TWI285632B - Sewage treatment-recycling system for PCB manufacturing process and method thereof - Google Patents

Description

1285632 本案之主要目的係為提供一種應用於印刺電路板製程之污水處理 及資源回收系統，以有效完善的處理於印刷電路板製程中所產生的各 類廢液，並進行回收，節省資源。

為達上述目的，本案提供一種污水處理及資源回收系統，其結構 至少包含一置換回收單元，其具有一鋁系回收介質，用以與一第A類 廢液進行置換而產生一銅系沈積物及一第B類廢液；一微電解處理單 元，其具有一過濾床，用以提供一電位，使該第B類廢液中之一化學 需氧置（Chemical OxygenDemand，COD)去除，並產生一第e類 廢液；一硫酸銅回收單元，用以使一第c類廢液中一硫酸銅化合物進 行冷凍結晶回收，並產生5水硫酸銅結晶（5H2〇 · CuS〇4)及一廢酸 再回收-驗性回收單元’其具有—驗性砂_，用以過滤二第 D類廢液中之-氫氧化銅膠羽細微顆粒；以及—活性碳過濾部，接續 於該驗性砂齡’肋概娜D類舰絲純林贼侧；以及 -化學凝收單元，其具-化學混賴，用以使該第賴廢液產生一膠 羽狀沈澱及該第A類廢液。

根據上述構想，其中該_回收介f係為_銘粉或刻。 根據上述構想，其中該過濾床係由_鐵粉及_活性碳粉，以各5〇% 之比例所構成。 :為 根據上述構想，其中該第B類廢液更句人mi ^災包含一 B1去膜顯影廢液、 一 B2咼錳酸鉀廢液、一;B3硝酸廢液、一 η」* 、"朴人 月馬狀B4其他廢液、一 B5酸化廢 液或其混合。 根據上述構想，其中該第C類廢液伤盔^ △ 牙兵孚狀係為—硫酸銅之廢液，其可為 一 C1微蚀廢液、一 C2鍍銅廢液或其混合。 1285632 根據上述構想，其中該第D類廢液係為一印刷電路板濕製程言 排放之水洗水。 根據上述構想，其中該第E類廢液係為一 E1製程排出水洗水、 E2過濾'系統反洗水、一 E3R/0膜產生之污水、一 E4其他廢液或其 根據上述構想’該污水處理及資源回收系統更包含一另行處理的 元，用以將-第F類廢液分選，產生該第B類廢液，以納人 : 處理單元。 解 根據上述構想，其中該第F類廢液係為一卩丨鹼性蝕刻廢液、—拉 剝錫鉛廢液或其混合。 本案之另一目的係為提供一種應用於印刷電路板製程之污水處理 方法，以有效完善的處理於印刷電路板製程中所產生的各類廢液，

進行回收，節省資源。 W

為達上述目的，本案提供一種應用於印刷電路板製程之污水處理 方法，其步驟至少包含：（a)混後收集各濕製程之水洗水，再以入氫氧 化鈉，用以調整Ph值達9以上，進而形成-氫氧化銅之細小膠羽；二 過濾該氫氧化銅之細小膠羽，再將其後所得之一澄清液加入硫酸 (H2S04)，用以調整拖值至中性（6〜8);⑹進行一 r/o逆滲透處理， 以使該澄清液產生所需之一純水及一高硬度之純水污水。 根據上述構想，其中該高硬度之純水污水可將併入一水洗水處理 系統進行處理。 根據上述構想，該污水處理方法更包含一步驟(d)利用一具陽離子 樹脂及陰離子樹脂之混床中將該純水進行一混床處理，用以製造出超 純水。 根據上述構想，其中該具陽離子樹脂及陰離子樹脂之混床可以氫 氧化納及硫酸進行再生。 7 1285632 根據上述構想，其憎砂翁過_氫氧化銅之 細小膠羽。 根據上簡想，其帽步_)更包含聽—反親_，以逆流 3 >、濾人並將其所產生之反洗污水併人—水洗水處理系統進行處理。 欠本案之主要目的係為S供一種應用於印刷|路板製程之污水處理 • 及資源回㈣統，財效完善的處理於印刷祕板製程情產生的各 類廢液，並進行回收，節省資源。 為達上述目的，本案提供一種應用於印刷電路板製程之污水處理 ❿及貞源回收方法，其步驟至少包含：⑻將各製程產生之廢液區分為一 第A類廢液、一第B類廢液、一第C類廢液、一第D類廢液、一第E 類廢液及一第F類廢液；（b)將該第A類廢液加入一鋁系回收介質，用 以與该第A類廢液進行置換而產生一銅系沈積物及該第B類廢液；（幻 將該第B類廢液進行一微電解處理，以去除該第B類廢液中之一化學 扁氧I ( Chemical Oxygen Demand，COD )，並產該第e類廢液；⑷ 將該第C類廢液導入一硫酸銅回收機，用以使該第c類廢液產生一 5 水硫酸銅結晶（5H20 · CuS04)及一廢酸以再回收利用；（e)將該第D # 類廢液導入一鹼性砂濾塔，用以過濾該第D類廢液中之一氫氧化銅膠 羽細微顆粒；並再以一活性碳過濾部，用以再使該第D類廢液成為一 、純水而再回收利用；（f)於該第E類廢液中加入一化學混凝劑，用以使 遠第E類廢液產生一膠羽狀沈澱及該第a類廢液；以及(g)分選該第ρ 類麼液，以形成該第B類廢液，以納入該步驟(c)處理。 根據上述構想，其中該鋁系回收介質係為一鋁粉或鋁片。 根據上述構想，其中該第F類廢液係為一 F1鹼性蝕刻廢液、一 F2 制錫鉛廢液或其混合。 根據上述構想，其中該第A類廢液係為一可置換回收之廢液，其 可為一 A1氯化銅廢液、一 A2化學銅廢液、一 A3 EDTA廢液或其混 8 1285632

液或其混合。 根據上述構想，, 一 C1微餘廢液、一 其中该第B類廢液更包含一 B1去膜顯影廢液、 β3硝酸廢液、一 Β4其他廢液、一 Β5酸化廢 ，其可為 根據上述構想， 排放之水洗水。 二其中該第C類廢液係、為_硫酸銅之廢液，其可為 C2錄鋼廢液或其混合。 ’其中該第D類廢液係為一印刷電路板濕製程設備 根據上述構想，其巾該第E類廢液係為 一 E3R/0膜產生之污水、一以其他廢液或其 E2過滤糸統反洗水、一 混合。 —E1製程排出水洗水、 木據上这構心其中5玄第F類廢液係為一 Η驗性餘刻廢液、一们 剝錫鉛廢液或其混合。 本發明並不錄独上所述之實麵。本發明的其他特徵敍述於 下。本發明係以附加的申請專利範圍來定義。 【實施方式】 本段落所敍狀實細係娜本發明，但稀制本發明。本發明 =限定於特殊材料、處理步誠流程。本發明域加的巾請專利^圍 定義。 本案係為一種應用於印刷電路板製程之污水處理及資源回收系統 與其方法，以下實施例雖以精簡系統及流程來說明本案之應用。然而 可應用本案技術的污水處理及資源回收系統與方法並不限於本案所夹 之實施例而已。任何適用下述技術特徵者，在此皆可併入來考了本^ 藉由整合印刷電路板製程之各類廢液處理，使其污染減少，且辦加再 生利用之價值，減少資源之浪費，為一不可多得之發明。 曰 9 1285632 請=見第-圖。其係揭示本案較佳實補之—種污水處理及資源 回收糸I’/、結構至少包含—置細收料丨，其具有—㈣回收介 食12 & 乂’、帛A類廢液11進行置換而產生一鋼系沈積物13及一 第B類廢液2^；-微電解處理單元2，其具有一過濾床Μ，用以提供 -電位’使該第B類廢液21中之一化學需氧量（⑽响她解 Demand ’ C0D)去除，並產生一第E類廢液& ; 一硫酸銅回收單元 用、使帛C類廢液31中一硫酸銅彳匕合物進行冷來結晶回收，並 產生5水硫酸鋼結晶（5H2〇 . CuS〇4 ) 32及一廢酸％再回收利用； 驗性回4，其具有—驗性砂滤塔42，用以過濾—第D類廢液 41中之-氫氧化銅膠羽細微顆粒Μ ;以及一 於該驗性雜塔42，肋再使該第D類廢液41成為财4P4再^ 用’以及化子凝收單元5，其具—化學混凝劑52，用以使該第E類 廢液51產生一膠羽狀如殿53及該第A類廢液1卜而該污水處理及資 源回收系統更包含-另行處理單元6，用以將一第F類廢液61分選， 產生该第B類廢液21，以納入該微電解處理單元2。 A詳盡說明本案之各式廢液分類，請參閱下表。 類 JL 分類 —編號 A1 名稱 ———__ 氣化銅 廢液 製程來源 内層蝕刻機蝕刻段（DES ) 2.外層酸性蝕刻機蝕刻段 (DES) ~-—_ 備註 使 性蝕刻機則需將 其廢液納入其中 A A2 化學鋼 廢液 鍍通孔製程（ΡΤΗ)之化學銅 槽廢液 換定期排放 A3 EDTA 廢液 化學銅廢液經置換過程後所1 產生 '^^^ 1285632 B B1 去膜顯影 廢液 1. 外層線路顯影機之顯影段 2. 内層線路姑刻機顯影段及 去膜段（DES) 3. 防焊製程顯影機顯影段 4. 外層酸性蝕刻機顯影段及 去膜段（DES) 5. 外層鹼性蝕刻機去膜段 (SES) 此廢液屬定期更 換定期排放 B2 高錳酸鉀 廢液 鍍通孔製程（PTH)除膠渣段 所產生之廢液 此廢液屬定期更 換定期排放 B3 硝酸廢液 1. 一次鍍銅線削掛架槽排出 廢液 2. 二次鍍銅線削掛架槽排出 廢液 3. 化學鑛金線排出廢液 4. 其他濕製程設備中所使用 之硝酸廢液 此廢液屬定期更 換定期排放 B4 其他 廢液 1. 黑、棕化線全線排出廢 液，但C1廢液須排除在外 2. ENTEK線全線排出廢 液，但C1廢液須排除在外 3. —次鍍銅線除硫酸銅鍍銅 廢液（C2)及硝酸廢液 (B3)外之所有廢液 4. 二次鍍銅線除硫酸銅鍍銅 廢液（C2)及硝酸廢液 (B3)外之所有廢液 5. 鍍通孔製程（PTH)所有 廢液，但A2、B2及C1 廢液須排除在外 6. 各水平製程前處理設備之 酸洗廢液 7. 電鍍金、化學鍵金、金手 指等製程廢液 8. 喷錫製程所產生之廢液 9. 其他各類酸鹼廢液 此廢液屬定期更 換定期排放 11 1285632 B5 酸化 廢液 其來源自於處理B1水係調整 Ph值達2〜3後所產生之另一 種廢液。 c Cl 微蝕 廢液 1.各水平製程前處理設備之 硫酸雙氧水（h2so4-h2o2) 微蝕廢液 2·鍍通孔製程（PTH)所產 生之硫酸雙氧水 (H2S0rH202)微蝕廢液 3. —次鍍銅線所產生之硫酸 雙氧水（H2S04-H202)微 蚀廢液 4. 二次鍍銅線所產生之硫酸 雙氧水（H2S0rH202)微 蝕廢液 5. 電鑛金、化學鍍金、金手 指等製程之硫酸雙氧水 (H2S04-H202)微蝕廢液 6· ENTEK線排出之硫酸雙 氧水（H2S04-H202)微蝕 廢液 7. 黑、棕化線全線排出之硫 酸雙氧水（h2so4-h2o2) 微触廢液 8. 其他設備所排出之硫酸雙 氧水（h2so4-h2o2)微蝕 廢液 若使用過硫酸納 (SPS)，則需將 其廢液引入B4 此廢液屬定期更 換定期排放 C2 鍍銅 廢液 1. 一次鍍銅線所產生之硫酸 銅廢液 2. 二次鍍銅線所產生之硫酸 銅廢液 此廢液屬定期更 換定期排放 D D 各製程 水洗水 在此係指除鍍通孔製程 (PTH)及外層鹼性餘刻機 (SES)所產生之水洗水（清 洗水）以外，所有濕製程設 備排放之水洗水 此廢水為連續排 放 12 1285632

El 製程排出 水洗水 1·鍍通孔製程（PTH)所產 生之水洗水（清洗水） 2·外層鹼性蝕刻機（SES)所 產生之水洗水（清洗水） 此廢水為連續排 放 E2 過據糸統 反洗水

E 1 ·在處理D系污水過程中， 需使用砂濾及活性碳過 濾，其反清洗（逆洗）水 需進入此系統處理 2·在後段進行混床處理製造 超純水時，因再生所產生 之廢酸液及廢鹼液 此廢液屬定期更 換定期排放 E3 E4

FI 膜產 生之污水 其他 廢液 驗性蚀刻 廢液 在處理D系污水過程中，需 使用R/0逆滲透膜來生產純 水，於過程中會產生硬度較 高之污水，需進入此系統處 理，或再回收用作反清洗（逆 洗）水 其來源來自於B4，且必須在 經過酸化及微電解預處理 後，定量與E1混合處理 外層鹼性蝕刻機蝕刻段 (SES) 此廢水為連續排 放

F F2 剝錫鉛 廢液 外層驗性餘刻機剝錫鉛段 (SES) 此廢液屬定期更 換定期排放 並建議委託處理 或父由物料供應 商回收 此廢液屬定期更 換定期排放 若有代處理廠商 處理則可交由薇 商處理，否則需 納入B4系統處 理 針對Ji述之各絲液，本案整合提供之污水處理及魏回收系統 可以下述方法，達成完善處理之功效。 首先針對第A類廢液中之A1水祕理時，其方法為先收集氯化 13 1285632 銅廢液後，在卿污核理職生之廢水污紐合，用贿解污泥中 之銅離子成為氯化銅（因氯化鋼廢液中含有鹽酸），此時原冑污泥體積 ，減少約7G% ’先經第-階段污泥脫水，將不含銅離子之污泥脫水後 交由合格之廢棄祕理清運廠航理。此時經錄混合之氯化銅廢液 即可進行置換反應’先取廠_製崎產生之廢糾進行破碎或 .粉碎’當氯化銅廢液置入一處理槽後，即可將鋁粉或銘片投入其中進 ^丁置換反應’置換時間約卜4小時（因濃度有所不同），期間，操作者 可注入空氣進行攪拌及冷卻，完成反應後於槽底下方可得相當數量之 φ 銅粉再經脫水後可得銅粉污泥，而上澄液即為氣化銘，此可作為廢水 處理時所需之混凝劑可降低污水操作成本。 針對第A類廢液中之A2水系處理時，則將化學銅廢液投入置換 反應槽中，此時取廠内因鑽孔製程所產生之廢銘片進行破碎或粉碎投 入反應槽進行置換反應，時間約丨〜2小時，期間，操作者可注入空氣 進行攪拌及冷卻，完紐應後於槽底下柯得相當數量之銅粉，其澄 清液則為EDTA—A1，銅粉經過濾後可取得，而澄清液則需導入B4水 糸進行處理。此一處理流程為本案明顯之特殊流程之一。 φ 針對第B類廢液之處理時，B1水系處理會依廢水處理先經酸化， 即投入酸化反應槽中加入硫酸將Ph值調整至2〜3，此時會有許多黏性 浮渣產生，經浮渣濾除或撈除後將澄清酸化廢液（B5)投入酸化儲存 槽中再疋里加入B4水系儲存槽中混合。而B2及B3水系處理則收集 後再疋置加入B4水糸儲存槽中混合。B4則於收集後與定量進入的^ B5、B2、B3水系混合，其後進入微電解系統進行處理。 而該微電解系統係利用鐵粉及活性碳粉以各佔5〇0/〇比例混合為— 開放式過濾床，當過濾廢液時，其電位會將廢液中重金屬及進行 氧化作用進而達到去除COD及與水中重金屬進行預先混凝之功效，^ 中將弟B類廢液疋置混合後’若經微電解處理，且廢液停留時間達 14 1285632 36〜48小時，則COD去除率可達60%以上，此功效可有效的降低後續 化學處理流程之負荷及成本。處理之微電解廢液（E4)，將進入儲存槽 中，定量與第E類污水混合後進行化學處理。 針對第C類廢液之處理，該類水系具C1及€2，雖說產生源不同， 但因類型相近，故設計此二類廢液共同排入同一儲存槽等待下一階段 流程處理即可。處理第c類廢液在設計中即利用硫酸銅回收機，此項 設備可將廢液巾硫目_化合物進行冷躲晶回收，最終成為5水硫酸 銅結晶（5氏0 · CuS〇4)，且回收效率可達9〇%以上，甚至於95%以上。 • 另外之剩餘產物為廢酸，此可用做處理B1時酸化用硫酸，亦可節省污 水處理成本。 第D類廢液之處理’主要針對一般印刷電路板廠内所排出之污染 值較低之水洗水進行處理，由於其回收循環利用價值頗高，在此 各階段步驟作說明： 第-p撒：各賴财洗水齡㈣減行加人NaQH，調整ph 值達9以上，用以形成氫氧化鋼之細小膠羽。 第二階段：則頻顧前隨之雜含錄化銅搞行過渡， φ 其後所知之澄清液再加入邱〇4，用以調整Ph值至中性（6〜8)，於操 作過程中砂祕需糾進行反清洗，其所產生之反洗污水（⑵將併 入第E類系統進行處理。 第二階段·回收利用過程經完成第二階段後，屬於低、無重 金屬之水值，此時可進行Ryo逆滲透膜之純水製造，於設計或工程進 仃過程中，可視狀況適時加入陽離子樹脂進行水質軟化流程。於_ 逆渗透膜純水製造過程，會產生硬度較高之純水污水（E3)，此系污水 將併入第E類系統進行處理。 第四階段：在取得純錢其實可以將其導人至製雜帛，但若因 產品關係而有更高品質之水，難在此進行混床處理，用以 15 1285632 製造出超純水，以供廠内生產時水質需求。於過程中因需再生混广 之陽離子樹脂及陰離子樹脂，所以需要以Na〇H&H2S〇進行，木 生之酸廢液、鹼廢液則與E2混合後處理。 2 4仃而產 而該第D類廢液處理之方法即為一種應用於印刷電路板製程之污 水處理方法，其步驟可概述為：⑻混後㈣各濕製程之水洗水，再以 氫氧化鈉，用以輕Ph值達9以上，進而形成一氫氧化銅之細小膠 羽，（b)過濾該氫氧化銅之細小膠羽，再將其後所得之一澄清液加入磅 s_2so4)，用以調整Ph值至中性（6〜8);⑷進行—_逆渗透處理: • 以使該澄清液產生所需之一純水及一高硬度之純水污水。 至於對第E類廢液處理，當各項E類污水產生源經混合後㈤、 E2、E4)，_行化學混凝處理，首先加入氯化銘進行混凝作用（氯化 鋁於A1處理流程中產生），在利用Na〇H調整ph值至中性（6〜〇， 最後加入助凝劑（P〇lymer)形成較大膠羽後進行沉澱，於沉澱池中所 產生之污泥最後將在A1系統中進行處理而上澄液將進入綜合池與E3 水系進行混合之後即可排放。 最後第F類廢液中之F1與F2有相近卻又不盡相同之處理方式， 春射F1可委託處理或交由物料供應商回收。而Μ若有代處理廠商處 理則可交由廠商處理，否則需納入B4系統處理。 概括而言，本案提供之一種應用於印刷電路板製程之污水處理及 資源回收方法，其步驟至少包含：（a)將各製程產生之廢液區分為一第 A類廢液、一第B類廢液、一第c類廢液、一第D類廢液、一第E類 廢液及一第F類廢液；（b)將該第a類廢液加入一銘系回收介質，用以 與該第A類廢液進行置換而產生一鋼系沈積物及該第B類廢液；（c) 將該第B類廢液進行一微電解處理，以去除該第B類廢液中之一化學 需氧$( Chemical 〇xygen Demand，COD )，並產該第 E 類廢液；（d) 將該第C類廢液導入一硫酸銅回收機，用以使該第c類廢液產生一 5 1285632

Ph : 6〜8 Β·大陸地區： C()d (化學需氧量）·· 100ml/l以下

Cu2+ (鋼離子濃度）·· 3.〇ml/l以下 B0D (生物需氧量）·· 5〇ml/l以下 ss (懸浮固體物）·· 5〇ml/l以下 (氨氮）：l.Oml/1以下 Ph ： 6-8 7 過程中完全·顧生物處理法即可達放流水標準，減 少能資源浪費，並可因應更嚴格的法規及減少繳納水污染防治 費用。 由上可知’本案所揭示之内容，的確能藉由上述所揭露之系統， 達到所述之功效。且本發明申請前未見於刊物亦未公開使用，誠已符 合發明專利之新穎、進步等要件。 縱使本發明已由上述之實施例詳細敘述而可由熟悉本技藝之人士 任施匠思而為諸般修飾，然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。 【圖式簡單說明】 第一圖：其係揭示本案較佳實施例之污水處理及資源回收系統之方塊 流程圖。 【主要元件符號說明】 11 :第A類廢液 13 :銅系沈積物 21 :第B類廢液 3:硫酸銅回收單元 32 : 5水硫酸銅結晶 1 :置換回收單元 12 :紹系回收介質 2 ··微電解處理單元 22 :過濾床 31 :第C類廢液 1285632 33 廢酸 4:鹼性回收單元 41 第D類廢液 42 :鹼性砂濾塔 43 活性破過濾、部 44 :純水 45 氫氧化銅膠羽細微顆粒 5:化學凝收單元 51 第E類廢液 52 :化學混凝劑 53 膠羽狀沈澱 6:另行處理單元 61 第F類廢液 7:回收廠商

Claims (1)

1285632 代年H日修(克)正本 十、申請專利範圍： '~一 1 種應用於印刷電路板製程之污水處理及資源回收系統，其結構 至少包含·· 置換回收單元，其具有一鋁系回收介質，用以與一第A類廢液 進行置換而產生一銅系沈積物及一第B類廢液； Μ電解處理單元，其具有一過濾床，用以提供一電位，使該第B 類廢液中之一化學需氧量（Chemical 〇xygen Demand，c〇D) 去除，並產生一第E類廢液； -硫酸細收單元，㈣使―第c纖液巾—雜銅化合物進行 冷凍結晶回收，並產生5水硫酸銅結晶（5H2〇 · CuS〇4)及― 酸再回收利用； & 一驗性回收單元，其具有一驗性砂濾、塔，用以過濾-第D類廢液 中之-氫氧化銅膠羽細微顆粒；以及一活性碳過渡部，接續於兮 鹼性砂濾塔，用以再使該第D類廢液成為純水再回收利用；^ 一化學凝收單元，其具一化學混凝劑，用以使該第E類廢液產生 一膠羽狀沈澱及該第A類廢液；以及 -另订處理單凡’用以將一第F類廢液分選，產生該第B類廢液， 以納入該微電解處理單元。 2·如申請專利範圍第1項所述之污水處理及資源回收系統，其中該 I呂系回收介質係為一 I呂粉或銘片。 3·如申請專利範圍第1項所述之污水處理及·回收祕，其中該 過遽床係由-鐵粉及一活性碳粉，以各5〇%之比例所構成。 4·=申請專利範圍第1項所述之污水處理及資源回收系統，其中該 第A類廢液係為-可置換时之廢液，其可為—A1氯化崎液、 一 A2化學銅廢液、一 A3 EDTA廢液或其混合。 21 1285632 •如申請專利範圍第1項所述之污水處理及資源回收系統，其中該 第B類廢液更包含一 B1去膜顯影廢液、一 B2高錳酸鉀廢液、一 6 硝酸廢液、一 B4其他廢液、一 B5酸化廢液或其混合。 如申請專利範圍第1項所述之污水處理及資源回收系統，其中該 第C類廢液係為一硫酸銅之廢液，其可為一 ci微餘廢液、一 C2 鍍鋼廢液或其混合。 •如申請專利範圍第1項所述之污水處理及資源回收系統，其中該 弟D類廢液係為一印刷電路板濕製程設備排放之水洗水。 •如申請專利範圍第1項所述之污水處理及資源回收系統，其中該 第E類廢液係為一 E1製程排出水洗水、一 E2過濾系統反洗水、 一 E3 R/0膜產生之污水、一 E4其他廢液或其混合。 9·如申請專利範圍第】項所述之污水處理及資源回收系統，其中該 第F類廢液係為一 F1鹼性姓刻廢液、一 F2剝錫鉛廢液或其混合。 G· 一種應用於印刷電路板製程之污水處理方法，其步驟至少包含： (a) 混後收集各濕製程之水洗水，再以入氫氧化納，用以調整ph 值達9以上，進而形成一氫氧化銅之細小膠羽； (b) 過濾該氫氧化銅之細小膠羽，再將其後所得之一澄清液加入硫 酸(ΗΘ〇4)，用以調整Ph值至中性（6〜8); (c) 進行一 R/0逆滲透處理，以使該澄清液產生所需之一純水及 一高硬度之純水污水；以及 (d) 利用一具陽離子樹脂及陰離子樹脂之混床中將該純水進行一 混床處理，用以製造出超純水。 11·如申請專利範圍第10項所述之污水處理方法，其中該高硬度之純 水汚水可將併入一水洗水處理系統進行處理。 22 '1285632 士匕申明專利耗，第ίο項所述之污水處理方法其中該具陽離子樹 脂及陰離捕狀絲可峨減缺硫義行再生。 13. 如申請專利範圍第10項所述之污水處理方法，其中該步驟⑼係利 用一砂濾、塔過慮该氫氧化銅之細小膠羽。 14. 如申請專利範園第13項所述之污水處理方法，其中該步驟⑼更包 含進行-反清洗流程’以逆流該砂滤塔，並將其所產生之反洗污 水將併入一水洗水處理系統進行處理。 15· -種應驗印職路板製程之污水處理及魏回收方法，其步驟 至少包含·· (a) 將各製程產生之廢液區分為一第a類廢液、一第B類廢液、 一第C類廢液、一第D類廢液、一第E類廢液及一第F類廢 液； " (b) 將該第A類廢液加入一鋁系回收介質，用以與該第A類廢液 進行置換而產生一銅系沈積物及該第B類廢液； (c) 將該第B類廢液進行一微電解處理，以去除該第b類廢液中 之一化學需氧量（Chemical Oxygen Demand，COD)，並產 该第E類廢液； (d) 將該第C類廢液導入一硫酸銅回收機，用以使該第c類廢液 產生一 5水硫酸銅結晶（5H20 · CuS04)及一廢酸以再回收 利用； (e) 將該第D類廢液導入一鹼性砂濾塔，用以過濾該第D類廢液 中之一氫氧化銅膠羽細微顆粒；並再以一活性碳過濾部，用以 再使該第D類廢液成為一純水而再回收利用； (f) 於該第E類廢液中加入一化學混凝劑，用以使該第E類廢液 產生一膠羽狀沈澱及該第A類廢液；以及 23 1285632 (g)分選S玄第F類廢液，以形成該第B類廢液，以納入該步驟(c) 處理。 16. 17. 18.

19· 如申凊專利|_第ls項職之污水處理及資源回收方法，其中該 鋁系：收介質係為一鋁粉或鋁片。 如申明專利$_第ls酬述之污水處理及資源回收祕，其中該 第F類廢祕為—F1驗性蝴廢液…F2觸鉛廢液或其混合。 如申睛專利範園第b項所述之污水處理及資源回收方法，其中該 第A類廢㈣可置換回收之絲，其可為—A1氯化銅廢液、 一 A2化學銅廢液、一 A3 EDTA廢液或其混合。 如申請專利範1|第丨5項所述之污水處理及資源回收方法，其中該 第B類廢液更包含一 m去膜顯影廢液、一 m高锰酸钟廢液、一 β3硝酸廢液、一 B4其他廢液、一 B5酸化廢液或其混合。 20·如申請專利範圍第1S項所述之污水處理及資源回收方法，其中該 第c類廢液係為一硫酸銅之廢液，其可為一€1微蝕廢液、一 C2 鍍鋼廢液或其混合。

21·如申凊專利範圍第15項所述之污水處理及資源回收方法，其中該 第〇類廢液係為一印刷電路板濕製程設備排放之水洗水。 22·如申請專利範圍第15項所述之污水處理及資源回收方法，其中該 第E類廢液係為一 E1製程排出水洗水、一 E2過濾系統反洗水、 一 E3 R/〇膜產生之污水、一 E4其他廢液或其混合。 23·如申請專利範圍第15項所述之污水處理及資源回收方法，其中該 第F類廢液係為一 F1鹼性蝕刻廢液、一 F2剝錫鉛廢液或其混合。 24