TWI291663B - Optical fingerprint sensor with variable resistors - Google Patents

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TWI291663B TW092119572A TW92119572A TWI291663B TW I291663 B TWI291663 B TW I291663B TW 092119572 A TW092119572 A TW 092119572A TW 92119572 A TW92119572 A TW 92119572A TW I291663 B TWI291663 B TW I291663B
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Description

1291663 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係概括關於一指紋感測器,尤指一種具可變電阻之光 學式指紋感測器。 … 【先前技術】 請參考圖一,圖一為習知指紋感測器10之功能方塊圖。指紋 感測器10為種電谷式指紋感測器如gerprint sens〇r), 其係藉由其_電容值的變化來辨識指紋。指域測H10包含有 辨硪單70外部訊號偵測處理電路12以及一感應區14。當一使用 者欲辨識其缺時’可將其手指按壓於顏區14之上,以使感應 區14的細電路依據其手指之指紋產生補應的訊號,之後感應 區Η所產生的瓣u即會被傳送觸識單元外部訊號侧處理電路 12進行分減理,以觸出使用者的缺。 月 > 考圖―圖__為圖—感應區14的電關。感應區Μ自 有複數個制成矩陣的辨識單元16,每—辨識單元邮是用聋 應使用者之缺上對紐置上軌路,並分观含有一電晶截 :制嫌f。麵細4獅時,電趟嶋極冰 I?:卿S2,而當使用者的指紋按壓於感應_ 科,細谷容值⑽。#_彻的電容似 1291663 時’電晶體18的閘極電壓即會因電容藕合效應而改變,其中電晶 體18閘極電壓的改變量係由偵測電容cf^電容值所決定,並 可以以下列方程式表示: AVg=Vs · Cgs/(Cgs+Cf) 其中,Vs為偵測訊號Vsl或Vs2的電壓值;
Cgs為電晶體18之閘極G與源極S之間的寄生電容值;而 Cf則為偵測電容的電容值。 電晶體18的閘極電壓的變化量AVg會直接影響流經電晶體以 的電流I之大小,而辨識單元外部訊號偵測處理電路12即是依據電 流I的變化情形來辨識出使用者的指紋。細,這種藉由偵測流經 電晶體I8的電流I之變化來觸指_綠,其錄度易受到相鄰 電晶體18之漏電流的影響,而使得其辨識的準確度無法有效地提 高。 【發明内容】 因此’本發明的目的即在於提供一種藉由侦測電位之變化來 辨識指紋的指紋感測器,以解決上述的問題。 Ϊ291663 依據本發明實施的指紋感測器包含有一辨識單元外部訊號偵 测處理電路以及複數個辨識單元。每一辨識單元分別包含有一、 關7〇件、一第一電阻,以及一第二電阻。該開關元件包含有一第 一端、一第二端以及一第三端,其中該第一端連接於一啟動端, 。亥第二端連接於該辨識單元外部訊號偵測處理電路,而該啟動立山 係用來控制該開關元件之開啟及關閉。該第一電阻之一端連接於 該開關元件之第二端,被偵測的指紋會影響該第一電阻所受光照 之強度,而使該第-電阻之電阻值改變,進而使該第二端之電位 改變。該第二電阻之—端連接於該劇元件之第二端,且其具有 固定的電阻值。當該等開關元件開啟時,該辨識單元外部訊號 偵測處理電路會依據該等開關元件之第二端的電位來辨識該指U 级0 【實施方式】 Μ參考圖二,圖二為本發明電阻式指紋感測㈣之功能方塊 圖。指紋感測器50為-種電阻式指紋感測器㈣如他卿^ s_r) ’其係藉由偵測因電阻值變化而改變的電壓值來辨識指 紋。指紋_獅包含有—觸單元外部織侧處理電賴以 及二感應區54。感編4内包含有複數個辨識單元,酶一辨識 單元包含有-可變電阻,此可變電阻之電阻值相受到光照強度 的不同而有所變化。 7 Ϊ291663 請參考圖四,圖四為利用圖三指紋感測器50辨識一指紋泣時 之不意圖。當欲辨識一指紋62時,需先將指紋62形成於一透光材 質60之上,之後再利用光線64來照射透光材_,以影響感應區 54之表面的光照情形,進而使得感應區54内的複數個辨識單元之 可麦電阻’得以因所文光照情形的不同,而具相對的電阻值。當 感應區54受到光線64的照射後,複數個辨識單元會輸出對應於可 變電阻之修_f魏號頌解元外部訊麵測處理電路 52,而辨識單元外部訊號偵測處理電路52則可藉由所接收到的電 壓訊號來辨識透光材質60上的指紋62。 請參考圖五,圖五為圖三感應區Μ之電路圖。感應區%包含 有複數個辨識單元40,每一辨識單元4〇皆電連接於一第一參考電 壓立而42與一苐一^參考電壓端44,並包含有一第一電阻ri、一第一 電阻R2,以及一由電晶體所構成的開關元件56。第一電阻R1與第 二電阻R2係以串聯的方式電連接於第一參考電壓端42與第二泉考 電壓端44,其中第一電阻R1之一端電連接於第一參考電壓端42, 第二電阻R2之一端皆電連接於第二參考電壓端44。第一電阻^^為 一光感式可變電阻,其電阻值會因所受光照之強度而呈現對應的 變化。第一電阻R1可由非晶石夕(amorphous silicon)製成,當第一電 阻R1所受到的光照強度越強時,其電阻值會越低,反之則越高。 第二電阻R2的電阻值則是固定的,其電阻值並不會因所受光照強 1291663 度的不同而改變,而第二電阻R2可由氧化_(indiumti_ide, ιτο)製成。在本實施例中’電晶體56為—金屬氧化半導體(m〇s) 電晶體,其包含有-為閘極(gate)的第—端G、一為源極(so·)的 第二端,以及-為汲極(drain)的第三端。每一電晶體兄之問極嫂 接於-對應的啟動端46,啟動端46可控制電晶體56的導通與否。 一般情況下,啟動端46係處於浮接的狀態時,且電晶體%是不導 通的,然而當啟動端46被施予一啟動電壓¥8卜¥32、乂83或%4時, 電晶體56關會形成-通道,喊得源極s與汲極D之間呈導通的 狀態。除此之外,電晶體56的源極S連接於第一電阻尺丨與第二電阻 R2,而其汲極D則連接於一對應的輸出端48。 當透光材質60放置於感應區54上,以對指紋62進行感測時, 一第一參考電壓Vrefl會被施加於第一參考電壓端42,而一第二參 考電壓Vref2會被施加於第二參考電壓端44,其中第一參考電壓 Vrefl的電壓值會異於第二參考電壓¥代乜的電壓值。因此,電晶體 56之源極S的電位Vs可以以下列方程式表示: = Vrefl ^ {Vrefl - Vre^ - (Vrefl - Vrefl) 其中,rl為第一電阻R1之電阻值,r2為第二電阻R2之電阻值。 然而,因受到光線64照射以及指紋62遮蔽的影響,每一辨識 1291663 單元40的第一電阻R1之電阻值會產生對應的變化,其中受到指紋 62暗色條紋遮蔽的第一電阻R1的電阻值會較未受到條紋遮蔽的第 電阻R1的電阻值大。所以’因各第一電阻R1所受的光照強度會 受到指紋62之條紋的影響,而使得各第一電阻R1之電阻值^會因 指紋62明暗程度的不同呈現出相對應的變化。此外,由上面之方 程式可知,電晶體56之源極S的電位Vs係由第一參考電壓vrefi、 第二參考電壓Vref2、電阻值rl及r2所決定,然而因電阻值〇為固定 值,且兩參考電壓Vrefl、Vref2亦是指紋感測器5〇的内定值,因此· 第一電阻R1所受到光照的強度即可依據源極s的電位▽8來加以判 疋也因此各電晶體56之源極S的電位Vs可反映出指紋62之條紋的 排列情形。所以’辨識單元外部訊號偵測處理電路52可依據上述 複數個電晶體56之源極S的電位Vs來辨識指紋62。 當各電晶體56之源極s的電位Vs因指紋62的遮蔽而改變後,辨 識單元外部訊號偵測處理電路%即會藉由各啟動端你施加一啟動· 電壓Vs卜Vs2、Vs3或Vs4至各電晶體兄之閘極G,以使對應的電 曰曰體56導通。當電晶體56導通後,導通的電晶體兄之没極d的電位 即會文到源齡電位的影響而改變。因此,在導通狀態下的電晶體 56之;及極d電位亦可反映出指紋62之條紋的排列情形。此外,辨識 =外部訊麵測處理電路52可藉由輸出端48來量測出没極D的 電位,之後再依據所量_汲極D電位來分析指紋_條紋排列情 10 1291663 形,以達到辨識指紋62的目的。f說明的是,未避免各電晶體% 的汲極D電位相互干擾,同—時間内,只有單—列的電晶縣之閑 極G會被施予上述的啟動電壓。 时相較於習知的電容式指紋感測器,本發明之電阻式指紋感測 器包含有-辨識單元外部訊號偵測處理電路以及複數個辨識單 y每-辨識單元包含有-關元件、—可變電阻,以及一具固 定電阻值的電阻。柯魏阻的電阻值會騎受絲強度的不同 羑化而使彳于该開關元件的一輪出電位會受到該可變電阻之光 、矛度的心·#,並使彳于该辨識單元外部訊號彳貞測處理電路可藉由 =測該輸出電位該來辨識一指紋之紋路的排列情形。此外,因本 、之電阻式^曰紋感測器係藉由偵測該輸出電位來辨識指紋,故 ,不會有如習知漏電流關題,也因此本發明之電阻式指紋感測 裔的靈敏度、準確性較習知的電容式指紋感測器為優。 以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範 圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明專利之涵蓋範圍。 【圖式簡單說明】 圖—為習知電容式指紋感測器之功能方塊圖。 圖一為圖一指紋感測器之一感應區的電路圖。 1291663 圖三為本發明電阻式指紋感測器之功能方塊圖。 圖四為利用圖三指紋感測器辨識一指紋時之示意圖。 圖五為圖三感應區之電路圖。 【圖式之符號說明】 10、50指紋感測器 、 12、52辨識單元外部訊號偵測處理電路
14、54 感應區 16、40 辨識單元 18、56 電晶體 42 第一參考電壓端 44 第二參考電壓端 46 啟動端 48 輸出端 60 透光材質 62 指紋 64 光線 12

Claims (1)

1291663 十、申請專利範圍: 、種具可變電阻之光學式指紋感測器,用來辨識一指紋,該指紋 感〉則器包含有: 辨哉單元外部訊號偵測處理電路;以及 複數個辨識單元,每―辨識單元分別包含有: 開關7L件,其包含有一第一端、一第二端以及一第三端,該第 一端連接於-啟動端,該第三端連接於該辨識單元外部訊號摘測 處理電路’ _啟動端伽來㈣該_元件之開啟及關閉; 乡第一電阻,其一端連接於上述開關元件之第二端,該指紋會影 "亥第-電崎受光照之強度,而使該第—電阻之電阻值改變, 進而使该第二端之電位改變;以及 第一電阻,其一端連接於上述開關元件之第二端,且其具有一 固定的電阻值; 八 了田〆等開關元件開啟時,1亥辨識單元外部訊號偵測處理電路 會依據該等開_件之第二端的電位來辨識該指紋。 2·如2專利範圍第1項之指紋感測器,其中每-辨識單元第-電 阻之T皆電連接於„第_參考電壓端,且每—辨識單元第二電 阻t端皆電連接於—第二參考電壓端,—第—參考電壓施加於 A第#>考電壓端,一第二參考電壓施加於該第二參考電壓端, 而〆第參考電壓之電壓值係異於該第二參考電壓之電壓值。 13 1291663 3. 如申請專利範圍第1項之指紋感測器,其中每一開關元件皆為一 電晶體。 4. 如申請專利範圍第1項之指紋感測器,其中該第一電阻係由非晶 石夕(amorphous silicon)製成。 5. 如申請專利範圍第1項之指紋感測器,其中該第二電阻係由氧化 銦錫(indium tin oxide,ITO)製成。 十一、圖式:
14
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