TWI272869B - Active illumination device and display apparatus - Google Patents

Description

1272869 “九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種顯示裝置，特別係關於主動式發光元件與主動式 發光顯示裝置。 【先前技術】

主動式為光元件，例如發光一極體(LED; light emitting diode)、有 機杳光一極體(〇LED; organic LED)，近年來已漸漸使用於平面面板顯示器 (flat panel display)上，具有低電壓操作（〇perate 扯 1〇w v〇itage)、 高亮度(high brightness)、輕量薄型（light weight and slim)、廣視野 角（wide viewing angle)、以及高對比值㈤細浪.⑽ntrastrati〇) 等優點。 因為上述優點，使主動式發光元件，特別是〇LED，應用於平面顯示器 的產品也稍增加。將，由於t子裝置的形式趨於多樣化，具有豐富資 默麵顯示器更是新世代電子產品社要特色之—。財機為例，雙面 顯=可關時當作主顯示區以及次顯·使用。因此，應用於上述雙面 顯不器之雙面發光駐動式發光元件也日較到囑目。 請參考第i圖，為-剖面圖，係顯示揭露於删526〇之雙面發光的有 機發光二極體的構造示意圖。其中，在古 層7，在顶層7上設有-有機發糾*基板6上§又有—氧化姻錫IT〇 从先層1’有機發光層1上依序鑛設有有機 保護層2、電子注入層3、薄金屬膜4 斤锻又有賴 s 9干^ 达月蛉电膑5,而在有機發光層工、 保賴2、电子注人層3、岐屬膜4、及透明導電膜$的外麟有一透明 封盍層8。當有機發光層丨發光時，光會分财透 ^達=，穿透有機保護層2、電子〜層 5而到達請。然而，此_的發光元件 ，、 達A側、_的光的色度不同；另 2色偏的問通。也就是說，到 卜則達A侧、：B側的光的色度也會與發 o632-A5〇478-TWf/AU〇5〇3o86/dwwang 5 1272869 自有機發光層1之原始色度不同。 【發明内容】 有鐘於此’本發明的主要目的係提供一種主動式發光元件與主 光顯示裝置，可減少習知技術中，雙面發光色偏的問題。 ^ 為達成本發明之上述目的，本發明係提供一種主動式發光元件，包人： 平坦層置於上述透縣板上；—翻的下電極設置於上述平坦層上· 一發光層設置於上述下電極上；以及—上電極設置於上述發光層上U ’， 上輕光層係用以發出至少一特定波長的光，而上述平坦層的厚度不小於 上述光的波長值。 、 本發明係又提供-種主動式發光顯示裝置，包含：—透明基板， 一控制區與-發紐；—控制元件設置於上述控繼中的上述透日德板 上’一賴層覆蓋上述控航件；—平坦層設置於上述翻基板上，· 明的下電極設置於上述平坦層上，並電性連接於上述控制元件 声 置Γ上述發光㈣的上述下電極上，·以及—上電極設置於上· 上述發光㈣發出至少—特定波長的光，社述平坦 層的厚度不小於上述光的波長值。 第-=Γ又提供—種絲式發_稀置，包含··—透鳴板，具有 上述ί二丨心—控舰旁的向上發光區、第二控幅、與位於 =旁的向τ發光區；第_、第二控制元件分別位於上述第一、 Γ=Γ上述透明基板上；—保護層覆蓋上述第-控制元件與上述 反射層設置於上述向上發光區中的上述透明基板上一 有第曰^=補明基板上；—翻的下電齡置於上述平坦層上，具 有弟一下電極與第二下電極，上诚箓_ 件，上if笸下电極電性連接於上述第一控制元 述下電性連接於上述第二控制元件，·-發繼少位於上 包含—第—子發光層與-第二子發光層，上述第-子發光層 〇632^A5〇478-TWf/AUo5〇3〇86/dwwang 6 1272869 。又置於上卿-下電極上，上述第二子發光層缝於上述第二下電極上； 、、上％極汉置於上述發光層上，包含一透光電極與-反射式電極，上 二1癌<置於上述第—子發光層上，上述反射式電極設置於上述第二 、:層上，其中，上述發光層_以發出至少―特定波長的光，而上述 、、Ί上述反射層之間的上述平坦層的厚度不小於上述光的波長值。 :、、、了襄柄月之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文 特舉數個較佳實施例，並配合所關示，作詳細說明如下： 【實施方式】 _ 針對上述1知技術的_，經由發明人詳細研究後發現，如第1圖所 不光源為同-發光層的雙面發光的主動式發光元件的色偏問題，是來自「微 ’、月工光予干涉」的影響’導致同_發光層兩侧的光出現色偏的情形。如第1 圖所不，達Α側的光，其出光路徑中包含ΙΤ〇層7;而到達_的光，其 出光路U彳包合有機保護層2、電子注人層3、薄金屬膜4、及透明導電膜 5月補’不同出光面擁有不同光學共振腔形式。其中㈣層7係屬於弱 光學共振腔，·相對於ΙΤ0層7，有機保護層2、電子注入層3、薄金屬膜4、 ^透明導電膜5關於強光學共振腔。因此，雖然是同—有機發光層！所 φ 纟出的光’到達Α、Β兩側之後，由於主要出光經過光學路徑不同，故所受 到的光轩涉情形也有不同，因此顺Α、β_的光的色度及效率有明 不同。 … • 另外，一般而言，有機發光層1所發出的光的波長通常為380〜780nm， ， 而ίΤ〇層7的厚度與有機保護層2、電子注入層3、薄金屬膜4、及透明導 電膜5的厚度，通常都小於施m，甚至為2〇〜編。因此，光線在上述光 學共振腔傳遞的過程中，會發生相當程度的干涉，而導致到達A侧、㈣的 光的色度也分別與有機發光層1所發出的原始光色度不同。 請麥考帛2A、2B圖，係顯示本發明第一實施丫列之主動式發光元件的剖 〇632.A5〇478-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 7 1272869 面圖，其包含：-透明基板丨⑽、 發光層150、舆-上電極16〇。 ^ 、一透明的下電極140、- ㈣_有一平坦 透明基板1GG的其他物理性f 心、他材㈣透縣板；而在 平抑伽可細二日 其可為剛性、或是具可撓性的基板。 平坦層L，可得到==^表面高低不平時，以旋_料作為

哪的消光纖5=ZW:另外’平坦層 · I免光線在平坦層130中傳遞的過程 L 額外的損失。在一實施例中，平坦層130可以例如為T啊公 司出品、型號為SL-3100的旋塗式材料。 在平坦層130上，依序設有一透明的下電極14〇、一發光層⑽於下電 極=上與上甩極160於發光層I50上。其中，下電極140的材質可 以疋乳化銦錫（ιτο)或是其他的透明且具導電性的材料。發光層15〇可以是 習知0LED的發光結構，具有主發光層、電洞注人層、電洞傳輸層、電子傳 輸層、電子注入層等結構、及/或其他結構。上述發光層結構已為發明所屬 領域具通常知識者所熟知，且非本發明之特徵，故未詳述。在一實施例中， 發光層150包含大分子或小分子的有機電致發光層（〇rganic electroluminescence layer ; 0EL)，作為其主發光層。而上電極16〇之材 枭可為紹、銦、鋅、銀、猛'鉻、鉬、鈦、金、或其他金屬材料，其厚度 例如為1〜50nm。此時，在下電極140與上電極160之間形成電位差時，就 會驅動本發明之主動式發光元件，而使發光層15〇發光。 另外，可藉由發光層150材質的選擇，決定其發出光的波長、顏色。 發光層150可以發出一特定波長的光，例如是紅光(red ; R)發光層、綠光 發光層（green ; G)、藍光(blue ; B)發光層、黃光(yellow)發光層、青光 (cyan ; C)發光層、洋紅(magenta ; M)光發光層、或其他顏色的發光層，也 〇632-A5〇478-，TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 8 -1272869

» I 可以是發tB複數鱗定波長的光，例如是發&自光之發光層。 當發光層150係用以發出一特定波長的光時，平坦層13〇的厚度不小 於該光的波長值。例如，當發光層15G係用以發出紅光時，平坦層⑽的 厚度就不小於620服；當發光層150係用以發出綠光時，平坦層13〇的厚度 就不小於52〇nm ;當發光層150係用以發出藍光時，平坦層13〇的厚度就不 小於460围。另外，當發光層15〇係用以發出複數個特定波長的光時，平扭 層130的厚度不小於上述特定波長中波長最長的光的波長值。例如，當發 光層150係用以發出白光時，平坦層13〇的厚度就不小於紅光的波長值， 也就是不小於620nm。 鲁 藉由一控制元件啟動本發明之主動式發光元件，而使發光層15〇發光 k ’光線自發光層150，經由下電極140、平坦層13G，穿透透明基板1〇〇 而向下發光時，此時光的共振腔中包含厚度不小於該光波長值的平坦層 130，而使該向下發光線受_干涉情形趨於不鴨，且平坦層⑽的 厚度愈厚，該向下發光的光線受到的干涉情形就愈趨於不明顯，而能改善 該向下發光的光線的色偏情形。 —再請參考第2A圖，當本發明之主動式發光元件為雙面發光元件時，此 元件可分為-向上發光！I 11與—向下發紐12，射所謂「向上」舆「向 • 下」的定義是根據發光層150與透日聽板_的相對位置。以透明基板⑽ 為基準，當親所發出的絲未穿透翻基板丨⑽，且最終出光方向指向發 光層150的同-側，狀義為向上發光區u，其發光方向如方向符號㈣ .示；當該區所發出的光線穿透透明基板100，且最終出光方向指向發光層 .15㈣相反側，則定義為向下發光區丨2，其發光方向如方向符號A2所示: 此時，上電極160包含-反射式電極162於向下發光區12、盘_透光 電極161於向上發光區η。由於發光層15〇發光時，會朝任意方向發光， 在向下發光區12的反射式電極162會將來自發光層15〇向上 下反射，·而在向上發光區U的透光式電極161的厚度較反射式紐162薄°， 〇632-A5〇478-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 9 -127286? 而容許來自發光層⑽向上發光的规穿透其本身而繼續向坪光。透光 ::Γ、=式電極162的材質可相同或互異，若考慮到製㈣成本與 便雜，透光祕161與反射式電極162較好為相同材質。透光電極161 的厚度較好為10〜3〇nm，而反射式電極162的厚度較好為⑽〜細皿。透光 電極m與反射式電極162可共同連接至同一電源而電性連接，此時透光 電極161與反射式電極162彼此之間可互連或分離；另一方面，透光電極 161與反射式電極162亦可以相互分離並各自連接至不同電源，視使用者需 求而定。較佳情況下，透光電極161與反射式電極162彼此係具有等電位。

另外’-反射層120係置於向上發光區U中的平坦層13〇與透明基板 1〇〇之間，用以將來自發光層150向下發光的光線向上反射。反射層12〇的 材質可以是紹、銦、鋅、銀、猛、絡、錮、鈦、金、或其他金屬材料，其 厚度例如為1〜50舰。此時，當發光層150係用以發出 光的波長值。如前所述，方向為A2^向下發光的鱗，其共振腔中包含厚 度不小於該光波長_平坦層13〇,而使上述向下發光的光較_干涉情 形趨於不明顯；另外，藉由反射層12G反射為方向A1之向上發光的光線， 其共振腔中亦包含厚度不小於該光波長值的平坦層13〇，而使上述向上發光 介於反射層12G與下電極UG之間的平坦層13Q的厚度不小於絲的波長 值；而當發光層150係用以發出複數個特定波長的光時，介於反射層浏 與下電極14G之間的平坦層⑽的厚度不小於上述特定波長中波長^長的 的光線受到的干涉情形趨於不_。因此，藉由本發明之主動式發光元件， 了使向上务光與向下發光的光線，在元件内的傳遞路徑中所受到的干涉情 形趨於不明顯，而使兩者的光色趨近於由發光層15〇所發出之原始光色， 而改善色偏的情形。 另外，可視需求而將發光層150分為彼此電性分離之位於向上發光區 11的第一子發光層151、與位於向下發光區12的第二子發光層152，如第 2B圖所示。而如第2A圖所示，向上發光區η與向下發光區12的下電極 〇632-A5〇478-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 10 1272869 140為相連的，因此在控制方面上 發光或不發光。如果老旦 ^ "、向下發光區12必須同時 較好為如第2B__ /刀別控制向上發光舆向下發光的發光時間， 與第二下電極：:中 極⑷係位於向下發141係位於向上發光區11、第二下電 式發考二二中為—剖面圖，係顯示本發明第二實施例之主動 置本只轭例中，主動式發光顯示裝置的主要構成為太&日s 40 〇 -透明二：°、—控制元件40、一保護層210、-平坦層⑽、 透月的下-¾極140、-發光層15G、與一上電極副。 板.請ΪΪ第3圖，透鳴测，可為補、塑膠、或其他材質的透明基 的=、rf反200的其他物理性質方面，其可為剛性、或是具可撓性 的基板，月基板200具有一控制區23與一發光區％，本發明之主 =牛係置於發聽24，而控制元件4Q係置於控繼23。在本實施例中， 工M70件40為薄膜f晶體，而亦可以使用其他足以控制本 光元件的裝置作為㈣元件4Q。 之主勤紅 ㈣控制元件40的形成，以薄膜電晶體為例，可使用任何已知的薄膜電晶 體製程^列如首先形成一圖形化的半⑽薄膜5〇於透明基板的控制區 23 ^ 導體薄膜5〇可為任何已知的多晶或非晶的半導體材料，例如石夕。 半士體薄膜50可劃分為二側的源/沒極(s〇urce/drain ; S/D)區犯與位於 二者之間的通道區51。其中，源/沒極(source/drain ; S/D)區52的形成， 可使用已知的離子植入的製程，將m族或v族的元素離子植入s/d區沿 中。然後，視需求可施以一退火的製程，以使植入训區犯中的離子擴散 均勻、及/或回復因上述離子植入的過程，對半導體薄膜5〇的微結構所造 成的傷害，或是改變半導體薄膜50的性質或結構。接下來，形成一閘介電 層60覆蓋在半導體薄膜50上方。若為了製程上的方便，間介電層6〇可延 〇632-A5〇478-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 11 1272869 $隨的透明基請上。然而可視需求可對閘介電層6〇的形狀、 其他形式，而不以此為限。接下來，在半_膜5〇上方 上形成-_8Q ’閘極8Q可以是任何導電材料例如金屬或 子的多晶石夕。接下來，形成—介電層7Q覆於閘極8〇上。同樣的， 二了製程上的方便’介電層70可延伸至發統24的透明基板上， 求可對介電層7G _狀、大小等作其他形式的變化，而不以此為限。 …、後，以例如傳統的微影、钱刻法’形成穿透介電層7q與閘介電層如的 =72分別曝露出部份S/D區52。接下來，在介電㈣上職圖形化 、/D電極95、96 ’並分別經由開口 72與S/D區52紐連接，而完餘 制元件40之製作。最後，形成一保護層21〇覆蓋控制元件4〇。同樣的，: 了製程上财便，保護層21G可延伸至發光區24的透縣板上，亦可 視需求可對保護層⑽的形狀、大小等作其他形式的變化，而不以此為限。 …本發明之主動式發光元件的形成，首先，以旋轉塗佈法將平坦層伽 开/成於透明基板·上’並注意依照第__實施例的條件控制平坦層13〇的 厚度，平坦層130除了具有如第—實施例所述的效能之外，更可以將形成 有控制元件4G的透明基板表面平坦化。接下來，以例如傳統的微影、 餘刻法，形成穿透平坦層130與保護層210的開口 131，而曝露部份s/d電 極96。然後，形成透明的下電極副於平坦層13〇上，下電極14〇並經由 開口 131與S/D電極96電性連接，而可由控制元件4〇所控制。接下來， 形成發光層15G ’發光層15〇至少位於發光區中24的下電極14()上方。最 後，以蒸鑛、舰、其他物理性_積方法、或金屬_有機化學氣相沉積法， 將上電極形成於發光層15Q上。而完成本發明第二實施例之主動式發 光顯示裝置。有關平坦層130、下電極14〇、發光層15Q、與上電極⑽的 細節，已詳述於第一實施例中，在此便予以省略。 另外，當本發明第二實施例之主動式發光顯示裝置為黑白顯示裝置 時’發光層150較好為發出白光之發光層；當本發明第二實施例之主動式 〇632-A5〇478-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 12 -1272869 * 魏顯示裝置為彩色顯示裝置時，f 3 _示的發光層⑽為_個查素中 的R、G、B中的其中一個次晝素，或是一個晝素中的γ、

個次晝素。 JyNT 在本發明第二實施例之主動式發光顯示農置中，藉由控制元件仙啟動 本發明之主動式發光元件，而使發光層15G發光時，光線自發光層150，哩 由下電極U0、平坦層13G，穿透透明基板咖而向下發光時，此時光的丘 tir厚度不小於該光波長值的平坦層肩，而韻下發光的光線受 到的干涉情形趨於獨貞1平坦層⑽的厚度纽，該打發光的光線 ㈤的干轉職愈騎不日臟，而肢善該向下發絲鎌的色偏情形。 攀浦參考第3圖，當本發明之主動式發光元件為雙面發光元件時，發光區 24可分^-向上發光區21與一向下發光區22，其中所謂「向上」與「向 下」的定義’與第-實施例所述者相同，在此便予以省略。而本發明第二 實施例之絲式發絲示裝置，具有可使㈣—個畫侧時向上、向下發 光、顯示的能力。 此日守’上電担160包含一反射式電極162於向下發光區&、盘一透光 電極m於向上發光區21。而在透光電極161與反射式電極162师成方 面，係可先形成圖形化的反射式電極162後，再全面性地形成較薄的透光 _ ^ 1亦可以先王面性地形成較薄的透光電極161後，再形成圖形化的 反射式祕162。另外，在形成平坦層13〇之前，先於向上發光區u的透 明基板200上，形成-反射層12〇，而在形成平坦層13〇後，反射層⑽係 位於向上發光區21中的平坦層13〇與透明基板·之間，用以將來自發光 層150向下發光的光線向上反射。而其他相關於反射層⑽、平坦層⑽、

161 162 , ^ M 予以省略。 、另外，視需求，可於本發明第二實施例中形成下電極i4〇之步驟後， ^/成頂蓋層270覆盍平坦層13〇與下電極14〇，並在頂蓋層2刊形成一貫 〇632-A5〇478~TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 13 1272869 • * 瓤 牙孔再形成發光層150於此貫穿孔271内。此時，上電極160較好為 覆蓋頂蓋層270。而頂蓋層270的材質較好為上述的SL-3100。 此時，本發明第二實施例之主動式發光顯示裝置，係藉由控制元件4〇 同時控制其向上發光與向下發光，向上發光區21與向下發光區22的下電 極層140並未分離，而向上發光區21與向下發光區22的發光層15〇則視 需求可以分離，另外透光電極161、與反射式電極162亦視需求可以分離。 此日可，S發光層150係用以發出一特定波長的光時，介於反射層與下 電極140之間的平坦層130的厚度不小於該光的波長值；而當發光層15〇 係用以發出複數個特定波長的光時，介於反射層120與下電極14〇之間的 平坦層130的厚度不小於上述特定波長中波長最長的光的波長值。如前所 述，方向為A2之向下發光的光線，其共振腔中包含厚度不小於該光波長值 的平坦層130 ’而使上述向下發光的光線受到的干涉情形趨於不明顯；另 外，藉由反射層120反射為方向A1之向上發光的光線，其共振腔中亦包含 厚度不小於該光波長值的平坦層130,而使上述向上發光的光線受到的干涉 情形趨於不鴨。目此，藉由本發明第二實施例之主動式發光顯示裝置， 了使向上杳元與向下發光的光線，在裝置内的傳遞路徑中所受到的干涉情 形趨於不明顯，而使兩者的光色趨近於由發光層15〇所發出之原始光色， • 而改善色偏的情形。 一本發明第二實施例之主動式發光顯示裝置，係同時控制控制其向上發 光舁向下奄光，並同時顯示相同的顏色與濃淡（灰階），而欲分別控制顯示 裝置的向上發光與向下發光時，則請參考第4圖所示的第三實施例。 - 在第4圖中，係為本發明第三實施例之主動式發光顯示裝置包含··一 透明基板300、第一控制元件41、第二控制元件42、一保護層310、一反 射層120、第一下電極⑷、第二下電極142、第一子發光層151、第二子 發光層152、與一上電極160。 透明基板300 ’可為玻璃、塑膠、或其他材質的透明基板；而在透明基 〇632-A5〇478-IWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 14 1272869 板300的其他物理性質方而， 板300具有第-控制區33、/、可剛性、或是具可撓性的基板。透明基 ^ 位於第一控制區33旁的向 控制區34、與位於第二控制區抑旁的向下發光區32。 弟一 第^第二控制元件41、42分別位於該第一 =明基板上。關於第_、第二控制元件 ：中 、二:制元件40大體相同，故在此省侧 财㈣則復蓋第—控制元件41與第二控制元件42。同樣的，為了 g上的方便，倾層31Q可延伸至向上 明基板200上，亦可視需喪可偏m μ, ^32 ^ 變化，而不以此為限 對料層310的形狀、大小等作其他形式的 射層120則置於向上發光區31中的透明基板300上；平坦層13〇則 後盍弟一、第二控制元件41、42、 、 射層⑽與平坦層13G的形成二:及透·板·。關於反 相同，故在此省略其相關敘述：、…即’難弟一、二實施例所述大體 一透明的下電極則置於平i曰M μ ^ 下電極⑷與第二下電極142 有彼此電性分離的第一 *、悉巫^昆， ，弟一下电極141位於向上發光區31，藉由 ^ ^ T-a UP 310 131 ? 41 ； 二，則位於向下發光區32，藉由穿透平坦請與 Γ的=Γ連接於第二控筒42。第—下電極141與第二下電極 八成概1 早—的透賴τ電極後，再使__微影、侧法， 刀成彼此電性分離的第一下電極141與第二下電極142。 光声上述下電極上，包含第—子發光層151與第二子發 望曰工 位於向上發光區31之第—下電極⑷上方， 152則位於向下發光區32之第二下電_上方；上述發光 層係㈣出至少-特定波長的光。第—子發光層⑸與第二子發光層152 〇632.A5〇478.TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 15 1272869 I以具相同或不_構造、材質，而較好為第—子發光層⑸與第 光層152具有相同的構造與材質。 x 上電極位於上述發光層上，包含—透光電極161與—反射式電極 ’透光電極161位於向上發光區31之第一子發光層151上方；反 電極162則位於向下發光區32之第二子發光層152上方。 工 、關於第-下電極⑷、第二下電極142、第一子發光層ΐ5ι、第二伴 光=52、透光電極16卜與反射式電極162的形成與其他細節，則與第一二 一貝轭例所述大體相同，故在此省略其相關敘述。

另外，視需求，可於本發明第三實施例中形成下第一、第二電極⑷、 142之步驟後，形成一頂蓋層37〇覆蓋平坦層13〇與下電極⑽，並在頂菩 層370形成貫穿孔3n、372，再分別形成第一子發光層i5i與第二子^ 層脱於貫穿孔忉、372内。此時，上電極16〇較好為覆蓋頂蓋層· 而頂盍層370的材質較好為上述的SL—31〇〇。 可藉由第子發几層151與第二子發光層152材質的選擇，決定其發 ^光的波長、顏色。第-子發光層151與第二子發光層152可以發出^ 疋波長的光，例如是紅光(rcd ; R)發光層、綠光發光層·, G)、藍光 (blue ; B)發光層、黃光（yell〇w)發光層、f光（卿；c)發光層、洋紅 (magenta ; M)光發光層、或其他顏色的發光層，也可以是發出複數個特定 波長的光，例如是發出白光之發光層。 萄第-子發光層151與第二子發光層152係用以發出一特定波長的光 時，透光》161與反射層12〇之間的平坦層13◦的厚度不小於該光的波 長值。例如，當第一子發光層151與第二子發光層152係、用以發出紅光時， 透光電極161與反射層120之間的平坦層i3Q的厚度就不小於62(hffl;當第 -子發光層151與第二子發光層152係用以發出綠光時，透光電極⑻與 反射層120之間的平坦層130的厚度就不小於52〇nm;當第一子發光層⑸ 與第二子發光層152係用以發出藍光時，透光電極161與反射層12〇之間 〇632-A5〇478-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 16 1272869 的平坦層13〇的厚度就不小於侧nm。另外，當第一子發光層151盘第二子 發光層152係用以發出複數個特定波長的光時，透光電極161射 之間的平坦層130的厚度不小於上述特定波長中波長最長的麵波長曰值。 例如，當第一子發光層151與第二子發光層152係用以發出白光時，、透光 $極161與反射層12〇之間的平坦層13〇的厚度就不小於紅光的波長值， 也就是不小於620nm〇 ' 本發明第三實施例之主動式發光顯示裝置，係藉由控制元件&、似分 職制其向上發光與向下發光。而分別位於向上發光⑧21與向下發光區四 的第二電極14卜第二下電極142彼此電性分離。此時，當第^發光層 151與第二子發光層152係用以發出一特定波長的光時，介於反射層⑽^ 第-下電極141之間的平坦層130的厚度不小於該光的波長值；:當第二 子發光層151與第二子發光層152係用以發出複數個特定波長的光時，介 於反射層120與第-下電極141之間的平坦層13〇的厚度不小於上述特定 波長中波長最長的光的波長值。如祕述，方向為A2 ^向下發光的光線， 其共振腔中包含厚度不小於該光波長值的平坦層13〇,而使上述向下發光的 光線受到的干涉情形趨於不明顯；另外，藉由反射層12〇反射為方向Μ之 向上發光的光線，其共振腔中亦包含厚度不小於該光波長值的平坦層13〇， 鲁 而使上述向上發光的光線受到的干涉情形趨於不明顯。因此，藉由本發明 第二以也例之主動式發光顯示裝置，可使向上發光與向下發光的光線，在 裝置内的傳遞路徑巾所❹彳的干涉情形趨於不鴨，而使兩者的光色趨近 於由第-子發光層151與第二子發光層152所發出之原始光色，而改善色 偏的情形。 另外，當本發明第三實施例之主動式發光顯示裝置為黑白顯示裝置 日守’第-子發光詹151與第二子發光層152較好為發出白光之發光層；當 本發明第二貫施例之主動式發光顯示裝置為彩色顯示裝置時，第4圖所示 的發光層150為一個晝素中的R、G、B中的其中一個次畫素，或是一個晝 〇632-A5〇47B-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang \η * 1272869 * » 素中的Y、C、Μ中的其中一個次畫素。 接下來請參考第5圖，為一示意圖，係顯示本發明第三實施例之主動 式發光顯示裝置的次畫素的配置。圖中的元件符號「31」、「32」分別為 向上發光區與向下發光區，屬於一個晝素中的r、G、B中的其中一個次晝 素，或是一個晝素申的Y、C、M中的其中一個次晝素，而兩側的控制元件 41、42則各別控制向上發光區31、向下發光區32的發光與否或光色的濃 淡（灰階）。本發明第三實施例之主動式發光顯示裝置，具有可使用同一個 晝素同時或分別向上、向下發光、顯示的能力，並可在向上、向下顯示相 同顏色k ’顯示相同或不同濃淡(灰階）的能力。 P 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任 何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動盒 潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。/、

〇632-A5〇478-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 18 ' 1272869 【圖式簡單說明】 ^ 1 -— VrW ~r~ 同 〆 第2Α、沈糸顯不習知的有機發光二極體的構造示意圖。 光元件。 ㈣之剖面圖’係顯示本發明第-實施例之主動式發 置 =圖’係顯示本發明第二實施例之主動式發光顯示裝 第^圖’軸示本發明第三實施例之主動式發光顯示裝置 卜個編她㈣嫌爆獅_置

【主要元件符號說明】 1〜有機發光層； 3〜電子注入層； 5〜透明導電膜； 7〜1丁〇層； 2〜有機保護層； 4〜薄金屬膜； 6〜玻璃基板； 8〜透明封蓋層； Η〜向上發光區； 12〜向下發光區； 21〜向上發光區； 23〜控制區； 22〜向下發光區； 24〜發光區； 31〜向上發光區； 32〜向下發光區； 33〜第一控制區； 34〜第二控制區； 40〜控制元件； 41〜第一控制元件； 42〜第二控制元件； 50〜半導體薄膜； 51〜通道區； 52〜源/>及極區-; 60〜閘介電層； 70〜介電層； 72〜開口； 80〜閘極， 95〜S/D電極； 96〜S/D電極； 100〜透明基板； 120〜反射層； o632-A5〇478-TWf/AUo5〇3〇86/dwwang 1272869 130〜平坦層； 131〜開口； 132〜開口； 140〜下電極； 141〜第一下電極； 142〜第二下電極； 150〜發光層； 151〜第一子發光層； 152〜第二子發光層； 160〜上電極； 161〜透光電極； 162〜反射式電極； 200〜透明基板； 210〜保護層； 270〜頂蓋層； 271〜貫穿孔； 300〜透明基板； 310〜保護層； 370〜頂蓋層； 371〜貫穿孔； 372〜貫穿孔； Al、A2〜向上，下發光的光線。 A、B〜電路區； 〇632-A5〇478-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 20

Claims (1)

1272869 ' 十、申請專利範圍： 1·一種主動式發光元件，包含： 一平坦層設置於該透明基板上； 一透明的下電極設置於該平坦層上； 一發光層設置於該下電極上；以及 一上電極設置於該發光層上； 其中’該發光層係用以發出至少—特定波長的光，而該平坦層的厚度 不小於該光的波長值。 • 2如巾請專職圍第1項所述之主動式發光元件，射該發光層係用以 發出複數個特定波長的光，而該平坦層的厚度不小於該些特定波長中波長 最長的光的波長值。 、3•如申請專利範圍第i項所述之主動式發光元件，其中該發光層包含大 ^ J 77 electroluminescence layer ； OEL) 〇 4·如申請專利範圍第1項所述之絲式發光元件，更包含： 一向上發光區與-向下發紐，該上電極更包含—反射式電極於該向 下备光區與一透光電極於該向上發光區；以及 ^ +一反射層於該向上發光區中的該平坦層與該透明基板之間，且該透光 私極與献射層之間的該平坦層的厚度不小於該發光層所發出之_特定波 長的光的波長值。 _ 5·、如巾請專利範圍第4項所述之絲式發光元件，其中該透光電極與該 反射«極電性連接，且該發光層更包含—第—子發光層與—第二子發光 I，其中該下電極包含彼此電性分離的—第—下電極與—第二下電極。Λ 乂 6.如申請專利範圍第4項所述之主動_光元件，其中該發光層係用以 备出複數個特定波長的光，而該透光電極與該反射狀間的該平坦層的厚 ^32^A5〇478-TWf/AUo5〇3〇86/d wwang 21 '1272869 &至少大體上等於該複數姆定波長巾波長最長的光的波長值。 7·如中π專利|&期丨項所述之主動式發光元件，其中該平 係數不大於0.5。 ^ 8.—種主動式發光顯示裝置，包含： 一透明基板，具有一控制區與一發光區； -㈣J元件設置於該控制區中的該透明基板± ; 一保護層覆蓋該控制元件； _ 一平坦層設置於該透明基板上； 透明的下電極設置_平坦層±，並電性連接賊控制元件； 一發光層至少設置位於該發光區中的該下電極上；以及 一上電極設置於該發光層上； 其巾’籍光層制以發至少—特定波長的光，而該平坦層的厚度 不小於該光的波長值。 & 、9.如申請專利範圍第8項所述之主動式發光顯示裝置，其中該發光層係 用以發出複數個特定波長的光’而該平坦層的厚度不小於該些特定波長中 波長最長的光的波長值。 又 10. 如申請專利範圍第8項所述之主動式發光顯示裝置，其中該發光層 包含大分子或小分子的有機電致發光層(organic electrolumi讎enc θ OEL) 〇 ， 11. 如申請專利範圍帛8項所述之主動式發光顯示裝置，其中該控制元 件包含-薄膜電晶體，具有-閘極與_對源級極，該下電極電性連接於該 些源/;及極的其中之一。 12·如申請專利範圍第8項所述之主動式發光顯示裝置，其中： o632-A5〇478-TWf/AUo5〇3〇86/dwwang 22 1272869 射式更包含一反 \ 區；以及 長的光的波長值 13·如申請專利範圍第12項所述之絲式發光顯示裝置，其中該發光層 ▲用以發出複數個特定波長的光’而該透光電極與該反射層之間的該平^ 曰的厚度至少大體上等於該複數轉定波長巾波長最長的光的波長值。 項所述之主動式發光顯示裝置，其中該平坦層 14·如申請專利範圍第8 的消光係數不大於0.5。 I5·如申料概圍第8項所述之絲式發光齡裝置，更包含芸 層设盍斜坦層與該下電極，該頂蓋層具有—貫穿孔，容納該發光層。、 項所述之主動式發光顯示裝置，其中該上電極 16.如申請專利範圍第15 覆蓋該頂蓋層。 17·—種主動式發光顯示裝置，包含： ^ 透月基板，具有第一控制區、位於該第一控制區旁的向上發光區、 第二控制區、與位於該第二控制區旁的向下發光區； " 第-、第二控制元件分別位於該第—、第二控制區中的該翻基板上； 一保濩層覆蓋該第一控制元件與該第二控制元件； 一反射層設置於該向上發光區中的該透明基板上； 一平坦層設置於該透明基板上； -透明的下電極設置於該平坦層上，具有第—下電極與第二下電極， 該第-下電極電性連接於該第—控制猶，該第二下電極電性連接於談第 o632-A5〇478-TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang ^ 1272869 ^光層至少位於該下電極上，包含一第一子發光層與一第二子發光 第子务光層没置於該第—下電極上，該第二子發光層設置於該第 二下電極上；以及 ㈣電極設置於該發光層上，包含-透光電極與—反射式電極，該透 、Ί置於》第-子發柄上，該反射式電極設置於該第二子發光層上； 其中，該發光層係用以發出至少一特定波長的光 ，而該透光電極與該 反射層之間的該平坦層的厚度不小於該光的波長值。 〃 18.如申請專利範圍第17項所述之主動式發光顯示裝置 ，其中該發光層 φ二用以I出複數個特定波長的光，而該平坦層的厚度不小於該些特定波長 中波長最長的光的波長值。 力人at申請專利範圍第Η項所述之主動式發光顯示裝置 ，其中該發光層 刀子或j刀子的有機電致發光層加1 r ; OEL) 〇 〜20·如巾晴專她圍帛17項所述之絲式發光顯示裝置，其中該第一、 ，^制το件分別包含—第__電晶體以及―第二薄膜電晶體，該第一 ’ =¾日日體以及該第二薄膜電晶體分別具有-閘極與—對源級極，該第一 極電性連接於該第—薄膜電晶體的該些源級極的其中之―，該第二下 迅極包性連接於該第二薄膜電晶體的該些源級極的其中之—。 、21.如巾請糊範圍帛17項所述之絲式發細示裝置，其巾該平坦層 - 的消光係數不大於〇,5。 如中請專鄕圍第17項所狀絲式發光齡裝置，更包含一頂蓋 ，覆:忒平坦層與該下電極，該頂蓋層具有第一貫穿孔與第二貫穿孔，該 第貝牙孔谷納該第一子發光層，該第二貫穿孔容納該第二子發光層。 〇632.A5〇478^TWf/AU〇5〇3〇86/dwwang 24 * 1272869 23. 如申請專利範圍第22項所述之主動式發光顯示裝置，其中該上電極 覆蓋該頂蓋層。 24. 如申請專利範圍第17項所述之主動式發光顯示裝置，其中該第一子 發光層與該第二子發光層具有相同的結構與材料。 25. 如申請專利範圍第17項所述之主動式發光顯示裝置，其中該第一下 電極與該第二下電極彼此電性分離。

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