例中，當該等中間磁極的數量為三時，該等中間磁極中任意二者與該殼體之該環形截面的中心點之夾角為120度。
在本發明之一實施例中，兩相鄰之短磁極與殼體之環形截面的中心點之夾角為5度、10度、12度或15度。
在本發明之一實施例中，短磁極的數量係為69、33、27或21。
在本發明之一實施例中，各線圈組具有複數個線圈位於各中間磁極與短磁極之間。
為達上述目的，依據本發明之一種磁場產生模組的製造方法包括以下步驟：於一殼體之一內側設置複數個中間磁極，該等中間磁極排列於殼體之一環形截面的內周緣，並使該等中間磁極之間的間距相等；設置複數個短磁極於殼體之內側，並平均地分佈於該等中間磁極之間，且使相鄰近的兩該等短磁極之間的一第一間距，與各中間磁極與相鄰的該等短磁極之間的一第二間距相等；以及分別設置複數個線圈組對應於該等中間磁極。
為達上述目的，依據本發明之一種磁力提升的方法，係應用於一磁場產生模組，磁場產生模組具有一殼體，殼體具有一環形截面，殼體之一內側設置有複數個中間磁極排列於圓形截面之內周緣，該等中間磁極之間的間距係相等，且磁場產生模組具有複數個第一線圈組分別對應設置於該等中間磁極，磁力提升的方法包括以下步驟：設置複數個短磁極於磁場產生模組之殼體的內側，並平均地分佈於該等中間磁極之間，且使相鄰近的兩該等短磁極之間的一第一間距與各中間磁極，與相鄰的該等短磁極之間的一第二間距相等；以及設置複數個第二線圈組分別對應於該等中間磁極。
承上所述，因依據本發明之磁場產生模組之中間磁極係設置於殼體之內側，並具有相同的間距排列於殼體之環形截面之內周緣，而短磁極平均設置於中間磁極之間，且相鄰的短磁極之間具有一第一間距，各中間磁極與相鄰的短磁極之間具有一第二間距，而第一間距與第二間距係相等。藉此，使磁場產生模組具有間極式的磁極結構，而短磁極的設計可降低兩中間磁極之間空氣的磁阻效應，並改善磁場產生模組之磁力衰減，使中間磁極對應之線圈組所產生之磁力線可有效地延伸，使磁力線的分佈更密集、更均勻。因此，本發明之磁場產生模組具有更密集、更均勻的磁力線分佈，並可有效地提升磁通密度與磁力。另外，本發明之磁場產生模組的製造方法及磁力提升的方法亦具有上述之磁場產生模組的結構，因此，亦可有效地提升磁通密度與磁力。
以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之一種磁場產生模組、磁場產生模組的製造方法及磁力提升的方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。
請參照圖2A及圖2B所示，其中，圖2A為本發明之一種磁場產生模組2的剖視圖，而圖2B係為圖2A之磁場產生模組2之磁力線分佈示意圖。磁場產生模組2包括一殼體21、複數個中間磁極22、複數個短磁極23以及複數個線圈組24。磁場產生模組2可應用於一磁導引控制系統，以進行一磁性物質之導引。而磁導引控制系統可應用於醫療上的標靶治療、心血管治療、醫用微型機具導引、手術用導管方位導引等領域。當然，磁場產生模組2也可應用於非醫療的領域。
殼體21具有一內側211。於此，殼體21實質上係為一中空的圓柱體，其中，殼體21具有一環形截面，並具有一內側211與一外側212。
中間磁極22係設置於殼體21之內側211，並具有相同的間距排列於殼體21圓形載面的內周緣。在本實施例中，係以中間磁極22的數量以三為例。於此，係將此三個中間磁極22稱為特定中間磁極221～223。特定中間磁極221～223係平均地設置於內側211。換言之，本實施例之三個特定中間磁極221～223係平均地位於殼體21之內側211，使得三個中的任兩個特定中間磁極，亦即特定中間磁極221、222、特定中間磁極222、223與特定中間磁極223、221，之間與殼體21之圓形截面的中心點夾角分別為120度，如圖2A所示。不過，設計者也可依其磁力需求，於內側211設置6個或更多個特定中間磁極，並使其平均地排列於殼體21的環形截面之內周緣上。
短磁極23係設置於殼體21之內側211，並平均地分佈於中間磁極22之間，使磁場產生模組2具有間極式的磁極結構。在本實施例中，短磁極23的數量係為69，因中間磁極22的數量係為3，故每23個短磁極23平均地位於兩中間磁極22之間。另外，兩相鄰近的短磁極23之間具有一第一間距D1，每一中間磁極22與相鄰的短磁極23之間分別具有一第二間距D2，且第一間距D1與第二間距D2係相等。於此，因特定中間磁極221～223與短磁極23的數量總和為72，且第一間距D1等於第二間距D2，故兩相鄰之短磁極23與殼體21之環形截面的中心點之夾角為5度(360度除以72)，且各中間磁極22與相鄰的短磁極23與殼體21之環形截面的中心點之夾角亦為5度。
特別說明的是，設計者也可依其對磁力的需求設置不同數量之短磁極23，例如3個特定中間磁極221～223搭配33、27或21個短磁極23，使兩相鄰之短磁極23與殼體21之環形截面的中心點之夾角分別為10度(360除以36)、12度(360除以30)或15度(360除以24)。於此，並不限制中間磁極22與短磁極23數量總和。另外，殼體21、中間磁極22及短磁極23的材質係可包含導磁材料，例如可為矽鋼、非晶質合金(amorphous alloy)、鐵磁(ferromagnetic)或亞鐵鹽(ferrite)等。此外，殼體21與中間磁極22或短磁極23的至少其中之一為一體成形。本實施例係以殼體21、中間磁極22及短磁極23為一體成形為例。
值得一提的是，短磁極23與中間磁極22兩者之長度比例係為可調整。設計者也可依其對磁力的需求調整兩者之長度比例，例如短磁極23比中間磁極22之長度比為0.4比1，或0.7比1，或者是其它比例。
另外，線圈組24係分別與中間磁極22對應設置，並位於中間磁極22與短磁極23之間。在本實施例中，各線圈組24具有複數個線圈241，線圈241係分別對應設置於各特定中間磁極221～223，且分別位於各特定中間磁極221～223與短磁極23之間。其中，線圈241的材質例如可包含銅、超導體(superconductor)或其它導電材料。於此，並不加以限制。
當磁場產生模組2之中間磁極22對應的線圈組24通電時，其磁力線的分佈可如圖2B所示(圖2B係為特定中間磁極221對應之線圈組24通電)。由於磁場產生模組2係使用間極式的磁極結構，因此，短磁極23的設置可降低兩中間磁極22之間空氣的磁阻效應，並改善磁場產生模組2之磁力衰減，使中間磁極22對應之線圈組24所產生之磁力線可以有效地延伸。因此，可使磁場產生模組2之磁力線的分佈更密集、更均勻。
請比較圖2B與圖1B之磁力線分佈圖，於兩圖示中可清楚地發現，圖2B之磁場產生模組2比圖1B具有更均勻分佈及更密集的磁力線。
另外，請參照圖3A與圖3B所示，其中，圖3B為本發明之磁場產生模組2與習知磁場產生模組1之磁通密度的比較示意圖。圖3B的橫座標係為圖3A之直線A上不同位置與特定中間磁極221頂端之間的距離，而圖3B之縱座標係為本發明磁場產生模組2之磁通密度與習知磁場產生模組1之磁通密度的比值。
如圖3B所示，在離特定中間磁極221之頂端越遠時，兩者磁通密度的比值越高。換言之，離特定中間磁極221越遠時，磁場產生模組2的磁通密度與習知相較，其改善幅度越大。另外，在距離2.5至6.5單位之一工作區域B內，磁場產生模組2之磁通密度係為磁場產生模組1之磁通密度的1.2至1.4倍。此外，因磁場產生模組2為對稱性結構，故相同情況下，與特定中間磁極222、223對應的磁通密度與習知相較，其提升情況亦相同。
再者，請參照圖4A與圖4B所示，其中，圖4B為本發明之磁場產生模組2與磁場產生模組1之磁力的比較示意圖。圖4B的橫座標係為圖4A之直線A上不同位置與特定中間磁極221頂端之間的距離，而圖3B之縱座標係為本發明磁場產生模組2之磁力與磁場產生模組1之磁力的比值。
如圖4B所示，在距離2.5至6.5單位之一工作區域C內，磁場產生模組2之磁力係為磁場產生模組1的1.0至1.6倍。另外，因磁場產生模組2為對稱性結構，故與特定中間磁極222、223對應的磁力與習知相較，其提升情況亦相同。
請參照圖5A與圖5B所示，其中，圖5B為本發明之磁場產生模組2於一半徑為2單位之圓D的圓周上，不同方位角度之磁力與習知的比較示意圖。圖5B的橫座標係為圖5A之圓D之圓周的不同角度方位，而圖5B之縱座標係為本發明磁場產生模組2的磁力與習知磁場產生模組1之磁力的比值。
如圖5B所示，於圓D的圓周之不同角度上，磁場產生模組2的磁力係為磁場產生模組1的1.4至1.7倍。另外，因磁場產生模組2為對稱性結構，故與特定中間磁極222、223對應的磁力與習知相較，其提升情況亦相同。
請參照圖6A與圖6B所示，其中，圖6B為本發明之磁場產生模組2於一半徑為4單位之圓E之圓周上，不同方位角度之磁力與習知的比較示意圖。圖6B的橫座標係為圖6A之圓E的圓周的不同角度方位，而圖6B之縱座標係為本發明磁場產生模組2的磁力與習知磁場產生模組1之磁力的比值。
如圖6B所示，於圓E的圓周之不同角度上，磁場產生模組2的磁力係為磁場產生模組1的1.0至1.9倍。另外，因磁場產生模組2為對稱性結構，故與特定中間磁極222、223對應的磁力與習知相較，其提升情況亦相同。
承上所述，因磁場產生模組2之中間磁極22係設置於殼體21之內側211，並具有相同的間距排列於殼體21之環形截面之內周緣，而短磁極23係設置於殼體21之內側211，並平均地分佈於中間磁極22之間，且相鄰的短磁極23之間具有一第一間距D1，各中間磁極22與相鄰的短磁極23之間具有一第二間距D2，而第一間距D1與第二間距D2係相等。藉此，使磁場產生模組2具有間極式的磁極結構，而短磁極23的設計可降低兩中間磁極22之間空氣的磁阻效應，並改善磁場產生模組2之磁力衰減，使中間磁極22對應之線圈組24所產生之磁力線可有效地延伸，使磁力線的分佈更密集、更均勻。因此，本發明之磁場產生模組2具有更密集、更均勻的磁力線分佈，並可有效提升工作區域之磁通密度與磁力。
另外，請同時參照圖7及圖2A所示，以說明本發明之磁場產生模組2的製造方法。
磁場產生模組2的製造方法係包括步驟S01至S03。
步驟S01係為：於一殼體21之一內側211設置複數個中間磁極22，該等中間磁極22排列於殼體21之一環形截面的內周緣，並使該等中間磁極22之間的間距係相等。於此，係於殼體21之內側211設置三個特定中間磁極221～223，並平均地排列於殼體21之環形截面的內周緣，使得兩兩中間磁極22之間具有相同的間距。
步驟S02係為：設置複數個短磁極23於殼體21之內側211，並平均地分佈於該等中間磁極22之間，且使相鄰近的兩該等短磁極23之間的一第一間距D1，與各中間磁極22與相鄰的該等短磁極23之間的一第二間距D2相等。於此，係設置69個短磁極23於特定中間磁極221～223之間，使兩中間磁極22之間平均分配23個短磁極23，並使第一間距D1等於第二間距D2。
步驟S03係為：分別設置複數個線圈組24對應於該等中間磁極22。於此，各線圈組24具有複數個線圈241，該等線圈241係對應設置於特定中間磁極221～223，且分別位於特定中間磁極221～223與該等短磁極23之間。
另外，磁場產生模組2的其它特徵已於上述之實施例中詳述，於此不再贅述。
此外，請同時參照圖8及圖9A所示，以說明本發明之磁力提升的方法。本發明之磁力提升的方法係應用於一習知之磁場產生模組3，磁場產生模組3具有一殼體31，殼體31具有一環形截面，殼體31之一內側311設置有複數個中間磁極32排列於環形截面之內周緣，該等中間磁極32之間的間距係相等，且磁場產生模組具有複數個第一線圈組34分別對應設置於中間磁極32(本實施例係以具有3個特定中間磁極321～323，並分別對應設置於第一線圈組34為例。當然也可設置6個或其它數量之中間磁極32)。另外，須先將磁場產生模組3之第一線圈組34去除後(如圖9B所示)，並運用本方法，才可提升磁力。
本發明之磁力提升的方法係包括以下步驟P01至P03：步驟P01：如圖9C所示，設置複數個短磁極33於磁場產生模組3之殼體31的內側311，並平均地分佈於該等中間磁極32之間，且使相鄰近的兩短磁極33之間的一第一間距D3，與各中間磁極32與相鄰的短磁極33之間的一第二間距D4相等。於此，係設置69個短磁極23於特定中間磁極321～323之間，使兩中間磁極32之間平均地設置23個短磁極33，並使第一間距D3等於第二間距D4，且使兩相鄰之短磁極33與殼體31之圓形截面的中心點之夾角為5度，且特定中間磁極321～323與相鄰的短磁極33與殼體31之環形截面的中心點之夾角亦為5度。當然，也可如上述實施例一樣，設置不同數量的短磁極33。
步驟P02：如圖9D所示，設置複數個第二線圈組34a分別對應於特定中間磁極331～333。於此，係將各第二線圈組34a對應設置於各中間磁極32與短磁極33之間，完成磁場產生模組3a。
磁力提升的方法更可包括步驟P03：輪流對磁場產生模組3a之第二線圈組34a通電，使磁場產生模組3a產生磁力。
另外，磁場產生模組3a的其它技術特徵與上述實施例之磁場產生模組2的相同元件具有相同的結構與連結關係，於此不再贅述。
因此，利用本發明之磁力提升的方法，可改變習知之磁場產生模組3的結構，可使磁力線的分佈更密集、更均勻，另外可有效提升磁通密度與磁力。
綜上所述，因依據本發明之磁場產生模組之中間磁極係設置於殼體之內側，並具有相同的間距排列於殼體之環形截面之內周緣，而短磁極平均設置於中間磁極之間，且相鄰的短磁極之間具有一第一間距，各中間磁極與相鄰的短磁極之間具有一第二間距，而第一間距與第二間距係相等。藉此，使磁場產生模組具有間極式的磁極結構，而短磁極的設計可降低兩中間磁極之間空氣的磁阻效應，並改善磁場產生模組之磁力衰減，使中間磁極對應之線圈組所產生之磁力線可有效地延伸，使磁力線的分佈更密集、更均勻。因此，本發明之磁場產生模組具有更密集、更均勻的磁力線分佈，並可有效地提升磁通密度與磁力。另外，本發明之磁場產生模組的製造方法及磁力提升的方法亦具有上述之磁場產生模組的結構，因此，亦可有效地提升磁通密度與磁力。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
1、2、3、3a．．．磁場產生模組
11、21、31．．．殼體
111、211、311．．．內側
121～123．．．磁極
13：23、33．．．短磁極
212．．．外側
22、32．．．中間磁極
221～223、321～323．．．特定中間磁極
24、34、34a．．．線圈組
241．．．線圈
A．．．直線
B、C．．．區域
D、E．．．圓
D1、D2、D3、D4．．．間距
S01～S03、P01～P03．．．步驟
圖1A為習知一種磁場產生模組的剖視圖；
圖1B為圖1A之磁場產生模組之磁力線分佈示意圖；
圖2A為本發明之一種磁場產生模組的剖視圖；
圖2B為圖2A之磁場產生模組之磁力線分佈示意圖；
圖3A為本發明之磁場產生模組的剖視圖；
圖3B為本發明之磁場產生模組與習知磁場產生模組之磁通密度的比較示意圖；
圖4A為本發明之磁場產生模組的剖視圖；
圖4B為本發明之磁場產生模組與習知磁場產生模組之磁力的比較示意圖；
圖5A為本發明之磁場產生模組的剖視圖；
圖5B為本發明之磁場產生模組於一半徑為2單位之圓D的圓周上，不同方位角度之磁力與習知的比較示意圖；
圖6A為本發明之磁場產生模組的剖視圖；
圖6B為本發明之磁場產生模組於一半徑為4單位之圓D的圓周上，不同方位角度之磁力與習知的比較示意圖；
圖7為本發明之磁場產生模組之製造方法流程圖；
圖8為本發明之磁力提升方法流程圖；以及
圖9A至圖9D分別為應用本發明之磁力提升方法之剖視圖。
2．．．磁場產生模組
21．．．殼體
211．．．內側
212．．．外側
22．．．中間磁極
221～223．．．特定中間磁極
23．．．短磁極
24．．．線圈組
241．．．線圈
DI、D2．．．間距
Claims (25)
- 一種磁場產生模組，包括：一殼體，具有一環形截面，並具有一內側；複數個中間磁極，設置於該殼體之該內側，並具有相同的間距排列於該圓形截面之內周緣；複數個短磁極，設置於該殼體之該內側，並平均地分佈於該等中間磁極之間，其中，相鄰近的兩該等短磁極之間具有一第一間距，各該中間磁極與相鄰的該等短磁極之間分別具有一第二間距，該第一間距與該第二間距係相等；以及複數個線圈組，分別與該等中間磁極對應設置，並位於該等中間磁極與該等短磁極之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之磁場產生模組，其中該殼體實質上係為中空圓柱體。
- 如申請專利範圍第1項所述之磁場產生模組，其中該殼體、該等中間磁極及該等短磁極的材質係包含導磁材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之磁場產生模組，其中該殼體與該等中間磁極或該等短磁極的至少其中之一為一體成形。
- 如申請專利範圍第1項所述之磁場產生模組，其中當該等中間磁極的數量為三時，該等中間磁極中任意二者與該殼體之該環形截面的中心點之夾角為120度。
- 如申請專利範圍第1項所述之磁場產生模組，其中兩相鄰之該短磁極與該殼體之該環形截面的中心點之夾角為5度、10度、12度或15度。
- 如申請專利範圍第1項所述之磁場產生模組，其中該等短磁極的數量係為69、33、27或21。
- 如申請專利範圍第1項所述之磁場產生模組，其中各該線圈組具有複數個線圈，並位於各該中間磁極與該等短磁極之間。
- 一種磁力提升的方法，係應用於一磁場產生模組，該磁場產生模組具有一殼體，該殼體具有一環形截面，該殼體之一內側設置有複數個中間磁極排列於該環形截面之內周緣，該等中間磁極之間的間距係相等，且該磁場產生模組具有複數個第一線圈組分別對應設置於該等中間磁極，該磁力提升的方法包括以下步驟：設置複數個短磁極於該磁場產生模組之該殼體的該內側，並平均地分佈於該等中間磁極之間，且使相鄰近的兩該等短磁極之間的一第一間距，與各該中間磁極與相鄰的該等短磁極之間的一第二間距相等；以及設置複數個第二線圈組分別對應於該等中間磁極。
- 如申請專利範圍第9項所述之磁力提升的方法，其中該殼體、該等中間磁極及該等短磁極的材質係包含導磁材料。
- 如申請專利範圍第9項所述之磁力提升的方法，其中該殼體與該等中間磁極或該等短磁極的至少其中之一為一體成形。
- 如申請專利範圍第9項所述之之磁力提升的方法，其中該殼體實質上係為中空圓柱體。
- 如申請專利範圍第9項所述之磁力提升的方法，其中當該等中間磁極的數量為三時，該等中間磁極中任意二者與該殼體之該環形截面的中心點之夾角為120度。
- 如申請專利範圍第9項所述之磁力提升的方法，其中兩相鄰之該短磁極與該殼體之該環形截面的中心點之夾角為5度、10度、12度或15度。
- 如申請專利範圍第9項所述之磁力提升的方法，其中該等短磁極的數量係為69、33、27或21。
- 如申請專利範圍第9項所述之磁力提升的方法，其中設置複數個第二線圈組的步驟中，係將各該第二線圈組設置於各該中間磁極與該等短磁極之間。
- 如申請專利範圍第9項所述之磁力提升的方法，更包括：輪流對該等第二線圈組通電。
- 一種磁場產生模組的製造方法，包括以下步驟：於一殼體之一內側設置複數個中間磁極，該等中間磁極排列於該殼體之一圓形截面的內周緣，並使該等中間磁極之間的間距相等；設置複數個短磁極於該殼體之該內側，並平均地分佈於該等中間磁極之間，且使相鄰近的兩該等短磁極之間的一第一間距，與各該中間磁極與相鄰的該等短磁極之間的一第二間距相等；以及分別設置複數個線圈組對應於該等中間磁極。
- 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該殼體、該等中間磁極及該等短磁極的材質係包含導磁材料。
- 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該殼體與該等中間磁極或該等短磁極的至少其中之一為一體成形。
- 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該殼體實質上係為中空圓柱體。
- 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中當該等中間磁極的數量為三時，該等中間磁極中任意二者與該殼體之該環形截面的中心點之夾角為120度。
- 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中兩相鄰之短磁極與該殼體截面的中心點之夾角為5度、10度、12度或15度。
- 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中該等短磁極的數量係為69、33、27或21。
- 如申請專利範圍第18項所述之製造方法，其中設置複數個線圈組的步驟中，係將各該線圈組設置於各該中間磁極與該等短磁極之間。
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