TWI361452B - - Google Patents

Description

1361452 六、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種去除晶圓上晶粒圖案層之方法，尤 指一種能快速去除晶圓上部份晶粒圖案層構成待去除區域 之方法。 【先前技術】 國内半導體產業之垂直整合完整，從半導體前段的積 • 體電路設計，一直到令後段之半導體製程及封裝等廠商均 具有成熟的技術。 早期積體电路设§}*業者於開發並完成積體電路佈局模 擬後’會先委託晶圓廠製作一批測試用晶粒，待完成後再 由半導體封裝廠加以封裝，而積體電路設計業者會以封裝 完成之積體電路元件進行測試，以實際驗證其開發的積體 電路是否成功；一旦測試結果不佳，則必須重新檢視積體 電路或佈局上的問題，待除錯完成後，又必須重覆前述流 籲秩。然而，前述流程實太過曠日費時而且積體電路設計業 者在未大量生產前，就必須投資測試用晶粒的製作及封裝 費用。 、 因此，近期晶圓廠因感受到積體電路設計業者之需求， 故已開放接受小額晶粒數量的下單，其作法即是集合數家 積體電路設計業者相同製程的下單，將其積體電路製作於 同-塊晶圓上，如第一圖所示’即為複合式晶圓(1〇)因為 積體電路尺寸不同之故，晶圓上即分佈有不同尺寸之晶粒 的積體電路圖案（20)。 3 然而，如此作法仍嫌測試時間過長，即積體電路設計 二：雖：下單製作小額數量的晶粒作測試用，❻由於晶粒 ^ B曰圓上切割出來，會因為所使用的切晶半導體設備， 壞B曰板之圖案層’因此’最經濟有效方式且可快速測 ^開發中㈣電路或其佈局是否能正f運作，即是直接於 as : f測4。’准，如此一來必須將整個晶圓交付給積體電 路6:業I ’然而其上仍有其它家業者之積體電路，為避 免=豕業者積體電路被盜取，故在將整個晶圓交付給其中 豕積體電路設計業者時’必須移除晶圓上其它積體電路 設計業者的積體電路m對於此-需求則必須找出合 l的知除方法，以有效地輔助開發中積體電路的量產進度。 【發明内容】 有鑑於上述缺點，本發明係關於一種快速去除晶圓上 不規則曰曰粒積體電路圖案之方法，令晶圓廠有效提供積體 電路設計業者開發中積體電路的量產進度。 '、達上述目的所使用的主要技術手段係令該快速去除 晶圓上不規則晶粒積體電路圖案之方法包含有： 準備一複合式晶圓，該晶圓端面上形成複數晶粒之積 體電路圖案的晶粒； t擇忒晶圓上欲去除晶粒積體電路圖案所構成的至少 一平面區域； 依照目削積體電路最頂層之圖案層材料及深度選擇合 適的雷射光波長及功率； 依據待去除平面區域設定電射光行進軌跡，即取各待 4 1361452 去除平面區域的長距離一端作為原點； 控制電射光移動軌跡’即自原點沿著長距離持續向内 來回移動，直到全部掃描過整個待去除平面區域為止，並 以竹-圖案廣外露，·之後重覆此步驟直到所有待去除平 面區域的下一圖案層外露為止； 依據下-圖案層的材料及深度選擇合適的雷射 及功率’重«述複數步驟，直到待去 晶 端面外露為止； 场之日曰圓 由上述說明可知，由於3 矽雷枚“ i 圓 上已形成複數晶粒積 體電路圖案’當欲保留苴中牲 ' 測試時，通…人一: 積體電路圖案進行 …一個或多個不規則之去除平面區域， 因此，本發明係採用雷射進 除乎^又並為加快移除速 又再預先设定各去除平面 „ 去各除平面區域的長距離進^的原點，亚控制雷射光以 ^ ^ ^ 進仃來回柃描，避免控制電射光 來口 U次數過高，而延遲去除時間。 【實施方式】 請參閱第一圖及坌m Λ 的俯#胃 Α圖所示，係為一複合式晶圓（1 〇) 的俯視圖，該晶圓（1〇) 面（1 〇1)上形成有尺寸大小不一或 不冋日日粒之積體電路 法 q木（20)。為方便瞭解本發明去除方 區分 之積體電路圖案上標示符號(A〜E)，以 欲保留A、D、F ”☆圖案，以下謹進一步說明本發明 積體電路圖案，^ 積體電路圖案，而移除其它晶粒之 路圖案分佈位置可二：晶圓端面上八至G晶粒之積體電 °月配合參閱第二圖所示，若欲保留 5 1361452 A、D、F晶粒之積體電路圖案，則該晶圓（1 〇)上即包含有 二個相同形狀之待去除平面區域（102 ;灰階色塊）。 請參閱第三圖、第四圖及第五A至E圖所示，本發明 的去除方法係包含有： 準備一複合式晶圓（10)，該晶圓端面（1〇1)上形成複數 晶粒之積體電路圖案（2〇)(4〇)。 選擇該晶圓（10)上欲去除晶粒積體電路圖案所構成之 至少一待去除平面區域（102)(41)。於上述例子中，該晶圓（1〇) φ 上即包含有二個相同形狀之待去除平面區域（102)。 依照目前積體電路最頂層之第一圖案層（21)的材料及 深度選擇合適雷射光（30)波長及功率（42)。由於晶圓上各晶 粒積體電路圖案係由不同材料以沉積、濺鍍等製程自晶圓 端面向上累積出數個圖案層而構成，如第四A圖來說，係 以第一至第三圖案層（21)(22)(23)舉例說之，因此各圖案層 的材質並非完全相同，故必須依照材質特性及其深度挑選 出合適的雷射光波長及功率。舉例說明之，.目前可用雷射 鲁光波長概分四種：1〇64nm、532nm、355nm、266nm，其 中1〇64nm、532nm雷射光可應用於水導雷射設備中。 依據待去除平面區域（102)設定電射光行進軌跡，即取 各待去除平面區域（彳02)的長距離一端作為原點（43)。 控制電射光（30)自原點沿著長距離持續向内來回移 動，如第三圖所示，直到全部掃描過整個待去除平面區域 (102)為止’並以令下—第二圖案層（22)外露（44);之後重 覆此步驟直到三個待去除平面區域（1〇2)的下—第二圖案層 (22)外露（45)°本發明設定雷射光移動軌跡係以如AUT0 6 1361452 CAD繪圖軟體加以編輯，並輸入至如水導雷射設備或一般 雷射設備中，令該水導雷射設備依據預先編輯的路徑，而 對準描述所有待平面區域’達到對晶圓進行去除不規則形 狀區域。 依據下一第二圖案層的材料及深度選擇合適的雷射光 (30a)波長及功率（46)(47)，並重覆前述複數步驟（41_47)， 直到待去除平面區域（102)之晶圓端面（1〇1)外露為止（49)。 於本實施例中，係因各晶粒係包含有不同材料之第一至第 三圖案層(21〜23)，故會選擇三次不同波長及功率的雷射光 (3〇)(3〇a)(勘)加以去除，誠如第六圖所示最後晶圓 即僅包含A、E、Fasa粒之積體電路圖案於其端面〇叫上。 說明可知，由於複合式晶圓係於其端面上已形 複數曰曰粒積體電路圖帛’當欲保留其中特定的曰粒積體 電路圖案進行測試時，即會包含 u積體 平面區域，因此，本發明係::雷::: =則之去除 制雷射光以去各除平面區域的長距離進並控 控制電射光來回掃描次數 丁朿口掃描，避免 數過回，而延遲去除時間。 【圖式簡單說明】 J圖係複合式晶圓的俯視圖。 域 第二圖：係標示第一圖複合式晶 彳固#去除平面 二三：：係本發明雷射光移動 弟四圖：係本發明去除方法的流程圖：圖。 上冲1452 第五A至E圖：係去除—牲 流程剖面示意圖。 …千面區域各圖案層的 八4第六圖：係經本發明去除部份晶粒積體電路圖案之複 合式晶圓的俯視圖。 【主要元件符號說明】 (1〇)(1〇a)晶圓 （101)端面 (102)待去除平面區域（20)晶粒積體電路圖案 (21)第一圖案層 （22)第二圖案層 (23)第三圖案層 （30)(30a)(30b)雷射光 8

Claims (1)

1361452 七、申請專利範圍： 1·一種快速去除晶圓上不規則晶粒積體電路圖案之方 法’其包含有： 準備一複合式晶圓，該晶圓端面上形成複數晶粒之積 體電路圖案的晶粒； 選擇該晶圓上欲去除晶粒積體電路圖案所構成的至少 —平面區域； 、依照目前積體電路最頂層之圖案層材料及深度選擇合 馨 適的雷射光波長及功率； 依據待去除平面區域設定電射光行進執跡，即取各待 去除平面區域的長距離一端作為原點； …控制電射光移動執跡，即自原點沿著長距離持續向内 來I私動，直到全部掃描過整個待去除平面區域為止，並 以7下一圖案層外露；之後重覆此步驟直到所有待去除平 面區域的下一圖案層外露為止； ’、 依據下一圖案層的材料及深度選擇合適的雷射光波長 籲及力率，重覆前述複數步驟，直到待夫除平面區域之晶圓 端面外露為止。 2·如申請專利範圍帛]項所述快速去除晶圓上不規則 晶粒積體電路圖案之方法，上述雷射光係包有刪_、 、355nm及266nm波長雷射光。 3.如申請專利範圍帛2工員所述快速去除晶圓上不規則 晶粒積體電路圖案之方法，上述1〇64nm及532nm波長雷 射光係由—水導雷射設備提供。 4·如申請專利範圍帛2項所述快速去除晶圓上不規則 9 “積體電路圖s 騍，該移動執 方法，上述控制雷射光移動執跡步 跡係由繪圖軟體加以編輯。 0 ·如申性鼻j I 晶粒積體f 3項所述快速去除晶圓上不規則 驟，該移動軌跡:二方法，上述控制雷射光移動軌跡步 導雷射設備。' 、·Β圖軟體加以編輯，並再輸入至該水 6·如申請專利範圍第

5項所述快速去除晶圓上不規則 ’該繪圖軟體係為AUTO CAD軟 晶粒積體電路圖案之方法 體。 ' 八、圖式.（如次頁)

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