TWI332289B - - Google Patents
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1332289 . 1 , 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 雷達(RAdio Detection And Ranging,簡稱RADAR)意為無 線電探測與測距’·自從1940年代發明雷達迄今,雷達已廣汎應用 作為替代目視的工具;其優點乃雷達波在大氣傳輸過程中被大氣 衰減程度較可見光、近紅外光及紅外光為低,可偵測距離較遠; 且近代科學技術已可將雷達發射功率及偵測靈敏度有效提高,直 # 接提昇雷達可倾距離,故在軍事上雷達已廣泛被應用作為该、 搜、制導工具,為目前軍事武器上最重要的裝備之一。 武器載具之雷賴面積(Radar Cross Section,簡寫為RCS)是 表示武器載具被雷達照射後散射之回波強度大小,載具之雷達截 面積愈小其餘對雷達狀反射回波喊紐姆較弱,因其回 波訊號弱,載具須較靠近雷達方可被偵知,容易接近敵方而不被 發現,因此低雷達截面積載具,當可充分發揮隱密及奇襲之功效。 籲現今世界各武器先進國家對新型武器之研發無不要求降低其雷達 截面積以提昇武H之作離能’傭^將魏今及未來武器設計之 重要指標。降低武器載具雷達截面積的方法除以造型方式將射抵 載具的雷達波散射至異於入射的方向,使雷達無法接收到武器载 具之雷達回波訊號’崎低魅之RGS外,在健雷達波反射亮點 部位施以雷達波吸波材,魏騎雷達波能量,減降回波訊號強 度,以降低載具RCS值為另一可行之方法。 雷達依其功能可大略區分為⑴搜索雷達⑵跟縱雷達⑶ 5 1332289 1 i , · 射控雷達(4)氣象雷達⑸測高雷達等。一般針對海上船般目標, 搜索與跟縱雷達其頻率通常設定在C頻域(4〜8GHz),微波吸波材 作為船艇之匿縱應用;以涵蓋此頻域為基本之功能要求。 微波吸收材其功能除可吸收射抵之微波,以降低其回波訊號 強度作為武H載具之匿蹤顧外,並已落實翻在間之電磁 干擾防制、人員電磁輕射防制及雷達旁瓣消除等領域上。 【先前技術】 _ 美國專利#5179381,Hatakeyama等發明人,利用一層介電材 料層(稱第-層)、磁性材料層(稱帛二層)與金屬層(稱第三層)組 成之吸波材其應用於VHF至UHF頻域(約1〇〇-i〇〇〇mhz範圍),其厚度 與重量均無法達到輕、薄、寬等應用目的。 美國專利#5296859,Naito等發明人利用胞如、NiZn等鐵氧體 (ferrite)製作微波頻域吸波材,終因重量重及吸收頻域窄,亦難 達輕、薄、寬等之應用目的。 鲁美國專利#5323160,Kim等發明人亦利用MnZn、NiZn等鐵氧體 (ferrite)製作微波頻域吸波材,其吸波效果亦無法達到輕、薄、 寬等之應用目的。 中華民國專利#421988號’高尾敏智等發明人利用,角錐發泡 材浸泡導電性材料,以形成角錐型電磁波吸收材,其吸收頻寬可 以涵蓋VHF、UHF、Microwave及Millmeter骷呢等,但缺點是厚度 太厚且屬材料會吸水減低吸波效果。 本發明案係針對中華民國發明專利第丨255585號「輕質特寬頻 6 1332289 ' » · 微波吸收材」改良精進喊成。中觀國翻專利第卿卿虎所 揭示技術係以兩層具特定導鲜之钟介電材料所職,其對垂 直入射電磁波麵以上魏率之敢為5 2〜刪z,在實際應用 需求上;如大哥大站台之輕射;咸降或對付中長程搜索雷達所需之 匿縱電磁波吸雜’倾將咖魏率續雜較麵率擴延, 以完全涵蓋C頻域(4〜8GHz)甚或S頻(2〜4GHz>、L頻(1〜2GHz) 等,本發明係針對此項實際需求以研改完成。 • 【發明内容】 本改良型輕質特寬頻微波吸波材係透過理論模擬,依特定 • 厚度與導電率及適宜之阻抗匹配所完成設計,並實際製作樣品完 成功能性量測驗證。 本發明之吸波材,其受電磁(微)波首先射抵之該層稱為第 一入射層,電磁波穿透第一入射層所射抵之該層稱為第二層,電 磁波穿透第二入射層所射抵之該層稱為第三層,第三層為反射 • 層’係以高導電率之金屬等為材料。 吸波材料首先接觸入射波之面稱為入射面,入射面對電磁波 傳輸會產生一阻抗,稱為輸入阻抗(η),對一般均質材料而言,輸 入阻抗可定義為: Π=/~ (Mr/£r)tanh(-jk〇d/'Mr/£r)……(1) 式(1)中,£r為均質材料之相對介電常數,為均質材料之相對導 磁係數(本吸波材純屬介電材,μ<·= 1),k〇為電磁波波向量, 7 289 k〇 =2π/λ。,λ〇為電磁波在自由空間之波長 ’ d為均質吸收材料厚度。電磁波在自由空晰沈s卿)之阻抗 大小躲’ ^謂/□。為方便處理將自由空間之阻抗大小歸一化 (Z〇=l),材料對入射波之反射大小示如下式. Γ=(1~η)/(1+η).............................. 反射率R定義如下: R=r.r*=【(1—η)/(1+η)】2 ......... (3) 以分貝值dB為單位之反射率為 R(dB)=20. log(|r|).............⑷ 式(4)中log是以ι〇為底之對數運算。 由以上理論分析得知,吸·料之吸收效率直接受材料之輸入阻 抗所影響’介電吸波材之輸入阻抗與材料之材質匕關係可由式(D 中得出,介電吸波材之材質與材料之電阻率(p)具有一定之關係, 材料之面電阻值(RO,Ω/HI)與電阻率間關係如下: RD=pL/A ...............(5) 式(5)中(L)為介電吸波材之長度’(a)為其截面積。 電磁波在材料兩界面間(波進、出之兩介質)輸入阻抗若匹配 (matching)良好,反射率較小,入射波才有可能進入材料内層被 吸波材料所吸收’否則不論内層的吸波材料吸收特性多好,將因 兩界面間輸入阻抗不匹配,以致電磁波剛剛射抵材料界面處即被 反射回去’無法進入材料内層被材料吸收’故高效率之吸波材料 1332289 首應重視輸入阻抗之良好匹配。 本發明係利用均質特性之兩種不同介電材料,依適當之厚度 (d ’ t)及均質材質特徵(ει ’ _設計製作完成,吸波材結構示如 第1圖本改良型輕貝特寬頻微波吸收材其吸收率大於1隨之頻率 範圍從3. 6GHz至18GHz以上之吸波率頻寬大於丨碰以上, 吸收率大於5dB之頻寬涵蓋2-_ζ,吸收率與頻率關係示如第2 圖;10dB吸收率之頻寬遠大於中華民國發明專利第挪娜號「輕 •質特寬頻微波吸收材」之頻寬,麵吸收率之頻域已涵蓋全c頻域 及部份S頻域。 -般磁性吸波材因所添加材料為鐵、録、錄等原料或其氧化 物,其缺點-者為重量重,再者部份添加料易因氧化喊低吸波 效果。本吸波材料因添加物與基材均為耐候性材料適合戶内、外 長期使用’对候性驗’充分達到輕(重量)、薄(厚度)、寬(吸波 頻寬)、大(吸收率)之特性。 【實施方式】
兩種不同均質電阻率之材料其製作方法,可 ί膠等基材以均勻混練或均勻浸泡形成均質導電片 響。各層材料間可以膠、熱融等方式貼覆接著。 里所〜 【圖式簡單說明】 第1圖:本改良型輕質特寬頻微波吸收材構造示意圖。 第2圖.本改良型輕質特寬頻微波吸收材吸收率與頻率關係圖(橫 9 1332289 ^ ' 9 軸為頻率(GHz),縱軸為吸收率(dB))。 【主要元件符號說明】 1 :本改良型輕質特寬頻微波吸收材構造示意圖 2:入射電磁波 3:第一層電性均質耗損材 4:第二層電性均質耗損材 5 :金屬(或電磁波高反射)材
Claims (1)
- ^32289 十、申請專利範圍: 1.種改良型輕質特寬頻微波吸收材,係以兩層不同電阻 率之電性均質耗損材及金屬導電材或電磁波強反射材所組 成,其第一層電性均質耗損材之電阻率為丨2〇〇〜25〇〇Ω/ 口 ’厚度為7〜9mm ’第二層電性均質耗損材之電阻率 為120〜4〇〇Ω/|□,厚度為4〜6ram,第三層為金屬材 _ 或電磁波高反射材’此三種材料依次相互緊密接合所 組成。 • 2·如申請專利範圍第1項所述之微波吸收材,其中第— , 層係為入射電磁波最先射抵之該層,第二層為入射電磁 波穿透第一層後所射抵之該層,第三層為入射電磁波穿 透第二層後所射抵之該層。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW96119625A TW200849714A (en) | 2007-06-01 | 2007-06-01 | Improved light-weight UWB microwave absorption material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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TW96119625A TW200849714A (en) | 2007-06-01 | 2007-06-01 | Improved light-weight UWB microwave absorption material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200849714A TW200849714A (en) | 2008-12-16 |
TWI332289B true TWI332289B (zh) | 2010-10-21 |
Family
ID=44824220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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TW96119625A TW200849714A (en) | 2007-06-01 | 2007-06-01 | Improved light-weight UWB microwave absorption material |
Country Status (1)
Country | Link |
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TW (1) | TW200849714A (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI716155B (zh) * | 2019-10-17 | 2021-01-11 | 國立清華大學 | 電容式匿蹤複合結構 |
-
2007
- 2007-06-01 TW TW96119625A patent/TW200849714A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200849714A (en) | 2008-12-16 |
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