TWI325033B - Riveted column and riveted structure using the same - Google Patents

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TWI325033B TW97108065A TW97108065A TWI325033B TW I325033 B TWI325033 B TW I325033B TW 97108065 A TW97108065 A TW 97108065A TW 97108065 A TW97108065 A TW 97108065A TW I325033 B TWI325033 B TW I325033B
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Li-Ying Lv
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1325033 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種鉚接柱及採用該鉚接柱之鉚接結構。 【先前技術】 習知之電腦、DVD、VCD等機箱結構中,為使機箱板 之間或機箱板與電路板等其他對接件相連接,通常需要用 螺紋配合固定。螺紋配合固定方法先於機箱板上形成螺紋 孔,然後用螺釘固定。然而這類電子設備之機箱一般係採 用壁厚較薄之板材製得,所以使用螺釘連接時螺釘與機箱 ::間之作用面積較小,連接強度不大’且容易影響機箱 【發明内容】 赛於上述情況,有必要提供一種柳接強度較大且可改 。外觀之鉚接柱及採用該鉚接柱之鉚接結構。 接邱鉚餘,包括—本體及與其連接之鉚接部,該鉚 之;=第一凸緣與第二凸緣,該第一凸緣與該第二凸緣 =圍成一收料槽’該第二凸緣相對該第一凸緣更靠近該 ’該第-凸緣外側面至該鉚接柱軸心、線之距 >'部㈣第二凸緣外側面至該鉚接柱軸心線之距離。' 於料構,包括鉚接柱及對接件,該鉚接柱鉚接 本體及*之^對接件上設有—鉚接孔,該鉚接柱包括一 凸第一凸緣與第二凸緣,該第-凸緣與該第二 $園成一收料槽,對接件在鉚接時所產生之碎料至 6 f: 3 1.325033 =部分容納於該收料槽中,該第二凸緣相對該第一凸緣更 靠近該本體,該第一凸緣外側面至該鉚接柱軸心線之距離 J於至y。卩刀該第一凸緣外側面至該鉚接柱軸心線之距 離。 相對習知技術,所述鉚接柱本體内設置有一螺紋孔, 其可用於與外接螺釘螺合,其螺合作用面積大,從而具有 較大螺合強度;且第一凸緣及第二凸緣之間圍成一收料 籲槽,可使得鉚合過程中產生之碎料至少部分容納於其中, 避免鉚接壓印產生’從而確保對接件具有較好之外觀。 【實施方式】 下面將結合附圖及實施例對本發明之鉚接柱及採用 該鉚接柱之鉚接結構作進一步之詳細說明。 睛參見圖1及圖2,所示為本發明較佳實施例之鉚接 結構100,其包括對接件10及與其鉚接之鉚接柱20。 對接件10可為機箱板,其厚度小於或等於2mm,且 |對接件10之硬度小於鉚接柱2〇之硬度。對接件ι〇上開設 有一圓形鉚接孔12,其為盲孔。 鉚接柱20包括一本體22及與之連接之鉚接部24。 本體22為圓柱狀柱體,其内設有一螺紋孔221。螺紋 孔221為通孔,其貫穿本體22及鉚接部24。 鉚接部24包括第一凸緣242及第二凸緣244。第一凸 緣242位於鉚接冑24之一端且與端面平齊,第二凸緣244 相對第-凸緣242更靠近本體22。第一凸緣如包括上底 面2421、下底面2422及側面2423 ,上底面Μ。、下底面
7 (:S 1325033 2422與側面2423連接處分別設有第一倒角2424。第二凸 緣244大體為多邊形柱狀體,其包括上底面2441、下底面 ·· 2442及複數侧面2443,上底面2441及下底面2442為六角 形,複數側面2443間之連接處均設有第二倒角2444。第 一凸緣242及第二凸緣244之間圍成一收料槽246。第一 凸緣242外侧面2423至鉚接柱20轴心線26之距離為D!, 第二凸緣244外側面2443至鉚接柱20轴心線26之距離為 D2,對接件10上盲孔12之半徑為此外, ® 鉚接部24之最小壁厚Η!大於本體22之壁厚H2。第二凸 緣244之厚度為,第一凸緣242與第二凸緣244之間之 間距為Τ2,第一凸緣242之厚度為Τ3。,Τ2,Τ3與對接 件10之材質、所需連接強度之大小相關,為避免鉚接柱 20在鉚接過程中變形及第一凸緣242在鉚接過程中被擠 斷,優選地,1^20.25111111,T2g〇.25mm,T3g〇.3mm。 可以理解,第二凸緣244可為不對稱結構,即只要部 φ 分之第二凸緣244外側面至鉚接柱20之轴心線26之距離 大於第一凸緣242之外側面至鉚接柱20之軸心線26之距 離,即可形成收料槽246,實現鉚接柱20與對接件10之 鉚接。 如圖3所示,鉚接結構100採用鉚接柱20鉚接對接 件10,鉚接柱20之本體22内設置之螺紋孔221之螺紋長 度較大,因此當外接螺釘與其配合連接時有較大之作用面 積,從而產生較大之螺紋結合力。並且,由於第二凸緣244 外侧面2443至鉚接柱20轴心線26之距離D2大於第一凸 1325033 緣242外側面2423至鉚接柱20轴心線26之距離Di,第 一凸緣242及第二凸緣244之間圍成一收料槽246,在將 J 鉚接柱20鉚接入對接件10之過程中產生之碎料122可容 納於收料槽246内,從而可避免在鉚合過程中由於多餘碎 料122擠壓對接件10之鉚接孔12孔壁產生凸印,使對接 件1〇具有較好之外觀。 進一步,由於第一凸緣242之第一倒角2424及第二 凸緣244之第二倒角2444,在使用外力將鉚接柱20鉚合 * 入對接件10之過程中,對接件10之碎料122較易在第一 倒角2424、第二倒角2444之導引下流進收料槽246,從而 更易於提高對接件10與鉚接柱20之鉚接強度及避免凸印 產生。 進一步,由於第二凸緣244之上底面2441及下底面 2442呈六角形,當鉚接柱20被鉚接入對接件10後不能再 轉動,提高鉚接後之抗扭力;且該第二凸緣244側面2442 φ 間連接處之第二倒角2444使第二凸緣244周圍之碎料流動 更加均勻,確保鉚接之穩固性。 進一步,鉚接部24之最小壁厚大於本體22之壁 厚H2,鉚接部24之強度較大,因此更易防止鉚接部24在 鉚接時損壞。 可以理解,本發明較佳實施例中鉚接柱20之本體22 内之螺紋孔221還可為盲孔,第二凸緣244之上底面2441 及下底面2442還可為八角形,對接件10上之鉚接孔12 還可為通孔,收料槽246還可僅容納部分之鉚接時所產生 --fr3·' 9 1325033 之碎料。 综上所述,本發明符合發明專利要件,爰依法提 利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施例,= 明之範圍並不以上述實施方式為限,舉凡熟悉本案技藝之 人士,在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化,皆應涵 蓋於以下之申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明較佳實施例之鉚接柱之立體圖。 圖2係本發明較佳實施例之鉚接結構之分解圖。 圖3係圖2所示之鉚接結構之裝配圖。 【主要對接件符號說明】 (本發明) 鉚接結構 100 對接件 10 鉚接孔 12 碎料 122 鉚接柱 20 本體 22 螺紋孔 221 鉚接部 24 第—凸緣 242 上底面 2421 下底面 2422 侧面 2423 1325033 第一導角 2424 第二凸緣 244 上底面 2441 下底面 2442 側面 2443 第二導角 2444 收料槽 246 中心 26 11

Claims (1)

1325033 十、申請專利範圍 1· 一種鉚接柱,包括一本體及與之連接之鉚接部,其改良 在於·該鉚接部包括第一凸緣與第二凸緣,該第一凸緣 與該第二凸緣之間圍成一收料槽,該第二凸緣相對該第 一凸緣更靠近該本體,該第一凸緣外側面至該鉚接柱軸 心線之距離小於至少部分該帛:凸緣外側面至該鉚 柱軸心線之距離。
2.如申吻專利範圍第1項所述之鉚接柱,其中該第二凸緣 之上底面及下底面為六角形或八角形。 3·如申4專利_第i項所述之鉚接柱,其中該第一凸緣 上下底面與侧面連接處均設有倒角。 4.如申明專利圍第i項所述之鉚接柱,其中該第二 侧面間連接處設有倒角。 琢 .如申凊專利範圍第i項所述之鉚餘,其巾該第 之厚度大於或等於0.3mm。 該第二凸緣 均大於或等 6·如申請專利範圍第1項所述之鉚接柱,其中 之厚度及該第一凸緣與該第二凸緣之間距 於 〇.25mm。 λ ^請專利範㈣1項所述之鉚接柱,其中該鉚接部之 小壁厚大於所述本體之壁厚。 8· ^請專㈣!項所述之鉚餘,其㈣ 有螺紋孔。 如 Μ 〇又 該柳接柱柳接於 該鉚接柱包括一 種鉚接結構,包括鉚接柱及對接件, 該對接件,該對接件上設有一鉚接孔,
12 ^體及與之其連接之鉚接部’該鉚接部鉚合于該鉚接孔 /、改良在於:該鉚接部包括第一凸緣與第二凸緣, 二:凸緣與該第二凸緣之間圍成一收料槽,對接件在 所產生之碎料至少部分容納在該收料槽中,該第 對該第-凸緣更靠近該本體,該第—凸緣外侧 广p接柱軸心線之距離小於至少部分該第二凸緣 卜則面至該鉚接柱軸心線之距離。 1〇.^利範圍第9項所述之柳接結構,其中該柳接 11·如申請專利範U第9項所述之鉚接結構,其中 凸緣之上底面及下底面為六角形或八角形。〜 12.如申請專利_ 9項所述之鉚接結構,其 凸緣上下底面與侧面連接處均設有倒角。 13·如申請專·圍帛9項所述之鉚接結構, 凸緣側面間連接處設有倒角。 〜第
其中該第一 其中該第二 間距均大於 14. 如申請專利範圍第9項所述之鉚接結構, 凸緣之厚度大於或等於〇 3inm。 15. 如申請專利範圍第9項所述之鉚接結構, 凸緣之厚度及該第一凸緣與該第二凸緣之 或等於0.25mm。 16.如申專利|&圍帛9項所述之鉚接結構,並 部之最小壁厚大於所述本體之壁厚。 八7該鉚接 17·如申請專利第9項所述之鉚接結構, 内設有螺紋孔。 八Τ該本體
13
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