TWI264587B

TWI264587B - Transflective liquid crystal display

Info

Publication number: TWI264587B
Application number: TW093102789A
Authority: TW
Inventors: Yang-En Wu
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 2004-02-06
Filing date: 2004-02-06
Publication date: 2006-10-21
Also published as: US20060040419A1; US7211457B2; US20050173737A1; TW200527043A; US6965127B2

Description

1264587 ψ 五、發明說明α) 發明所屬之技術領域本發明係關於一種穿透反射式液晶顯示裝置，特別是關於一種垂直配向型（Vertical Alignment, VA)之穿透反射式液晶顯示裝置。先前技術習知穿透反射型之液晶顯示裝置，為了製程的穩定以及降低成本，多使用混雜扭曲向列型（M i X e d T w i s t e d Nematic, MTN)之製造方式。請參閱圖一，圖一係習知MTN型之穿透反射式液晶顯示裝置1 0之示意圖。圖一中簡單繪示了習知MTN型液晶顯示裝置的作用方式，習知MTN型液晶顯示裝置1 0至少包含了一上偏光片12、一上玻璃基板14、一上電極16、一液晶層18、一下電極20、一下玻璃基板22以及一下偏光片24。習知MTN型液晶顯示裝置1 0之作用方式如下。當處於電極啟動的狀態（Ο N s t a t e)，係由上、下電極1 6、2 0對液晶層1 8施加一電壓。在圖一中，此一電壓會造成一垂直電場，使液晶層1 8中液晶分子的排列方式改變，而嘗試著排列成與電場相同的方向。由於圖一中的上、下偏光板 1 2、2 4兩者之偏振方向相差9 0度，因此當習知MTN型液晶顯示裝置1 0處於ON的狀態下，則光線先由下偏光板24偏振 9 0度後，成與上偏光板1 6垂直的狀態，且由於此時液晶排

第6頁 1264587 五、發明說明（2) 列與電場方向一致，將不會改變光線的偏振態，因此光線將無法通過上偏光板，而形成黑色的顯示狀態。如果電極並未施加電壓於液晶層上（OFF state)，則會造成通過的光線在上、下玻璃基板1 4、2 2中偏振9 0 度。在圖一中的上、下偏光板的偏振方向也相差了 9 0度，因此光線恰好可以通過上偏光片1 6，因此形成白色的狀態。但是習知MTN型液晶顯示裝置有至少兩個缺點。首先，當電極施加電壓時，液晶分子並無法完整排列成與電場方向相同，因此造成無法完全顯示黑色，進而降低了習知MTN型液晶顯示裝置的對比度（全黑與全亮時的比值）。再者，由於施加電壓於液晶分子造成轉向需一定的時間，造成整體液晶顯示裝置的反應速度過慢。

Fu j i tsu於1 9 9 6提出上述問題的解決方案，稱為垂直配向型（Vertical Alignment， VA)液晶顯示裝置。在VA 型之系統，液晶分子在未通電壓的情況下，係透過一配向膜而排列成於上偏光板垂直，因此光線無法通過。如果施加電壓於液晶分子之上，則液晶排列方式將旋轉9 0度，使光線得以穿透過上下偏光板。習知VA型液晶顯示裝置可以有效改善習知MTN型液晶顯示裝置的缺點，不僅提升了對比度，而且也增進了反應速度。但由於液晶分子的排列方向垂直於上偏光板’而通電時則為平行’因此習知V A型液晶顯示裝置產生了觀視角度的問題。舉例來說，當使用者在顯示裝置正面看到藍色，表示電極所施加電壓僅有一半

1264587 五、發明說明（3) (電壓最高則顯示白色），因此液晶分子也僅旋轉一半，如果使用者往右移個幾十公分，則使得液晶分子恰恰垂直於使用者，因此使用者將看到白色而非藍色。為解決此一視角問題，目前多採取多區域垂直配向 (Multi-domain Vertical Alignment， MVA)型的液晶顯示裝置。請參閱圖二，圖二係習知VA液晶顯示裝置3 0與 MVA液晶顯示裝置40的比較示意圖。VA液晶顯示裝置與MVA 液晶顯示裝置皆包含了一組上、下玻璃基板2 6、2 8以及一組上、下電極32、34。不同的是，MV A在上、下電極層 3 2、3 4上做了多個突出物（p r〇t r u s i〇n s) 3 6，以將液晶層界定出多個區域（domain)，使得使用者不論於何種角度觀視液晶顯示裝置時，會具有相近似的顏色表現。然而由於液晶顯示技術的發展，由於其輕薄短小的特性，目前液晶顯示裝置多有配置於隨身設備上，例如手機、個人隨身助理（PDA)等。因此，目前液晶顯示裝置如果僅利用背光源提供光線，由於戶外光線強烈，將造成顯示不夠明亮而看不清楚顯示内容的狀況；此外，背光源亦相當耗電，諸此種種都造成液晶顯示器在隨身設備使用上的問題。有鑑於此，目前液晶顯示裝置多採用穿透反射式，亦即除了背光源提供光線外，亦可使用周遭光源加以反射而成另一光線來源，將可有效提升液晶顯示裝置的明亮度以及強光下的使用效果，且背光源發光量減少，因此亦可有效節省電量。但不論是MTN、VA或是MVA型的穿透反射式液晶顯示裝

1264587 五、發明說明（4) 置，由於光線來源位置的關係，穿透模式部分的液晶顯示單元，光線僅需穿透一次液晶層。而反射模式部分的液晶顯示單元，其光線由於來自外界，必須先通過液晶層一次後再反射經過液晶層第二次。因此，如果控制不當，在同一液晶顯示裝置中，穿透區域與反射區域通過的光線將有不同的效果，容易造成明亮度不均以及對比不明顯的問題。發明内容本發明之一目的係提供一種新型液晶顯示裝置，用以在施加同樣電壓的情況下，可以使液晶顯示裝置達到穿透模式與反射模式具有相同的光線穿透效果，有效提升液晶顯示裝置的明亮度以及對比度。一種穿透反射式液晶顯示裝置（transflective LCD)，包含一第一基板、一第二基板、複數個第一透明電極層、至少一金屬電極層、一液晶層、一第二透明電極層以及至少一間隔層。第一基板以及第二基板係作為形成各層之基礎。複數個第一透明電極層形成於第一基板上且面向第二基板。至少一金屬電極層形成於第一基板上且面向第二基板’且係間插於該等第一透明電極層間。至此可概括稱之為本發明液晶顯示裝置之第一部份。第二透明電極層，形成於第二基板之上且面向第一基

1264587 五、發明說明（5) 金顯以充該液所亦但的晶區補及於晶作填入該間度，層液透彌述位液製以加於之厚次隔及穿，詳且明開隙於大層的兩間以和態明上發分間由不極層層整程果狀發之本可一間係電晶晶調光效示。的層為係隔層場明液液由總透顯題下極之分間極電透此過藉的穿的問以電稱部以電的二因經。，子線佳的由明括二加屬到第，雖制層分光最佳藉透概第再金受等層線控隔晶的取不以二可與，該所該隔光以間液域獲度可第則份後與間與間的加了過區而比神。於此部成層其層入射度加通射進對精解成至一完極於極加反厚添線反。，與瞭形。第者電層電於極的於光得致勻點的則置。兩明晶明由電層由射使一均優步層位份待透液透且屬隔明反，果不之一隔應部，二該一而金間發變壓效度明進間對二間第此第。經由本改電透亮發到一之第時該因等場此藉，時的穿明本得少層之作。中，該電因可此同受線術於式至極置製層其層於之，程因，所光技關圖。電裝低晶隔層到小光度子的知附板屬示減液間晶受較總厚分域習所實施方式請參閱圖三，圖三係本發明穿透反射型液晶顯示裝置中一液晶單元5 0之示意圖。本發明之穿透反射型液晶顯示裝置之液晶單元5 0包含一第一基板3 8、一第二基板4 2、、

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1264587 五、發明說明（6) 複數個第一透明電極層4 4、至少一金屬電極層4 6、一液晶層4 8、一第二透明電極層5 2以及至少一間隔層5 4。

第一基板3 8以及第二基板4 2係作為形成各層之基礎，其主要材料可為透明玻璃。在圖三中，係簡單以第一基板作為簡略描述，如係以主動矩陣之液晶顯示裝置為例，則該第一基板3 8為包含一電晶體陣列層之基板，且電晶體陣列層係面向第二基板4 2 ◦此一電晶體陣列層内含複數個矩陣排列之電晶體元件，每一電晶體元件用以控制一圖素相對應之電極。至於第二基板4 2上應再包含一彩色濾光片層形成於第二基板4 2上且面向第一基板38。彩色滤光片層為習知之技術，且非本發明之重點，在此不多加描述。

複數個第一透明電極層4 4則形成於第一基板3 8上且面向第二基板4 2。本具體實施例中之第一透明電極層4 4為圖素電極層，在整體液晶顯示裝置係以條狀平行分佈，因此以圖三剖面圖觀之，係一個個分開的區塊。本具體實施例中第一透明電極層44之材質為氧化銦錫（Indium-Tin Oxide， I TO)導電玻璃，具有良好的光線穿透率。在其他具體實施例中，亦可利用不同之透明導電材料加以製做本發明之第一透明電極4 4。在至少兩個預定之第一透明電極層4 4間係形成至少一金屬電極層4 6，金屬電極層4 6同樣係形成於第一基板3 8上且面向第二基板4 2，且和第一透明電極層4 4之排列方式相同。此一金屬電極由於材料為金屬，如铭（A1)、鉻 (Cr)、銅（Cu)等良好導電材料。由於金屬良好的反射

第11頁 1264587 五、發明說明（7) 特性，可將由周遭入射之光線加以反射。因此，於圖三中，第一透明電極4 4所對應的部分，可稱之為穿透區域，而金屬電極4 6所對應的部分，則可稱之為反射區域。圖三中第一基板3 8、複數個透明電極4 4以及至少一金屬電極4 6 可概括稱之為本發明液晶顯示裝置之第一部份5 6。在實際的應用中，於第一基板3 8之外，還包含許多加強液晶顯示裝置顯示效果的元件，如1 / 4波板和偏光板。但由於該等元件非本發明之重點，因此並不在此贅述。第二透明電極層5 2，係形成於第二基板4 2之上且面向第一基板3 8。本具體實施例中之第二透明電極層5 2為共用電極層，在整體液晶顯示裝置係以層狀分佈，因此以圖三剖面圖觀之，係一個完整區塊。本具體實施例中第二透明電極層5 2之材質亦為I TO導電玻璃，具有良好的光線穿透率。在其他具體實施例中，亦可利用不同之透明導電材料加以製做本發明之第二透明電極5 2。至少一間隔層5 4則形成於第二透明電極層5 2之上。在本發明之具體實施例中，其數量、位置與面積皆相對應金屬電極層4 6之位置、數量與面積。然而在其他具體實施例中，間隔層5 4的位置、數量以及面積可隨著使用者之設計而有所不同於金屬電極4 6，但位置雖可移動但仍必須對應金屬電極4 6，以達到控制反射光線總光程以及降低施加電場的效果。其中，間隔層5 4的高度h可設計約1 // m，在第一透明電極4 4與第二透明電極5 2間的液晶層厚度d 1約為 4// m，在間隔層54與金屬電極46間的液晶層厚度d2約為

第12頁五、發明說明 3// m，至之材料亦傳輸第二基板42、本發明液第二基板的元件，於該等元為了開同時製填充液晶極層4 4和層5 4之間第二區）由於射區之液明電極層所受到之反射區間壓之狀況且反射光合改變的而使得反果，除去 1264587 (8) 於間隔層的寬度w則可設計約為3 0 // m。為透明且容易導電之材質，以達到穿透透明電極5 2所施加之電壓的功效。本發第二透明電極層5 2以及間隔層5 4則可概晶顯示裝置之第二部份5 8。在實際的應 4 2之外，還包含許多加強液晶顯示裝置如1 / 4波板和偏光板（對稱於第一部份）件非本發明之重點，因此並不在此贅述節省製作時間，第一部份5 6與第二部分作。當製作完成後，再合併組裝但間隔層4 8。換句話說，液晶分子係填充在第第二透明電極層5 2之間以及金屬電極層所分隔成之一間隙中。透明電極層5 2與金屬電極層4 6間（即前加入間隔層5 4，因此當電極開始施加電晶分子所受到的電場係不大於液晶分子 44與第二透明電極層52(即前述之穿透電場。而且可藉由調控間隔層5 4的厚度光線反射兩次的總光程。使得在電極施下，反射區與穿透區實際上受到的電場線的總光程和穿透區的光線總光程拉近情況下使得反射區的光線穿透效果獲得射區之光線穿透效果等同於穿透區之光了習知技術明亮度不均勻以及對比不明間隔層5 4 光線以及明之第二括稱之為用中，於顯示效果。但由〇 5 8係可分一間隙以一透明電 4 6和間隔述之壓時於第區），來加同不相，兩提升線穿顯的反射，反一透之間控制一電同，者綜。進透效問

第13頁 1264587 五、發明說明（9) '~" 題。

本♦明之另一特點，在於可應用於習知各種型態，如 MTNI ^型以及MVA型反射穿透式液晶顯示裝置。在MTN ，以及型之應用上，只要配合原本穿透反射式液晶顯示裝置之设計，在反射區之金屬電極於對面透明電極的相對位置，加入一間隔層，即可完成本發明之應用。至於型之應用，則請參閱圖四，圖四係本發明MVA型穿透反射式液晶單元60之示意圖。在圖四中，由於多數元件功用與圖f中類似，因此不再贅述，但MVA型之特點即在於加入、了複數個突起物6 2，這些個突起物6 2在習知技術中，係形成於共用電極之上並相對應於圖素電極位置。而在本發明之應用中，同樣僅需將圖素電極中，屬於金屬電極的部为，其對應的突起物轉換為本發明之間隔層，則可完成本發明之應用。因此本發明可輕易合併於習知技術的^程當中，在製作突出物的同時，製作間隔層。並在製作透明素電極的同時，製作金屬圖素電極。藉由稍微改善習知2 術的製程，即可完成本發明，證明了本發明的實用價值。另特別強調一點，本發明僅描述於第一基板和第二基板間之液晶單元的構造，但於完成一液晶顯示器時，則必須二先前技術中所介紹，仍須加上偏光板以及發出光線之背' ^ 源等構造，才算一液晶顯示器之完整構造，且隨著應=之不同，將有不同之設計。然而本發明之重點不在於其他附屬元件，因此著重解釋其中的液晶單元部分。接著將以模擬之實驗數據以驗證本發明之實用性。往

第14頁 1264587 五、發明說明（10)

參閱圖五A、圖五B、圖六A以及圖六B。圖五A係習知Μ T N型穿透區之電壓對穿透率曲線圖，圖五Β係習知ΜΤΝ型反射區之電壓對穿透率曲線圖，圖六Α係應用本發明後MVA型穿透區之電壓對穿透率曲線圖，圖六B係應用本發明後MVA型反身于區之電壓對穿透率曲線圖。此四圖實驗模擬係將液晶顯示裝置中的穿透區與反射區分別測量。在穿透區時，根據施加不同之電壓於液晶層所獲之背光穿透率，而得相對應顯示裝置裝置於穿透區時之施加電壓對光線穿透率曲線。再利用相同的方法量測反射區，施加不同之電壓於液晶層測量獲得的反射光線穿透率，而得該裝置於反射區時之施力口電壓對光線穿透率曲線。

其中圖五A、圖五B進行模擬時所採用之條件如表一所示。圖五A、圖五B中的縱轴為穿透率 (Transmittance)，橫軸則為施加電壓（Applied Vo It age)。為了方便比較穿透率是否相同，特將最高穿透率出現時之施加電壓以L1表示，而最高穿透率的8 0%出現時之施加電壓則以L 2表示，最高穿透率的5 0%出現時之施加電壓則以L 3表示，最高穿透率的3 0%出現時之施加電壓則以L 4表示，最高穿透率的2 0%出現時之施加電壓則以 L 5表示，最高穿透率的1 0%出現時之施加電壓則以L 6表示，並將各等級穿透率相對應於反射區以及穿透區之施加電壓整理如表二。從圖五A、圖五B及表二中可以發現，在反射區（圖五A)時，L1出現在施加電壓0 · 8 0 V時，L 2則出現在1.38V，L3出現在1.69V，L4出現在1.93V，L5出現在

第15頁 1264587 五、發明說明（11) 2.11V，L6出現在2.40V。在穿透區（圖五B)時，L1出現在施加電壓0 · 8 0 V時，L 2則出現在1 · 2 0 V，L 3出現在 1.49V，L4出現在i_72V，L5出現在1.88V，L6出現在 2· 15V。圖六A、圖六B進行模擬時所採用之條件如表三所示。圖六A、圖六B中的縱軸為穿透率（Transmittance)，橫軸則為施加電壓（App 1 i ed Vο 1 t age)。和圖五的比較方法相同’特將最高穿透率出現時之施加電壓以L 1表示，而最高穿透率的8 0%出現時之施加電壓則以L 2表示，最高穿透率的5 0%出現時之施加電壓則以L 3表示，最高穿透率的 3 0%出現時之施加電壓則以L 4表示，最高穿透率的2 〇%出現時之施加電壓則以L 5表示，最高穿透率的1 〇%出現時之施加電壓則以L 6表示。同樣的，亦將各等級穿透率相對應於反射區以及穿透區之施加電壓整理如表四。從圖六A、圖六B及表四中可以發現，在反射區（圖六a)時，li出現在施加電壓3. 80V時，L2則出現在3· 06V，L3出現在 2.73V，L4出現在2.54V，L5出現在2.44V，L6出現在 2.29V。在穿透區（圖六B)時，L1出現在施加電壓3.80V 時，L2則出現在3. 15V，L3出現在2· 79V，L4出現在 2.58V，L5出現在 2.47V，L6出現在 2.32V。從圖五A、圖五b以及圖六A、圖六B中可以明顯看出，圖五A、圖五B中穿透區和反射區之電壓對穿透率曲線非常不一致’尤其是L1〜L 6各點之電壓差距更大（見表二）。在圖六A、圖六B中穿透區和反射區之電壓對穿透率曲線則

1264587 五、發明說明（12) 相當一致，且L 1〜L 6各點之電壓差距較小（見表四）。因此，由實驗模擬數據之佐證，本發明由於添加了間隔層，明顯改善了反射區域的光線穿透效果，使得其與穿透區域之光線穿透效果趨於一致。證明了本發明和習知技術相較，相對具有較佳的對比效果以及均句的明亮表現。藉由以上較佳具體實施例之詳述，係希望能更加清楚描述本發明之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發明之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本發明所欲申請

第17頁 1264587 圖式簡單說明圖示簡單說明圖一係習知Μ Τ N型之穿透反射式液晶顯示裝置1 0之示意圖。圖二係習知V Α液晶顯示裝置與Μ V Α液晶顯示裳置的比較示意圖。圖三係本發明穿透反射型液晶顯示裝置中一液晶單元之示意圖。圖四係本發明MVA型穿透反射式液晶顯示裝置之示意圖。圖五A係習知MTN型穿透區之電壓對穿透率曲線圖。圖五B係習知MTN型反射區之電壓對穿透率曲線圖。圖六A係應用本發明後Μ V A型穿透區之電壓對穿透率曲線圖。圖六B係應用本發明後Μ V A型反射區之電壓對穿透率曲線圖。表一係圖五A、圖五B進行模擬時所採用之條件。表二係圖五A、圖五B進行模擬時各等級穿透率相對應於反射區以及穿透區之施加電壓。表三係圖六A、圖六B進行模擬時所採用之條件。表四係圖六A、圖六B進行模擬時各等級穿透率相對應於反射區以及穿透區之施加電壓。圖示標號說明

第18頁 1264587 圖式簡單說明 38:第一基板 42:第二基板 4 4 :複數個第一透明電極層 4 6 :至少一金屬電極層 4 8 ·液晶層 50·液晶早元 5 2 :第二透明電極層 5 4 :至少一間隔層 5 6 :第一部份 5 8 :第二部份 5 9 :背光源 60: MVA型穿透反射式液晶單元 62:突起物

第19頁 1264587 表一模式附屬元件出處附註反射區偏光片 Nitto Polarizer 穿透軸0度 λ/4波片 Arton Film 長軸45度液晶層 Merk5036 磨擦配向（Rubbing)角度：30-110 度間隙（Gap ) : 4 // m 液晶的螺距（pitch) : 80//m 預傾角：8度反射層 Snell’s Law 穿透區偏光片 Nitto Polarizer 穿透軸0度 λ/4波片 Arton Film 長軸45度液晶層 Merk5036 磨擦配向角度：30-110度間隙：4 // m 液晶的螺距.80 // m 預傾角：8度 λ/4波片 Arton Film 長軸135度偏光片 Nitto Polarizer 穿透軸90度

表二與最高穿透率的百分比反射區的施加電壓值穿透區的施加電壓值電壓差距 100% 0.80 V 0.80 V 0 80% 1.38 V 1.20 V 0.18 50% 1.69 V 1.49 V 0.20 3 0% 1.93 V 1.72 V 0.21 20% 2.11 V 1.88 V 0.23 10% 2.40 V 2.15 V 0.25

1264587 表三模式附屬元件出處附註反射區偏光片 Nitto Polarizer 穿透軸125度 λ/4波片 Arton Film 長軸170度液晶層穴 Merk6608 磨擦配向角度 Rubbing : 200-290度間隙 Gap : 3 //m 液晶的螺距像距： 80//m 預傾角：87度反射層 Snell’s Law 穿透區偏光片 Nitto Polarizer 穿透軸125度 λ/4波片 Arton Film 長軸170度液晶層穴 Merk6608 磨擦配向角度 Rubbing : 200-290度間隙Gap : 5.2//m 液晶的螺距像距：80 μτη 預傾角：87度 λ/4波片 Arton Film 長轴80度偏光片 Nitto Polarizer 穿透轴35度表四與最高穿透率的百分比反射區的施加電壓值穿透區的施加電壓值電壓差距 100% 3.80 V 3.80 V 0 80% 3.06 V 3.15 V 0.09 5 0% 2.73 V 2.79 V 0.06 3 0% 2.54 V 2.58 V 0.04 20% 2.44 V 2.47 V 0.03 10% 2.29 V 2.32 V 0.03

Claims

-•Λ- ·' γ - 1264587 I六、申請專利範頂r |1、一種穿透反射式液晶顯示裝置（transflective LCD)，包含：一第一基板以及一第二基板；複數個第一透明電極層形成於該第一基板上且面向該第二基板；一金屬電極層形成於該第一基板上且面向該第二基板，且係間插於該等第一透明電極層間；一第二透明電極層，形成於該第二基板之上且面向該第一基板，一間隔層，形成於該第二透明電極層之上且位於該金屬電極層之對應位置；以及一液晶層，形成於該等第一透明電極層和該第二透明電極層之間之一第一間隙中，以及該金屬電極層和該間隔層之間之一第二間隙中。 2、如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，進一步包含複數個突起物。

3、如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該液晶層於該第二透明電極層與該金屬電極層間所受到的電場係不大於該液晶層於該等第一透明電極層與該等第二透明電極層之間所受到之電場。 4、如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，進一步包含

第20頁 1264587_____ i六、申請專利範圍 I 一背光源以產生光經由該第一基板、該第二基板而穿透出去。 ί 5、如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中在該等第一透明電極層和該金屬電極層施加一第一電壓，且在該第二透明電極層和該間隙層施加一第二電壓，對應於該等第一透明電極層和該第二透明電極層之光線穿透率與對應於該金屬電極層和該間隙層之光線穿透率大致相同。 6、一種穿透反射式液晶顯示裝置（transflective LCD)之製造方法，包含：形成一第一基板以及一第二基板；形成複數個第一透明電極層於該第一基板上且面向該第二基板；形成一金屬電極層於該第一基板上且面向該第二基板，且係間插於該等第一透明電極層間；形成一第二透明電極層於該第二基板之上且面向該第一基板；形成一間隔層於該第二透明電極層之上且位於該一金屬電極層之對應位置；以及形成一液晶層於該等第一透明電極層和該第二透明電極層之間之一第一間隙中，以及該金屬電極層和該間隔層之間之一第二間隙中。

第21頁 1264587__ 六、申請專利範圍 7、如申請專利範圍第6項所述之製造方法，進一步包含下列步驟：形成複數個突起物於該第二透明電極層之上。 8、如申請專利範圍第6項所述之製造方法，其中該液晶層於該第二透明電極層與該金屬電極層間所受到的電場係不大於該液晶層於該等第一透明電極層與該等第二透明電極層之間所受到之電場。

9、如申請專利範圍第8項所述之製造方法，進一步包含下列步驟：組裝一背光源以產生光經由該第一基板、該第二基板而穿透出去。

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