TWI311497B - - Google Patents

Description

1311497 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種微奈米粉末之成形設備及成形方 法’尤其是有關於一種對於環境衝擊小、生成粉末性質穩 定’且能有效控制粒徑的微奈米粉末之成形設備及成形方 法。 【先前技術】

目前醫藥活性物質的顆粒大小，對於藥物物質能否被 有效利用吸收有著極重要之影響，尤其對於微小藥物顆 粒，通常具有比較高的溶解速率，如運用在生物體内將能 快速溶解且有效被吸收利用，進而增加藥物的使用效率， 相對減少藥物的使用劑量，故能以比較少的劑量達到相同 ^醫療果。除此之外，藥物的微粒化(micrQizati〇n)也 能改變_作用的途徑，係例如在治療肺部或氣管相關疾 病時可藉吸入樂物微粒於患部直接發生作用，而非以口 或/射除了增加藥物的治療效果外，也能減少因口服 或注射造成的副作用。 目前傳統的奈米粉體微細化製造技術包括有，物理老 二液體反溶劑再結晶、化學方法包含冷咖 1中Γ ·倾賴或—種以上㈣法配合使用< 晶性質=研磨碾碎之過程令’係會破壞粉體表面與、結 而1二=蛋白質分子且無法獲得均句的粒徑粉體。 要使用4= 留之疑慮困擾’係如脅霧乾燥法需 q 00C之南溫，許多藥物不能耐受如此高溫， 1311497 尤其蛋白質之類藥物製程須低於50°C以下，才可維持分子 的穩定。冷凍乾燥法急速冷凍亦會破壞蛋白質與胜肽分子 結構。液體反溶劑再結晶法則使用大量溶劑。因此，這些 傳統造粒方法都有相當的缺點存在，如使用大量溶劑造成 的環保問題、熱不穩定藥物的熱分解、藥物的化學性質改 變、微量殘留溶劑、溶劑污染、研磨破壞表面與結晶性質、 顆粒大小及分布不易控制等。 而利用超臨界流體進行材料顆粒製造，則具有對環境 衝擊小，且能得到無溶劑殘留的顆粒，不用再經繁複的後 處理等優點。因此，應用超臨界流體技術於醫藥顆粒製造 方面，則成為最近相當熱門的研究主題之一。由於許多氣 體包括二氧化碳均可做為超臨界流體，且二氧化碳具有無 毒、無色、無臭、不燃性、無腐蝕性、不需廢水處理、對 人體無害、對環境友善及易於達到臨界點（Pc=73.8bar， Tc=31.1°C)等優點，因而最常被使用。 習知運用超臨界流體技術與一微粉溶液接觸，此微粉 溶液其係由粉體溶質溶於溶劑中製成，當溶劑融入超臨界 流體中，其係為抗溶劑，則粉體溶質因過飽和而沉析於反 應槽中，然而，此技術雖能因微粉溶液具霧化且微細化顆 粒之效果，達到奈米等級且其粒徑分佈範圍較窄，但由於 其需延長抗溶劑與溶劑之接觸時間，故需將抗溶劑與溶劑 之反應槽加長或加大，另外製程中抗溶劑流體漂淨（rinse) 時間也須加長才可獲得乾燥粉體。再者，反應槽中收集之 為微奈米粉體，常因顆粒粒徑過小或顆粒過多而隨著抗溶 6 1311497 劑被攜出，而無法停留於反應槽内，進而造成收集困難與 管線阻塞，且若應用於大量產出粉體時，更會導致製程效 益降低。 因此，針對上述的粉體粒徑問題，除了改善抗溶劑與 溶劑之接觸時間，及反應槽之作業條件外，習知的作法還 有以超音波應用作為霧化裝置，希望能藉由能量之提升以 促進霧化效果，但研究顯示此種方式卻沒有明顯之效益。 另外，習知作法也有將微粉溶液與抗溶劑流體，於超 臨界狀態下流過具薄片二氧化鈦之不銹鋼圓長管中，使微 奈米粉體、溶液與抗溶劑流體分離，達收集粉體之效，不 過過濾分離裝置雖能分離藉以收集微奈米粉體，但其無法 運用於大量產出微奈米粉體，因其容易造成收集過程之阻 塞，使得過濾分離效能降低，且更甚者無法篩選分離微奈 米粉體之粒徑，此時所收集之粉體係為粒徑分布範圍較大 之粉體，所以如何重新設計一種微奈米粉末之成形設備及 成形方法，其係對於環境衝擊小、生成藥物性質穩定，且 能有效控制粒徑分布大小的造粒技術，即為業者研發之標 的。 【發明内容】 鑑於上述習知技術之問題，本發明係提供一種微奈米 粉末之成形設備及成形方法，用以解決習知成形設備及成 形方法，係無法獲得粒徑分布大小、品質一致之缺失，同 時也改良習知技術之過濾分離裝置，無法適用於大量產出 之缺點。 7

Claims (1)

1. 午讀專利範圍T~ ................ 1. 一種微奈米粉末之成形設備，係運用一高密度相流體作 為抗溶劑，用以製作成形微奈米粉末，該微奈米粉末之 成形設備係包含： 一高密度相流體供應單元，係用以承置該高密度相 流體作為該抗溶劑； 一溶液承置單元，係用以承置一微粉溶液，該微粉 溶液係由一微奈米粉末溶於一適當溶劑製成； 一晶析反應單元，該晶析反應單元包含一晶析反應 槽，該晶析反應槽更包含至少一緩衝件；以及 二分離收集槽，係分別用以分離及收集該微奈米粉 末，該些分離收集槽係分別包含至少一篩網。 2. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設備， 其中該高密度相流體供應單元依序更包含一高密度相流 體預冷裝置、一高密度相流體預熱裝置及一高壓液態幫 浦，該高密度相流體預冷裝置係用以維持該高密度相流 體為液化狀態，該高密度相流體預熱裝置係用以控制該 高密度相流體為超臨界狀態，且運用該高壓液態幫浦導 入該ifj密度相流體進入該晶析反應早元之該晶析反應 槽。 3.如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設備， 其中該溶液承置單元更包含一溶液承置槽及一高壓液態 幫浦係連接於該溶液承置槽，用以將該微粉溶液導入該 1311497 晶析反應單元之該晶析反應槽。 4. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設備， 其中該晶析反應單元更包含一溫控單元，用以控制該晶 析反應槽之溫度。 5. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設備， -其中該晶析反應單元更包含一背壓調整裝置，該背壓調 „ 整裝置係與該晶析反應槽連接設置，用於控制該晶析反 應槽在一適當壓力，當壓力超出設定值，即自動釋放過 ，高壓力。 6. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設備， 其中該微奈米粉末之成形設備更包含一氣液分離裝置， 用以分離該高密度相流體與該溶液。 7. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設備， 其中該高密度相流體之相態包含超臨界態、亞臨界態或 液態。 H 8.如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設備， 其中該高密度相流體係為二氧化碳、氮氣、曱烷、乙烷、 丙烷或氮氧化物之惰性氣體或其混合物。 9. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設備， 其中該微奈米粉末係為藥粉、有機物或高分子聚合物。 10. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設 備，其中該適當溶液係為甲醇、乙醇、水、氯仿、二甲 砜、丙酮、曱苯或其混合物。 11. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設 16 1311497 備，其中該篩網之網徑尺寸係為1 // m〜20 /z m。 12. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設 + 備，其中該緩衝件係為金屬材質。 13. 如申請專利範圍第12項所述之微奈米粉末之成形設 •.備，其中該金屬材質係為不銹鋼。 - 14.如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設 . 備，其中該緩衝件係為上下傾斜交錯於該晶析反應槽中 之複數隔板。 • 15.如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設 備，其中該緩衝件係為一環繞於該晶析反應槽中之板 件。 16. 如申請專利範圍第1項所述之微奈米粉末之成形設 備，其中該缓衝件係為上下排列於該晶析反應槽中之複 數濾板。 17. 如申請專利範圍第14項所述之微奈米粉末之成形設 φ 備，其中該些隔板呈長形鰭狀或圓形。 18. 如申請專利範圍第17項所述之微奈米粉末之成形設 備，其中該些濾板上係能再置放濾紙。 19. 一種運用於微奈米粉末成形設備之晶析反應單元，該晶 析反應單元包含一晶析反應槽供一高密度相流體及一 微粉溶液導入，該晶析反應槽包含： '至少一緩衝件，以增加該高密度相流體及該微粉 溶液兩者之接觸面積與接觸時間；以及 一溫控單元，用以控制該晶析反應槽之溫度。 17 1311497 20. 如申請專利範圍第19項所述之運用於微奈米粉末成形 設備之晶析反應單元，其中該緩衝件係為一環繞於該晶 析反應槽中之板件。 21. 如申請專利範圍第19項所述之運用於微奈米粉末成形 設備之晶析反應單元，其中該缓衝件係為上下傾斜交錯 排列於該晶析反應槽中之複數隔板。 22. 如申請專利範圍第19項所述之運用於微奈米粉末成形 設備之晶析反應單元，其中該緩衝件係為上下排列於該 晶析反應槽中之複數濾板。 23. 如申請專利範圍第22項所述之運用於微奈米粉末成形 設備之晶析反應單元，其中該些濾板上係能再置放濾 紙。 24. 如申請專利範圍第19項所述之運用於微奈米粉末成形 設備之晶析反應單元，其中該缓衝件係為金屬材質。 25. 如申請專利範圍第24項所述之運用於微奈米粉末成形 設備之晶析反應單元，其中該金屬材質係為不銹鋼。 26. —種微奈米粉末之成形方法，係運用一高密度相流體作 為抗溶劑，用以製作成形微奈米粉末，該微奈米粉末之 成形方法係包含下列步驟： 提供一高密度相流體，係由一高密度相流體供應 單元供應該高密度相流體作為該抗溶劑； 提供一微粉溶液，係由一溶液承置單元承置，且 該微粉溶液係由一微奈米粉末溶於一適當溶劑製成； 導入高密度相流體及微粉溶液進入一晶析反應單 18 1311497 一該晶析反應單元包含一晶析反應槽，該晶析反應槽 更包含至少一緩衝件； 二進行微奈米粉末成形反應，該高密度相流體與該 微粉溶液係於該晶析反應槽且通過該緩衝件進行反 應’用以該微奈米粉末被析出；以及 進行刀離收集作業，係藉由二個分離收集槽分別 ^分離及收集該微奈米粉末，該些分離收集槽係分別 包含至少一篩網。 27· ^申請翻範㈣26項所述之微奈米粉末之成形方 / ’其中該高密度相流體之㈣變化包含超臨界離 臨界態或液態。 〜、 28.Ϊ申利範圍第26項所述之微奈米粉末之成形方 /其中該南密度相流體係為二氧化峻、氮氣、甲卜 乙燒m氮氧㈣之惰性氣體或魏合物。70 ^申^專利範㈣26項所述之微奈米粉末之成形方 :，。其中該微奈米粉末係為藥粉、有機物或高分子聚合 3°·:申=利範圍第26項所述之微奈米粉末之 去，其中該適當溶液係為曱醇、乙醇、 & 砜、丙_、甲苯或其混合物。 &仿、二曱 礼如申請專利範圍第26項所述之微奈米 其中該方法更包含進行氣液分離作業步驟= 乳液分離裝置以分離該高密度相流體與該溶液。糸運用 19