TWI250278B - Audio-frequency ion trap single-particle mass spectrometer - Google Patents

Description

1250278

發明領域 本發明係有關一用於單次微型粒子之質量及電荷狀態分 析I南解析度質譜儀結構，特別是，係關於一種電灑游離 法（E S I)及晋頻（a F )四極矩離子阱質譜儀之方法之組 合。 發明背景 習知技藝的四極矩離子阱質譜儀已揭示於美國專利第 4，5 4 0，8 8 4號，發明名稱為r使用四極矩離子阱以分析樣 品質量之方法」。該四極矩離子阱質譜儀（ITMs )已推 出市場上近二十年，其被廣泛運用為分析原子 '分子及離 子群頻譜質量之裝置。在現有之離子阱質譜儀中，一固定 音頻交流電（ac)場以lMHz外加於離子阱之環形電極 (ring electrode)與端帽（eild caps)間，其限制了該類 質1普儀對於單電荷種類的質量範圍。習知技藝已嘗試藉由 降低音頻、減少阱大小，並伴隨著使用共振射出來增加可 觀察到的質荷比（m/z)範圍，然而，現今最高可觀察到之 質荷比僅約為1 5〇,〇OOE)a/charge。因此有必要提供一 種可觀察更鬲質荷比之質譜儀。 έ知技藝之氣溶膠（aer〇s〇i)飛行式（time-of-flight) 質譜儀已揭示於美國專利第5，9 9 8，2 1 5號，該質譜儀 (T S I m 〇 d e 1 3 8 0 0 )係為一商用儀器，其係一新近設計用 來即時決足早氣溶膠粒子之大小及化學合成物之儀器。在 -4- 本紙張尺度適β a a家Α4_·21() χ 297公着) 1250278

7 7 A B 五、發明説明（3 ) 析I南解析度質譜儀結構，特別是，係關於一種電灑游離 法（E S I)及音頻（a F )四極矩離子阱質譜儀之方法之組 合。不同於習知技藝，本發明係偵測由一連續雷射光束與 離子阵射出粒子產生之光散射，該光散射係用於質荷比之 檢查。在音頻離子阱操作於質量-選擇不穩定模式，粒子 圖譜分析顯示出各個波峰的質荷比皆不相同（rn/z),而觀 察到之質量頻譜之個別波峰，係實質上由單粒子而來，並 非由離子巨量而來。因此，使用本發明以單粒子為基礎之 質譜儀可以達成次微型粒子之快速及經常性分析之目的。 為達本發明之上述目的，本發明提出一種單粒子質譜 儀，其係以一音頻離子阱（audi〇-frequenCy ion trap) 配合電灑游離法（electrospray ionization)來產生帶電 粒子並侷限其於阱中，藉由掃瞄位阱電壓，可令被捕捉的 粒子逐一拋出。當粒子通過檢測用之雷射光，會發出散射 光訊號，收集此散射光訊號隨時間的變化，即可得到質量 /電荷（質荷比m / z )的訊息，亦即所謂的單粒子質譜。 此外本發明亦提供一種校正此質譜儀之方法，藉由觀測單 一粒子於離子阱中的運動軌跡，測量其本徵頻率 (secular frequency)，而獲得質荷比的標定值。 為使本發明之技術内容及特點更易於瞭解，茲藉由較佳 實施例，配合圖式說明如下。 圖式簡述 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1250278 A7 B7

五、發明説明（4 本發明將依照後附圖式來說明，其中： 圖l(a)-l⑷係一單粒子質譜儀（SPlyIS)圖之示意圖； 圖2係用於音頻離子阱之電路及用於散射光偵測之光學 配置之示意圖； 圖3 ( a)係在四極矩離子阱中單帶電粒子振盪運動之軌跡 之影像； ' 圖3 ( b)係使用光電倍增管測得之散射光強度之時域測 量； ’ 圖3 ( c )係圖3 ( b )時域頻譜之傅立葉轉換； 圖4在兩個獨立之電灑游離及捕捉事件中所觀察到之單 粒子質譜； 圖5( a)係鑽石奈米粒子之單粒子頻譜； 圖5(b)大腸桿菌噬菌體T4DNA團塊之單粒子質譜。 主要元件符號說明 10 電灑游離源 11 針頭 12 第一分離器 13 機械泵 14 魯氏泵 15 四極矩離子阱 16 第二分離器 17 雷射二極體 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) 1250278 A7 B7 五、發明説明（5 18 光阻擋器 19 光電倍增管 20 滿輪分子菜 2 1 端帽 22 端帽 23 環形電極 24 電荷耦合器件 發明詳述 以下將參考圖式說明本發明的實施例。 單粒子質譜之構造 圖1係一單粒子質譜儀（s P M S )圖之示意圖，該質譜儀 包含下列三部分： (1 )電灑游離源（1 0): —電灑游離源在質譜分析中扮 演一粒子產生器’其將次微型粒子帶至氣相（gas phase)。與習知方法相比，本發明具有之優點可以確保 所有粒子可以在氣相中完全地分散，藉此可以偵測到單粒 子（single particle)而非積聚物（agg1〇niei>ate)。 圖1所示之電灑游離源包含有一針頭（丨丨）（其直徑為 2 0 0 // m )以及一具有開孔直徑約2〇〇 v㈤毛細管 (capillary)，一 4kV之直流（dc)電壓施加於針頭，毛細 管在操作時係保持在接地電位，該電灑游離產生之#子在^ • 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) ' ' '—---- 1250278 A7 B7 五、發明説明（6 ) 通過毛細管後被束管導引至一第一分離器（skimmer，12) (具有開孔直徑約7 0 0 // m )，其係將第一及第二差動式 篆室（differentially pumped chamber)分離，在此二 室中之内部壓力分別藉由一 12L/s機械泵（13)(Edwards E2M40)保持在1 Torr ，以及一 50L/s魯氏果 (14)(Roots pump)(Alcatel LS80L2)保持在 1 mTorr。藉由氣體流動之攜帶，該粒子通過一第二分離器 (skimmer，16)(開孔直徑1.5mm)並進入離子阱室， 該離子阱室以一 250L/S渦輪分子泵（20)(Osaka 丁11253%)來排氣至7乂1〇-5丁〇1^。該第二離子束管引導粒 子朝向離子阱之入口孔，一旦需要的粒子被限制住，該電 灑游離源便被關閉，則入口板上之孔則被封閉，而離子畔 室的真空可以達到2 X 1 (ΓόΤ 〇 r r之壓力。一般粒子之捕捉時 間約為其係在射出前3 0秒。 所有顯示於圖1的離子束管及分離器均被接地，因此， 在裝置中次微型粒子之移動係根據氣體動力學而非靜電力 學，垂直離子束軸被選用以避免因為地心引力下沈所致之 離子損失。 (2)四極矩離子牌（15) 一四極矩離子胖係穩定的支撐安裝在一真空室中該離子 畔（Jordan C-1251)具有尺寸參數z〇 = 7.〇7mm，以及其 他與商業離子阱偵測器實質相同之特性。其中，該離子醉 -9 - i紙張尺度適财g 8家標準(CNS) A4規格(21GX 297公f' 1250278 A7 _____ _B7 五、發明説明~" — 已被修改，使得在三個水平軸上之六孔係在環形電極（2 3 ) 與端帽（end-Caps)(21，22)上鑽出。環形電極上有四孔 (直徑3 . 8 m m)’供粒子於阱内部程序之照明及可視化之 用（圖1),而端帽電極上之二孔（直徑3.lmm)提供了 粒子射入及射出之通道。從一高壓電變壓器而來之可變頻 X流電壓被施加到二端帽，該變壓器被附加於一合成功能 產生斋义一音頻（AF )功率放大器來驅動。該環形電極 被接地而兩個端帽可以在一小直流電壓上浮動，以平衡地 心引力（詳參圖2 )。 為了得到質譜，一標準質量選擇定模式被用來藉由掃瞄 端帽電壓以清空該阱來選擇所需要之離子，在電壓掃瞄以 W，孩室被充滿（back-filled)氦（He)緩衝氣體至 lmT〇rr以保持粒子在阱中央，而同時，減少其振盪運動 之幅值。交流電壓振幅（Vac)係在粒子射出之路徑時於 42 0 V至1 7 00 V之間變動，以獲得一完整的頻譜掃瞄。典 型的阱驅動頻率為Ω/2Π=600Ηζ。 (3 )散射光偵測系統 散射雷射光之偵測係被用來辨識射出離子阱之帶電粒 子，一前向散射角度1 60被採用，其伴隨著位於距離 60 mm外之鏡頭（直徑25mm)來收集光線使用。如此將 允許粒子之偵測可以小至1 〇 〇 n m。圖1即係此種光學侦測 配置之示意圖。 -10 - 1250278 A7 _____ B7 五、發明説明（8 )

一 50mW 雷射二極體（ld) (17)(MitsUbishi ML louio)被用來做為發光器，該雷射光束（A=685nm) 具有4.5x2.2mm之尺寸，雷射光束之一維輻度（45mm) 足夠大到可以確保所有粒子在它們通過下方端帽而射出離 子阱時皆可被偵測到。典型的功率強度在散射光點的位置 為10kW/m2。如圖丨所示，雷射二極體係安裝在反應室内 部’其係位在散射器點1 m遠之位置。有三孔隙分別具有 直徑8 m m，1 0 m m及1 2 m m，其排列如同光阻擋器（i 8 )， 用以減少由反應室之窗或牆散射及反射而來之雷射光束而 產生之背景#號。一光電倍增管（19) (ΡΜτ， Hamamatsu R928)可用以收集藉由粒子穿過照明雷射 光束所產生之散射光脈衝。 單粒子質譜儀之校正 在質荷比（m/z)>106的領域中，粒子質量電荷決定之一 項限制在於缺乏晉頻（A F )離子阱質譜儀之適當校正物 (c a 1 i b r a n t)。需要此項校正物的原因係離子阱質譜儀之 效能因為地心引力、緩衝氣體及離子阱缺陷（電子上及機 械上）之存在，故不能完全依照馬氏方程式（Mat hieu,s e q u a t i 〇 n s )所預測。為了校正此單粒子質譜，本發明係 使用四極矩離子阱做為電動式天平（electr〇dynamU balance)以決定單帶電粒子之質荷比（m/z),並將其用於 單粒子質if*儀（S P M S ) ’藉由此一方式，質譜儀可以被 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 1250278 A7 B7 五、發明説明（9 校正而無須外來之參考值 在此一校正測量中 從第 5〇mW雷射二極體 (17)(Mitsubishi ML lOlJio)而 采之光束經由介於阱 端帽及環形電極間之間隙引入陈中。^ 。從電場懸浮粒子來之 散射雷射光（λ = 6 8 5 n m )傾斜的穿讲 盯7矛過％形電極上之孔洞， 經由望遠鏡來收集（請參照圖1 )。二、 Λ — 疼可向光散射角度為 3 5 。圖3 a係顯示一限制在胖中乏留 早讀石微粒子振盪運動 軌跡之影像（大約直徑為〇 . 7 “ m ^ ’其係藉由電荷耦合 裝置攝影機㈢所拍下，藉由以小直流電壓 (-般為10V)橫跨施加於端帽之頂部及底部之協助以補 償粒子之地心引力，可以得到一接近2:丨立氏 (LiSsaj0US-type)執跡（圖3a)。如同所見，粒子以接 近對稱於離子胖中心平面上部及下部之之方式振動。 為了決足此單捕獲奈米粒子（nan〇particle)<質荷比 之值，輻射方向（6； r)運動之本徵頻率在較低之交流電壓 振幅（Vac与300V)下被測量出來，此可藉由光電倍增 官（1 9 )來收集從粒子而來之散射光來達成。信號輕度 之調變（圖3 b )則以一套刀邊緣來阻擋散射雷射光之半 部來達成，亦即，來自影像之左半部或右半部之光（圖 3a) ’時域頻譜之傅立葉轉換導出了輻射本徵頻率（圖 3 c )’其中質荷比可以如下方式來計算： •12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1250278

之校正物。 此一粒子隨後可被做為單粒子質譜儀 為增加此質瑨儀之質荷比（m/準 y卞供反’本發明亦提供 測得粒子之射出點W的方法可被定義如下：

合併方程式（1 )及（2 )可以得到：

其中V eject及V ac分別為在頻率測量點及粒子射出點之交流 電壓振幅，qeject之決定係僅依照Vejeet/Vac之比值，而非其絕 對值，如此將可以得到一較準確之qeject測量。藉由此一方 法，可以決定出在Ω /2 7Γ = 3 0 0 Hz時，qejeci為0.9 4 9 土 0.004之點’此值在Ω/27Γ為200Hz到6 00Hz之範圍内， 僅有小幅之變動（實質上係在實驗誤差之中），因此，顯 示出此一單粒子質譜儀（S P M S )具有優於0 · 5 %之質量準 確度。 以下便以一些具體之應用實例來說明單粒子質譜儀藉由 本發明可以達到之效能，以下係可用來證明此單粒子質譜 儀（S P M S )不僅可以用來觀察聚苯乙烯微粒子，亦可以 偵測具有標定直徑1 0 0 n m之奈米粒子（n a η 〇 p a r t i C 1 e ) -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1250278 A7 ________B7 五、發明説明（11 ) 以及具有分子重量（M)大於i〇8Da之T4DNA團塊。 應用貫例1 ·胺基聚苯乙婦粒子（Amino-polystyrene particles) 第一樣品包含有一膠質懸浮（Spherotech AP-08_10) 具有5%(w/v)單分散（m〇ri〇disperse)胺基聚苯乙缔粒子 及〇.02°/(^&1^3。粒子具有〇.91土〇.〇22/^111之平均直 徑’其為減少溶液中之電解質，係被以去離子水徹底清 洗’這些粒子之一項獨特之特色為其表面被以3χ1〇6分子 /粒子（molecules/particle)之胺基庚烷基 (aminoheptyl) [_(CH2)7NH2]來官能基化。因此，當 粒子被以一正電荷電灑引入離子阱時，其表面多數應被覆 滿貝子’而非其他競爭陽離子如Na+。 圖4顯示從一具有濃度〇〇5%(w/v)之 4:lCH3〇H/H2〇，其被醋酸調整為ρΗ = 3·9之膠質懸浮 胺基聚苯乙烯微球體，藉由電灑游離（E s I )所獲得之一 典型單粒子質譜。圖4所顯示者為在二獨立實驗中使用相 同懸浮及阱驅動頻率Ω / 2疋=6 〇 〇 Η ζ所獲得之頻譜，該二 頻譜看起來完全不同，其波強度接近隨機分佈，此一特 點’可以推導出所觀察到之質譜係來自於一單粒子。在 1 〇個粒子被捕獲及每次測量之觀察之情形下，一頻譜頻 率分佈圖以實驗之1 〇2重覆所得到之頻譜等同於在同時分 析使用本發明之單粒子質譜儀以一 1 〇 3粒子之離子巨量所 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 1250278 A7 B7 五、發明説明（12 觀察到之單頻譜。 應用實例2 :鑽石奈米晶體（n a n 〇 c r y s t a 1 s ) 為獲得鑽1石奈米晶體（nanocrystals)之頻譜，樣本 (Kaylndustrial Diamond SJK-5)首先在 600〇C 之空 氣中被氧化1小時以確保其表面覆蓋有醚（e t h e r )，羰 (carbonyl )或羧（carboxylic)官能基。由於其表面 上之這些官能基，粒子可接受由醋酸在電灑游離（ESI) 時而來之質子。一具有ρΗ = 3·9之含有0.02%(w/v)粒子 之4 : 1 C Η 3 Ο Η / Η 2 Ο混合物在本實驗中被做為電灑溶液。 圖5 a所示係一鑽石奈米晶體之頻譜，其係具有全部不規 則形狀及不同之尺寸。其中部分具有粗糙表面‘，另外則係 以直徑約〜4 0 n m之小粒子之形式組合成聚合體，值得注 意的是，當粒子皆以較前面討論之對應聚苯乙婦微球小於 接近10倍時’具有超過20之雜訊比（signal-t〇-n〇ise r a 11 〇 )之頻譜即可獲得。指定每一個粒子之預估重量為 1 . 5 X 1 0 17 k g，則這些奈米鑽石上之質子量大約是每粒子 有5 0個。 應用貫例3 · D N A團塊（c 1 u s t e r s ) 單粒子質讀儀亦可以在具有M>i〇8Da之生化聚合物之 分子重量決疋上加以應用。大腸桿菌嗟菌體T4DNA分子 可以做為一個好的例子。在液態溶液中，大腸桿菌噬菌體 T4DNA之重量已被決定為每分子11〇 土 $ MDa，因此， -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1250278 A7

這些巨大分子之團嬙1女 尾/、有一質荷比在本發明所提供之質荷 比可測量範圍内。是以 任何人皆可以利用本發明之此一 優點，並以本發明提供之單粒子質譜儀進行一仔細之分 析：使得得到DNA分子之分子重量變成可行。如此將可 以k供-較傳統採用溶液相研究之複雜方法—更直接且且 有潛力之方法。 〃 一大腸桿菌嗟菌體T4DNA分子之典型實驗結果顯示於 圖5b，該DNA樣本被懸浮在具有濃度0.01%(w/v)之 l:3CH3OH/H2〇溶液中’在該懸浮中，DNa分子可形成 聚集體，如同眾所周知的，其在高濃度下易成膠化。因 此，此一特色可以關連到DNA聚合體或團塊應可在此一 觀祭到I頻譜中被辨識出來，而此一預期確實在圖5 b中 被所顯示之結果加以驗證，其中，在重量決定不確定性的 4%範圍之内，可發現到能被合理地指配T4DNA分子之載 有單电荷之一聚體（singly charged dimmer)，三聚體 (trimer)及四聚體（tetramer)之三項特色。 因此’本發明提供了超越傳統質譜儀收集巨量 (e n s e m b 1 e )粒子而成之質譜結果，其特點如下： 一、質荷比範圍m / z > 1 0 6 一、 具有咼解析度m/zXm^lO4 二、 具有自我校正（self-calibrated)之功能 四、體積小，造價低廉。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1250278 A7 B7 五、發明説明（14 ) 本發明之特點及技術内容已充分揭示如上，任何熟習本 項技藝之人士可依據本發明之揭示及教示而作各種不背離 本發明精神之替換或修飾。因此本發明之保護範圍不應限 於所揭示之實施例，而應涵蓋這些替換及修飾。 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1. T^T^5*Q2|58i33473號專利申請案f… 么〜在文申請專利範圍替換本(94年辦月:

   j D8 六、申請專利範圍 1. 一種音頻離子阱單粒子質譜儀，包含： 一電灑游離源，其具有： 一針頭，其於操作時保持在四千伏直流電位及 一毛細管，其於操作時保持在接地電位； 一四極矩離子阱，安裝在一真空室中，其具有： 一環形電極， 一第一帽端電極’及 一第二帽端電極 :以及 一散射光偵測系統，其用來辨識射出該離子阱之帶 電粒子，其具有： 一雷射二極體，其用來做為發光器， 三孔隙，其排列如光阻擋器，及 一光電倍增管，用以收集藉由該帶電粒子穿過照 明雷射光束所產生之散射光脈衝， 其特徽在於： 該環狀電極與該第一與第二端帽電極之相對配置 係可使當該環狀電極與該第一及第二端帽電極之間 施加一音頻位阱電壓時，將來自該電灑游離源之一 帶電粒子限制於一離子肼室，而當對該環狀電極與 該第一及第二端帽電極之間變化掃描音頻位阱電壓 時，將該離子阱室中之該帶電粒子射出。 O:\74\74343-941202.DOC -1 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 2

   2 •如申請專利範圍第1項之質譜儀，其進一步包含一第 一分離器，用以分離二差動式泵室。 3 .如申請專利範圍第1項之質譜儀，其進一步包含一第 一分離器’其中粒子藉由通過其以進入該離子阱室。 4.如申請專利範圍第1項之質譜儀，其進一步包含一機 械栗’其用以將壓力保持在ITorr。 5_如申請專利範圍第1項之質譜儀，其進一步包含一魯 氏栗’其用以將壓力保持在ImTorr。 6·如申請專利範圍第1項之質譜儀，其中該離子味室係 藉由一渦輪分子泵將壓力保持在7χ1〇-5 τ〇ΓΓ。 7 •如申請專利範圍第〖項之質譜儀，其中該離子阱室係 藉由： 一渴輪分子泵將壓力保持在2xl〇-6 T〇rr，其中雷 射二極體係安裝在反應室内部，位在散射點約1 m遠之 位置。 8.如申請專利範圍第1項之質譜儀，其中該三孔隙分別 為 8 m m，1 〇 m m 及 1 2 m m。 種測量帶電粒子質譜之方法，包含下列步驟： 以一以一音頻離子阱配合電灑游離法來產生帶電粒 子並侷限其於阱中； 藉由掃瞎位阱電壓，可令被捕捉的粒子逐一拋出； 以及 O:\74\74343-941202.DOC . 2 . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公复）- 1250278 A8 B8

   &收集當粒子通過檢測用之雷射光時發出散射光訊號 见時間的變化，以得到質量/電荷（質荷比m / z )的訊 息 1〇 如由 ’ 甲請專利範圍第9項之方法，進一步包含下列步 驟： 以第一離子束管引導粒子朝向用以電動式限制之離 啡之入口孔，一旦需要的粒子被限制住，該電灑游 離源便被關閉，其人口板上之孔則被封閉，而可以達 到 2xl〇-6T〇rr2壓力。 U·如申請專利範圍第9項之方法，其中，粒子典型之捕 捉時間約為其係在射出前3 〇秒。 12. 如申請專利範圍第9項之方法，進一步包含下列步 驟： 施加從一高壓電變壓器而來之可變頻交流電壓被到 二端帽，其被附加於一合成功能產生器之—音頻 (AF)功率放大器來驅動，該環形電極被接地得兩個 端帽可以在一小直流電壓時浮動，以平衡該地心引 力。 13. 如申請專利範圍第9項之方法，進一步包含下列步 驟： 使用一標準質量選擇定模式掃瞄端帽電壓以清空該 阱來選擇所需要之離子，在電壓掃瞄以前，該室被從 O:\74\74343-941202.DOC 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1250278 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 充滿5L緩衝氣， 同時，減::二mT°rr以保持粒子在牌中央，而 才成乂其振盪運動之幅值。 14·:申=利範圍第13項之方法，其中，為了得到質 曰又机電壓振巾虽（Vac)係在粒子射出之路徑時於 ㈣至17州之間變動，以獲得—完整的頻譜掃 猫0 15· 一種校正音頻離切單粒子f譜儀之方法 步驟： J 決定單帶電離子暫 貝何比，其係使用四極矩離子阱做 為電動式天平； 引入由田射一極體而來之光束，以經由介於醉端帽 及環形電極間之間隙進入阱中； 、測量以輻射方向運動之本徵頻率，其係在較低之交 流電壓振幅下為之，並使用光電雷射倍增管來收集從 粒子而來之散射光；以及 以單捕獲奈米粒子做為質譜儀之校正物，以獲得質 荷比之標定值。 16·如申請專利範圍第1 5項之方法，進一步包含下列步 驟： 從懸粒子而來之散射雷射光（又= 6 8 5 nm)穿過環形 電極上之孔洞，並藉由望遠鏡來收集。 17.如申請專利範圍第1 5項之方法，進一步包含下列步 -4- O:\74\74343-941202.DOC 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

   申請專利範

   驟： 藉由以小古、夫 18. 〜電壓（約為10V)橫跨施加於端帽之 &部之協助以補償粒子之地心引力。 驟申月專利乾圍第15項之方法，進-步包含下列步 ^由使用光電倍增f (19)來收集從粒子而來之散 旦/，在較低之交流電壓振幅（vac与3 0 0V)下測 里輻射方向（"）運動之本徵頻率。 O:\74\74343-941202.DOC 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)