TWI305001B - Method of manufacturing dichroic filter array - Google Patents

Description

^05001 j ΡΡΓ、 ·--·---—— 97-10-24 .—— 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種濾光膜層的形成方法，且特別是 有關於一種分色慮光陣列的形成方法。 【先前技術】 近年來，各種顯示器廣泛地應用於日常生活上，如電 視、電腦、投影機、手機以及個人影音配件等，其包含^ 晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCD)、場發射顯示 器（Field Emission Display，FED)、有機發光二極體 (Organic Light Emitting Diode，OLED)、以及電漿顯 示器（Plasma Display Panel，PDP)。 各類型顯示器的差異在於其成像方式，其中一種為利 用光源、一些稜鏡組所構成的光學元件以及多個對應各個 光束之面板(panel)，其原理為稜鏡組利用將光源（白光)分 成紅光、綠光以及藍光(R，G, B)三原色光束後，再分別二 由三個面板的調變以搭載影像訊號於三道光束中，最後= 由雙向稜鏡與鏡頭等光學元件合成影像。而上述三個面板 疋一種微型顯不器（micr〇_diSplay)。 微型顯示器可以應用於各類型顯示器，如液晶顯示器 或是有機發光二極體顯示器。而微型顯示器可以架構於不 同基板上，因此成像方式也不同。舉例來說，微型顯示器 應用於液晶顯示器中稱為微型液晶面板，其可分為穿遂式 液晶微型顯示面板與反射式液晶微型顯示面板兩大類，穿 透式液晶微型顯示面板大都架構於玻璃基板上，而反射式 5 1305001 18703twf.doc/006 液晶微型顯示面板則常見架構於矽基板上，又稱作單晶矽 反射液晶面板（Liquid Crystal on Silicon display panel， LCOS display panel)，利用矽晶圓作為基板的LC〇s液晶 ，板是以金氧半電晶體(M0S transist〇r)取代傳統液晶顯示 崙的薄膜電晶體，而其晝素電極⑦匕以dectr〇de)是以 材質為主。 义然而，為了進一步降低成本以及縮小顯示器的體積， 目刚業界正朝著將三片面板縮減成兩片甚至—片的目標研 發，、而當使用兩片或-片面板時，就必須將三原色光束合 併成兩運或-道’也就是說抵達面板的光束包含二至三原 二因:二：須在面板(即微型顯示器)上增設不同的濾光 、曰：匕3 一至二原色的光束分離，亦即在面板上製作 =色的分色濾光陣列。但是，分色濾光陣列的製程 當複雜且_，使得製程花肢多步驟與時間。~ 【發明内容】 有鑑於此 列的形成方法，以光陣 的分色濾、光單元交錯· 3=心“置兩種不同原色 本發明的另-目的是提供_種分 =發明提出-種分色4光陣列的形成方法 c於微型顯示器中。此方法是先於基底上 刀色濾、光材枓層。接著，於第一分色濾'光材料層上， I305mmm :成圖案化雜層。織，移除暴露的第-分色遽光材料 每“以形成多個第一分色濾光單元。繼之，於基底與圖案 化光阻層上形成第二分色濾光材料層。隨後，移除圖案= 化光阻層上之第二分色濾光材料層，“ —刀色遽光單元之間的第二分色濾光材料層轉換為多 二分色縣單元’其中第—分色濾、光單元與第二分色 早70組成分色濾光陣列。 〜 ，本發明的—實施例所述，於上述中形成第 ΐ 之後，更包括於第—分色濾光材料ί 更包括移除第—分色濾光單元上的硬罩 更罩幕層㈣質包括氮切、氧切或氮氧化石夕。 透明2本發明的—實施例所述，上述之基底例如是選自 2基板與石夕基板所組成之族群其中之一。其中，雜 有控制兀件，用以控制分色濾、光陣列。 " 層與圖案、=3上:之移除圖案化光阻 離法⑽-off)。 —刀色遽先材料層的方法包括剝 依照本發明的—實施例 分色濾光材料層的方法包括二=之移除暴露的第一 乾式餘刻製程。 *阻層為罩幕，進行 料層述之第-分色濾先材 化”層交替堆疊氧 1305001 18703twf.doc/006 濺鑛法或化學氣相沈積法。 ，照树明的—實施例所述，上述之第一分色濾光翠 兀與弟-为色濾光單元的滤光波段不同。 本月提A I重分色濾光陣列的形成方法。此方

括先於基底上形成第一八Α、忐上上丄，丨R L 色濾光材料層上，二：色ίί材料層。接著，於第1 露的第-一圖案化光阻層。然後，移除暴 巴I九材枓層，以形成多個第一分色濾光罩 *妯:it ’：基底與第—圖案化光阻層上形成第二分色濾 曰。？後，移除第一圖案化光阻層以及第-圖案;: 間的i亡色濾光材料層’將第-分色濾光單元之 刀色濾光材料層轉換為多個第二分色遽光單元， 減』?色_單元與第二分色遽光單元組成第―分色 光阻Α。之ί ’於第—分色濾光陣列上，形成第二圖案 第-八移除暴露的第—分色濾光陣列，以形成 光陣列，並暴露部分基底。然後，於基底4 第二i幸化三分色濾光材料層。_ ’移除 光材= $二®雜絲層上之第三分色濾 声轉換二將分色濾光陣列之_第三分色濾光材 分=光單元，其中第韻光= 色濾光早凡組成—第三分色濾光陣列。 濾光气:的一實施例所述，於上述中形成第-分色 :，形成第，更包括於第-分色濾光材料層 光阻層ism:之後’於上述中移除第一圖案化 ㈢的步驟之後，更包括移除第—分色遽光單元上的第 703twf.doc/006 1305001 18703tv -硬罩幕層。其中’第-硬罩幕層的材質包括氮化石夕 化矽或氮氧化矽。 依照本發明的一實施例所述，於上述中形成第一分色 遽光陣列的步驟之後，更包括於第一分色遽光陣列上^形 成第二硬罩幕層。之後，於上述中移除第二圖案化光阻^ 料驟之後，更包括移除第二分色濾光陣列上的第二硬^ 幕層。其中，第二硬罩幕層的材質包括氮化矽、氧化 鼠氧化碎。 、依照本發明的-實施例所述，上述之基底例如是選自 透明基板與矽基板所組成之族群其中之一。其中，矽美板 中有控制元件，用以控制分色濾光陣列。 土 依照本發明的-實施例所述，上述中移除第一圖案化 光阻層與第-圖案化絲層上之第二分色濾光材料層的方 法包括剝離法(lift-off)。 依照本發明的-實施例所述，上述中移除第二圖幸化 ^層與第二圖案化光阻層上之第三分色縣材料層的方 法包括剝離法(lift-off)。 依照本發_ —實闕所述，上述巾移除暴露的第一 刀色遽光材料層的方法包括以第—_化光阻 進行一乾式蝕刻製程。 ”、、 依照本發明的—實施例所述，上述中移除暴露的第一 Γ_色遽光陣列的方法包括以第二圖案化光阻層為罩幕，進 仃一乾式钱刻製程。 依照本發明的一實施例所述，上述之第-分色濾、光材 1305001 18703twf，d〇c/QQ^ = &濾光材料層與第三分色濾光材料層包括氧 與氣切薄層交替堆疊形成之疊層，其形成方法 u括崧鍍法、濺鍍法或化學氣相沈積法。 元、ί照本發_〜實施例所述，上述之第-分色濾、光單 同。乐-分色渡光單兀與第三分色濾光單元的濾光波段不 本發縣微魏4上增設分色濾鱗列，此分色濟 ^陣^具有兩独上不同濾級段之分色―單元，因此 =心需使用兩χ甚至—片微型顯示器，以降低成本並 =縮小體積。另外，分色濾光陣列的製作過程大幅簡化， =體積小之多色濾、光陣列元件可以快速完成。而分色濾 可、列中的每一個分色濾光單元的厚度均勻且表面平坦， 微型喊不器的良率。此外，分色慮光陣列的厚度 能茜求而設計，使顯示器達到最佳用電f與最佳濾光效 為襄本a月之上述和其他目白卜特徵和優點能更明顯 明如下Γ文特舉較佳實施例，並配合所_式，作詳細說 【實施方式】 器的成本以及縮小其體積，本發明將微 色弁击了、#里減シ，也就是合併入射至微型顯示器的原 須如不個微型顯示器接收兩種以上的原色，就必 不同慮光波段的分色濾 成數個單元，每個相鄰之單元接收二色光束，接;^ 10 I3〇5〇〇i 18703twf.doc/006 接受數位處理以成像。 圖1A至圖ID為依照本發明之一實施例所繪示之分色 濾光陣列的形成方法之結構剖面示意圖，此種分色濾光陣 列例如是適用於微型顯示器中。

首先，請參照圖1A，於基底1〇〇上形成第一分色濾光 材料層110。然後，於第一分色濾光材料層110上形成光 阻層130。其中，基底1〇〇例如是選自透明基板與矽基板 所組成之族群其中之一，視其所製程之元件應用之顯示器 的種類，且基板中通常已形成有所需之材料層或積體電 路，如矽基板中有控制元件，用以控制後續形成之分色濾 光陣列。舉例來說，單晶矽反射液晶面板(LC〇s)使用矽基 板，矽基板令有互補式電晶體之積體電路，而矽基板上依 序設置有反射單元陣列、液晶層等材料層。 另外，第一分色濾光材料層11〇例 交=的疊層，其材質可以是顺= 相沈積法it?可以是蒸鑛法、濺鑛法或化學氣 化矽_交替雄_中’例如是由氧化鈦薄層與氧 遠光：St之疊層。值得注意的是，第-分： 元件_ «必須增強光源，增加整個 薄膜堆疊方式形響遽光效能，因此以多層 控制所形成之色》光材料層m’比較容易 濾光效能。’以控制顯示器之用電量，且達到最佳 在一實施例中 运可以於形成光阻層m前，在第 1305001 y7.10Γ24 - 年月曰修(¾正替換頁 97-10-24 的上’形成硬罩幕層120。硬罩幕層120 线切、氧切錢氧切。賴硬軍幕層 ^ 77色;慮光材料層110之上，使後續移除第一 t色，光材料層11G上之光阻層13G時，不致使移除時使 用之洛劑直接傷害第—分色濾、光材料層 110的表面。 接者明參妝圖1B ,將光阻層130圖案化，以形成圖 :光阻層I32，並暴露欲形成另一種濾光波段之分色濾 位置中的第—分色據光材料層11G。然後，移除暴 蕗的第为色濾光材料層110與其上之硬罩幕層12〇，以 形成夕個第一分色濾光單元112與硬罩幕層122。其中， 移除暴露的第一分色濾光材料層110與其上之硬罩幕層 12〇的方法例如是以圖案化光阻層132為罩幕，進行乾 蝕刻製程。 繼之，睛參照圖1C，於基底1〇〇與圖案化光阻層 上形成第二分色濾光材料層140。第二分色濾光材料層14〇 例如是以不同材料層交替堆疊形成之疊層，其材質可以是 金屬薄膜、介電材料層等，因此其形成方法可以是蒸鍍法、 濺鍍法或化學氣相沈積法。在一較佳實施例t，例如是由 氣化欽薄層與氧化矽薄層交替堆疊形成之疊層。其中，第 —分色濾光材料層140與第一分色濾光材料層110的濾光 f段不同。而第二分色濾光材料層140同樣以多層薄膜堆 雙方式形成，以控制顯示器的用電量及濾光效能。 隨後，請參照圖1D，移除圖案化光阻層132以及圖案化 光阻層132上之第二分色濾光材料層140，將第一分色濾光 12 I3〇5〇Q1moc/006 二:色濾光材料層i4°轉換為多個第二 幕層m。其t 2 =t㈣光單元⑴上的硬罩 刀色遽光單元112斑第-公ώ、、考·^ 單元142組成分色濾光陣列15〇。 /思 rrA^f之 1剝綠法疋利用選擇性之有機溶液，如Αζ顯影 ί。士Γ1 ’或丙_’與圖案化光阻層132進行化學反 )物=材料會與有機溶液行化學反應而產生膠狀 ^^^’^便/彻此步騎®案化光阻層132 連— *色濾光材料層⑽ 是，因制具麵雜之有機騎，再加 =濾光_ 15〇’㈣成厚度不均勻或表面不平 =別的是’圖案化触層132與其上之第二分色 材枓層14 0疋利用剝離法同時移除，可以簡化習知中开^ 多色的分色濾、光陣狀繁複的餘步驟 體^ 小之分色濾输U5Q。料，分色濾输⑽^， 層不„膜交替堆疊，再加上其上之圖案化光“ 132使用剝^法移除，使每個第一分色渡光單元ιΐ2與 二分色遽光I元142都有相同厚度且表面平坦。如此— 來’可以加_示器的良率，而且厚度也可設計在能 顧用電量以及濾光效能之範圍内。 衆 13 1305001 18703twf.d〇c/006 力Γ’乐々^峨、工平凡興弟二分色濾光單元142 的濾光波段不同，也就是其所能穿透的波長不同，因此分 色濾光陣列150使對應的基板1〇〇中的每個單元接收不同 波長的光，接著再進行數位處理。因此，一塊微型顯示器 便能同時處理兩種原色之光束，可降低成本與縮小體積。 圖2 A至圖2 Η為依照本發明之另一實施例所緣示之分 it光成方法之結構剖面示意圖，此種分色濾'光 陣列例如疋適用於微型顯示器中。 材料請ΪΪ圖Μ，於基底細上形成第—分色濾、光 才，2U)。然後，於第—分色濾光材料層21()上形成光 二=;4:中基底200例如是選自透明基板射基板 的種類，且Ϊ板^應用之顯示器 板中有互補式電使时基板，石夕基 π反锦式冤日日體之積體電路，而 反射單元陣列、液晶層等材料層。i板上依序设置有 另外，第一分色濾光材料屑 特點已於上述實施例中提^ 々材科、形成方法與 在戶、鈿例中，還可以於形成光阻屉？如义 分色濾光材料層210上，形成硬罩幕θ月”在第— 的材質例如是氮化矽、氧硬罩幕層220 220位於第—分色滤光材料層切。形成硬罩幕層 分色遽光材料層21〇上之光“’使後續移除第― 曰0%，不致使移除時使 1305001 18703twf.d〇c/006 用之^直接傷害第-分色遽光材料層21〇的表面。 =@請參照圖2B，將光阻層挪圖案化 =化先阻層232,並暴露欲形成第 =

=位置中的第一分色細料層21:先：之二J 二”二色_層21。與其中的硬罩幕層= 露的硬罩幕層222 °移除暴 ㈣Ϊ色^慮先材料層1〇與硬罩幕層細的方法包括 • 圖木化光阻層232為罩幕，進行一乾式钱刻製程。 上：Ϊ ^ fig底_與圖案化光阻層攻 上形成罘二分色濾光材料層24〇。第二 以不騎料層交替堆疊形成之疊層;材質可曰以是 • 至屬潯膜、介電材料層等，因此其形成方法可以日γ #、+ •=法或化學氣相沈較佳實施例中；^；：是由 化鈦缚層與氧化㈣層交替堆疊形成之疊層。1中，第 光材料層240與第一分色濾'光材料層21〇、的濾光 參广第二分色濾光材料層24G同樣以多層薄膜堆 零宜方式形成’以控棚示器之用電量與渡光效能。 、/遗後，請參照圖2D，移除圖案化光阻層232以及 ^光，層232上之第二分色濾'光材料層240，將第-分色 =光單兀212之間的第二分色濾光材料層24〇轉換為多個 ί單元242。移除圖案化光阻層232與圖案化 e 上之弟二分色濾光材料層240的方法例如是剝 之後’移除第一分色濾、光單元212上的硬罩幕芦 2°其中’第-分色遽光單元212與第二分色滤光單; 15 I305QA1 ；wf.doc/006 242組成第-分色遽光陣列25〇。 或丙:用選擇性之有機溶液，如AZ顯影液 料會與有機學反應」由於光阻材 用此步驟將圖案化光阻層’因此便可利 料声240 —扭在丨雜 θ 八上之弟一分色濾光材 溶i，再加上:巧二特別的ΐ:因使用具有選擇性之有機 保確，因二刀色濾光單7^ 212上尚有硬罩幕層222 成厚—二 色遽光陣列25°’而造 光阻=請分色濾光陣列250上形成 以於第-八中’形成光阻層27G之前，還可 言萑ί二^陣列250上，形成硬罩幕層·，以保 ς : «光陣列250在後續移除其上之光阻層別 例如^移除時所使用之溶劑傷害。硬罩幕層260的材質 如疋氦化矽、氧化矽或氮氧化矽。 宰化2二參:圖2F ’將光阻層270圖案化，以形成圖 θ 並暴露欲形成第三種濾光波段之分色濾 =父=^分_列25°。接著，移除暴露' 松罘刀色遽光陣歹,J 250與其上之硬罩幕層26〇，以形 罘一分色濾光陣列252與硬罩幕層262，並暴霖 ^ :。移除暴露的第—分色濾糾列，與硬罩幕層 刻製^例如是以_b光阻層272為罩幕，進行—乾絲 然後，請參照圖2G ,於基底200與圖案化光阻層272 J6 I3050Q1 18703twf.d〇c/006 上形成弟三分色濾光材料層。第_ 例如是以不同材料層交替堆疊形成=色遽光材料層测 金屬薄臈、介電材料層等，因此直定日，其材質可以是 賤鍍法或化學氣相沈積法_:較f 是蒸錄法、 三分色濾、光材料層盘第二八=士之豐層。其中，第 分色、清"弟一色濾光材料層240及第一 刀色指層210的濾光波段皆 ΜΜμ 280 n ^ Β 白不冋。而弟三分色濾光 ㈣層280同樣以多層薄膜堆 之用電量及濾纽能。 以控制顯不盗 而後，請參照圖2Η，蒋昤阁安/μ + „ „ 化光阻幻77 4 —私除圖木化先阻層272以及圖案 弟三分色遽光材料層·，將第二分色 ，陣=之_第三分色_才料層28〇轉換為多個 f二分色濾光早疋282。移除圖案化光阻層272與圖案化 雜阻層272上之第三分色濾光材料層28〇的方法例如是剝 法之後，移除第—分色濾光陣列252上的硬罩幕層 262。其中，第二分色濾光陣列252與第三分色濾、光單^ 282組成一第三分色濾光陣列290。 剝離法所使用之原理、方法與材料例如是與圖2D所 提及之相同，因此亦不會造成第三分色濾光陣列29〇有厚 度不均勻或表面不平坦的現象。特別的是，圖2D與圖2Ή 之步驟中，皆利用剝離法同時移除圖案化光阻層與其上之 分色濾光材料層，因此可以簡化習知中形成多色的分色濾 光陣列之繁複的製程步驟，並且快速完成體積小之第三分 色濾光陣列290。 17 1305001 1 S703twf.d〇c/〇〇5 值侍一提的是，第一分色濾光單元210、 光單=24〇與第三分色濾光單元π㈣濾光波段皆不同❿ 2也穿制波長不同，因此第三分色滤光陣列 ^對應的基板2GG中的每個單元接收不同波長的光， 行數位處理。如此—來，—塊微型顯示器便能同 了，種原色之光束，因此整個顯示器只需使用一塊微 賴不器，以降低成本與縮小體積。另夕卜第三分色遽光 陣列2%是以多層不同材質之薄膜交替堆疊，再加上^上 之圖f化雜層272使用觸法移除，因此每個第-分色 慮光單兀212、第二分色濾光單元242與第三分色濾光單 元282都有相同厚度^表面平坦，以加強顯示 器的良率， 而且厚度可設計在㈣兼_電量錢光效能之範圍内。 綜上所述，本發明至少具有下列優點： 、丨.藉由剝離法同時移除圖案化光阻層與其上之分色 遽光材料層，可以大幅簡化分色濾光陣列的製程步驟，並 快速完成體積小之多色濾光陣列元件。 2.在微型頒示盗上增設分色濾光陣列，此分 =具有兩種以上不_、級段之分色濾光單元，㈣顯^ 為只需使用兩片甚至—片微型顯示器，以降低成本並可以 縮小體積。

—3·分色濾、光陣列中的每—個分色㈣單元的厚度均 勻且表面平：t一可以加強微型顯示器的良率，而且其厚度 可設計在能夠兼顧用電量與濾光效能之範圍内。 X 雖;」本散月已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 ]8 1305001 '10； 4 咳(象)止替换 97-10-24 限定本發明，任何熟習此技藝者，， 和範圍内，當可作些許之更動朗_ =之精神 範圍當視_之中料職圍所界定者鱗本發明之保護 【圖式簡單說明】 圖1A至圖1D為依照本發明之—實施例所繪示之分色 濾光陣列的形成方法之結構剖面示意圖。 刀 圖2A至圖2H為依照本發明之另一實施例所繪示之分 色濾光陣列的形成方法之結構剖面示意圖。 刀 【主要元件符號說明】 100、200 :基底 110、210 :第一分色濾光材料層 112、212:第一分色濾光單元 120、220、260、122、222、262 :硬罩幕層 130、230、270 :光阻層 132、232、272 :圖案化光阻層 140、240 :第二分色濾光材料層 142、242:第二分色濾光單元 150 :分色濾光陣列 250 :第一分色濾光陣列 280 :第三分色濾光材料層 282 :第三分色濾光單元 290 :第三分色濾光陣列 19

Claims (1)

1305001 年月 97-10—24 十、申請專利範圍： L 一種分色濾光陣列的形成方法，該方法包括·· 於一基底上，形成一第一分色濾光材料層； 於該第—分色濾光材料層上，形成一硬罩幕層； 於該硬罩幕層上，形成一圖案化光阻層； 移除暴露的該硬罩幕層與該第一分色濾光材料層， 形成多數個第—分色濾光單元； 於該基底與該圖案化光阻層上，形成一第二分色 材料層；以及 咏先 移除該圖案化光阻層以及該圖案化光阻層上之磙^ ,分色濾、赌料層，將該些第—分色絲單^之間的言^ 二分色濾請料層轉換為多數個第二分色濾光單^^ 該些第-分色濾光單元與該些第二分色絲單元 = 色濾光陣列。 λ 分 2么如申請專利範圍第1項所述之分色濾料 成方法’於移除該圖案化光阻層 ， 該些第-分色濾光單元上_硬軍幕層。更^括移除 3. 如申請專利範圍第丨項 成方法，其中該硬罩幕層的材質^刀^陣列的形 氧化石夕。 Μ括祕梦、氧切或氮 4. 如申請專利範圍第！項 成方法’其中該基底是選自刀色濾光陣列的形 之族群其中之一。 月基板與—矽基板所組成 5. 如申請專利範圍第4 喟所述之分色濾光陣列的形 20 1305001 :終)正替換K, ! »7.10.24 丨年月 h I_____:一 97-10-24 成方法，其巾該絲板巾具有控制元件，Μ控制 濾光陣列。 、6.如㈣專利範圍第i項所述之分色濾光陣列的形 成方法，其中移除該圖案化光阻層與該圖案化光阻層上之 該第二分色濾光材料層的方法包括剝離法(Hft_〇均。 7·如中請專利範圍第！項所述之分色濾光陣列的形 ’其中移除暴露的該第—分色濾、光材料層的方法包 括以該_化級層為罩幕，進行—乾式_製程。 8如申料魏圍第丨項所述之分色縣陣列的形 料^ ’其中該第—分色據紐料層與該第二分色濾、光材 广、：的材質包括由氧化鈦薄層與氧化石夕薄層交替堆疊形成 之登層。 /如申凊專利範圍第丨項所述之分色濾光陣列的形 去\其中該第一分色濾光材料層與該第二分色濾光材 '層的形纟方法包括蒸鍍法H去或化學氣相沈積法。 10.如申凊專利範圍第1項所述之分色濾光陣列的形 、方法，其中該第一分色濾光單元與該第二分色濾光單元 的濾光波段不同。 u·—種分色濾光陣列的形成方法，該方法包括： 於—基底上，形成一第一分色濾光材料層； 於該第—分色濾光材料層上，形成一第一硬罩幕層； 於該第一硬罩幕層上，形成—第一圖案化光阻層； 移除暴露的該第一硬罩幕層與該第一分色濾光材料 層，以形成多數個第一分色濾光單元； 21 1305001 沢 1〇· 2 4 97-10-24 於該基底與該第一圖案化光阻層上，形成一第二八 濾光材料層； ―刃 移除該第一圖案化光阻層以及該第—圖案化光阻層 上之該第二分色濾光材料層，將該些第—分色濾光單元2 間的該第二分色濾光材料層轉換為多數個 ^ 元，其中該些第-分Μ光單元與該的二奸^單^ 組成一第一分色濾光陣列； 於該第为色濾光陣列上，形成一第二圖案化光阻 層； ’、 移除暴露的該第一分色濾光陣列，以形成一第二分色 濾光陣列，並暴露部分該基底； 於該基底與該第二圖案化光阻層上，形成一第三分色 濾、光材料層；以及 移除該第二圖案化光阻層以及該第二圖案化光阻層 上之一刀色濾光材料層，將該第二分色濾光陣列之間 的該第三分色濾光材料層轉換為多數個 中該第二分色縣陣列與該些第三分-色 成一弟二分色濾光陣列。 心、1 如中^專利範圍第^項所述之分色濾、光陣列的 ^ ,，於移除該第一圖案化光阻層的步 括移除該些第一分色渡光單元上的該第更包 專利範圍第11項所述之分色濾光陣列的 其中該第―硬罩幕層的材f包括氮化砍、氧化 矽或虱乳化石夕。 22

97-10-24 1305001 14.如申叫專利範圍第11項所述之分色濾光陣列的 形成方法，於形成該第一分色濾光陣列的步驟之後，更包 括於該第一分色濾光陣列上，形成一第二硬罩幕層。 ,I5·如申睛專利範圍第14項所述之分色濾光陣列的 形成方法，於移除該第二圖案化光阻層的步驟之後，更包 括移除該些第二分色濾光陣列上的該第二硬罩幕層。 16.如申5月專利範圍第14項所述之分色濾光陣列的 成方法，其中该第二硬罩幕層的材質包括氮化石夕、氧化 石夕或氮氧化矽。 17·、如中請專利範圍第n項所述之分色滤光陣列的 成之其^中該基底是選自一透明基板與一矽基板所組 形成18.、如申請專利範圍第17項所述之分色濾光陣列的 =八方法，其中該矽基板中具有控制元件，用以控制該第 〜$色濾光陣列。 〇 19·、如申請專利範圍第u項所狀分色濾光陣列的 光陡方法其中移除该第一圖案化光阻層與該第一圖案化 (11 ft且二上之該第二分色濾光材料層的方法包括剝離法 20·、如申請專利範圍第u項所述之分色丨慮光陣列的 光随方法，其中移除該第二圖案化光阻層與該第二圖案化 (lift oS)上之5亥第二分色濾光材料層的方法包括剝離法 21·如申請專利範圍f η項所述之分色濾光陣列的 23 1305001 j卜 97-10-24 $成方法’其中移除暴露的該第一分色濾光材料層的方法 括乂該第圖案化光阻層為罩幕，進行一乾式餘刻製程。 刑22.、如申請專利範圍第11項所述之分色濾光陣列的 、、—去其中移除暴露的該第一分色濾、光陣列的方法包 以5亥第二圖案化光阻層為罩幕，進行一乾式蝕刻製程。 3.如申清專利範圍第11項所述之分色濾光陣列的 ’其$該第—分色滤光材料層、該第二分色渡光 € 一"亥第二分色渡光材料層包括氧化鈦薄層盘氧化;^ 薄層交替堆疊形成之疊層。 化石夕 形成二請專利範圍第11項所述之分色濾光陣列的 材料、中該第—分色遽光材料層、該第二分色淚光 材料層的形成方法包括_、 形成方法，其中色的 元與該第三分Μ光單元⑽光慮光單 24