TWI301985B - Digital sensing circuit - Google Patents
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Description
13019 縊 twf.doc/〇〇6 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種記憶體中的感測電路，且特別是 有關於一種多穩態記憶元件中的數位感測電路。 【先前技術】 近年來，一種雙穩態(bistable)材料被應用於製造記憶
兀件以及開關切換器…等，此種雙穩態材料包括無機材料 以及有機材料(organic material)，且此種雙穩態材料隨著施 加於其上之電壓的不同，而在高阻抗狀態與低阻抗狀態之 間轉換。值得注意的是，將這種有機材料設置於兩電極之 間而製造出的多穩態記憶元件具有成為新一代的非揮發性 °己1¾ 7Q件的潛力。 ^對於石夕基礎元件卿—仏以十以有機材料 ^衣作的有機元件具有難之延祕射彎曲性等的優 由於有機材料幾乎可以塗佈於任何表面上，因此， 能什另2有彈性的娜基底上形成有機記憶料列成為可 更進機材料可在讀程完錢才來製作與處理， 必定有俞固故由於上述優點與特性，將來 被發(rtingmanuta^ 本顯著降2 ;冑70件的里產上’而使得有機元件的成 貝耆卜低，且應用更為廣泛。 曲線Ξ 财航㈣时觀_之理想化特性 此有t二=1憶胞？有機材料來製作，請參照圖1。 I己隐胞至少具有雙穩態特性，亦即，至少 13019¾¾ twf.doc/006 日^其職紐與料電流之__如路# n 記憶胞處於高阻抗狀態’然後施加偏壓電题、 於此有機記憶胞’則流經此有機記憶胞之4 土 超過VT1後，則此有機記憶胞:處:高 二抗狀態，而後，其偏壓電壓與傳導 阻抗狀態，且所施加之偏壓電壓為處於低 之傳導電流為L，其中，有機記憶胞 ==能則:有，憶胞又從處恤 了，隨著’圖1之特性曲線明顯地被理想化 所使用之有機材料的不同，其特性曲 超出，但基本上有機記憶體所_的特性，並不 I出上述解釋圖1之理想化特性曲線的範疇。 制作可知，制具有至少雙穩態特性之有機材料所 ::有㈡憶Γ具有彎曲包容的能力，而可以被應用 、^权电子兀件的有彈性可彎曲系統中，更重 憶=之==為現代電，用中—種最重要的電子記 憶體刻不容緩展出—種實用可行且完整的有機記 率言”且綾’而其中’發展出-種設計與佈局簡單且良 7、’谷易生產的數位感測電路更是重要關鍵。 【發明内容】 感測就是在提供—種數位感測電路，其用於 "匕體内之位元胞所儲存的位元資訊，此數位感 6 130191。祕 ==非常f，故佈局與設計的挑戰極低，可改盖生產 適用於·製程，進而組成-繼且 Κ用可灯的§己仏體元件。 τ用ίΠ的另—目的就是在提供-種數位感測電路，苴 可用於感測相變化記憶體與磁性記憶體 ^ ==1==良率 感测電路至少包括電流至電虔#' 其中電流至電_器具===;:換 =流經此電流端的傳導電流，將之轉換 而感測區塊電路輕接至上述電流至電遷轉換器 塊電路接收並根據上述電壓 ^ <1 /、品 内之位元胞_存的位=訊Μ仏域出有機記憶體 括右ff本發明的實施例所述，上述數位感測電路更可包 置至上述電流至電壓轉換器的重置區塊電路，此重 置£塊轉根據第—關訊號來重置上述電壓訊號。 流至例所述’上述數位感測電路中的電 。i轉換為。括第一電晶體以及電容，其中容且 ^端及第二端。第—電晶體之第—源 連接第―電晶趙之閘極連接;第二 雷六^ 連接至第"'電晶體之第二源/汲極， 谷弟—端連接至第一電位，而電壓訊號由電容之第一 130曜 twf.doc/006 130曜 twf.doc/006
端獲得。另外，上述重置區塊電路包括第二電晶體。此第 二電晶體之第一源/汲極連接至電容之第一端，第二電晶體 之第二源/汲極連接至第二電位，第二電晶體之閘極連接至 第厂開關訊號。其中，當第—電晶體導通時第二電晶體不 導通，且第一電晶體不導通時第二電晶體導通。舉例而言， 如果^-電晶體與第二電晶體之類型不同，則第—開二 號與第二開_罐相同；如果第—電晶體與第二電晶體之 類型相同’則第m訊號為第—開關訊號之反相。更特 定地來舉例，此第-開關訊號與第二關訊號可為時脈訊 號，則上述數位_電路此時脈訊號的責任週期，來 調整第-，晶體與第二電晶體個別的導通時間。實施例 中，上述第一電位與第二電位皆舉例為地電位。 、依照本發明的實施例所述，上述數位感測電路中的感 測區塊電路至少包括第三電晶體以及第四電晶體。第三電 晶體i第—源/祕連接至第三電位，第三電晶體之閘極連 接至第二開，訊號’ *第四電晶體之第—源/汲極連接至第 三電晶體之第二源級極’第四電晶體之第二源/汲極連接 至第:電位’第四電晶體之閘極連接至上述電壓訊號。豆 中’當第三電晶體不導通時，第四電晶體之第一源/汲極ς 出有機記憶體内之位元胞所儲存的位元資訊。實施例中， ===電路中的感測區塊電路更包括第五電晶體以 及弟，、宅日日體。弟五電晶體之第一源/汲極連接至第三帝 晶體，閘極連接至第四電晶體之第-源/汲極' 弟六電晶-之第-源/没極連接至第五電晶體之第二源級 1301· twf.doc/006 下。 【貫施方式】 圖2繪示應用本發明之數位感測電路的一種有機記憶 體的電路方塊圖’請參照圖2。此有機記憶體包括：丨個選 擇線 WL—1，…，WL—i、j 個資料線 BLJ，bl—2,…，BLJ、 位元胞陣列210、以及j個數位感測電路220 1，220 2,… 220」。而位元胞陣列210中包括多數個位元胞M(u)， M(2，l)，…，M(j，l)，…，M(l，i)，M(2，i)，···，，由圖中可 知，每一資料線與每一選擇線間至少連接有這些位元胞中 的一個，而每一數位感測電路220—1, 220—2, ..·，220」分別 連接至對應的這些資料線BL一 1，BL一2, .^BLJ。其中，為 了容易清楚地表達’故定義位元胞列B(n)為連接至第η個 選擇線之所有位元胞Μ(1,η)，Μ(2，η), ···，MG，n)，且定義位 元胞M(m，n)為連接至第m個資料線與第η個選擇線之位 元胞，上述i、j、m、η皆為大於零的正整數（自然數），且 圖3繪示本發明一實施例之一種數位感測電路的電路 方塊圖，請參照圖3。本發明所提出之數位感測電路220jn 是用來感測有機記憶體内之位元胞M(m,η)所儲存的位元 資訊’此數位感測電路220_m至少包括電流至電壓轉換器 330以及感測區塊電路34〇。電流至電壓轉換器33〇具有電 流端332 ’而電流至電壓轉換器330就是根據流經此電流 端332的傳導電流I，將之轉換成電壓訊號v。感測區塊 電路340耦接至上述電流至電壓轉換器33〇，此感測區塊 13019 紹 5twf.doc/006 電路340接收並根據電流至電壓轉換器330所輸出的電壓 訊號V，來緩衝輸出有機記憶體内之位元胞M(m，n)所儲存 的位元資訊。 位元胞M(m，n)中至少包括有機記憶胞31〇以及電晶 體322，其中，有機§己丨思胞310例如是將有機材料設置於 兩電極之間而製造出的多穩態記憶元件，故有機記憶胞可 用來儲存位元資訊，當然地，一個有機記憶胞並不限定只 能儲存一個位元的資訊。當選擇線WL一η上的訊號致動， 使電晶體322導通時’會將有機記憶胞31 〇與資料線bl m 接通。而因為有機記憶胞310處於低阻抗狀態或處於高阻 抗狀態時，流經有機記憶胞310之傳導電流大小差異極 大，所以數位感測電路220一m可以根據流經電流端332的 傳導電流I，來感測有機記憶體内之位元胞M(m，n)所儲存 的位元資訊。 子 請同時參照圖2與圖3，當第η個選擇線致動時， 元胞列Β⑻内之電晶體會將位元胞列β⑻内之有機記情胞 連接至各自的資料線上，而這些數位感測電路22〇 22U一2, ···，220J經由各自連接的資料線blj，BL 2… BLJ，來感測並讀出位元胞列Β(η)内之有機記憶胞所锉 的位元資訊。 俘 圖4Α繪示本發明另一實施例之一種數位感測電路 電路方塊圖，請參照圖4Α。此實施例之數位感測電路4〇 除了包括電流至電壓轉換器410以及感測區塊電路“Ο， 更包括了麵接至電流至電壓轉換器41〇的重置區塊電路 f.doc/006 中的第二電晶體416導通時，電容414的第一端413被強 迫重置至第二電位，此例中為地電位，故此時第一電晶體 412必須不導通。因此，如果第一電晶體412與弟二電晶 體416之類型不同，則第一開關訊號SW1與第二開關訊號 SW2相同；反之，如果第一電晶體412與第二電晶體416 之類型相同，則第二開關訊號SW2為第一開關訊號SW1 之反相。本實施例中，由於第一電晶體412與第二電晶體
416之類型不同，故更特定地使此第一開關訊號SW1與第 二開關訊號SW2同為時脈訊號CK，則本實施例之數位感 測電路調整此時脈訊號CK的責任週期，就可調整第一電 晶體412與第二電晶體416個別的導通時間。如果應用本 發明所製造的有機記憶體，因為製造時的因素而產生電器 特性飄移，例如導通電流的大小產生變化，就可調整時脈 訊號CK的責任週期，來保持數位感測電路的輸出具有一 樣的特性。
δ月、、few芩照圖4B，數位感測電路中的感測區塊電路 420至少包括第三電晶體422以及第四電晶體426。第三電 晶體42=第一源/汲極連接至第三電位，例如是電源電位 乂0?，第二電晶體422之閘極連接至第三開關訊號SW3， =弟四電晶體426之第-源/汲極連接至第三電晶體碰之 =-源/沒極，第四電晶體426之第二源/汲極連接至第_ 电位，例如是地電位，而第四電晶體 流至_器所輪出的電壓訊號 上述電路要正常運作的規狀：當第三電晶體導通 13 13019^^00/006 時，第四電晶體426隨著電壓訊號V，於其第一源/汲極輪 出有機S己憶體内之位元胞所儲存的位元資訊，故此時第— 電晶體412必須導通；相反的，當第三電晶體422導通時， 第四電晶體426的第一源/汲極被拉至第三電位，此例中為 電源電位VDD，故此時無法用來感測位元資訊。因此，本 實施例中，由於第三電晶體422與第一電晶體412之類型 相同，故第二開關訊號SW3必須為第一開關訊號SW1的 反相，以使在第一電晶體412導通時第三電晶體422不導 通。所以本實施例中，更特定地使第三開關訊號SW3為時 脈訊號的反相訊號/CK。 本實施例中，數位感測電路中的感測區塊電路42〇更 包括有由第五電晶體424以及第六電晶體428所組成的推 挽電路。第五電晶體424之第一源/汲極連接至第三電位， 例如是電源電位VDD，第五電晶體424之閘極連接至第四 電晶體426之第一源/汲極，第六電晶體428之第一源/沒 極，接至第五電晶體424之第二源/沒極，第六電晶體似 之第二源/汲極連接至第—電位，例如是地電位，第六電晶 體428之閘極連接至第五電晶體424之閘極。其中，第^ 電晶體424與第六電晶體428之類型不同，而有機記憶體 内之位το胞所儲存的位元資訊由第六電晶體428之第—源 /沒極輸出。本實施例中，第五電晶體舉例為p型電'，、 則第六電晶體舉例為N型電晶體。 本實施例中，取樣及保持電路430包括：開關432以 及由反相②434與反相器436所組成的拾鎖器。此開關432 l6455twf.doc/006 出訊號Out。 由於有機材料並不會隨著偏壓電壓消失，而改變其所 處的狀態，故應用本發明之數位感測電路的有機記憶體可 以作為非揮發性記憶體來應用。 從另一種觀點來看，本發明所提出之一種數位感测電 路並不限定於僅使用於有機記憶體，其他如相變化記憶體 或磁性記憶體都應可利用上述實施例中相同的數位感測電 路來偵測此類記憶體中位元胞所儲存的位元資訊。 、、、不上所述，本發明所提出之數位感測電路僅包括非常 ，單的電流至電壓轉換器、重置區塊電路以及感測區塊電 。所以’佈局與設計的挑難低，可改善生產的良 二非：適用於LTPS製程，故可進而組成一種量
可仃的記憶體元件。 ^W =然本發明6讀施顯露如上，然其並 ^明，任何熟習此技藝者’在 = 圍内，當可作些許之更動與潤飾，因月之心神和犯 當視後附之中請專利範圍所界定 x明之保― 【圖式簡單說明】 …< 〇 曲線L 9丁種有機義體㈣機記憶胞之理想化特性 截的電圖:'=用本發明之數位感測電路的-種 有機記憶 方塊圖。 圖3繪示本發明一實施例之 種數位感測電路的電路 ⑧ 16
13019器1_〇6 圖4A繪示本發明另一實施例之一種數位感測電路 電路方塊圖。 g 圖4B繪示圖4A之數位感測電路之一種實施例的電 圖。 i 圖5繪示圖4B之數位感測電路之各訊號時 【主要元件符號說明】 $圖0 210 :位元胞陣列 220一 1，220一2, 220」，220—m，400 :數位感測 310 :有機記憶胞 322, 412, 416, 422, 424, 426, 428 :電晶體 330,410 :電流至電壓轉換器 332,418 :電流至電壓轉換器之電流端 340, 420 :感測區塊電路 430 :取樣及保持電路 413 :電容之第一端 414 :電容 415 :電容之第二端 440 :重置區塊電路 434, 436 :反相器 432 :開關 BL—l，BL-2, BLJ，BL—m :資料線 M(l，l)，M(2，l)，M(j，l)，M(l，i)，Μ(2Α M(j i): M(n,m):位元胞 饮元跑 WL_1，WL j，WL_n :選擇線 17
Claims (1)
1301985 18455twfl.d〇c/d 97-04-15 十、申請專利範圍： 位元上所電路，用以制—有機記憶體内之一 斤儲存的位元資訊，該數位感測電路包括. 一/心傅v電流，轉換成一電壓訊號； 接收;路，接至該電流至電壓轉換器，用以 資訊；以及〜《喊’緩衝輸出該位元胞所儲存的位元 根據一 路’耦接至該電流至電壓轉換器，用以 開關訊號，來重置該電壓訊號。 錄電賴之數位翻電路，其中 電流至Hi體，該第—電晶體之第—源級極連接至該 % 至:換器之該電流端，該第-電晶體之閑極連接 弟〜開關汛號；以及 讀第一雷 Ί帛端與—第二端，該第-端連接至 饭，兮啻日日之第二源7汲極，該第二端連接至一第一電 饭，該電壓訊號由該第一端獲得。 弟私 電容之日體’該第二電日日日體之第—源級極連接至該 二電彳?弟I端’該第二電晶體之第二源/汲極連接至一第 〜電日$體之_連接至該第—開關訊號， 八§ 5亥第—電晶體導通時該第二電晶體不導通，該 18 1301985 _ 18455twfl.doc/d 丨赢I勝01替換買 97-04-15 第一電晶體不導通時該第二電晶體導通。 4·如申請專利範圍第3項所述之數位感測電路，其中 當該第一電晶體與該第二電晶體之類型不同，則該第一開 關訊號與該第二開關訊號相同，當該第一電晶體與該第二 電晶體之類型相同，則該第二開關訊號為該第一開關訊號 之反相。 •如申睛專利範圍第4項所述之數位感測電路，其中 該第一開關訊號與該第二開關訊號為一時脈訊號，該數你 感測電路利用該時脈訊號的責任週期，來調整該第一恭曰 體與該第二電晶體個別的導通時間。 弟_ 该二lit，圍第3項所述之數位感測電路，其， 甩位/、该弟二電位皆為地電位。 該感圍第1項所述之數位感測電路，其中
第三體電該上三電晶體之第-源/沒極連… 以及 L電晶體之間極連接至-第三開關訊號; 第三電晶體:Jf::: „第-源/汲極連接至該 連接至-第1位該及第 ==體之第二源/汲極 號， 电曰曰體之閘極連接至該電壓訊 ，、甲田邊弟三電晶體不導 源/汲極輸出該有機記 ‘，四電晶體之第- 訊。 u體内之5亥位兀胞所儲存的位元資 19 1301985 , 18455twfl.doc/d 正替換頁: 97-04-15 8·如申請專利範圍第7項所述之數位感測電路，其中 該感測區塊電路更包括： μ -第五電晶體，該第五電晶體之第一源/没極連接至該 第三電位，該第五電晶體之閘極連接至該第四電晶體之第 一源/汲極；以及 一第六電晶體’該第六電晶體之第一源/汲極連接至該 第五電晶體之第一源/汲極，該第六電晶體之第二源/汲極 • 連接至該第一電位，該第六電晶體之閘極連接至該第五電 曰曰體之閘極，且該第五電晶體與該第六電晶體之類型不 同，該第六電晶體之第一源/汲極輸出該有機記憶體内之該 位元胞所儲存的位元資訊。 9·如申請專利範圍第8項所述之數位感測電路，其中 該第五電晶體為Ρ型電晶體，該第六電晶體為Ν型電晶體。 10·如申請專利範圍第9項所述之數位感測電路，其中 該第一電位為地電位，該第三電位為電源電位。 鲁 Η·如申請專利範圍第1項所述之數位感測電路，其中 該感測區塊電路更連接至一取樣及保持電路，用以整形輸 出該有機記憶體内之該位元胞所儲存的位元資訊。 12·如申睛專利範圍第1項所述之數位感測電路，其中 該有機記憶體為一非揮發性記憶體。 13·—種數位感測電路，用以感測一相變化記憶體與一 磁性s己憶體二者之一内之一位元胞所儲存的位元資訊，該 數位感測電路包括： 一電流至電壓轉換器，具有一電流端，用以根據流經 20 1301985 18455twfl.doc/d /! „正替換頁j 'ί?一——I. .、t.》.一.,一______J 97-04-15 該電流端之一傳導電流，轉換成—電壓訊麥. -感測區塊講，输至該電流至 接收並根據該電壓碱，緩衝輪出該位元胞用以 資訊；以及 斤姥存的位元 -重置區塊電路’ g接至該電流 根據U關訊號，來重置該電壓訊號。轉換^用以 14.如申二專利範圍第13項所 中該電流至電壓轉換器包括·· 為成1¾路，其 一第一電晶體，該第一電晶 電流至電壓轉換器之該電流端，Μ二及極連接至該 至-第二開關訊號·’以Γ 弟一電晶體之閘極連接 乱合-具有一第一端輿一第二端，該第一端連接至 該第-„二職極，該第二端連接至=接; 位，該電壓訊號由該第一端獲得。 弗冤 Κ如申請專鄕圍第14^所敎 中該重置區塊電路包括： Μ电路其 電容晶體之第—源/汲極連接至該 電谷之該弟^該红電晶體之第二源/汲極連接至-第 二電體之閘極連接至該第-開關訊號， # β“弟$晶體導通時該第二電晶體不導通，該 第-電晶體不導通時該第二電晶體導通。 16.如申請專利範圍第15項所述之數位感測電路，盆 中當該第^電^體與該第二電晶體之類型不同，則該第一 開關訊號與該第二開關訊號相同，#該第—電晶體與該第 21 1301985 18455twfl.doc/d 9字I. 正替換頁 97-04-15 二電晶體之類型相同，則該第二開關訊號為該第一開關訊 號之反相。 1/·如申請專利範圍第16項所述之數位感測電路，其 中該第H關€號與該第二開關訊號為—時脈訊號，該數 位感測電路利用該時脈訊號的責任週期，來調整該第一電 晶體與該第二電晶體個別的導通時間。 18·如申請專利範圍第15項所述之數位感測電路，其 鲁 中該第一電位與該第二電位皆為地電位。 19·如申請專利範圍第13項所述之數位感測電路，发 中該感測區塊電路包括： 八 # — 一第三電晶體，該第三電晶體之第一源/汲極連接至一 • f三電位，該第三電晶體之閘極連接至-第三開關訊號； 以及 # 一 =第四電晶體，該第四電晶體之第一源/汲極連接至該 =三電晶，之第二源/汲極，該第四電晶體之第二源/汲極 :接至一第一電位，該第四電晶體之閘極連接至該電壓訊 、、、其中當該第三電晶體不導通時，該第四電晶體之第一 源/汲極輸出該位元胞所儲存的位元資訊。 20·如申請專利範圍第19項所述之數位感測電路，其 中該感測區塊電路更包括： /、 # 一带第五私晶體，該第五電晶體之第一源/汲極連接至該 笔位w亥弟五電晶體之閘極連接至該第四電晶體之第 一源/汲極；以及 一 22 1301985 18455twfl.doc/d 97-04-15 u-----上—，I 第五電晶體:ί::二:電晶5之第-源/没極連接至該 連接至該第—電彳Π/ ’該第六電晶體之第二源/没極 晶體之閘極，且該第=?/體之閘極連接至該第五電 同，該第六電轉㈣與該第六電晶體之類型不 元資訊。 /原/及極輸出該位元胞所儲存的位 中該2第1五H專rf圍第2Q項所狀數錢戦路，其 體。电曰曰 '、、、型電晶體，該第六電晶體為N型電晶 專鄕圍f 21摘狀數 中該弟-電位為地電位，該第三電位為電源電位。 A如申明專利範圍S 13項所述之數位感測電路，其 中該感砸塊電路紐接至—轉及轉電路，用以整形 輸出該位元胞所儲存的位元資訊。
# 24·種數位感測電路，用以感測一有機記憶體内之一 位元胞所贿的位元資訊，該數位劇電路包括： 一電流至電壓轉換器，具有一電流端，用以根據流經 該電流端之一傳導電流，轉換成一電壓訊號； 一感測區塊電路，耦接至該電流至電壓轉換器，用以 接收並根據該電壓訊號，緩衝輸出該位元胞所儲存的位元 資訊；以及 一取樣及保持電路，搞接至該感測區塊電路，用以整 形輸出該有機記憶體内之該位元胞所儲存的位元資訊，該 取樣及保持電路具有一開關以及一拴鎖器，該開關的一端 23 1301985 18455twfl.doc/d 97-04-15 97. 4. 15 耦接至該感測區塊電路的輸出端，該開關的另一端耦接至 該拾鎖器，而該拴鎖器輸出整形過的位元資訊。 25·如申請專利範圍第24項所述之數位感測電路，更 包括一重置區塊電路，耦接至該電流至電壓轉換器，用以 根據一第一開關訊號，來重置該電壓訊號。 26·如申請專利範圍第25項所述之數位感測電路，其 中該電流至電壓轉換器包括： 弟電晶體’該弟一電晶體之第一源/没極連接至該 電流^電壓轉換器之該電流端，該第一電晶體之閘極連= 至一第二開關訊號；以及 二斤一電容，具有一第一端與一第二端，該第一端連接至 該第一電晶體之第二源/汲極，該第二端連接至一第一電 位，該電壓訊號由該第一端獲得。 27·如申請專利範圍第加項所述之數位感測電路，盆 中該重置區塊電路包括： /、 恭〜一第二電晶體，該第二電晶體之第一源/汲極連接至該 電=之該第一端，該第二電晶體之第二源/汲極連接至一第 一电位’該第二電晶體之閘極連接至該第一開關訊號， #一其中當該第一電晶體導通時該第二電晶體不導通，該 弟一電晶體不導通時該第二電晶體導通。 φ申凊專利範圍第27項所述之數位感測電路，其 菖"亥苐電晶體與該第二電晶體之類型不同，則該第一 1關ίΐ號與該弟一開關訊號相同，當該第一電晶體與該第 -電_體之_相同，則該第二關訊號為該第—開關訊 24 1301985 18455twfl.doc/d 97-04-15 阶· 4· ! 5 號之反相。 29·如申請專利範圍第28項所述之數位感測電路，其 中該第一開關訊號與該第二開關訊號為一時脈訊號，該數 位感測電路利用該時脈訊號的責任週期，來調整該第一電 晶體與該弟一電晶體個別的導通時間。 30·如申明專利範圍第27項所述之數位感測電路，其 中該第一電位與該第二電位皆為地電位。 31.如申請專利範圍第24項所述之數位感測電路，其 ’ 中該感測區塊電路包括·· 一第三電晶體’該第三電晶體之第一源/汲極連接至一 第三電位，該第三電晶體之閘極連接至一第三開關訊號； 以及 一第四電晶體，該第四電晶體之第一源/汲極連接至該 第三電晶體之第二源/汲極，該第四電晶體之第二源/汲極 連接至一弟笔位，該第四電晶體之閘極連接至該電壓訊 號， 丨其中當該第二電晶體不導通時，該第四電晶體之第一 源/汲極輸出該有機記憶體内之該位元胞所儲存的位元資 訊。 32·如申請專利範圍第31項所述之數位感測電路，其 中該感測區塊電路更包括： 〆第五電^體’該第五電晶體之第一源/没極連接至該 第三電位，5亥第五電晶體之閘極連接至該第四電晶體之第 一源/汲極；以及 25 1301985 18455twfl.doc/d *―,— . ~ Γ1 …' 1 97-04-15 • - ki擇叫 # 一第六電晶體，該第六電晶體之第一源/汲極連接至該 第五電晶，之第二源/汲極，該第六電晶體之第二源/没極 連接至該弟包位，该弟六電晶體之閘極連接至該第五電 晶體之^極，域第五電晶體與該第六電晶體之類型不 同’該第六電晶體之第―源/汲極輸出該有機記憶體内之該 位元胞所儲存的位元資訊。 上^3·如申請專利範圍第32項所述之數位感測電路，其 鲁巾該第五電晶體為!>型電晶體，該第六電晶體為㈣ 體。 34·如申請專利範圍第33項所述之數位感測電路，其 中該第一電位為地電位，該第三電位為電源電位。 35·如申請專·m第24項所述之數位錢電路，其 - 中該有機記憶體為一非揮發性記憶體。 、36·—種數位感測電路，用以感測一相變化記憶體與一 磁性記憶體二者之一内之一位元胞所儲存的位元資訊，該 數位感測電路包括： _ -m電壓轉換器，具有—電流端，用以根據流經 該電流端之-傳導電流，轉換成—電壓訊號；以及 「感測區塊電路，耦接至該電流至電壓轉換器，用以 &收並根據該電壓訊號’緩衝輸出該位元胞所儲存的位元 資訊；以及 /一取樣及保持電路，耦接至該感測區塊電路，用以整 /輸出該有機記憶體内之該位元胞所儲存的位元資訊，該 轉及保持電路具有—開關以及—拴鎖器，該開關的一端 26 1301985 18455twfl.doc/d
97-04-15 搞接至該感測區塊電路的輪出端，該開關的另—端輕接至 該拾鎖器，而該拾鎖器輪出整形過的位元資訊。 37. 如申請專利範圍第％項所狀數位感測電路，更 包括-重置區塊電路’ _至該電流至電壓轉換器，用以 根據-第-開關訊號，來重置該錢訊號。 38. 如申請專利範圍第37項所述之數位感測電路，且 中該電流至電壓轉換器包括： /' -第-電晶體’該第—電晶體之第—源級極連接至該 電流至電壓轉換ϋ之該電流端，該第—電晶體之閘極連^ 至一第二開關訊號；以及 一電容’具有—第—端與—第二端，該第-端連接至 該第-電晶體之第二源/;及極，該第二端連接至一第一電 位，該電壓訊號由該第一端獲得。 包 39·如申请專利範圍第38項所述之數位感測電路，盆 中該重置區塊電路包括： -第二電晶體’該第二電晶體之第—源級極連接至該 電容之該第，，該第二電晶體之第二源/汲極連接至一第 二電位，該第二電晶體之閘極連接至該第一開關訊號， 其中當該第-電晶體導通時該第二電晶體不導通，該 第一電晶體不導通時該第二電晶體導通。 40.如申請專利範圍第39項所述之數位感測電路，其 中當該第-電晶體與該第二電晶體之類型不同，則該第一 開關訊號與该第二開關訊號相同，當該第一電晶體與該第 二電晶體之類型相同’則該第二開關訊號為該第一開關訊 27 1301985 18455twfl.doc/d 97-04-15 f 3 pf正替換頁 ( fr·一一•相 一，·細 號之反相。 41·如申請專利範圍第4〇項所述之數位感測電路，其 中該第-開關訊號與該第二開關訊號為一時脈訊號，該數 ，感測電路利用該時脈訊號的責任週期，來調整該第一電 曰曰體與該第二電晶體個別的導通時間。 ^2·如ψ料鄕圍第％項所述之數位制電路，其 ^弟一電位與該第二電位皆為地電位。 中該第36項所述之數位感測電路，其 第一中，電曰曰體’5亥第三電晶體之第一源/汲極連接至一 f，該第三電晶體之閘極連接至—第三開關訊號； 第三;第四電晶體之第-源/没極輸 連接至一第一雷# 、汲極，該第四電晶體之第二源/汲極 號， μ弟四笔日日體之閘極連接至該電磨訊 其令當該第三電日挪 源/沒極輪出該位:體不導通時，該第四電晶體之第- 44·如申請專利以= 立元#訊。 中該感蜊區塊電路更包^ 43項所述之數位感測電路，其 一弟五電晶體，从 第三電位，該^五電=第五電晶體之第一源/汲極連接至該 一源/汲極；以及' 9日體之閘極連接至該第四電晶體之第 第六電晶體，該塗丄 ％晶體之第一源/汲極連接至該 28 1301985 97-04-15 18455twfl.doc/d .止:: ΙμΛ,ιΚ^ 第五電晶體之第二源/汲極，該第六電晶體之第二源/汲極 連接至該第一電位，該第六電晶體之閘極連接至該第五電 晶體之閘極，且該第五電晶體與該第六電晶體之類型不 同，該第六電晶體之第一源/汲極輸出該位元胞所儲存的位 元資訊。 45. 如申請專利範圍第44項所述之數位感測電路，其 中該第五電晶體為P型電晶體，該第六電晶體為N型電晶 體。 46. 如申請專利範圍第45項所述之數位感測電路，其 中該第一電位為地電位，該第三電位為電源電位。
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