TWI300844B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- TWI300844B TWI300844B TW095127123A TW95127123A TWI300844B TW I300844 B TWI300844 B TW I300844B TW 095127123 A TW095127123 A TW 095127123A TW 95127123 A TW95127123 A TW 95127123A TW I300844 B TWI300844 B TW I300844B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- frequency
- frequency band
- specific
- micro
- output
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0035—Testing
- B81C99/005—Test apparatus
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
- G01P2015/0842—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass the mass being of clover leaf shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
1300844 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種檢驗微小構造體、例如MEMS(微電子 機械系統,Micro Electro Mechanical Systems)之檢驗裝 置、檢驗方法及檢驗程式。 【先前技術】 近年來,使用半導體微細加工技術等使機械、電子、 光、化學等多功能集成化之裝置的MEMS備受矚目。迄今 作為實用化之MEMS技術,例如作為汽車、醫療用之各種 感測器,係將MEMS裝置搭載於微感測器之加速度感測器 及壓力感測器、氣流感測器等。另外,藉由在喷墨印表機 喷頭上採用該MEMS技術,可增加喷出墨水之喷嘴數與喷 出正確的墨水,可謀求提高晝質與印刷速度之高速化。再 者,已知反射型投影機中所使用之微鏡陣列等亦作為一般 之MEMS裝置。 另外,今後期待藉由開發利用MEMS技術之各種感測器 及促動器,展開對光通信及移動機器之應用、對計算機之 周邊機器之應用、甚至對生物分析及攜帶用電源之應用。 於技術調查報告第3號(經濟產業省產業技術環境局技術調 查室製造產業局產業機械課發行平成15年3月28曰) 中,以「關於MEMS技術之現狀與課題」之議題,介紹有 各種MEMS技術。 另一方面,伴隨著MEMS裝置之發展,由於其為微細之 構造等,故對其合適地檢驗之方式亦變得重要。先前,係 113170.doc 1300844 使用於封裝後使裝置旋轉或振動等方法實行其特性之評 價,但藉由在微細加工技術後之晶圓狀態等初期階段實行 合適之檢驗,以檢測不良,可使良率提高,進一步降低製 造成本。
於曰本特開平5-34371號公報中’作為一例,提出有藉 由對形成於晶圓上之加速度感測器吹空氣,檢出藉此而改 變之加速度感測器之電阻值,以判別加速度感測器特性之 檢驗方式。 專利文獻1:曰本特開平5-34371號公報 非專利文獻1 :技術調查報告第3號(經濟產業省產業技 術環境局技術調查室製造產業局產業機械課發行平成 15年3月28曰) [發明欲解決之問題] 一般而言,加速度感測器等具有微小可動部之構造體, 係即使對於微小之動作其應答特性亦產生變化之裝置。因 此,為評價其特性,需要實行高精度之檢驗。如I述公報 中所示之藉由吹空氣對裝置施加變化之情形,亦必須施行 微調整來評價加速度感測器之特性,但要控制氣體流量, 同時均勻地向裝置錢體,以實行高精度之檢驗極為困 難,即使實行亦必須設置複雜且高價之檢驗裝置。 再者,吹空氣時,要侦办备 *便二虱具有指向性,且向特定位置 吹空氣而實行高精度之檢驗是困難的。 【發明内容】 其目的在於提供一 本發明係為解決上述問題而完成者 113170.doc 1300844 種以簡县士 & " 万式高精度地檢驗具有微小可動部之微小構造體 才欢驗旋置、檢驗方法及檢驗程式。 [解決問題之方法] 本發月之微小構造體之檢驗裝置,係評價至少1個具有 形成於基板上之可動部之微小構造體之特性者;且包含: 曰波產生機構,係於檢驗時向微小構造體輸出檢驗音波 者,及砰價機構,係用於檢測應答由音波產生機構所輸出 之榀驗g波之微小構造體之可動部之動作,並基於檢測結 果W平饧微小構造體之特性者。評價機構,係比較至少1個 在特定頻率頻帶中之基於微小構造體之可動部之動作所輸 輸出電壓、與成為特定之臨限值之輸出電壓,並基於 此比較結果評價微小構造體之特性。 較好,特定之臨限值,具有特定之頻率頻帶中之第1及 第2之臨限值判定位準;評價機構,當輸出電壓之頻率應 t特f生包3於特定之頻率頻帶中之第丨及第2之臨限值判定 位準之間時,判斷為良品。 車乂好,特定之臨限值,具有特定之頻率頻帶中之複數之 L限值判^位準;評價機構,將特^之頻率頻帶中之輸出 電壓之頻率應答特性之分佈,基於複數之臨限值判定位準 分割為複數組,並基於輸出電壓之頻率應答特性所屬之組 來評價品質。 較好’評價機構,將特定之頻率頻帶中之輸出電麼之頻 率應答特性之分佈,分割為複數之頻率頻帶組,並基於輸 出電壓之頻率應答特性所屬之組來評價品質。 H3170.doc 1300844 較好,檢驗音波具有單一之任意頻率。 車父好,檢驗音波具有複數之不同之任意頻率。 尤其係檢驗音波,相當於白噪音(white n〇ise)。 本發明之微小構造體之檢驗裝置,係評價至少丨個具有 形成於基板上之可動部之微小構造體之特性者;且包含: 驅動機構,係電氣地向微小構造體之可動部給與動作者· 及評價機構,係用於檢測應答微小構造體之動作所輸出之 聲音,並基於檢測結果評價微小構造體之特性者。評價機 構,比較至少1個在特定頻率頻帶中之基於微小構造體之 可動4之動作所輸出之輸出音壓、與成為特定之臨限值之 輸出音壓,並基於比較結果評價微小構造體之特性。 較好,特定之臨限值,具有特定之頻率頻帶中之第1及 第2之臨限值判定位準。評價機構,當輸出音壓之頻率應 答特性包含於特定之頻率頻帶中之第丨及第2之臨限值判定 位準之間時,判斷為良品。 較好,特定之臨限值,具有於特定之頻率頻帶中之複數 之6»限值判疋位準。評價機構,係將特定之頻率頻帶中之 輸出音壓之頻率應答特性分佈,基於複數之臨限值判定位 準分割為複數組,並基於音壓之頻率應答特性所屬之組來 评價品質。 車乂好,评價機構,係將特定之頻率頻帶中之輸出音壓之 頻率應答特性分佈,分割為複數之頻率頻帶組,並基於輸 出曰壓之頻率應答特性所屬之組來評價品質。 本I明之微小構造體之檢驗方法,係評價至少丨個具有 113170.doc -9- 1300844 形成於基板上之可動部之微小構造體之特性者;且包含: $驗時向微小構造體輸出檢驗音波之步驟;檢測應答於由 曰波產生機構所輸出之檢驗音波之微小構造體之可動部之 動作之步驟,·及基於檢測結果評價微小構造體之特性之步 驟。評價步驟係比較至少㈣在特定頻率頻帶中所檢出之 輸出電虔、與成為特定之臨限值之輸出電麼,並基於比較 結果評價微小構造體之特性。 • ★較好’特定之臨限值,具有特定之頻率頻帶中之第以 第2之臨限值判定位準。評價步驟在輸出電壓之頻率應答 特性包含於特定之頻率頻帶中之第i及第2之臨限值判定位 準之間時,判斷為良品。 較好,特定之臨限值,具有較之頻率頻帶中之複數之 臨限值判定位準。特定之頻率頻帶中之輸出電壓之頻率應 答特性之分佈,基於複數之臨限值判定位準分割為複數 組。評價步驟,係基於輸出電壓之頻率應答特性所屬之組 藝 來評價品質。 較好,特定之頻率頻帶中之輸出電壓之頻率應答特性之 分佈,分割為複數之頻率頻帶組。評價步驟,基於輸出電 壓之頻率應答特性所屬之組來評價品質。 車父好’檢驗音波具有單一之任意頻率。 杈好,檢驗音波具有複數之不同之任意頻率。 尤其,檢驗音波相當於白噪音。 本發明之微小構造體之檢驗方法,係評價至少丨個具有 形成於基板上之可動部之微小構造體之特性者;且包含: 113170.doc •10- 1300844 電氣地向微小構造體之可 於微小構造體之動作所輸出之::動作之步驟;檢測應答 果評價微小構造體之特性之步驟曰,步驟;及基於檢測結 1個在特定頻率頻帶中所檢出之狳::广驟’係比較至少 臨限值之輸出立壓, 勒日堅、與成為特定之 性。 ",、、於比較結果評價微小構造體之特 較好’特定之臨限值 第2之臨限值判定位準 性包含於特定之頻率頻 之間時’判斷為良品。
’具有特定之頻率頻帶中之第1及 。評價步驟,在音壓之頻率應答特 帶中之第1及第2之臨限值判定位準 較好,特定之臨限值,具有特定之頻率頻帶中之複數之 臨限值判定位準。頻率應答特性之分佈,基於特定之頻率 頻帶中之輸出音壓之複數之臨限值判定位準分割為複數 組。評價步驟,係基於特定之頻率頻帶之輸出音壓之頻率 應答特性所屬之組來評價品質。 較好,特定之頻率頻帶中之輸出電壓之頻率應答特性之 分佈,分割為複數之頻率頻帶組。評價步驟,係基於輸出 音壓之頻率應答特性所屬之組來評價品質。 本發明之微小構造體之檢驗程式,使上述微小構造體之 檢驗方法應用於電腦。 [發明之效果] 本發明之微小構造體之檢驗裝置、檢驗方法及檢驗程 式,檢驗時向微小構造體輸出檢驗音波’由基於對檢驗音 波應答之微小構造體之可動部之動作而變化之變化量之頻 113170.doc -11- 1300844 率應答特性’評價微小構造體之結丨 一 饵仏骽之特性,故能夠以簡易方式 咼精度地檢驗具有微小可動部之微小構造體。 μ 構造體之檢驗裝置、檢驗方法及檢 驗程式’電氣地向微小構造體之可動部給與動作,檢測應 答微小構造體之動作所輸出之聲音,並由檢出之音歷之頻 率應答特性來評價微小構造體之特性。亦即,基於頻率應
答特性來評價微小構造體之特性,故可以以簡易方式高精 度地檢驗具有微小可動部之微小構造體。 【實施方式】 下面,參照圖式對本發明之實施形態進行詳細說明。並 且,對圖中相同或相當部分賦予相同符號,不再重複其說 明。 (實施形態1) 圖1係依照本發明之實施形態1之微小構造體之檢驗系統 1之概略構成圖。 參π圖1,依照本發明之實施形態1之檢驗系統1,包 έ ·铋驗裝置5;及基板10,其形成有複數個具有微小可 動部之微小構造體之晶片ΤΡ。 於本例中,作為檢驗之微小構造體之一例,舉多軸之3 軸加速度感測器進行說明。 檢驗裝置5,具有··揚聲器2,其係輸出疏密波之音波 者;輸入輸出介面15 ,其係用於在外部與檢驗裝置内部之 間實行輸入輸出資料之授受者;控制部2〇,其係控制整個 檢驗裝置5者;探針4,其係用於與檢驗對象物接觸者;測 113170.doc • 12 - 1300844 疋邛25,其係用於經由探針4檢測成為檢驗對象物之特性 評價之測定值者;揚聲器控制部3〇,其係應答來自控制部 20之指令而控制揚聲器2者;麥克風3,其係檢測外部之音 波者;及信號調整部35,其係用於將由麥克風3所檢測之 • 曰波轉換為電壓信號,並進一步放大後輸出至控制部2〇 者。並且,麥克風3,可以配置於檢驗對象物附近。 對依照本實施形態之檢驗方法進行說明前,首先對檢驗 φ 對象物之微小構造體之3軸加速度感測器進行說明。 圖2係3轴加速度感測器之由裝置上面之俯視圖。 如圖2所示,形成於基板1〇上之晶片τρ,在其周邊配置 有複數之電極墊PD。並且,為了向電極墊傳達或從電極墊 傳達電氣佗號,設有金屬佈線。並且,於中央部,配置有 形成三葉草型之4個重錐體AR。 圖3係3轴加速度感測器之概略圖。 參照圖3,該3轴加速度感測器係壓電電阻型,作為檢測 # 元件之壓電電阻元件作為擴散電阻設置。該壓電電阻型之 加速度感測器,由於可以利用廉價之IC製程,且即使較小 地形成作為檢測元件之電阻元件,靈敏度亦不會下降,因 此有利於小型化、低成本化。 作為具體之構成,採用中央之重錐體八尺由4根樑BM所 支持之構造。樑BM於X、γ之2轴方向上以相互正交之方 式形成,且每個軸上具有4個壓電電阻元件。z軸方向檢測 用之4個壓電電阻元件,配置於χ轴方向檢測用壓電電阻元 件之旁邊。重錐體AR之上面形狀形成三葉草型,在中央 113170.doc • 13 - 1300844 邛與樑BM連結。藉由採 不用通一茱卓型構造,由於在擴大 重錐體AR之同時亦可以 八 J ^力了 Μ延長樑長度,因此即使小型,亦 可實現高靈敏度之加速度感測器。 上述壓電電阻型之3軸加速度感測器之動作原理,係重 錐體受到加速度(慣性力)時,樑·會變形,藉由形成於其 表面上之壓電電阻元件之電阻值之變化,而檢測加速度之 機制。並且’該感測器之輸出,設定為從3軸各自獨立組
裝之後述之惠斯同(Wheatst〇ne)電橋之輸出中取出之構 成。 圖4係說明受到各軸向加速度時之重錐體與樑之變形之 概念圖。 如圖4所示,壓電電阻元件,其電阻值具有隨施加之變 形而變化之性質(壓電電阻效應),拉伸變形時電阻值增 加’壓縮變形時電阻值減少。在本例中,作為一例係顯示 X轴方向檢測用壓電電阻元件Rxl〜Rx4、Y軸方向檢測用壓 電電阻元件Ry 1〜Ry4及Z轴方向檢測用壓電電阻元件 Rzl 〜Rz4 〇 圖5係對各轴所設置之惠斯同電橋之電路構成圖。 圖5(a)係X(Y)轴之惠斯同電橋之電路構成圖。作為χ車由 及Υ轴之輸出電壓分別設為Vxout及Vyout。 圖5(b)係Z轴之惠斯同電橋之電路構成圖。作為z轴之輸 出電壓設為Vzout。 如上所述,藉由施加之變形,各轴之4個壓電電阻元件 之電阻值會變化;基於該變化,各壓電電阻元件例如在χ 113170.doc -14· 1300844 袖y軸,於惠斯同電橋所形成之電路之輸出各轴之加速度 成分作為獨立分離之輸出電壓而被檢測。並且,以構成上 述電路之方式連結如於圖2所示之上述金屬佈線等構:: 構成檢測從特定之電極墊對各軸輸出之電壓。 另外,3亥3軸加速度感測器,由於亦可檢測加速度
之DC 成刀’ gj此亦可作為檢測重力加速度之傾斜角感測器使 参 ®6係說明3軸加速度感測器對於傾斜角之輸出應答圖。 囷所示使感測器繞X、Y、Z軸旋轉,用數位電壓 表測定X、Y、Z軸各自之電橋輸出。作為感測器之電源, 使用低電壓電源+5V。並且於圖6所示之各測定點,對於算 術地減去各軸輸出之零點補償之值作圖。 圖7係說明重力加速度(輸入)與感測器輸出之關係圖。 如圖7所示之輸入輸出關,係從圖6之傾斜角之餘弦分別 計算與X、Y、Z軸有關之重力加速度成分,求丨重力加速 ❿ 度(輸人)與感測器輸出之關係’以評價該輸入輸出之線形 性。亦即,加速度與輸出電壓之關係幾乎為線形。 圖8係說明3軸加速度感測器之頻率特性圖。 如圖8所示,X、γ、ζ轴各自之感測器輸出之頻率特 性,作為一例,3軸至200 Hz附近皆顯示有平坦之頻率特 性,X軸在602 Hz、γ軸在_ Hz、Z轴在883 Hz時共振。 再次參照圖1,本發明之實施形態之微小構造體之檢驗 方法,係藉由對微小構造體之3轴加速度感測器輸出疏密 波之音波,檢測基於該音波的微小構造體之可動部之動 113170.doc -15- 1300844 作,以評價其特性之方式。 使用圖9之流程圖,對依照本發明之實施形態1之微小構 造體之檢驗方法進行說明。 參照圖9 ’首先開始微小構造體之檢驗(步驟so)。然 後’使探針4接觸檢測晶片τρ之電極墊pD(步驟S1)。具體 而言’為了檢測於圖5中所說明之惠斯同電橋電路之輸出 電壓’使探針4接觸特定之電極墊Pd。並且,在圖1之構成 中’顯示使用一組探針4之構成,但亦可採用使用複數組 探針之構成。藉由使用複數組之探針,可以並排地檢測輸 出信號。 其次’設定從揚聲器2所輸出之檢驗音波(步驟S2a)。具 體而言’控制部20經由輸入輸出介面15接收來自外部之輸 入資料之輸入。然後,控制部20控制揚聲器控制部30,並 根據輸入資料對揚聲器控制部30做出指令,使得從揚聲器 2輸出所希望之頻率及所希望之音壓之檢驗音波。然後, 從揚聲器2向檢測晶片TP輸出檢驗音波(步驟S2b)。 其次,使用麥克風3檢測從揚聲器2給予檢測晶片TP之檢 驗音波(步驟S3)。用麥克風3所檢出之檢驗音波,在信號 調整部35轉換·放大為電壓信號,輸出至控制部2〇。 其次,控制部20解析、判定從信號調整部35輸入之電壓 信號,判定所希望之檢驗音波是否到達(步驟S4)。 在步驟S4,若控制部20判定為所希望之檢驗音波時,進 入下一步驟S5,測定檢測晶片之特性值。具體而言,根據 經由探針4所傳遞之電氣信號,用測定部25測定特性值(步 H3170.doc -16- 1300844 驟 S5) 〇 具體而a,藉由從揚聲器2所輸出之為疏密波之檢驗音 波之到達、亦即空氣振動,檢測晶片之微小構造體之可動 部動作。對根據該動作而改變之作為微小構造體之3軸加 速度感測器之電阻值之變化,可根據經由探針4所給予之 輸出電壓進行測定。 另一方面,在步驟S4,若判定為並非所希望之檢驗音波 時,再次返回步驟S2,重新設定檢驗音波。此時,控制部 2〇對揚聲器控制部3〇進行指令,以便對揚聲器控制部⑽進 行檢驗音波之修正。揚聲器控制部3〇,控制應答來自控制 邛20之指令,微調頻率及/或音壓使之成為所希望之檢驗 音波,並從揚聲器2輸出所希望之檢驗音波控制。此外, 在本例中,對檢出檢驗音波、並修正成為所希望之檢驗音 波之方式進行說明,但所希望之檢驗音波預先到達檢測晶 片之微小構造體之情形,亦可採用不特別設置檢驗音波之 修正機構及修正檢驗音波之方式之構成。具體而言,在檢 驗開始前預先實行步驟S2a〜S4之處理,在揚聲器控制部3〇 δ己憶用於輸出所希望之檢驗音波之已修正之控制值。然 後’在實際之微小構造體之檢驗時,揚聲器控制部3〇藉由 該記錄之控制值控制向揚聲器2之輸入,藉此亦可省略上 述檢驗時之步驟S3及84之處理。 其次’控制部20判定所測定之特性值、亦即測定資料是 否為容許範圍(步驟S6)。在步驟S6,判定為是容許範圍時 疋為合格(步驟S7),實行資料之輸出及保存(步驟S8)。然 113170.doc •17- 1300844 後進入步驟S9。本實施形態中,在控制部2〇,作為判定 奋許範圍,藉由輸入從揚聲器2所輸出之檢驗音波,來檢 測3輛加速度感測器之頻率應答特性,以判定該晶片是否 一有合適之特性。此外,關於資料之保存,雖未圖示但根 據來自控制部20之指令,記憶於設在檢驗裝置5内部之記 憶體等記憶部中。 在步驟S9,若沒有下一個要檢驗之晶片時,則結束微小 # 構造體之檢驗(步驟S10)。 另方面,在步驟S9,若尚有下一個應該檢驗之晶片 時,則返回最初之步驟S1,再次實行上述之檢驗。 、=處,在步驟S6,控制部20若判定所測定之特性值亦即 、疋ί料為不在谷許範圍時定為不合格(步驟sil),實行再 欢驗驟S12) 〇具體而言,藉由再檢驗,可以去除判定 為容許範圍外之晶片。或者,即使判定為容許範圍外之晶 $ ’亦可分為複數種。亦即認為在嚴格之檢驗條件下不能 ^到仏準之晶片,藉由進行修補及修正等,實際上出廠也 杏—1題之日日片亦存在有多數。因此,亦可藉由再檢驗等 貝:上述刀類’以篩選晶片,並根據篩選結果出廠。 在本例中作為一個例子,對應答3軸加速度感測 器上之愿雷错由輸出電廢檢測、判定設於3軸加速度感測 但並不特別電阻70件之電阻值之變化之構成進行了說明, :件等之"限於電阻元件,亦可採用檢測電容元件及電抗 兀件荨之阻抗值之蠻 頻率、相位差、延遲時心 值變化之電麼、電流、 寺曰1及位置等之變化進行判定之構 113170.doc -18· 1300844 成。 圖10係說明應答從揚聲器2所輸出之檢驗音波之3轴加速 度感測器之頻率應答圖。 圖10中,顯示給予音壓為1 Pa(帕斯卡)之檢驗音波,使 其頻率變化時從3軸加速度感測器所輸出之輸出電壓。縱 軸表示3軸加速度感測器之輸出電壓(mV),橫轴表示^驗 音波之頻率(Hz)。 此處’特別顯示對X軸方向所得到之輸出電壓。本例中 雖僅圖示了 X轴,但同樣於Y軸及Z軸亦可得到同樣之頻率 特性,因此可以評價在3軸各自之加速度感測器之特性。 此處,對容許範圍之判定進行詳細說明。例如,如3轴 加速度感測器之裝置中,裝置實際使用時之頻率頻帶已預 先確定。因此,需要調查在預先假定之使用條件或者使用 狀況下應答特性是否在容許範圍内。尤其如圖1〇所示,装 置存在固有共振頻率。另外,存在有由於裂縫、破損等原 因不能保證裝置應答特性之連續性之可能性。因此,為了 實行高精度之檢驗,需要判別裝置之應答特性係連續的、 且顯示所希望之特性。 在這一點上,如圖10所示頻率與感測器輪出之關係非線 形,另外如上所述裝置所使用之頻率頻帶具有特定之寬 度,故可以設置臨限值簡易地進行判定。 圖11係對依照本發明之實施形態丨之容許範圍之判定方 法進行說明之圖。 參照圖11(a),此處,由預先假定之使用條件等算出裝置 113170.doc -19- 1300844 所要求之最大頻率及最小頻率,刹^ 檢出所希望之特性。此處,作為二頻=能否 作為臨限值顯示,圖11所示之例中 、立準 甲,在特定之頻率頻帶內 檢出作為最小特性位準之臨限值以
I應谷特性,故可w 判定為良品。 q W 則作為不良品可以選出進 另一方面,若為臨限值以下 入再檢驗等之步驟。
以考量各種方式,從晶 良品或不良品,但可以 並且,作為臨限值之設定方式可 圓級裝配後在封裝級(製品級)判定 以在判定為良品及不良品之製品之晶圓級之輸出電壓之頻 率應答特性作為基準’設定臨限值。可以藉由基於複數之 良品及不良品之樣品並考量其偏差等,設定合適之臨限 值》另外,本例中,雖僅判定是否為規定之臨限值位準以 下’但並不僅限於此,亦可基於良品之輸出電壓之頻率應 答特性之模擬結果,將該良品之輸出電壓之頻率應答特性 用作臨限值,藉由是否近似於良品之輸出電壓之頻率應答 特性,來判定良品或不良品。另外,為了提高精度,亦可 配合目視檢驗,判定良品或不良品。 如圖11(b)所示,由預先假定之使用條件等來預先設定裝 置所要求之最大頻率及最小頻率,判定在該第1頻率頻帶 内能否檢出所希望之特性之同時,判定預先假定之共振頻 率疋否包含於特定之頻率頻帶(第2頻率頻帶)内,藉此可以 實行高精度之良品或不良品之判定。另外,此處,作為一 例顯示使用2個頻率頻帶實行良品或不良品之判定之方 113170.doc -20-
1300844 式,但並不僅限於此,亦可藉由進一步使用複數之頻率頻 帶、設置臨限值判定,來更詳細地分析裝置之特性,實行 而精度之良品或不良品之判定。另外,如前述,說明由預 先假定之使用條件等來設定裝置裝置所要求之最大頻率及 最小頻率,但並不僅限於該條件,當然亦可基於其他條件 或其他方式來設定最大頻率及最小頻率。 如圖11(C)所示,例如與圖11(b)比較,可以將特定之頻 率頻帶進一步分為複數之頻率頻帶組。本例中,亦可將第 2頻率頻帶分割為2組,作為第丨及第2之頻率組頻帶,判定 預先假定之共振頻率屬於特定之頻率頻帶中之哪一組。此 處,顯示共振頻率包含於第丨頻率組頻帶之情形。藉此, 例如,即使判定為良品之情形,亦可分組,在良品中亦可 進行性能之分類。 圖12係對依照本發明之實施形態丨之其他容許範圍之判 定方法進行說明之圖。 、圖12⑷係顯示良品時之頻率特性。此處,除了在圖"所 說明之判定方法以外’作為上限位準之最大特性位準作為 臨限值顯示。例如’在特定之頻率頻㈣,將最小特性位 準以上最大特性位準以下之裝置判定為良品。本例中,裝 置可以判定為良品(合格)。 、 >圖12⑻係顯示不良品時之頻率特性1根據上述之判 定方法’在特定之頻率頻帶内僅能得到未騎小特性 之輸出,故可以判定為不良品(不合格)。 並且 即使滿足最小特性位準時 例如共振點包含於特 113170.doc -21- 1300844 定之頻率頻帶内時,對該共振頻率應答特性急劇變化。亦 即,感測器靈敏度異常上昇。其結果,作為加速度感測器 難以正確地計測及輸出合適之值。因此,藉由該判定方 法可以藉由設置最大特性位準之臨限值,作為容許範圍 之判定’以選出不良品僅選良品。 並且’作為最小特性位準及最大特性位準之臨限值,如 i所述可以藉由基於複數之良品及不良品之樣品並考量
八偏差σ 又疋成為上限及下限之臨限值之輸出電壓之頻率 應答特性。 另外,作為另外之方法,可以進一步將複數之特性位準 «又置為fer限值,判定包含於哪個區域,以進行性能之分 類。 、,圖13係對依照本發明之實施形態1之另外之容許範圍之 判定方法進行說明之圖。此處,設置有複數之特性位準 L1〜L3 ° 例如,於央在特性位準LWL2之間之區域内檢出輸出特 時,疋為性施CB。另外,於央在特性位準[2與U之間 之區域内檢出輸出特性時,^為性能CA。 猎由該分類,例如包含於性能CB之裝置,作為靈敏度 一般者辦理;$ -方面,包含於性能CA之裝置,可以作 為靈敏度過高者實行分類。 另外作為另外之判定方法,亦可在特定之頻率頻帶 内,改變臨限值進行判定。 圖14係說明對於感測器輸出 電壓,在特定之頻率頻帶 113170.doc •22- 1300844 内,改變臨限值實行容許範圍之判定之情形之圖。 如圖14所示,設置複數之特性位準L1〜L3。判定在從最 小頻率至中間頻率,於夾在特性位準L1與特性位準L2之間 之區域内疋否出現應答特性。然後,判定在從中間頻率至 最大頻率,於夾在特性位準L1與特性位準L3之間之區域内 是否出現應答特性。 如上所述藉由進一步細化條件判定,可以更高精度地判 定。 另外,作為另外之判定方法,亦可由預先假定之使用條 件等來算出裝置所要求之最大頻率及最小頻率,並算出佔 據包含該範圍内之頻率頻帶之面積比率,根據該面積比率 疋否超過成為特定基準之面積比率,判定是否為容許範 圍。 圖15係說明對於感測器輸出電壓,根據面積比率實行容 許範圍之判定之情形之圖。 如圖15所示,以於最小頻率與最大頻率之間以及最小特 性位準與最大特性位準之間所包圍之區域之面積作為基 準。然後,算出裝置之應答特性在該區域所佔有之面積。 然後,算出面積比率。本例中,可判定斜線部分之面積 /OK(合格)區之面積,是否在成為基準之特定之面積比率 亦即面積閾値以上。若在面積閾値以上則定為合格,若未 滿面積閾値則定為不合格。 另外’作為另外之判定方法,亦可使用共振點判定。 圖16係說明對於感測器輸出電壓,使用裝置之共振點來 113170.doc -23- 1300844 實行容許範圍之判定之情形之圖。 如圖16⑷所示,在最小頻率與最大頻率之間之特定 2帶内’判定是残過最小絲點料。若超過則定為 另-方面,如圖16(b)所示,未超過最小共振點位準 時’定為不合格。 另外,如圖16⑷所示,在最小頻率與最大頻率之間之特 定頻率頻帶内,無共振點時亦定為不合格。 、 如上所述,藉由依照所說明之本實施形態丨之微小構造 體之判定方法,可以容易地判定裝置是否為容許範圍並 可以將裝置容易地分類。並且’前述中,舉出了各種實行 微小構造體之判定之方式之例,但並不僅限於此,例如, 當然亦可組合各種方式來判定。 並且,依照上述之實施形態之構成中,揚聲器控制部 3〇,從揚聲器輸出單一頻率之正弦波之檢驗音;皮,但並不 僅限於此,例如亦可使用未圖示之加算器等來合成複數之 不同頻率之正弦波仏號而從揚聲器輸出。藉此,可以一次 檢測對複數之頻率之應答,故可以高效率且有效地實行如 圖10所說明之頻率應答特性之檢驗。另外,從揚聲器所輸 出之檢驗音波,並不僅限於正弦波信號或其合成,亦可使 2未圖不之函數信號發生器(任意波形發生器)輸出如白噪 一 〜波幵^之&驗音波。藉此,例如白嗓音為幾乎同量 :有所有頻率之成分之聲音,因此可以簡便地檢驗微小構 k體之共振頻率及其振動特性。此時,例如亦可使用帶通 113170.doc -24 - 1300844 ::盗等將檢驗音波之頻率頻帶限制於微小構造體之共振 二之附近區域,藉此高效率且有效地實行微小構造體之 共振頻率之檢驗。 (實施形態2) ,L實施形態1,對輸入檢驗音波,藉由分析應答該 认之輪出結果之頻率特性關定裝置是否為容許範圍之 方法進行了說明。
立本發明之實施形態2中,對藉由分析來自裝置本身之聲 音輸出結果之頻率特性,以敎裝為容許範圍之方 法進行說明。 圖17係依照本發明之實施形態2之微小構造體之檢驗系 統1#之概略構成圖。 參照圖17,依照本發本發明之實施形態之檢驗系統1#, 包3 .檢驗裝置5#; &基板1〇# ’其形成有複數個具有微 小可動部之微小構造體之晶片Tp。 檢驗裝置5#,|有:麥克風3,其係檢測從檢測晶片τρ 所輸出之聲音者;輸人輸出介面15,其係用於在外部與檢 驗裝置内部之間實行授受輸人輸出f料者;控制部2〇,其 係控制整個檢驗裝置5並分析藉由測定部25檢出之聲音 者,測定部25,其係測定藉麥克風3所檢測之聲音者;及 電壓驅動部31,其係輸出電氣信號之電壓,以使晶片之可 動部TP動作者。並且,麥克風3,配置於檢驗對象物附 近。此外,圖17中 係從電壓驅動部3丨經由探針p向未圖 。並且,本例中,對 示之晶片TP之電極墊施加特定電壓者 113170.doc •25- 1300844 藉由電氣作用使晶片Tp之可動 並不僅限於此,亦可藉由另外 使晶片TP之可動部動作。 部動作之情形進行說明,但 之方法例如藉由磁氣作用等 下面,對作為檢測晶片 情形進行說明。 圖18係說明於電子束照射 之情形之圖。 檢:驗膜片構造之微小構造體之 11之照射窗上使用有膜片構造
如圖18所示,顯示從直办技 具二& 81向大氣中射出電子束eb 之照射窗80之一部分,如复访 刀如具放大之截面構造所示,採用有 片構坆之f月形、或者為複數之膜片構造配置為陣列狀之照 射窗。 薄膜之膜片構造。並且’圖18圖示在單一材料上形成膜、 且僅1層之膜片構造’但亦可以複數之材料形成為多層膜 使用圖19之流程圖,對依照本發明之實施形態2之微小 構造體之檢驗方法進行說明。 參照圖19,首先開始微小構造體之檢驗(步驟s〇#)。然 後,使向檢測晶片TP輸入檢驗信號(步驟S1#)。並且,檢 驗信號係根據從外部所輸入之輸入輸出資料,經由輸入輸 出介面15輸入至控制部20,控制部20指示電壓驅動部3 !輸 出成為特定之檢驗信號之輸出電壓。 並且,藉由檢驗信號,檢測晶片TP之可動部動作(步驟 S2#)。具體之動作雖容後述,但藉由施加檢驗信號,膜片 上下動作。用麥克風3來檢測該上下動作狀態時所產生之 聲音。亦即檢測檢測晶片之可動部之膜片之聲音(步驟 113170.doc -26- 1300844 S3#) 〇 其次,控制部20,根據用麥克風3所檢出之檢出聲音, 4 "ί貝檢測晶片之特性值(步驟S 4 #)。 其次,控制部20,判定所測定之特性值、亦即測定資料 是否為容許範圍(步驟S6#)。具體而言,由測定部25分析 檢出之檢出聲音之信號特性,以判定裝置是否為容許範 圍。 在步驟S6#,判定為是容許範圍時定為合格(步驟S7#), 實行資料之輸出及保存(步驟S8#)。並且,關於資料之保 存雖未圖示但根據來自控制部20之指令,記憶於設在檢 查裝置5内部之記憶體等記憶部中。另外,控制部川,亦 發揮作為判定部之作用,根據來自測定部25之測定資料判 定檢測晶片。
在步驟請’若沒有下一個要檢查之晶片時,則結束微 小構造體之檢驗(步驟S10#)e另一方面,在步驟S9#,若 尚有下一個應該檢查之晶片時,則返回最初之步驟, 再夂實行上述之檢查。 此處,在步驟S6# ’控制部2〇若判定所測定之特性值亦 4疋'貝料不在谷許圍時定為不合格(步驟實行 再檢驗(步驟⑽)。具體而言,藉由再檢驗,可以去除判 足為容許㈣外之晶片。或者,即使判定為容許範圍外之 :片’亦可分為複數種1即認為在嚴格之檢驗條件下不 標準之晶片,藉由實行修補及修正等,實際上出廢 又有問題之晶片亦多數存在。因此,亦可藉由再檢驗等 113170.doc -27- 1300844 實行上述分類,以篩選晶片,並根據篩選結果出廠。 圖20係說明依照本發明之實施形態2之微小構造體之檢 驗系統1 #之一部分之概念圖。 參照圖20,此處,設置有測定治具45。並且,檢驗裝置 5#之電壓驅動部31,經由探針p與測定治具“之電極墊 pD#電氣結合。 此處,作為一例,顯示1個電極墊PD#與探針p電氣結合 ❿ 之情形。並且,在該測定治具45之表面,設置有隔片47, 以使電極ED與照射窗80不直接接觸。 圖21係詳細說明測定治具45及裝載於其上之電子束照射 器之照射窗80之圖。 參照圖2 1,在測定治具45之表面上設置有電極ED。並 且在電極ED與照射窗80之間設置有用於確保特定間隔[之 隔片47。另外,電極pD與外部電極墊PD#如前所述電氣結 合。 Φ 檢驗方法,按與圖19所說明之方式相同之方式實行。亦 即,藉由從電壓驅動部31經由探針P施加電壓,基於膜片 與電極ED之間之靜電引力,膜片被吸引向測定治具45 ; 藉由週期性地實行該吸引動作,由麥克風3檢出從具有膜 片構造之裝置所輸出之檢出聲音。然後,在測定部2 5測定 所檢出之檢出聲音,在控制部20對其實行判定。 圖22係詳細說明測定治具45及裝載於其上之電子束照射 器之照射窗80之另一圖。 參照圖22,與圖21所示之照射窗80相比較,不同點在 113170.doc 28 - 1300844 於:相對於圖21所示之膜片構造之照射窗8〇朝下配置,圖 22所示之膜片構造之照射窗8〇朝上配置。另外在電極ed 上設置隔片48、次電極EDa,藉由貫穿隔片48之接觸孔, 電極ED與次電極EDa電氣結合。並且,如圖21所說明,電 極亦即次電極EDa與膜片構造之間之距離設定為[。此時 亦可按與圖20之情形相同之方式實行微小構造體之檢驗。 圖23係說明膜片構造之照射窗8〇之頻率特性之圖。 • 如圖23所示,橫軸表示頻率(Hz)、縱軸表示輸出音壓。 並且,可以實行與前述相同之判定方法。 圖24係對依照本發明之實施形態2之容許範圍之判定方 法進行說明之圖。本例中,對由輸出音壓之頻率特性判定 容許範圍之情形進行說明。 參照圖24(a),此處,由預先假定之使用條件等算出裝置 所要求之最大頻率及最小頻率,判定在該頻率頻帶内能否 檢出所希望之特性。此處,作為下限位準之最小特性位準 • 料臨限值顯示,圖24所示之例中,在特定之頻率頻帶内 檢出最小特性位準之臨限值以上之應答特性,故可以判定 為良品。 另一方面,若為臨限值以下,則作為不良品可以選出進 入再檢驗等之步驟。 並且,作為臨限值之設定方式可以考量各種方式,從晶 圓級裝配後在封裝級(製品級)判定良品或不良品,但可Z 以判定為良品及不良品之製品之晶圓級之輸出音壓之頻率 應答特性作為基準,設定臨限值。可以藉由基於複數之良 113170.doc -29- 1300844 ηπ及不良品之樣品並考量其偏差等,設定合適之臨限值。 另外’本例中,雖僅判定是否為規定之臨限值位準以下, 但並不僅限於此,亦可基於良品之輸出音壓之頻率應答特 性之模擬結果,將該良品之輸出電壓之頻率應答特性用作 臨限值’藉由是否近似於良品之輸出音壓之頻率應答特 性,來判定良品或不良品。另外,為了提高精度,亦可配 合目視檢驗,判定良品或不良品。
如圖24(b)所示,由預先假定之使用條件等來預先設定 裝置所要求之最大頻率及最小頻率,判定在該第丨頻率頻 帶内中能否檢出所希望之特性,同時判定預先假定之共振 頻率是否包含於特定之頻率頻帶(第2頻率頻帶)内,藉此可 以實行高精度之良品或不良品之判m卜此處,Β作為 一例顯示使用2個頻率頻帶實行良品或不良品之判定之方 式’但並不僅㈣此,亦可藉由進—步使用複數之頻 帶設置臨限值狀’更詳細地分析裝置之特性,實行高精 度之良品或不良品之判定。另外,如前述,說明由預: 定之使用條件等來収裝置裝置所要求之最大頻率及最小 頻率,但並不僅限於該條件,t然亦可基於其他條件或盆 他方式來設定最大頻率及最小頻率。 八 如二24⑷所示’例如與圖24(b)比較,可以將特定之頻 率頻f進-步分為複數之頻率頻帶組。本例中 第 2頻率頻帶分割為2組,作為幻及第2之頻率組頻帶,^ 預先假定之共振頻率屬於特定之頻率頻帶中之哪一 處’顯示共振頻率包含於第1頻率組頻帶之情形。藉此, 113170.doc 1300844 例如判定為良品之情形,亦可 能之分類' '' 在良品中亦可實行性 圖25係對㈣本❹之 判定方法進行說明之圖。 〜、2之另外之容許範圍之 圖25⑷係顯示良品時之頻率特性 說明之判定方法以外,作為上限位準 2在圖24所 臨限值顯示。例如,在 、位準作為 準以上h胜祕 彳疋之頻率頻▼内,將最小特性位 卓上最大特性位準以下之裝置敎為良品。本例中,裝 置可以判定為良品(合格)。 —圖25(b)係顯不不良品時之頻率特性。若根據上述之判 疋方法’在特定之料頻㈣僅能得到未滿最小特性位準 之輸出,故可以判定為不良品(不合格)。 火並且’作為最小特性位準及最大特性位準之臨限值,如 刖所述’可以藉由基於複數之良品及不良品之樣品並考量 其偏差’設定成為上限及下限之臨限值之輸出音麼之頻 應答特性。 “圖26係對依照本發明之實施形態2之另外之容許範圍之 $疋方&進行說明之圖。此處’設置有複數之特性位準 L1〜L3 〇 例如’於夾在特性位準L1與L2之間之區域内檢出輸出特 性時,定為性能CB。另外,於夾在特性位準^與L3之間 之區域内檢出輸出特性時,定為性能CA。 藉由該分類,例如包含於性能CB之裝置,作為靈敏度 一般者辦理;另一方面,包含於性能CA之裝置,可以作 113170.doc -31- 1300844 為簠敏度過高者實行分類。 另外,作為另外之判定方法 __ 内,改j疋方j #可在特定之頻率頻帶 円改變臨限值來判定。 二:說明料輸出音M,在料之頻率頻帶内,改變 限值只行料_之散之情形之圖。 =圖27所示’設置複數之特性位準u〜L3。判定從最小 ';、Μ頻率,於夾在特性料u與特性位準L2之間之 區域内是否出現應答特性。然後,判定從中間頻率至最大 頻率’於夾在特性位和與特性位準L3之間之區域内是否 出現應答特性。 如上所述藉由進-步細化條件進行判^,可以更高精度 地判定。 ^ ★另=,作為另外判定方法’亦可由預先假定之使用條件 等來算出裝置所要求之最大頻率及最小頻率,並算出佔據 包含該範圍内之頻率頻帶之面積比率,根據該面積比率是 否超過成為特定之基準之面積比率,敎是否為容 圍。 圖28係說明對於輸出音壓,根據面積比率實行容許範圍 之判定之情形之圖。 如圖28所示,以包含於最小頻率與最大頻率之間以及最 小特性位準與最大特性位準之間之區域内之面積作為基 準。然後,算出裝置之應答特性在該區域所佔有之面積: 然後,算出面積比率。本例中,可判定斜線部分之面積 /OK(合格)區之面積,是否在成為基準之特定面積比率亦 113170.doc -32· 1300844 即面積間僅以上。若在面積間値以上則定為合格,若未滿 面積閾値則定為不合格。 另外,作為另外之判定方法,亦可使用共振點判定。 圖29係說”於輸出音虔,制裝置之共振點來實行容 許範圍之判定之情形之圖。 如圖29⑷所示,在最小頻率與最大頻率之間之特定之頻 率頻帶内’判定是否超過最小共振點位準。若超過則 合格。 另一方面,如圖29(b)所示,未超過最小共振點位準 時,定為不合袼。 另外’如圖29(c)所示,在最小頻率與最大頻率之間之特 定之頻率頻^ ’無共振點時亦定為不合格。 如上所述’藉由依照本實施形態2之微小構造體之判定 方法,可以料地判定裝置是否為料範圍,並可以將裝 置容易地分類。藉此,在後面之封裝級等之參數等之調整 時’亦可㈣該分類之判定結果n在後面之出廠階 ’又’可以根據分類來分級,可以提供符合用戶希望之裝 置。並且’前述中’舉出了各種實行微小構造體之判定方 式之例子,但並不僅限於此,例如,當然亦可組 式來判定。 另外’本例中’對藉由㈣音壓之頻率特性來判定容 範圍之情形進行了說明,但並不僅限於此,當然亦可採用 前述之判定方法,由顯示裝置之特性之其他頻率特性來 定裝置是否為容許範圍。 113170.doc -33- 1300844 並且亦可將使電腦實行本實施形態之判定方法之程式 預先圮憶於FD、CD-ROM或硬盤等之記憶媒體中。此種情 形時,亦可在檢驗裝置上設置讀取存儲於記錄媒體之該程 式之驅動裝置,控制部20經由驅動裝置接收程式,實行前 述谷許範圍之判定。再者,亦可在網絡連接時,從伺服器 下載該程式,在控制部20實行容許範圍之判定方法。 並且,上述中,作為膜片之驅動方法,對基於靜電引力 及引之方式進行了說明’但並不僅限於此,亦可採用由促 動器進行吸引之方式。 另外,上述中,作為檢驗對象,以膜片構造為例進行了 說明,但並不僅限於此,作為樑構造與檢驗對象,亦可依 照前述方式實行檢驗。 本次所揭示之實施形態應認為在所有點上為例示,而非 限制。本發明之範圍並非上述之說明,而是由申請專利範 圍所顯示,意圖包含與申請專利範圍均等之意義及範圍内 之所有變更。 【圖式簡單說明】 圖1係依照本發明之實施形態1之微小構造體之檢驗系統 1之概略構成圖。 圖2係3軸加速度感測器之自裝置上方所見之俯視圖。 圖3係3軸加速度感測器之概略圖。 圖4係說明受到各轴向的加速度之情形下之重錐體.與標 之變形之概念圖。 圖5(a)、(b)係對各轴所設置的惠斯同電橋之電路構成 113170.doc -34- 1300844 圖。 圖6(a)〜(C)係說明3轴加速度感測器之相對於傾斜角之輸 出應答之圖。 圖7係說明重力加速度(輸入)與感測器輸出之關係圖。 圖8(a)〜(C)係說明3軸加速度感測器之頻率特性圖。 圖9係對依照本發明之實施形態1之微小構造體之檢驗方 法實行說明之流程圖。 φ 圖10係說明應答於從揚聲器2所輸出之檢驗音波之3軸加 速度感測器之頻率應答之圖。 圖11(a)〜(c)係對依照本發明之實施形態1之容許範圍之 判定方法進行說明之圖。 圖12(a)〜(b)係對依照本發明之實施形態1之其他容許範 圍之判定方法進行說明之圖。 圖13係對依照本發明之實施形態1之另外之容許範圍之 判定方法進行說明之圖。 φ 圖14係說明對於感測器輸出電壓,在特定之頻率頻帶 内’改變臨限值實行容許範圍之判定之情形之圖。 圖15係說明對於感測器輸出電壓,根據面積比率實行容 許範圍之判定之情形之圖。 圖16(a)〜(c)係說明對於感測器輸出電壓,使用裝置之共 振點來實行容許範圍之判定之情形之圖。 圖17係依照本發明之實施形態2之微小構造體之檢驗系 統1#之概略構成圖。 圖18係說明於電子束照射器之照射窗上使用有膜片構造 113170.doc -35- 13〇〇844 之情形之圖。 圖19係對依照本發明之實施 方法進行說明之m 之❹構造體之檢驗 圖20係說明依照本發明之實施 驗系統1#之一部分之概念圖。^小構造體之檢 圖係詳細說明測定治具45及裝 器之照射請之圖。 上之電子束照射 圖22係詳細說明測定治具45及裝載於其上之電子束昭射 器之照射窗80之其他圖。 电于束照射 圖23係說明膜片構造之照射窗8〇之頻率特性之圖。 圖24(a)〜(c)係對依照本發明 判定方法進行說明之圖。實㈣.w許範圍之 圖⑷、⑻係對依照本發明之實施形態2 圍之判定方法進行說明之圖。 他备許把 圖26係對依照本發明之實施形 判定方法進行說明之圖。 之另外之容許範圍之 圖27係說明對於輸出音壓,在特定之頻率頻帶内,改變 臨限值實行容許範圍之判定之情形之圖。 圖28係說明對於輸出音壓 之判定之情形之圖。 根據面積比率實行容許範圍 圖=侦糸說明對於輸出音壓,使用裝置之共振點來 實仃谷許範圍之判定之情形之圖。 【主要元件符號說明】 1、1# 檢驗系統 mno.doc * 36 - 1300844 2 揚聲器 3 麥克風 4、P 探針 5、5# 檢驗裝置 6 探針卡 10 、 10# 基板 15 輸入輸出介面 20 控制部 25 測定部 30 揚聲器控制部 31 電壓驅動部 35 信號調整部 45 測定治具 113170.doc .37·
Claims (1)
- i. 13008<4427123號專利申請案 月"日修(更)正替換頁 中文申請專利範圍替換本(97年4月) 十、申請專利範圍: 一種微小構造體之檢驗裝置, 罝其係評價至少1個具有形 成於基板上之可動部之微小構造體之特性者;且包含: ^產生機構’係檢驗時向前述微小構造體輸 音波者;及 坪價機構,係用於檢測庫义 州應答由前述音波產生機構所輸 出之前述檢驗音波之前述微小構造體之可動部之動作, 並基於檢測結果評價前述微小構㈣之特性者;且 前述評價機構係根據至少1個在特定頻率頻帶之基於 前述微小構造體之可動部之動作所輸出之輸出電壓與成 為特定之臨限值之輪雷厭+ ^ ^ 铷出電壓之比較以評價前述微小構造 體之特性。 2·如4求項1之微小構造體之檢驗裝置,#中前述特定之 限值’具有前述特定頻率頻帶之第i及第2之臨限值判 定位準;且 月’J述评價機構,當前述輸出電壓之頻率應答特性包含 於别述特定頻率頻帶之前述第i及第2之臨限值判定位準 之間時,判斷為良品。 3 ’如明求項1之微小構造體之檢驗裝置,其中前述特定之 " ’具有前述特定頻率頻帶之複數之臨限值判定位 準;且 J“機構’將前述特定頻率頻帶之前述輸出電壓 之頻率應答特性之分佈,基於前述複數之臨限值判定位 準5割為複數組,並基於前述輸出電壓之頻率應答特性 113170-970411.doc 1300844 所屬之組來評價品質。 4·如叫求項丨之微小構造體之檢驗裝置,其中前述評價機 構將如述特定頻率頻帶之前述輸出電壓之頻率應答特 性之分佈,分割為前述複數之頻率頻帶組,並基於前述 輸出電壓之頻率應答特性所屬之組來評價品質。 如明求項1至4中任一項之微小構造體之檢驗裝置,其中 前述檢驗音波具有單一之任意頻率。 如明求項1至4中任一項之微小構造體之檢驗裝置,其中 别述檢驗音波具有複數之不同之任意頻率。 7.如請求項6之微小構造體之檢驗裝置,其中前述檢驗音 波相當於白噪音。 8· 一種微小構造體之檢驗裝置,其係評價至少丨個具有形 成於基板上之可動部之微小構造體之特性者·,且包含: 驅動機構,係向前述微小構造體之可動部電氣地給與 動作者;及 ^ 評價機構,係用於檢測應答前述微小構造體之動作所 輸出之聲音,並基於檢測結果評價前述微小構造體之 性者;且 ' 鈉述矛彳貝機構,係根據至少丨個在特定頻率頻帶之基 於刖述微小構造體之可動部之動作所輸出之輸出音壓與 成為特^之臨限值之輸出音壓之比較以評價前述微小構 造體之特性。 9·㈣求項8之微小構造體之檢驗裝置,纟中前述特定之 臨限值,具有前述特定頻率頻帶之^及第2之臨限值判 113170-970411.doc 1300844 定位準;且 协1述f &機構’當前述輸出音麗之頻率應答特性包含 "述特疋頻率頻帶之前述第1及第2之臨限值判定位準 之間時,判斷為良品。 1。·=求項8之微小構造體之檢驗裝置,其中前述特定之 準具有别述特定頻率頻帶之複數之臨限值判定位 之m賈機構’將前述特定頻率頻帶之前述輸出音壓 準二=r °特&之分佈’基於前述複數之臨限值判定位 之二為複數組,並基於前述音魔之頻率應答特性所屬 之組來評價品質。 叮屬 11. 如請求項8至1 〇中权_ s 一項之微小構造體之檢驗裝置,其 之頻ϋ機構,將前述特定頻率頻帶之前述輸出音壓 么且^答特性之分佈,分割為前述複數之頻率頻帶 基於前述輸出音壓之頻率應答特性所屬$έ t 價品質。 行注所屬之組來評 12. n小構造體之檢驗方法,其係評價至少1個且㈣ 了動权被小構造體之特性者;. 檢驗時向前述微小構造體輸出檢驗音波之 . 檢測應答由前述音波產生機構所^ , 之前述微小構造體之可動部的動作之步驟;:檢驗音波 基於檢測結果評價前述微小構造體之 則迷評價步驟中係根據至少丨個在特定=,且 出之輸出電壓盥成幺牲A 4 A 了貝丰頻帶所檢 、成為特疋之臨限值之輪出電壓之比較以 113170-970411.d〇( 1300844 評價前述微小構造體之特性。 13 ·如μ求項丨2之微小構造體之檢驗方法,其中前述特定之 臣品限值’具有前述特定頻率頻帶之第1及第2之臨限值判 定位準;且 月1J述評價步驟,當前述輸出電壓之頻率應答特性包含 於則述特定頻率頻帶之前述第1及第2之臨限值判定位準 之間時,判斷為良品。 14·如明求項12之微小構造體之檢驗方法,其中前述特定之 臨限值,具有前述特定頻率頻帶之複數之臨限值判定位 準; 八前述特定頻率頻帶之前述輸出電壓之頻率應答特性之 分:、’基於前述複數之臨限值判定位準分割為複數組;且 月j述。平j貝纟驟係基於前述輸出電壓之頻率應答特性所 屬之組來評價品質。 15. 如請求項12之微小構造體之檢驗方法,其中前述特定頻 :頻帶之前述輸出電壓之頻率應答特性之分佈,分割為 前述複數之頻率頻帶組;且 月』述4 貝步驟係基於前述輸出電壓之頻率應答特性所 屬之組來評價品質。 16. 如凊求項12之微小構造體之檢驗方法,其中前述檢驗音 波具有單一之任意頻率。 17. 如請求項12之微小構造體之檢驗方法,其中前述檢驗音 波具有複數之不同之任意頻率。 18. 如請求項17之微小構造體之檢驗方法,其中前述檢驗音 113170-970411.doc 1300844 波相當於白噪音。 19.:種微小構造體之檢驗方法,其係評價至少“固具有形 成於基板上之可動部之微小構造體之特性者;且包含/ 電氣地給與前述微小構造體之可動部動作之步驟; 檢測應答前述微小構造體之動作所輸出之 驟;及 I日之步 2於檢測結果評價前述微小構造體之特性之步驟;且 前述評價步驟係根據至少i個在特定頻率頻帶所 j出音壓與成為特定之臨限值之輸出音壓之比較 價如述微小構造體之特性。 2〇.如請求項19之微小構造體之檢驗方法,其中前述特 有前述特定頻率頻帶之第1及第2之臨限值判 前述評價步驟,當前述音屡之頻率應 述特定頻率葙鹛夕A、七你, 了丨^ B於别 羊頻▼之^第1及第2之臨限值判定 時,判斷為良品。 '^間 21. ^請求項19之微小構造體之檢驗方法,其中前述特定之 :限值’具有前述料頻率頻帶之複數之臨限值判定位 罕, 頻率應答特性夕八/士 輸出立磨之〜前述特定頻率頻帶之前述 二、::别述複數臨限值判定位準分割為複數組;且 厂Ή價步驟係基於前述特定頻率頻帶之前述輪出立 遷之頻率應答特性所屬之組來評價品質。 出曰 2 2 ·如凊求項19之微^播、生触 幻、構造體之檢驗方法,其中前述特定頻 113170-970411.doc 1300844 率頻帶之前述輸出音壓之頻率應答特性之分佈,分割為 前述複數之頻率頻帶組;且 月j述口平^貝步驟係基於前述輸出音壓之頻率應答特性所 屬之組來評價品質。 23. -種儲存微小構造體之檢驗程式之電腦可讀取記錄媒 體’前述檢驗程式隸如請求額至22巾任—項之微小 構造體之檢驗方法於電腦執行者。 24. -種微小構造體之檢驗裝置,其係評價至少“固具有形 成於基板上之可動部之微小構造體之特性者;且包含: 驅動機構’係向前述微小構造體之可動部電氣地給與 初Tp考",及 評價機構 輸出之聲音 性者;且 係用於檢測應答前述微小構造體之動作所 並基於檢測結果評價前述微小構造體之特 别迷評價機構係對於在特定 構造體之可動部之動作的輸出音㈣:::小 性:準與最大特性位準所包圍之特定區域之佔 ^异出佔有率’根據該佔有率與成為特定臨限值占 率之比較,評價前述微小構造體之特性。 有 113170-970411.doc
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/012,729 US20080223136A1 (en) | 2005-08-04 | 2008-02-04 | Minute structure inspection device, inspection method, and inspection program |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005226867A JP2007040896A (ja) | 2005-08-04 | 2005-08-04 | 微小構造体の検査装置、検査方法および検査プログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200720659A TW200720659A (en) | 2007-06-01 |
TWI300844B true TWI300844B (zh) | 2008-09-11 |
Family
ID=37708786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095127123A TW200720659A (en) | 2005-08-04 | 2006-07-25 | Device, method, and program for inspecting microstructure |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1930732A1 (zh) |
JP (1) | JP2007040896A (zh) |
KR (1) | KR20080031346A (zh) |
CN (1) | CN101238376A (zh) |
TW (1) | TW200720659A (zh) |
WO (1) | WO2007015506A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5633470B2 (ja) * | 2011-05-16 | 2014-12-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN102890165B (zh) * | 2012-10-19 | 2014-07-09 | 华锐风电科技(集团)股份有限公司 | 风机加速度传感器检测方法及装置 |
JP6775347B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-10-28 | 株式会社日立製作所 | 電圧検出器及び電圧検出方法 |
JP7056097B2 (ja) * | 2017-11-28 | 2022-04-19 | 富士電機株式会社 | 診断装置及び方法 |
CN114192911B (zh) * | 2021-12-03 | 2023-05-23 | 中国航发北京航空材料研究院 | 一种涡轮叶片电火花制孔贯穿检测方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3706765C3 (de) * | 1987-03-03 | 1995-11-09 | Telefunken Microelectron | Aufprallsensor für ein Fahrzeug, mit einer Prüfschaltung |
JPH0534371A (ja) * | 1991-07-31 | 1993-02-09 | Tokai Rika Co Ltd | 半導体加速度センサの感度測定装置 |
JPH0933567A (ja) * | 1995-07-21 | 1997-02-07 | Akebono Brake Ind Co Ltd | 半導体加速度センサのセンサチップ検査方法及び検査装置 |
JP4007692B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2007-11-14 | Hoya株式会社 | メンブレンリングの製造方法 |
JP2001264185A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Nikon Corp | レチクルのメンブレンの内部応力測定方法及び装置、並びに半導体デバイスの製造方法 |
JP4387987B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2009-12-24 | 株式会社オクテック | 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法および微小構造体の検査プログラム |
-
2005
- 2005-08-04 JP JP2005226867A patent/JP2007040896A/ja active Pending
-
2006
- 2006-07-25 TW TW095127123A patent/TW200720659A/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-08-02 WO PCT/JP2006/315277 patent/WO2007015506A1/ja active Application Filing
- 2006-08-02 CN CNA2006800288474A patent/CN101238376A/zh active Pending
- 2006-08-02 EP EP06782146A patent/EP1930732A1/en not_active Withdrawn
- 2006-08-02 KR KR1020087002357A patent/KR20080031346A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200720659A (en) | 2007-06-01 |
JP2007040896A (ja) | 2007-02-15 |
CN101238376A (zh) | 2008-08-06 |
WO2007015506A1 (ja) | 2007-02-08 |
KR20080031346A (ko) | 2008-04-08 |
EP1930732A1 (en) | 2008-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4387987B2 (ja) | 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法および微小構造体の検査プログラム | |
TWI289204B (en) | Minute structure inspection device, minute structure inspection method, and minute structure inspection program | |
KR101011491B1 (ko) | 미소 구조체의 검사 장치, 미소 구조체의 검사 방법 및 기판 유지 장치 | |
JP4573794B2 (ja) | プローブカードおよび微小構造体の検査装置 | |
EP1801578A1 (en) | Microstructure inspecting apparatus and microstructure inspecting method | |
KR101019080B1 (ko) | 미소 구조체의 검사 장치 및 미소 구조체의 검사 방법 | |
TWI300844B (zh) | ||
US20080223136A1 (en) | Minute structure inspection device, inspection method, and inspection program | |
JP4856426B2 (ja) | 微小構造体の検査装置、及び微小構造体の検査方法 | |
JP4712474B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造方法プログラムおよび半導体製造装置 | |
TWI338138B (zh) | ||
JP4822846B2 (ja) | 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法および微小構造体の検査プログラム | |
JP2010048597A (ja) | 微小構造体の検査装置および微小構造体の検査方法 | |
JPWO2007018186A1 (ja) | 微小構造体の検査装置,検査方法および検査プログラム | |
JP2006284553A (ja) | 微小構造体の検査装置、微小構造体の検査方法および微小構造体の検査プログラム | |
JP2010048598A (ja) | 微小構造体の検査装置および微小構造体の検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |