TWI380115B - Method and apparatus for manufacturing electrophoretic display - Google Patents

Description

1380115 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種反射式顯示裝置的製造’且特別是有 關於一種電泳式顯示裝置的製造方法及製造裝置。 【先前技術】 電泳式顯示裝置（Electroph〇retic Display，EPD )係為一種 基於衫響分散在介電質溶劑中之帶電粒子之電泳現象的反射 式顯示裝置。一般的電泳式顯示裝置包括一玻璃基板、一與該

玻璃基板相對且間隔設置的透明保護層、以及一設置於該玻璃 基板與該透明保護層之間的電泳層。電泳式顯示裝置根據驅動 方式之不同可分爲被動矩陣式及主動矩陣式兩種類型；其中， 對於，動_式電泳式顯示裝置，在玻璃基板與透明保護層之 的行電極和透明列電極是必需的；相對地，對於主動矩陣式 電泳式顯示M，在玻璃基板之上的薄膜電晶體陣列及晝素電 極以及在透日雜護狀上的—未形錢案之剌 必需的。 疋 、。k著電泳式顯示裝置的應用愈來愈多，以及大部分皆應用 持式裝置（pGItable Deviee)，因此輕薄短小的需求提升 2 ’在這樣的背景下，如何設計出重量較輕、厚度較 而有望成式 所提的所有優點 如何提==的重點以及未來發展上的產品之-。然而， 有二泳式顯示裝置的製造良率，並同時使其具 的程度所亟待此種軟性式顯示裝置達到商品化 【發明内容】 1380115 法 度 置 度 本發明的目的就是在提供一種電泳式顯示裝置的製造方 :可以提升其製造良率以及加強其信舰，翻商品化的程 本發明的再-目的是提供―種電泳式顯 ，可以提升其製造良率以及加強其信賴性，達到商=；;

，發明提出一種電泳式顯示裝置的製造方法其包括步 驟：提供-基板；提供-軟性基板，設置於基板上；^供一電 泳層，設置練性基板上；提供—透日綠制，設置於電泳層 上，提供-邊緣保護物，^置於軟性基板與透明保護層之間且 環繞電泳層；以及提供-雷料，從基板之㈣軟性基板的一 側照射軟性基板以將基板與軟性基板分離。 本發明還提出-種電泳式顯示裝置的製造裝置，用以將一 基板從帶有躲㈣m顯㈣置+錄，該電泳式顯示 裝置包括：-軟性基板，設置於該基板上；—電泳層，設置於 軟性基板上·，-剌賴層，設置於電泳層上；以及—邊緣保 護物，設置於軟性基板與透贿護層之間且環繞電泳層。該製 造設備包括：-機械手臂’用以傳送該帶有基板的電泳式顯示 裝置以及分離後的該基板及該電泳式顯示裝置；—真空吸附系 統’用以透過真空吸附方式固定機械手臂傳送來_帶有基板 的電泳式顯示裝置；-雷射裝置，用以輸出—㈣光，從該基 板的旁離a軟性基板的-側照射由該真空吸附系統固定之該 帶有基板的電泳式顯示裝置以將該基板與該電泳式顯示裝置 分離，以及-對m用以偵_雷射裝置與該帶有基板的 電泳式顯不裝置之相對位置’以進行位置校準。 在本發明的一較佳實施例中，該製造裝置還包括：一卡 1380115 E ’用以儲存該帶有基板的電泳式顯示裝置及分離後的該電泳 式顯不骏置；以及一回收裝置，用以儲存分離後的該基板。 f發明因採用雷射光將基板與軟性基板分離 ，不會對軟性 土板造成機械性破壞’可以提升電泳式顯示裝置的製造良率。 另夕^，採用一邊緣保護物環繞電泳層，用以保護電泳層的側面 之佗，性，可以有效加強整個電泳式顯示裝置的信賴性，藉此 可使彳于此種電泳式顯示裝置達到商品化的程度。 ▲為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易 懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。 【實施方式】 有關本發明之前述及其他技術内容、特點與功效，在以下配 合參考圖式之一較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。以 下實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後 等，僅疋參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說 明並非用來限制本發明。 參見圖1至圖8,本發明實施例提供的一種電泳式顯示裝 置100的製造方法，其包括以下步驟： 如圖1所示，提供一基板200。基板200可選用玻璃基板； 當然，基板200亦可選用金屬基板、鋼材質基板等其他剛性基 板。 如圖2所示，提供一軟性基板110，設置於基板2〇〇上。 軟性基板110的材質可選用塑膠，較佳者為聚亞醯胺 (polyimide，PI )、聚對苯二曱酸乙二酯（p〇lyethylene terephthalate’PET)、聚醚硫績（p〇iyethersulf〇ne，PES)或聚 碳酸酯（p〇lycarb〇nate，PC)，其於不可見雷射光，例如波長 為300至400奈米之紫外雷射光輻射下易於與玻璃基板等剛性 1380115 基板分離。軟性基板110上設置有必要的線路以及第一驅動電 極（圖中未示出）。 如圖3所示’提供一電泳層120,設置於軟性基板11〇上。 具體的’電泳層120設置於軟性基板11〇之背離基板2〇〇的一 側。電泳層120為一膜層結構，其包含一介電質溶劑及分散於 該介電質溶劑令之帶電粒子。 ' '

如圖4所示，提供一透明保護層13〇’設置於電泳層12〇 上。具體的，透明保護層Π0的材質可選用透明塑膠，其設置 於電冰層120之背離軟性基板no的一側，電泳層12〇上靠近 透明保護層13G之-側（於透明保護層13()與電泳層12()之間） 設置有第二驅動電極（圖中未示出）。該第二驅動電極係為透 明電極，例如銦錫氧化物（Indium Tin 〇xide，Ιτ〇)電極其 …又置在軟性基板110上的第一驅動電極相Ε配。具體的，當 所需製造的電L示裝置⑽為被動矩陣式驅動類型時，二 2基板11G上的第-驅動電極與透明保護層13G上的第二驅 行電極和透明列電極;相對地，當其為主動矩 護;130 /μ錄性基板UG上的第一驅動電極與透明保 的i明μ 第二驅動電極可分別為晝素電極和未形成圖案 , 電極’且軟性基板11G上相應輯設置有㈣晝辛 電極電性連接之一主動开杜眭 疋》又直有興忑旦京

FilmT . 動件陣列，例如—薄膜電晶體（™n him Transistor，TFT )陣列。 如圖5所*，提供—邊緣 與透明保制a於難基扳110 材質可選用i電泳層l2G。邊緣保護物140的

It / 酚氧樹脂(Wesin)。

如圖6所示，提供一脑& 11J 跡驅動積體電路丨触電積體電路15G及—邊緣補強物 /、电冰層12〇並排設置於軟性基板u〇 1380115 上’其與該軟性基板110上的線路及第一驅動電極形成電性連 接。驅動積體電路150可為一晶粒玻璃接合（COG，Chip On Glass)模組。邊緣補強物160覆蓋住驅動積體電路150且與 透明保護層130相接’用以保護驅動積體電路150。邊緣補強 物160的材質可選用塑膠材料，例如紫外線聚合膠、矽膠或聚 亞胺酯（Polyurethane，PU)等。可以理解的是，驅動積體電路 150並不限於設置於軟性基板110上，其可為一獨立於電泳式 顯示裝置100之外的驅動控制模組（圖中未示出）。 如圖7所示’提供一雷射光170，從基板2〇〇之背離軟性 基板110的一側照射軟性基板11〇以將基板2〇()與軟性基板 110分離。具體的，雷射光Π0的波長係可在300至400奈米 之範圍中’其脈衝能量（Pulse Energy)係可為250至7〇〇毫 焦耳（mJ)之範圍中，該雷射光17〇所提供之能量恰可以使軟 性基板110與基板2〇〇之間的相互鍵結打斷，使其基板2〇〇可 以剝離。 ^ 如圖8所示，其示出經由雷射光照射剝離基板200後所製 得之電泳式顯示裝置1〇〇的結構示意圖。 參見圖9’本發明實施例另外提供一種電泳式顯示裝置 1〇〇的^^裝置，其包括：—機械手臂η、一真空吸附系 統12 雷射裝置13、一對位系統14、一卡匣15及一回收 裝置16。 ’機械手臂11係可用以傳送如圖6所示之帶有基板 々電泳式顯示裝置以及分離後的基板2〇〇及如圖8所示之 古顯7裝置1GG，但並非限定於機械手臂u，凡可傳送帶 罟的電泳式顯科置以及分離後的基板之電泳式顯示裝 喊置均可為之。機械手臂11係可以汽缸（cylinder) 馬達傳遞且可達到90度之旋轉。 壁！真空、吸附系統12係可用以透過真空吸附方式固定機械手 1傳送來的如圖6所示之帶有基板2〇〇的電泳式顯示裝 ^但並非限定於真空吸_統12，只要具有韻方式之吸 附糸統均可為之。 接她雷射裝置13係、可用以輸出—雷射光17G，從基板200的 7軟性^板U〇的一侧照射由真空吸附系、统12 ®定之如圖 ^不之^▼有基板2〇〇的電泳式顯示裝置以將基板2㈨與該電 =顯不裝置分離。雷射裝置13輸出的雷射光携的波長係 "300至400奈来之範圍中，其脈衝能量（Pulse Energy) 係可為250至毫焦耳（mn之範圍中。 、、，對位系統14係可用以偵測雷射裝置13與機械手臂11負 =來的如圖6所示之帶有基板2〇〇的電泳式顯示裝置之相對也 ，以進行位置校準。對位系統14係可一電荷耦合器件（CCD 對位系統。 ，匣I5係可用以儲存如圖6所示之帶有基板200的電泳 式顯示褒置及如圖8所示的分離後之電泳式顯示裝置1〇〇。 回收裝置16係可用以儲存分離後的基板200，其可為一 基板放置箱。 ”、示上所述，在本發明之前述實施例中’其因採用雷射光將 f板軟f生基板分離’不會對軟性基板造成機械性破壞，可以 提升電泳式顯示裝置的製造良率。另外，採用一邊緣保護物環 繞電泳層用以保護電泳層的側面之信賴性，可以有效加強整 個電泳式顯示裝置的信龜，藉此可使此種電泳式顯示裝置達 到商品化的程度。 另外’本領域技術人員可適當變更基板2〇〇的材質、軟性 1380115 基板11G的材質、邊緣保護物14G的材f、f射光 或脈衝能量等，只要其不偏離本發_技術效果均可 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 ’任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神“圍 附之备申=====準0此本發明之賴範圍當視後 【圖式簡單說明】 圖1係為本發明實施例提供的一基板之剖面示意圖。

圖。 意圖 圖2係為於圖1所示基板上設置一軟性基板之剖面示音 圖3係為於圖2所示軟性基板上設置一電泳層之剖面示音 圖4係為於圖3所示電泳層上設置一透明保護層之剖面示 圖5係為於圖4所示之透明保護層與軟性基板之間設置一 邊緣保護物之剖面示意圖。

圖ό係為於圖5所示之軟性基板上設置一驅動積體電路及 覆蓋該驅動積體電路之邊緣補強物之剖面示意圖。 圖7係為利用雷射光從圖6所示基板之背離軟性基板的一 側照射該軟性基板之狀態示意圖。 土 圖8係為利用雷射光剝離基板後之電泳式顯示裝置之叫 面示意圖。 圖9係為本發明實施例提供的一種電泳式顯示裝置的製 造裝置之結構示意圖。 义 【主要元件符號說明】 :電泳式顯示裝置的製造裝置 1380115 11 :機械手臂 12 :真空吸附系統 13 :雷射裝置 14 :對位系統 15 :卡匣 16 :回收裝置

100 :電泳式顯示裝置 110 :軟性基板 120 :電泳層 130 :透明保護層 140 :邊緣保護物 150 :驅動積體電路 160 :邊緣補強物 170 :雷射光 200 :基板

Claims (1)

1380115 • ' . ___ ----— - 101年4月11曰修正替換頁 十、申請專利範圍： 一~~~ … h一種電泳式顯示裝置的製造方法，其步驟包括：. .· 提供一基板； 提供一軟性基板，設置於該基板上； 提供一電泳層，設置於該軟性基板上； 提供一透明保護層，設置於該電泳層上；以及 k供一邊緣保護物，設置於該軟性基板與該透明保護層之間 且環繞該電泳層； 提供一驅動積體電路，其與該電泳層並排設置於該軟性基板 — 上； k供一雷射光’從該基板之背離該軟性基板的一侧照射該軟 性基板以將該基板與該軟性基板分離。 2. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中於提供該驅動 積體電路的步驟之後且於提供該雷射光的步驟之前，還包括： 提供一邊緣補強物’覆蓋住該驅動積體電路且與該透明保護 層相接。 3. 如申請專利範圍第2項所述之製造方法，其中該驅動積體電 鲁 路係為一晶粒玻璃接合（COG，Chip On Glass)模組。 4. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該軟性基板的 - 材質為聚亞醯胺（polyimide，PI)、聚對苯二曱酸乙二酯 (polyethylene terephthalate, PET)、聚鱗硫續（polyethersulfone， PES )或聚碳酸酯（p〇iyearb〇nate，pc )。 5. 如申請專利範圍第丨項所述之製造方法，其中該雷射光的波 長係在300至400奈米之範圍中。 6. 如申請專利範圍第〗項所述之製造方法，其中該雷射光的脈 衝能量（Pulse Energy)係為250炱7〇〇毫焦耳（mJ)之範圍 13 101年4月11日修正替換頁 中。 ^S~- 7. 如申請專利範圍第1項所述之製造方法，其中該基板係為玻 辕基板、金屬基板或鋼材質基板。 8. 一種電泳式顯示裝置的製造設備，用以將一基板從帶有該基 板的一電式顯示裝置中分離，該電泳式顯示裝置包括： 一軟性基板，設置於該基板上； 一電泳層’設置於該軟性基板上； 一透明保護層’設置於該電泳層上；以及 /邊緣保護物，設置於該軟性基板與該透明保護層之間且 環繞該電泳層； 該製造設備包括： 一傳送裝置，用以傳送該帶有基板的電泳式顯示裝置以及分 離後的該基板及該電泳式顯示裝置； 刀 一吸附系統，用以透過吸附方式固定該傳送裝置傳送來 帶有基板的電泳式顯示裝置； ^ -雷射裝置’用以輸出一雷射光，從該基板的背離該軟性芙 板的-側照射該帶有基板的電泳式齡裝置謂該 電泳式顯示裝置分離； '、人 一對位純，用則貞義雷射裝置能帶有基 示裝置之相雜置，料触置鮮； _式顯 二卡H ’用以儲存該帶有基板的電泳式顯示裝置及分 該電泳式齡打；Μ 後的 1收裝置’用崎存分雜的該基板。 =如申料利補第8項所述之製造設備，其巾轉送農置 為一機械手臂。 、’、 10.如申ef專利朗第9項所述之製賴備，其中該機械手臂 1380115 -：- 101年4月11曰修正替換頁 係以汽缸（cylinder)馬達傳遞且可達到90度之旋轉。 -· 11.如申請專利範圍第8項所述之製造設備，其中該吸附系統 .. 係為一真空吸附系統，用以透過真空吸附方式固定該傳送裝置 傳送來的該帶有基板的電泳式顯示裝置。 12. 如申請專利範圍第8項所述之製造設備，其中該雷射裝置 輸出的該雷射光的波長係在300至400奈米之範圍中。 13. 如申請專利範圍第8項所述之製造設備，其中該雷射裝置 輸出的該雷射光的脈衝能量（Pulse Energy)係為250至700 毫焦耳（mJ)之範圍中。 * 14.如申請專利範圍第8項所述之製造設備，其中該對位系統 係為一電荷耦合器件（CCD)對位系統。 15.如申請專利範圍第8項所述之製造設備，其中該基板係為 玻璃基板、金屬基板或鋼材質基板。 15