TWI374524B - Sealed joint structure of device and process using the same - Google Patents

Description

1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明是㈣於—觀封接合結構，且_是有關於一種 同％達到元件密封及封裝效果的密封接合結構及其製程。 . 【先前技術】 ，綜觀醫療電子產品的發展趨勢，植入式（impIamabIe)微 型封裝7L件及生物相容性（bi〇c〇mpatibility )技術扮演相當重要 • 的角色，若無法達到生物相容性及密封性的要求，對植入微型 封裝元件的人體或動物而言，體液的侵蝕、降解或肌肉組織的 活動所產生的破壞而使有毒物質侵入活體内，將有相當大的危 險性。 在採用欽金屬蓋（titanium can)的生醫電子封裝元件中， 以多層陶瓷基板的電極將訊號導通至外部。此多層陶瓷基板的 製作是採用低溫共燒陶瓷（LTCC，Low-Tempemture Coflred Ceramics)技術，以金、銀、銅等低阻抗金屬做為電極，再使 用平版印刷來塗佈電路，最後在攝氏850度到9〇〇度中燒結而 鲁形成一整合式陶瓷元件’並將此整合式陶瓷元件裝入於鈦金屬 蓋的一氣閉密封空間中，而完成密封的製程。 近年來，為了達到微型化的要求，採用半導體積體電路製 程及封裝技術’可製作出各式各樣的微型封裝元件，其以矽晶 片、玻璃或高分子聚合物為基材，並結合微機電技術與生物醫 學技術，設計及製作具有微小化、快速、平行處理能力的生物 及醫療用檢測元件’例如基因晶片、蛋白質晶片、檢體處理晶 片及生物感測晶片等，充分運用分子生物學、分析化學、生化 反應等原理’在微小面積上快速進行大量生化感測或反應。 3 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d w ^y^/^nvLaoc/a 此外，對於心律調整器（pacemaker)、神經刺激器 (neurostimulator )或血糖監測器（bi〇〇d giuc〇se m〇njt〇r )等植 入式微型封裝元件而言，為了避免有毒物f侵人活體内， 材料及封裝可靠度在安全上扮演著非常重要的角色。 【發明内容】 本發明提出—種凡件密封接合結構，用以將—元件封褒於 蛀又邱上’該讀密封結合結構包括-緩衝凸塊層、多個導電 =邱，衝凸塊層包括多個第—部分以及一第二部分，$ 接於第—部分的外圍。多個導電接合部電性連 第-電極二ί:=該基板上的一第二電極，且各該 電接合部的外圍，^密封=生ff。密封接合部環繞於該些導 該接合環與該第-邛八° #匕括该基板上的一接合環，且 成—密封空間 刀相互接合’以使該元件與該基板之間形 本^提出-種元件密封接 成-π件的基材；形成― ^首先域-預定形 層，以形成包括多個第―日於該兀件上；圖案化該緩衝 其中該第二部分環繞於該第二部分的緩衝凸塊層， 於各該第-部分上；提供分的外圍；形成-第-電極 以及-接合環，該接合環圍c形成有多個第二電極 元件於該基板上，其_各^°二亥些第二電極的外圍。配置該 ί該第二電極電性連接，=接1=^各該第二電極並與 δ，=該元件與該基板之間形第二部分相互接 本發明提出1元件 ^在封工間。 件山封接合結構’用以將一元件封裝於 1374524 P51970121TW 29474twf.d〇c/d 接t該Ϊ件密封結合結構包括-緩衝凸塊層、多個導電 ^ 合部。_凸塊層配置於該元件與該基板 分，且^有多健墊’而該緩衝^層具有—環狀部 二連it °多辦電接合部電 牛板之間’其中各個導電接合部包括該元 ’且各該金屬凸塊與各該第二電_性 戈 些且導;接合部的外圍，該密封接合部包括二 該互接合，以使該元件^ 本發明提出-種元件密封接合製程。首先… t-凡件的基材，該元件具有多個接墊;形成—緩衝:形 二上盆，案化該緩衝層，以形成具有—環狀分^衝= 狀部ί環繞於該些接塾的外圍;形成== 各該金屬凸塊與各該接塾電性連接if 基板，該基板形成有多個第二電極以及一接合^一 的外圍。配置該元件於該基板二 孟屬凸塊對應於各該第二電極並與各該第二^中各该 該接合㈣额該微部分相 使^連接，且 間形成一密封空間。 便該凡件與該基板之 為讓本考X明之上述特徵和 施例，並配合所附圖式作詳細說明如’下文特舉實 【實施方式】 圖1Α及圖1Β為本發_者 剖面示意圖。圖2A〜_為-二二=== 5 1374524 P51970121TW 29474hvf.doc/d 作方法的流程示意圖。 °月參考圖1A’元件您封接合結構1〇〇1包括一緩衝凸塊層 110、多個導電接合部120以及一密封接合部13〇。其中，^ 衝凸塊層110例如以圖案化的製程形成多個第_部分、丨丨〇 a以 及一環繞於這些第一部分ll〇a的外圍的第二部分n〇b (環狀 部分）。缓衝凸塊層110的材質可為高分子材料的聚合物广例 如是環氧樹脂或聚醯亞胺樹脂等，其作法是將高分 在預定形成元件U)㈣基材（例如是石夕晶圓）上，再進行曝光佈 φ 顯影製程或光蝕刻、乾蝕刻等製程，以使高分子材料形成預定 的圖案（多個第一部分110a以及環繞於這些第—部分i 1〇a的 外圍的第二部分110b)。 有關缓衝凸塊層110的圖案化製程及詳細的結構，請參考 圖2A〜圖2D。首先，提供一基材w，例如是半導體基材，用 以形成一個或多個積體電路元件100 (僅繪示其一）^此元件 100具有一主動表面100S以及一保護層1〇〇p，而接墊1〇2(僅 緣示其一）配置於主動表面100S上，且保護層1〇〇1>覆蓋主動 表面100S並顯露出接墊102。接著，請參考圖2B及圖2C， • 以濺鍍或蒸鍍方式全面性形成—金屬層104於保護芦1〇〇p ^ 及接墊1〇2上，並形成一缓衝材料110,（高分子材料3或感光型 的高分子材料）於元件100上。接著，請參考圖2D，圖案化 緩衝材料110’，例如是進行曝光、顯影製程或光蝕刻、乾蝕刻 製程，以形成包括多個第一部分U〇a (僅繪示其一）以及二 第二部分ii〇b的緩衝凸塊層110’其中第二部分、n〇b環繞於 這些第一部分ll〇a的外圍’因此，第二部分11%也就是將多 個第-部分UOa完整包覆於其中的一環狀凸起結構，同時具 有緩衝及密封的功效。之後，請參考圖2E，以減鑛或蒸錢^ 6 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d =式形成-第-電極S1 (其材質 第一部分11叫例如_—部分個 ，屬層104經過_之後成為凸塊底金屬層^a H)步 盍於各個第一部份11〇a的第一電極S1電性 ，、復 封製程以及元件封裳步驟能同^^ 、、，。構上相互为離。但在另一實施例中，這些 ==服之間在結構上相互連接，心具^衝及密; =m所示的另—實施例，元件密封接合結構麵包 緩衝凸塊層11G、多個導電接合部12G以及—密封接合部

-1。八其]！V缓衝凸塊層11G例如關案化的製程形成多個第 八。及—環繞於這些第—部分咖的外圍的第二部 刀騰。有關缓衝凸塊層110的製作方法請參考圖2A〜圖2D 的步驟’在此不再詳述。本實施織目1A的元件密封結合结 構及圖2A〜圖2D的製程不同的是，這些第一部分u〇a^ 二部分lib之間具有一第三部分（連接部）u〇c，且在結構上 相互連接為一體（材質相同），未經由蝕刻而形成間距，故能 加強控封的接合強度，並同時達到元件密封及封裝的效果。 接著，請參考圖1A及圖1B，導電接合部12〇電性連接 於元件100與基板140 (例如是印刷電路板）之間，用以將電 訊號經由基板140輸入到元件100或經由基板14〇輸出到外 部，而各個導電接合部120包括覆蓋於各個第一部分u〇a的 一第一電極S1以及基板140上的一第二電極S2，且各個第一 7 1374524 P51970121TW 29474tw£doc/d 與各個第二電極幻例如藉由第一黏著金屬層HI (錄 二:3鎢合金）電性連接。此外，密封接合部⑽環繞於 合部120的外圍。密封接合部包括基板M0上 n Q&R1(其材質例如是銅、喊金），環繞於這些第 二外圍且接合環ri與第二部分應例如藉由第 屬層H2 (錄金合金或鈦鶫合金）以及第三黏著金屬 ^ H3 (鎳金合金或鈦鶴合金）相互接合而形成一氣閉密封結 構’以使讀1〇〇與基板14〇之間形成一密封空間c。

—在上述的二實施例t，第一黏著金屬層m <列如以賴或 洛鑛的方式形成於各個第—電極81上（參見圖況），而第二 黏^金屬層H2(可與第一電極S1同一道步驟形成）以及第三 黏著金屬層H3例如分別形成於第二部分職以及接合環幻 上，而當元件100配置於基板14〇上時，更可進行—熱壓合步 驟’以使各個第一黏著金屬層H1電性接合於各個第一電極W 與各個第二電極S2之間’而第二黏著金屬層H2與第三黏 金屬層H3緊检地接合（共晶接合）於接合環幻與第二部分 lJOb之間’以加強密封的接合強度。但第一黏著金屬層出： 第二黏著金屬層H2與第三黏著金屬層出僅為本發明的實施 例，並非用以限制本發明。 、 圖3A及圖3B為本發明另二實施例之元件密封接合結構 的剖面不意圖。請參考圖3A及圖3B，此元件密封接合結構 1003、1004用以將一元件100封裝於一基板15〇 (例如是軟性 電路板）上，而基板150的第一表面上除了具有多個第二電極 S2以及一接合環R1之外，基板15〇的第二表面更包括多個第 二電極S3。這些第三電極S3通過基板150的導通孔152分 與這些第二電極S2電性連接。此外，各個第三電極％上更包 8 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d 括一神經刺激電極S4(或導電貼片），可用於經皮電神經刺 激器（TENS，Transcutaneous Electro Nerve Stimulator)中。各個 神經刺激電極S4可經由其尖端放電，以提供電治療或肌肉復 健所需的刺激電流。 人另外，圖4A及圖4]B為本發明另二實施例之元件密封接 合結構的剖面示意圖，其中圖4A為具有生物相容性塗層17〇 的元件岔封接合結構1005的剖面示意圖，而圖4B為堆疊型封 裝的元件费封接合結構1〇〇6的剖面示意圖。請先參考圖， 以心律調整器、神經刺激器或血糖監測器等植入式生醫元件為 例，此元件密封接合結構1005用以將元件1〇〇 (例如單晶片、 =)封裝於-基板150上’而基板15〇可藉由多個導電體 號鮮球）與一承載器160的接塾162電性連接，以將訊 虎傳遞到活體的外部，且基板15()上更包括—生物相容性塗層 的= 列如是石夕膠等無毒性高分子聚合物），其覆蓋於元件⑽ 的組織產強70件100的覆蓋率及密封性，更不會對活體 用以^彳’請參考圖犯，堆疊型封裝的元件密封接合結構祕 片元件^兀件⑽（例如植人式生W元件或其他用途的單晶 件，裝在各個基板150上，以形成堆疊型多晶片封裝元 二電極Λ件驗的第一電極S1與第^板15〇a的第 多個導電體S ^接如^f、第一基板15〇&的第三電極S3經由 穿孔％ f (一 ㈣）及穿過第二元件100b的多個導電 - /、第二元件100b的金屬接墊102電性連接，接著笛一 ΐ接=si與第二基板15%的第二電㈣紐 (你丨日、—土板15〇t>的第二電極S3經由多個導電髀 •早球）與承載器160的接㈣2電性連接，以將訊號傳 9 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d 到外部。如同圖4A所述，各個基板150上更包括一生物相容 性塗層170 (例如是石夕膠荨無毒性高分子聚合物），其覆罢於 各個元件100的周圍，除了加強各個元件100的覆蓋率及密封 性，更不會對活體的組織產生危害。當然，生物相容性&層 170亦可以其他高分子塗層（例如環氧樹脂）取代，並非用二 限制本發明。 再者’圖5A及圖5B為本發明另二實施例之元件密封接 合結構的剖面示意圖。請參考圖5A及圖5B，此元件密封接人 _ 結構1007、1008用以將一元件1〇〇封裝於一基板14〇、15〇上3, 而基板14〇、15〇的第一表面上具有多個第二電極S1以及—接 合環R1。此外，基板150的第二表面更包括多個第三電極S3。 各個第三電極S3通過基板150的導通孔152分別與各個第二 電極S2電性連接。此外，在圖5B中，各個第三電極幻上更 包括二神經刺激電極S4 (或導電貼片），可用於經皮電神經 刺激益（TENS)中。各個神經刺激電極S4可經由其尖端放♦ 以提供電治療或肌肉復健所需的刺激電流。然而，圖5a^圖 5B的實施例與上述二實施例（參見圖1A、3A)不同的是，ς •衝凸塊層110的第一部分110a不是、經由凸塊底金屬層104a形 成，接墊102的上方，而是形成在接墊1〇2附近的保護層上二 接著再經由濺鍍或蒸鍍的方式形成第—電極S1於各個θ接墊 10^與各個第一部分110a之間（例如覆蓋各個接墊1⑽與各 個第一部分110a的側壁及上表面），以使各個接墊丄⑽藉由 各個第一電極S1與各個第二電極S2電性連接。 曰 有關圖5A及圖5B的緩衝凸塊層11〇的製程與上述的圖 2D及圖2E的缓衝凸塊層110的製程類似，不同之處在於省略 圖2B的凸塊底金屬層104的製程，且於圖案化緩衝凸塊層 1374524 P51970121TW 29474twf.d〇〇/d 之後’再以着或蒸鑛的方式形成—第—電極幻，以電 接各#1接塾1G2。因此，緩衝凸塊層11〇的第 位置不蚊位於接塾1G2的上方，亦可經由重 = S1往内，伸’以適合抑需杨接點設計。 接著® 6A及圖6B為本發明另二實施例之元件 合結構的剖面示意圖。請參考圖6A及圖6B，元件密封接合許 構1009—、1〇1〇包括—緩衝&塊層11〇、多個導電接合部^ 以及-密封接合部13〇。其中，緩衝凸塊層削是以高分 料的聚合物來製作環狀部分譲（圖6B中），並採用導電材 質來製作多個金屬凸塊S3 (取代原先的第—部分iiQa)，且 金屬凸塊S3可藉由凸塊底金屬層1()4a與各個接塾搬電性連 接’以使第-電極S卜金屬凸塊S3以及第二電極S2構成— 具有電性連接功能的導電接合部12〇，而環繞於這些金屬凸塊 S3周圍的環狀部分11〇(1與密封接合部13〇接合，同時具有密 封及緩衝的功政，以使元件1〇〇與基板14〇之間形二二 間C。 山 有關圖6A及圖6B的金屬凸塊S3的製程與上述的圖2D •及圖2E的緩衝凸塊層110的製程類似，不同之處在於以電鍵 方式形成金屬凸塊S3於接墊1〇2上，且於形成金屬凸塊S3 之後，再以濺鍍或蒸鍍的方式形成一第一電極S1，以覆蓋各 個金屬凸塊S3。 皿 在本實施例中，上述的金屬凸塊S3的材質若為金時，可 直接藉由第一黏著金屬層H1與第二電極S2電性連接，而不 需先形成第一電極S1於金屬凸塊S3上。另外，金屬凸塊S3 之材質若為銅或銅合金時，可藉由金屬凸塊S3上的第一電極 Sl做為抗氧化層（例如鎳/金層），以避免銅表面的氧化。 11 1374524 P51970121TW 29474^^ 綜上所述，本發明提出録元件密封接 ^用^各式各樣的微型封裝元件上，例如基因晶^蛋^質 =㈣處理W及生物感測晶片等或者是植人式生醫元 =藉由緩衝凸塊層來加強密封的接合強度，更可同時 # 1二③封及封I的效果，避免有毒物質侵人活體内。此 :罩同一道圖案化製程完成，不需額外製作多個 封制栽汉光罩製程’以減少製程的步驟，並使後續的密 以及元件封裝步驟能同時進行，進 裝製程及降低生產成本。 W訂 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發 j、’任何關技觸域巾具有通常知識者，在賴離本發明之 ^和㈣内’當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範 圍备視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 實施例之元件密封接合結構的 圖1A及圖1B 剖面示意圖。 ★圖2A〜圖2E為圖.1A之元件密封接合結構的製作方法的 程示意圖。 圖3A及圖3B為本發明另二實施例之元件密封接合 的剖面示意圖。 ^ 圖_4A及圖4B為本發明另二實施例之元件密封接合結構 的剖面示意圖。 圖5A及圖SB為本發明另二實施例之元件密封接合 的剖面示意圖。 圖6A及圖6B為本發明另二實施例之元件密封接合結構 12 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d 的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 1001〜1010 ··元件密封接合結構 100 :元件 100S :主動表面 100P :保護層 102 :接墊 104 :金屬層 104a :凸塊底金屬層 110’ ：緩衝材料 110 :缓衝凸塊層 110a :第一部分 110b :第二部分 110c :第三部分 110d :環狀部分 120 :導電接合部 130 :密封接合部 140 :基板 W :基材 51 :第一電極 52 :第二電極 53 :金屬凸塊 H1 :第一黏著金屬層 H2 :第二黏著金屬層 H3 :第三黏著金屬層 R1 :接合環 13 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d C:密封空間 150 :基板 152 :導通孔 53 :第三電極 54 :神經刺激電極 160 :承載器 162 :接墊 170 :生物相容性塗層 100a :第一元件 150a :第一基板 100b :第二元件 150b :第二基板

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Claims (1)

1. 丄 j/4y24 P51970121TW 29474twf.doc/d 七、申請專利範圍： I·，·^ ⑧封接合結構，用以將—元件封裝於一基板 上，該7〇件在、封結合結構包括. 層包二m二配置於該元件與該基板之間，該缓衝凸塊 些第-部分的外圍^以及―第二部分’且該第二部分環繞於該 久個ίΐ導電接合部’電性連接於該元件盘节美板之門，4 Φ 連接；以及 電極與各該第二攀知乂及 岔封接合部，環繞於該些導雷人 =包括該基板上的—接合環，且該接合口環^^， 接合，使就件與職板之_成 2. 如申請專利範圍第i項所述之元件及 該-部分_第二部分之間形财攝 互分離。 間距’且在％攝上中 3. 如申請專利範圍第丨項所述之元件 該些第-部分與該第二部分之間具有 1。 相互連接。 分，且在結辑 4. 如申請專利範圍第丨項所述之元件 中該緩衝凸塊層之材質包括高分子材料。、接。麵攝，其 各，itt請專利範圍第1項所述之元件密封接合綠裰’、 谷Μ弟一電極與各該第二電極之間更包括—第一黏S袴，爲中 6·如申睛專利範圍第1項所述之元件密人參屬層。 該接合環與該第二部分之間更包括—第、^屬’，其 15 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d 7.如申請專利範圍第丨項所述之元件密封接合 其中 包括多個第三電極’而該些第三電極通過該基板分別 與该些弟二電極電性連接。 久^如t請專利範圍第7項所述之元4密封接合結構，其中 各〜第二电極上更包括一神經刺激電極。 兮其it申請專鄉_ 1項所述之元件密封接合結構，其中 〜更包括-生物相容性塗層，覆蓋於該元件的周圍。 中今元#2請專利範圍第9項所述之元件密封接合結構，其 肀"亥兀件為植入式生醫元件。 中兮專利範圍第1項所述之元件密封接合結構，其 配^個接塾’而各該第—部分經由—凸塊底金屬層 該第二電:=凸塊底金屬層與覆蓋於各該第-部份的 星申^專利範圍第1項所述之元件密封接合結構，其 第-部分^夕=塾’而該第一電極形成於各該接塾與各該 電性連接。 触齡各該第1極與各該第二電極 中該㈣之元㈣封接合結構，其 14 Λ 片7°件或堆豐型多晶叫H :種元件密封接合製程，包括： 提供—預定形成一元件的基材； 形成—緩衝層於該元件上； 分的:::：衝包二=1分以及-第二部 園； ，、巾料—部分;讀於該些第-部分的外 形成—第—電極於各該第一部分上； 16 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d 提供-基板’該基板形成有多㈣二電極以及 該接合環圍繞於該些第二電極的外圍；以及 接5 %’ -配魏耕於雌板上，其巾各^ —電極對應於各該當 二，極亚與各該第二電極電性連接，且該接合輯應與該^ _ 七刀相互接合’以使該元件與該基板之間形成—密空二-15.如申請專利範圍f 14項所狀元件密封接合^，甘 妹^案化該緩衝層之步驟中，該些第—部分與該第：部分之^ 、！蝕刻而形成有一間距，且在結構上相互分離。 B 16·如申請專利範圍第M項所述之元件密封接合製 =圖案化該缓衝層之步驟中，該些第—部分與該第二部分之 为別形成有一第三部分，且在結構上相互連接。 日 17·如中請專利範圍第14項所述之科密封接 /、中形成一第一電極於各該第—部份之後，更包括： 形成一第一黏著金屬層於各該第一電極上； 形成一第二黏著金屬層於該第二部分上； 形成一第二黏者金屬層於該接合環上；以及 將該元件配置於該基板時，更進行—熱壓合步驟，以使 該第一黏著金屬層電性接合於各該第一電極與各該第二 ^間，而該第二黏著金屬層與該第三勃著金屬層接合於誃 環與該第二部分之間。 、σ 18.如申請專利範圍第項所述之元件密封接合製程，复 中提供該基板的步驟中，該基板更包括多個第三電極該些^ 二電極通過該基板分別與該些第二電極電性連接。 — 19·如申請專利範圍第18項所述之元件密封接合製程，其 1提供該基板的步驟中，更包括形成一神經刺激電極於各該^ 二電極上0 17 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d 覆蓋於紅件關圍。成—生物相容性塗層， 上，:1元構’用以將，封裝於-麵 夕個^衝凸塊層，配置於該元件與該基板之間，該元件思者 二ΪΪ接Γ的=凸塊層具有-環狀部分，且該環狀部二 各 二 =-第，，且二=:以 合部包—===的環些導電接合部的外圍，該密封每 接合，《使該元件部分相互 構， 封接合結構，其 —第三黏著金屬層。 ]更包括一第二黏著金屬層以及 中該^項:接合結構，其 別與該些第二電極電性連接。而5亥些弟二電極通過該基板分 18 1374524 P51970121TW 29474twf.doc/d 中各第25項所述之蝴封接合結構，其 T谷S弟一甩極上更包括一神經刺激電極。 中談21項所叙元件料接合結構，1 :如二覆蓋於該元件的周圍二 其中該元件醫^項所述之元件密封接合結構， Φ夂申料鄉圍第21項所述之元件密封接料構，1 Ι3ί 4經由一凸塊底金屬層配置於各該接“ ％ 於各該金屬凸塊上H 中哕元件範圍第21項所叙元件密封接合結構，並 中該疋件包括Μ片元件或堆疊型多晶片封裝元件。 '、 31· —種元件密封接合製程，包括： =-預定形成-元件的基材，該元件具有多個接塾. 形成一緩衝層於該元件上； ’ 圖案化該缓衝層，以形成具有一環狀部分的 其中該環狀部分環繞於該些接墊的外圍； 、” 鬼層， 塾電個金屬凸塊於該元件上，且各該金屬凸塊與各該接 該接板形成有多㈣二電極以及—接合環， 钱σ%圍繞於該些第二電極的外圍；以及 配置該元件於該基板上，其令各該金 二電極並與各該第二電極電性連接，且該 元件與該基板之間軸 形成一第一黏著金屬層於各該金屬凸塊=; 19 1374524 P51970121TW 29474twfdoc/d 形成一第二黏著金屬層於該環狀部分上； 形成一第三點著金屬層於該接合環上；以及 將該元件配置於該基板時，更進行—熱磨合 之間，而該弟二黏著金屬層與該第三 又 .環與該環狀部分之間。 獨嘴後合於該接合 . 33.如申請專利範圍第31項所述之— 中提供該基板的步驟中，該基板更包^ 合製程，其 • 34.如申請專利範圍第3二=電， 中提供該基板的步驟中，更包括形 7^件密封接合製程，其 三電極上。 /砷經刺激電極於各該第 35.如申請專利範圍第31項所 中配置該元件於該基板上時，更包括；件狯封接合製程，其 覆蓋於該元件的周圍。 形成一生物相容性塗層，

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