TWI375350B - Planar inverted f-antenna - Google Patents

Description

1375350 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及天線技術，更具體地說，涉及一種倒F形平板 天線。 【先前技術】 倒F形平板天線（planar inverted F-antenna，以下簡稱 PIFA)具有許多優點。設計和製作簡單，並且成本低。現在，

PIFA廣泛地應用於小型通信設備，例如，個人數位助手和移 動電話。它的廣泛程度取決於它緊密的結構，使其能夠很容易 集成在设備的殼體中，形成隱蔽的天線。在縣暴露方面，ριρΑ 還此提供比單極天線或拉杆天線更多的優點。例如，在移動電 話中，拉杆天線具有全方⑽輻賴，而piFA具有相對較小 的朝用戶方向的輕射域。因此，piFA更受關心健康的用戶的 歡迎。

上展不ί傅統的PIFA 以上η丄…匕秸按地層(groun( 胳、_元件⑽、槪树ιΐ5和贿输皆元件 ^ 1〇ί)通吊生成在具有接地層105的印刷電路板上。 貝5提供無線射頻⑽信號至與接地層奶平行 的操作二 no的空間轉進彳長度）_元件 重新對短炉 I ’、’因爲11麵率觸技術需要 和重新設計IC板，所以這些調諧技術並 5 Γ37535(Τ 不理想。 阻抗帶寬是設計PIFA時必須考慮的另一個重要因素。通 常’ PIFA的帶寬可通過電容性負載或介質負載方法進行控 制例如’增加寄生短路貼片（parasiticsh〇rted ρ^^)。增加 的寄生短路貼片幫助增加阻抗帶寬，因爲它引入了附加的譜振 拉式至PIFA的諧振頻帶，以此建立雙諧振頻帶ρπ?Α。然而， 這些技術增加天_財和複_度，導致更細成本。通 常，增加PIFA雜郷寬的最f用技術是增純射元件1〇〇 和接地層105之間的距離，例如，piFA購中的距離丨25。然 而’讀技败取敎小的約束；因而在不增加piFA占地 面積的情況下，很難增加PIFA的帶寬。 因此，需要-種在不增加piFA的尺寸及其成本的情況下 可控制和增加__和卩且抗帶寬的hfa。 【發明内容】 種倒F形平板天線，包括: 根據本發明的一個方面，提供一 接地層； 饋送元件；

輻射元件，連接至所述饋送元件1 在所述接地壯方並且與所述接地層和 6 1375350 接地層的雜，由崎述外緣形成與舰接地層平行的平面。 優選地，所述輕射元件呈c形。 優選地，所述PIFA進一步包括： 連接至所述接地層的調諧元件； 位於所述接地層的表面上的第一焊盤，所述第—焊盤 將所述調諧元件電連接至所述接地層； 位於所述接地層的所述表面上的第二焊盤，所述第二 焊盤與所述接地面電絕緣，並且電連接至所述馈送元件。 優選地’所述調諧元件連接至所述饋送元件，且爲L形。 優選地，所述PIFA進一步包括： 位於所述接地層的表面上的第一焊盤，將所述調譜元 件電連接至所述接地層； 位於所述接地層的所述表面上的第二焊盤，所述第二 焊盤與所述齡層電_，所述第二職_所述調譜元 件電連接至所述第-焊盤，且所述第二触將所述饋送元 件電連接至所述調諧元件。 優選地，所述調譜元件的形狀是從第一谭盤處向所述接地 層上方伸出，並朝著所述接地層返回所述第二焊盤處。 根據本發明的-個方面，提供—_F形平板天線，包括： 接地層； 1375350 饋送元件； 幸田射件，所述細元件具有與所述接地層平行的表 面元件通過所稍送元件駿於所述接地層上 方，攸而使至少一部分的表面延伸出所述接地層的周 以及 調諧元件’連接至所述接地層和饋送元件。 優選地，所述輕射元件有超過·的表面延伸出所述接 地層的周界。 優選地’所述輻射元件呈C形。 優選地，所述PIFA進一步包括： 位於所述接地層的表面上的第—和第二焊盤，所述第 -焊盤電連接至所述接地層，所述第二焊盤與所述接地層 電絕緣並連接至所述饋送元件； 所述調譜元倾所述第—谭盤電連接至所述第二悍 盤，使得所述調諧元件通過所述第二焊盤電連接至所述饋 送元件。 優選地，所述調譜元件的形狀是從第—焊盤處向所述接地 層上方伸出，並朝著所述接地層返回所述第二焊盤處。 優選地，所述PIFA進一步包括： 電連接至所述接地層並位於所述接地層的第一表面 上的第一焊盤； 8 Μ與所4接地層電絕緣並位於所述第一表面上的第二 ’曰皿’所述第二焊盤電連接至所述饋送元件。 所逑調5皆几件連接至所述饋送元件，且爲L形。 艮據本發明的—個方面，提供—種倒F形平板天線，包括: 接地層； 饋送元件； 幸田射兀件’所触射元件具有細述接地層平行的表 斤社射7G件通過所述饋送元件懸置於所述接地層的 上方’從而使至少—部分的表面與所述接地層周界的投影 面交又；以及 連接至所述接地層和觀元件的繼元件。 面之=選地，所述細元件有超過5G%的表面位於所述投影 優選地，所述輻射元件呈C形。 優選地，所述PIFA進一步包括： 位於所述接地層的表面上的第—和第二谭盤，所述第 一烊盤電連接至所述接地層’所述第二焊盤與所述接地層 電絕緣並連接至所述饋送元件； 所述鑛元件料述第電連接至所述第二焊 盤{得職觸元件秘所料二龍錢接至所述饋 送元件。 優選地，所述調諧元件的形狀是從第一焊盤處向所述接地 層上方伸出，並朝著所述接地層返回所述第二焊盤處，從而所 述凋拍元件的環形長度（l〇〇plength)決定了所述PIFA的操作 頻率。 優選地’所述PIFA進一步包括： 電連接至所述接地層並位於所述接地層的第一表面 上的第一焊盤； 與所述接地層電絕緣並位於所述第一表面上的第二 焊盤，所述第二焊盤電連接至所述饋送元件。 優選地，所述調譜元件連接至所述饋送元件，且爲L形。 根據本發個方面，提供—種倒F形平板天線 ，包括： 具有第和第二焊盤的接地層，所述第一焊盤連接至 所述接地層所述第二焊盤與所述接地層電絕緣； 連接至所述第二#盤的饋送元件； 通過所述饋奴件懸置於所述接地層上方的輻射元 件；以及 連接至所述第一焊盤和第二焊盤的調諧元件，所述調 谐兀件的祕是從第—焊盤處向所述接地層上方伸出，並 朝著所述接地層送回所述第二焊盤處。 優選地，所述韓射元件具有與所述接地層平行的表面，並 1375350 通過所述饋送元_置於賴接地層上方，從而使得至少一部 分表面與·接地層周界的投影面交又。 優選地’所述輻射元件具有于接鱗平行的表面，並通過 所述饋运讀懸置於所述接地層上方，從而使得至少—部分表 面與所述接地層周界的投影面交叉。 優選地’所述饋送元件呈u形或v形。 優選地，所述饋送元件呈U形或V形。 優選地，所述饋送元件呈U形或V形。 優選地，所述PIFA進一步包括·· Μ所述第—和第二谭盤於所述接地層之間的介電 層（dielectric layer )。 優選地，所述PIFA進一步包括： 位於所述介電層表面上的第三焊盤；以及 位於所述第三焊盤上的支撐結構件，設置爲在與所述 饋送元件相對的一端向所述輻射元件提供支撐。 優選地，所述PIFA進一步包括： 附著在所述支撐焊盤—側的附加支樓部分，其中所述 附加支撐部分的尺寸和/或形狀設置爲調諸所述piFA至需 要的頻帶。 優選地，所述PIFA進一步包括： 附著在所述支撐結構件一側的輻射部分，其中所述輻 11 射部分與所述介電層平行’並且所述輕射部分的形狀和/ 或大小被設置爲調譜所述PIFA至需要的頻帶。 【實施方式】 本說明書描述-個或多個結合本發明特性的實施例。說明 書中提刺“實施例”表示所述實施例包括特定的特徵、結構 和/或特性，但每個實施例可不包括所述特定的特徵、結構或 特性。此外’所述“實施例”不特指同樣的實施例。此外，結 合實施例描述特定的特徵、結構或特性時，可以理解的是，本 領域技術人員能夠結合實施例實現所述特徵、結構或特性。本 發明的實施例將在下面進行描述。能夠理解的是，以下介紹的 特定的方法和設置僅爲描述本發明。本領域技術人員能夠理解 其他的設置和處理衫脫離本發明精神實f和範圍的情況 下’也可以被實施。 通¥ PIFA例如PIFA 100能夠在垂直和水平域發送和接 收電磁信號。因此’ PIFA在軸電財很纽。在更高的層 面，PIFA 100通過其自身諸振頻率發送和接收電磁輕射。^ 的譜振頻率可通過調整輻射元件110的維度和形狀進行調 整，或者通過相對於繼元件⑽移動饋送元件出的位置^ 進仃调整。此外’酿⑽的諸振頻率也可通過修改短路2 。白元件120的寬度和高度進行細微的調整。 如圖1所示，PIFA 1〇〇的諧振或操作鮮通過轄射元件 1375350 ^、饋送元件U5和調諧元件12〇的的形狀、位置和大小決 定。在這點上’在其上形成PIFA刚的咖基底或電路板⑽ 中未展示）必須根據PIFA 100的要求進行專門設言卜例如， 接地層105下面的電路板上的特定位置必須有—個洞，以供饋 送元件II5通過這個洞連接至同軸饋電線（圖中未展示同 樣地’在設計和製作電路板g彳必财慮連無域丨％和⑽的 位置。因此’從生産和設計角度考慮，重新調諸ριρΑ 至 其原始設計⑽振鮮之外的鮮是不實際且高成本的。此 外，爲了一改善服100的阻抗帶寬，高度125必須做的較大。 然而，高度125的增加導致整個天線封農尺寸的增加。 本發明結合瓶設計，可在不增加天線封裝的情況下改 善阻抗帶X。此外，在不f要重新_敎置進行定位和/或 重新設計電路板的情況下，可輕衫成頻率_處理。 圖2是根據本發明一個實施例的piFA 2⑻的結構示意 圖。PIFA2GG包括形成於基底23G上的接地層2()5、輕射元件 210、饋送元件215和調諧或短路元件22〇。調譜元件22〇連 接至連接表面235，該連接表面235電連接至接地層2〇5。在 -個實施财’調譜元件22〇呈L形，其一端連接至表面235， 另-端連接至饋送元件215。這樣，在不增加ριρΑ整體外形 的高度的情況下，PIFA200可通過改變調諧元件22〇的高度輕 易地被.周„白。具體而言’調諧元件22〇的支腳部分細的高度 13 1375350 或長度可增大或減 、—調諧元件220的高度，從表面 235到表面24〇以及_送元件犯的電流通路長 變。以這種方式儀的電感特性被改變，因此 PIFA200被調諧。 开 在另一個實施例中’ _元件现呈U形（或v形），至 -端連接至表面说，另—端連接至表面。儘管本說明讀

中描述的是L形和u形，本領域技術人員能夠理解的是，这 可使用其他的形狀來if加電流通路長度。 在顧00中’饋送元件215連接至表面勝表面 與接地層2〇5電絕緣。儘管未在圖中展示，饋送元件犯連接 至錄接地層205和基底23G下面的同轴饋電線。該同轴饋電 線提供RF信號至饋送元件，然後由饋送元件將該即信號饋 运至輪射το件210。在另一個實施例中，饋送元件犯連接至

微波傳輸線（mic崎lp Ilne)、内嵌的微波傳輪線、或位於同 -層上或位於饋送元件215下面一層的共面線。 輕射元件210通過饋送元件215以-定的距離225懸置於 基底现上方。例如，在一個實施例中，$畐射元件210與基底 平灯懸置。通常，WFA200的阻抗帶寬受距離225的改變 的影響。達到—定的高度閾值，轉奶的増加對應於騰 200的阻抗帶寬的增加。然而，這個技術的缺點在於，它增加 了正個天線封裝的尺寸。或者，P勝·可進行電容性或介質 14 1375350 載入。這紐術也有因爲飾#加p職的複雜性和成 本。在PIFA200令，阻抗帶寬通過懸置輕 使得轄射元件加的邊緣泌延伸經過接地層^=緣 跡換句話說’接地層2〇5相對於基底23〇和/或輕射元件训 縮進。此外’從不同的角度說，如果接地層2〇5的周界有個投

影面投影在與輻射元件21〇所在的同—水平平面上，那麼邊緣 245落在接地層2〇5的周界的該投影面之外。 從另一個角度說，如果將輻射元件21〇的周界部分投影在 接地層205所在的水平面上，則輻射元件21〇的周界的一部分 懸於接地層205的邊緣250之上。換句話說，輻射元件2ι〇的 —部分位於接地層2〇5之上，一部分位於基底23〇之上。這樣， 因爲與輻射元件205完全在接地層2〇5的周界内的情況相比， 廷種方式下辕射元件2Q5的—部分遠離接地層挪，所以十舰

2〇〇的阻抗帶_增加。在另一個實施例中，輻射元件21〇懸 置’使得細元件210全部、落在接地層2G5周界的投影面之 外。換句活說’輻射元件21〇不直接位於接地層2〇5之上或之 下。此外，接地層205可夾在基底230和形成於接地層2〇5之 上的介電層（圖中未展示）之間。 如圖2所示，PIFA200可簡單地通過使用較小或較大的調 4元件替換s周谐元件220來完成調諧。例如，調諧元件22〇的 支腳部分255和260的長度可被增大以影響電流通路的長度。 15 1375350 這樣，在未真正地相對於調諧元件22〇對饋送 ⑽重新定位嫩下，臟件215_物皮類= 官財所示的瓣糾挪爲L形，本領域技術人員能夠理解 的是，其他形狀也可用于增加電流通路。 圖3A是根據本發明一個實施例的piFA 3〇〇的結構示咅 圖PIFA 300包括被縮進的接地層3〇5和對應於接地層'奶 縮進的基底330。糾層3G5和基底33G相對於輕航件31〇 水平縮進。通過這種方式，輕射元件的邊緣或一部分他 不直接位於接地層305的表面的上方，且也不位於基底33〇的 上方。在HFA 300中’輻射元件310呈C形。在這種設置t， PIFA300可製作地較小’同時輻射元件31〇仍然具有可變尺寸 的表面區域。此外，縮進的接地層305和基底33〇的邊界線 35〇與輕射元件的輪摩一致。此外，因爲輕射元件31〇沿 著邊界線或邊緣350，PIFA 300阻抗帶寬被增加。 如圖3B所示’ PlFA3〇〇中的饋送元件315呈^形。更具 體地說，饋送元件315呈不平衡的u形。饋送元件315的底 部連接至表面340並細連接至同_電線（圖中未展示）。 饋送元件315的較長臂連接至輕射元件3U)，較短臂連接至調 譜元件320。饋送元件315的較短臂的高度可根據調譜元件32〇 的间度调整。在這種設置中，不比移動表面335和34〇，也無 需影響輻射兀件310相對於接地層3〇5的高度的情況下，通過 16 1375350 改變饋送元件315和調諧元件 調諧 PIFA300。 32〇的形狀和大小，便可簡單的 圖4是圖3A t職的俯視圖。腦包括具有邊 界線彻的觸元件·、具有對應的邊界線445的接地層 3〇5如圖4所不，邊界線41〇不與邊界線445重叠，完全位 於接地層305的周界的外面。在另—個實施例中，從俯視的角 度看’輕射兀件310部分直接位於接地層3〇5 #正上方，這樣 邊界線410看起來位於接地層3〇5的内部。儘管所描述和圖示 _射元素310呈C形的設置，本領域技術人員能夠理解的 疋，其他形狀也可用於影響PIFA諧振頻率。 圖5是根據本發明另一實施例的piFA 5〇〇的結構示音 圖。PIFA500包括PIFA200的所有特徵。如圖所示，piFA5〇〇 包括矩形接地層505、輻射元件51〇和矩形基底53〇。在kfa 500中接地層505和基底530的周界彼此對齊。如圖6所示 爲PIFA 500的俯視圖，其中輻射元件51〇部分懸置於接地層 505的上方。在這種設置中’從水平角度來看，輻射元件耵〇 的邊緣610超出接地層605的邊緣620。這樣，在不增加總體 天線封裝的垂直高度的情況下，可增加PIFA 500的阻抗帶寬。 圖7是本發明另一個實施例的PIFA 700的結構示意圖。 PIFA 700 與 PIFA 200 相似。PIFA 700 可包括 PIFA 200 的部分 或所有特性。如圖7中所示，PIFA700包括頂部介電層71〇、 支撐焊盤72〇和支樓結構件73〇。介電層爪形成在接地層2〇5 之上。通過這種方式’接地層2〇5被夾在介電層71〇和基底： 230之間。介電層71〇提供多個功能，其中之—爲將饋送焊盤二 或表面240和支撑焊盤720與接地層2〇5之間絕緣，另一 . 能是提供支撐面。 支撐焊盤720錨定在介電層71〇上。儘管圖中未示出，接 地層205不位於支樓鲜盤72〇之下。這樣，流經輕射元件训 和支擇結構件730㈣流與接地層2〇5絕緣。在—個實施例 ^ 中’支撐焊盤720呈矩形。在另—個實施例中，支撐谭盤, 呈規則多變形或不規則多邊形，如圖7所示。支撐焊盤72〇的 形狀和尺寸主要取決於峨7〇〇的調諸要求，如下所述。 支撺結構件730爲韓射元件21〇提供額外的支樓。在p皿 2〇〇中’輻射元件21〇是從支撐結構件犯開始的懸臂。考慮 到HFA200的大小和比例，輻射元件21〇的長度很短。因此， 結構集成不是問題。然而，通過對ριρΑ2〇〇進行處理和封褒，#

韓射元件21Q可被意外地彎折。支擇結構件73〇使得PIFA 更通用，因而在生産和/或封裝過程中，發生意外彎折或盆他 物理形變的可能性變小。支樓結構件的另一個附加優點是 增加電流祕長度。德料喊⑽長度相_情況下，该 增加的電流通路長度可通過縮短饋送元件犯來降低輕射元 件210的總高度。 18 1375350 如前所述，PIFA 200可通過改變調諧元件22〇的支腳部分 的長度或咼度來進行調諧。通過改變調諧元件的高 度’從表面235到表面240以及到饋送元件215的總電流通路 長度被改變。這樣，PIFA 的電感特性被改變，從而允許 PIFA200被調諧。同樣地’ PIFA7〇〇的電感特性也可通過改變 支撐結構件730的高度來改變。 在一個實施例中’PIFA700的電感特性可通過改變支撐焊 盤720的形狀和/或大小來改變。通過這種方式，可通過延長 支撐焊盤720的一侧來簡單的調諧piFA 7〇〇。例如，如圖7 所示，支樓焊盤720的一側的一部分被延長。所述延長起到了 延長輻射元件210和/或支撐結構件73〇的作用。這樣，piFA7〇〇 的總電流通路長度被改變，從而允許piFA 被恰當的調譜 爲任何需要的頻帶。在另一個實施例中’支樓焊盤72〇的整個 一侧被延長，而不只是延長支撐焊盤72〇 一側的一部分。支撐 結構件730可由任何導電材料製成。優選支樓結構件73〇和輻 射兀件210由相同的材料製成，例如，電線元件或金屬線。支 樓焊盤72〇也可由與韓射元件21〇和/或支樓結構件73〇相同 的材料製成。 圖8是根據本發明另一個實施例的ρΐΜ _的結構示音 圖。PIFA_近似於PIFA7〇〇，但還包括有延伸至支撑結構 730的延伸件（則緣）81〇。通常，延伸件或前緣⑽在輻射 19 元件210的方向上延伸。換句話說，如 ，。 形，那麽延伸件_也呈弧 田兀0壬+圓 充。如圖只恥一土 丁千圆七幸田射疋件210進行補 ㈣所不’輻射元件2W呈矩形，因 矩形結構，沿輕射元# w 甲件_也呈 卜• 的長度方向附加在支撐結構件73〇 變總電流通路長度，延編。也可呈其他形狀 〆田射兀件210完全不同的形狀）。這樣，PIM 800 可被調I皆至任何需要的頻帶。 -圖9是支撐結構件73〇和延伸件⑽的具體示意圖。如圖 所不支揮結構件73G設有延長部分⑽，用於將支樓結構件 錯定在下_基顧23Q上。這通縣部分_穿過介電 層則和支撐桿盤72〇内的通孔來實現。 儘s以上是通過一些實施例對本發明進行的描述，本領域 技術人員知悉，本發财雜於這些實細，在不麟本發明 的精神和fcij的情況τ，可崎這些特徵和實施舰行各種改 變或等效替換。本發_保護範_由本申請_利要求書來 限定。 【圖式簡單說明】 圖1是傳統的PIFA的結構示意圖； 圖2是根據本發明一個實施例的piFA的結構示意圖； 圖3A是根據本發明另一個實施例的piFA的結構示意圖； 圖3B是圖3A中展示的PIFA的局部放大示意圖； 20 1375350 圖4是圖3A中PIFA的俯視圖； 圖5是根據本發明一個實施例的pIFA的結構示意圖； 圖6是圖5令的ρπ?Α的俯視圖； 圖7是根據本發明另一實施例的PIFA的結構示意圖； 圖8是根據本發明再一實施例的PIFA的結構示意圖； 圖9是圖8中PIFA的天線部分的具體結構示意圖。 【主要元件符號說明】 倒F形平板天線（PIFA) 輻射元件110 調諧元件120 連接區域135、140 接地層205 饋送元件215 距離225 連接表面235 邊緣245 支腳部分255、260 接地層305 饋送元件315 基底330 邊緣345 邊界線410 PIFA 500 輻射元件510 100 接地層105 饋送元件115 高度125 PIFA 200 輻射元件210 調諧或短路元件220 基底230 表面240 邊緣250 PIFA 300 輻射元件310 調諧元件320 移動表面335、340 邊界線350 邊界線445 矩形接地層505 矩形基底530 21 1375350 接地層605 邊緣620 頂部介電層710 支撐結構件730 延伸件（前緣）810 邊緣610 PIFA 700 支撐焊盤720 PIFA 800 延長部分910 22

Claims (1)

1375350 101年1月6日修正替換頁 •十、申請專利範圍·· _ ~一 -------— 1、一種倒F形平板天線，其特徵在於，包括||)忤I月έ日修(更)正替換 接地層； w 一 形成在接地層之上的介電層； 饋送元件； 輕射元件’連接至所述饋送元件，所述輻射元件懸置在 所述接地層上方並且與所述接地層平行，使得所述輻射元件 的至：>、分夕卜緣延伸超過所述接地層的邊緣； 位於在介電層上的第三焊盤； ，位於所述第三焊盤上的支擇結構件，設置爲在與所述饋 送元件相對的一端向所述輻射元件提供支撐。 只 2如申咕專利範圍第j項所述的倒F形平板天線，其中，所述 輻射7G件的超過50%的外緣延伸超過所述接地層的邊緣，“ 由此所述外緣形成與所述接地層平行的平面。 3如申δ月專利範圍第i項所述的倒F形平板天線，其中，所述 輻射元件呈C形。 ’L 如申明專利圍第1項所述的倒㈣平板天線，其令，所述 PIFA進一步包括： 連接至所述接地層的調諳元件； 位於所述接地層的表面上的第一焊盤，所述第—焊盤將 所述調諧元件電連接至所述接地層； 位於所述接地層的所述表面上的第二焊盤，所述第二焊 23 1375350 101年1月6曰修正替換頁 盤與所述接地面電絕緣，並且電連接至所述饋送元件。' 5、 如申請專利範圍第4項所述的倒F形平板天線其中所述 調譜元件連接鱗賴送元件，且爲L形。 6、 -種倒F形平板天線，其特徵在於，包括： 接地層； 形成在接地層之上的介電層； 饋送元件； 輻射元件所述輻射元件具有與所述接地層平行的表 面’所述㈣元件通過所述饋送元件懸置於所述接地層上 方，從而使至少-部分的表面延伸出所述接地層的周界； 位於在介電層上的第三焊盤； ，位於所述第三焊盤上的支樓結構件，設置爲在與所述饋 以件相對的-端向所述賴射元件提供支樓；以及 調諧元件，連接至所述接地層和饋送元件。 7、如申請專利範圍第6項所述的倒F形平板天線，其中，所述 輪射元件有超過5〇%的表面延伸出所述接地層的周界。 、一種倒F形平板天線，其特徵在於，包括： 接地層； 形成在接地層之上的介電層； 饋送元件； 輻射元件，所述輻射元件具有與所述接地層平行的表 面，所述ϋ射元件通過所述饋送树於所述接地層的上 24 1375350 101年1月6曰修正替換頁 方’從而使至少-部分的表面與所述接地層周界的投影面交 叉； 位於在介電層上的第三焊盤； 位於所述第二焊盤上的支撐結構件，設置爲在與所述饋 运兀件相對的-端向所述輻射元件提供支撐；以及 連接至所述接地層和饋送元件的調諸元件。 9、如申料概圍第8項所述的倒F形平板天線，其中，所述 輻射兀件有超過50%的表面位於所述投影面之外。 10、一種倒F形平板天線，其特徵在於，包括： 具有第-和第二焊盤的接地層，所述第一焊盤連接至所 述接地層，所述第二焊倾所述接地層電絕緣； 形成在接地層之上的介電層； 連接至所述第二焊盤的饋送元件； 通過所述饋送元件懸置於所述接地層上方的輕射元件； 位於在介電層上的第三焊盤； 位於所述第二焊盤上的支撐結構件，設置爲在與所述饋 送元件相對的一端向所述輻射元件提供支撐； 以及 -連接至所述第-焊盤和第二焊盤的調諧元件，所述調譜 兀件的形狀是從第-谭盤處向所述接地層上方伸出，並朝著 所述接地層返回所述第二焊盤處。 25