TWI239658B - Solar-pumped active device - Google Patents

Description

1239658 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種太陽能光主動元件，尤指一種 可藉由該太陽能矽晶片板上之全像天線光柵將太陽光中 所需之泵浦波長，近似垂直耦合並匯聚後激發而產生雷 射現象，或藉由反射層將穿透該太陽能矽晶片板將未能 善加利用的泵浦波長再次繞射進入光增益介質達到放大 器的功能。 【先前技術】 按，目别的摻餌光纖放大器一般以輸出卜2〇〇毫瓦 之980 rnn波長雷射激發約1〇多公尺的摻餌光纖，以得 到在1530 nm〜1560 nm範圍内約20_3〇 dB的光放大增 益；然而驅動此半導體雷射及其控制溫度用致冷晶片“ 需持續消耗1安培左右電流’若再加上聰nm的泵浦 波長’則耗費，電力更為加重；這對於在特殊環境如衛 星 '高山、沙漠、南北極等電力能源獲取不㈣地方， 將造成光通訊應用上的瓶頸。而利用太陽能發電，因為 不會對地球的資源及生態環境造成傷害，所以在目前廣 受各國推崇並致力發展。同樣地，利用反射或折射方式 集中太陽光的方式來激發光增益介質以達到產生能量言 達數十瓦的雷射’早在數十年前就已經實驗成功並成： 科學家持續努力研究的目標，然而，以往的做法幾乎都 1239658 大的聚焦鏡’以收集足夠的太陽光中所需的果 較大的增益。這樣的結構使得太陽光果浦 Γΐί光放m成為少數科學家在實驗室進行的研 ς =法普及應用到商業產品當中，於是更加遑論把這 ，大设備放到人造衛星或國際太空站上面了。然 因應氣象或軍事人造衛星需在短時間内傳送大量 像資料的需求’衛星光通訊是目前科技先進國 ::Γ展的重點項目之一，舉凡衛星與衛星之間或衛 ::面站之間的局速資料傳輸，無線光通訊無疑地是 2的選擇。此外’雷射光的高度指向性亦提供了高度 =保&安全；且衛星光通訊也正是目前世界各國國 ==!展項目’是以，要在人造衛星上實現無線光 心小體積且高轉換效率之太陽能光放大器盔 疑地成為必須的重要設備之一。 … 而一般高增益及高輪出功率（可高達則的雷射的 :以利用太陽絲浦的方式來達成。然而，可以發現 的聚焦方式幾乎都是利用大型的拋物面鏡或 心光學的聚焦方式來達成，整個實驗的結構體 :也因：顯得非常巨大，所以，實用性並不是很高。再 所的太陽光都被儘可能地聚焦進入光增益介質， 因此’光增益介質必須同時使用 =熱的情形。此處說明了利用具有波長選擇;性 及體積小巧的聚隹士 4 “、、方式’疋攸關太陽能光放大器與雷射 1239658 未來能否成功邁向實用化的關鍵因素； 且般^用技術在光波導中加入全像光柵的結構， 可以使光波導内的傳輸能量幾乎是近似垂隸合射出光 波‘並產生像菲涅耳透鏡（Fresnel Lens)的聚焦效果， 又根據絲可逆相，倘使—平行光束垂直射向此波導 光柵時光束會被耦合進入光波導並發生於焦點聚焦的 見象稱為全像天線光才冊（h〇1〇graphic grating)，此種光柵對特定波長的繞射效率最高約*⑽ 左右，亚可以簡單地在光栅底下加上一層反射層，以使 未能α加利用的泵浦光，從新反射回繞射光柵以增加繞 射效率。然而，這些光栅的用途僅限於將光波導内的信 號光耦合射出光波導或將外界信號光耦合到光波導中傳 輸，並未提出製作大面積的全像天線光柵來當作太陽光 中的特定波長的集光器並將之耦合到光增益介質中 雷射； 而目前利用全像天線光柵將外界泵浦光以幾乎是垂 直的方式耦合進入底下具有光增益介質的光波導内傳輸 以製作光放大器。然而，其中並未提出用來製作大面積 的特定太陽光波長之耦合裝置，並且未提出製作成一個 元正的圓形王像光栅使泵浦波長能匯聚到光柵中心，以 集中大量能量激發光增益介質使產生雷射及光放大效 果。再者，他們取得光信號增益的方法是利用光消逝場 (evanescent field)的作用來達成，所以，激發效果不 1239658 像我們提出的直接將泵浦光耦合進入高濃度摻餌波導使 信號光、泵浦光及光增益介質發生強烈重疊的方那 有效率。 工丨曆 【發明内容】 因此，本發明之主要目的係在於，可藉由該太陽能 矽晶片板上之全像天線光柵將太陽光中所需之泵浦= 長，近似垂直耦合至水平方向傳輸並往波導管之方向匯 聚以接受泵浦波長的激發而產生雷射現象。 本發明之另一目的在於，可大幅度地提昇垂直角度 的繞射效率’並藉由反射層將穿透該太陽㈣晶片板而 未能善加利用的泵浦波長再次繞射進入光增益介質達到 敦大器的功能，而提昇繞射效率。 本發明之再一目的在於，無需使用電力之太陽光泵 浦式光放大ϋ，適用於人造衛星、國際太空站、外星球 探險，地、國^途航線飛機、高山、沙漠、南北極等 特殊境’若搭配備用太陽能電池使用時，亦可做為節 ，能源之光通訊信號放大設備，但若於地面使用時，可 ^較適合使用於大陸型或沙漠型（沙塵暴季節除外）等乾 燥少雨氣候地區’並適合架設於企業大樓頂端使用。 本發明之又-目的在於’可解決目前光通訊中光放 大器之電力需求問題。 為達上述之目的，本發明係一種太陽能光主動元 ，其係於—太陽”晶片板上設置有全像天線光柵， 1239658 且於該全像天線光柵之中央處係設置有波導管，可藉由 該全像天線光栅將太陽光中所需之纟浦波長，近似^直 耦合至水平方向傳輸並往波導管之方向匯聚以接受泵浦 波長的激發，可以大幅度地提昇垂直角度的繞射效率 而該波導管之中央處係設置有光增益介f，且於該太陽 能矽晶片板上鍍有一層反射層，可藉由反射層將穿透該 全像天線光柵而未能善加利用的泵浦波長反射且再次繞 射進入光增益介質而提昇總繞射效率；使本發明可解$ 目前光通訊中光放大器之電力需求問題，而無需雷\ 力之太陽光泵浦式光放大器，適用於人造衛星、國際太 空站、外星球探險基地、國際長途航線飛機、高山、沙 漠、南北極等特殊環境，若搭配備用太陽能電池使用時， 亦可做為節省此源之光通訊信號放大設備，但若於地面 使用時，可能較適合使用於大陸型或沙漠型（沙塵暴季節 除外）等乾燥少雨氣候地區，並適合架設於企業大樓頂端 使用。 t 【實施方式】 凊參閱『第1〜3圖』所示，係本發明之放大器運作 原理上視不意圖、本發明之放大器側視圖、本發明之放 大為戴面示意圖，以放大器為例如圖所示：本發明係一 種太陽能光主動元件，其由一太陽能矽晶片板1、光學 繞射兀件2 1、第一光學反射元件2 2、波導管3、抗 反射膜11、光增益介質4、輸入端61、輸出端62 1239658 以及反射層5所構成； 其中於太陽能矽晶片板1鍍上一層反射層5並於其 上設一波導層12内有光學繞射元件2 1、波導管3、光 增益介質4及抗反射膜1 1，並藉由該波導層12内之光 學繞射元件2 1以及波導管3内第一光學反射元件22 將太陽光中所需之波長耦合並匯聚至光增益介質4，藉 此將輸入端6 1之入射信號放大並由輸出端6 2輸出， 做為放大器。 上述所提之太陽能矽晶片板1，可進一步為一基板 其表面上係可鑛上一厚度為光波長等級左右之二氧化石夕 波導層1 2，並於該太陽能矽晶片板1上設置有光學繞 射元件2 1，該光學繞射元件2 1可為全像天線光柵或 光子晶體，可以製作成很大的面積以收集足夠的太陽 光’且該全像天線光柵可以是表面浮雕型 (surf ace~rel ief type )，或折射調變型 (index-modulation type)，又於本發明中央處係設置 有波導管3，該波導管3中央處係設置有光增益介質4 係為局摻雜濃度之摻卸:玻璃或摻镱玻璃或辑/鋒（以/化) 共摻或選自稀土元素中之元素’該摻铒玻璃係經由抗輻 射處理（radiation hardened )’以抑制日曝效應 (solarization)的影響，該光增益介質4兩側設有第 4學反射it件2 2 ’該第-光學反射元件可為反射光 柵（reflect ion grating)或布拉格光柵或果浦光反射光 1239658 拇（reflection grating for pump wavelength )，並於 該太陽能矽晶片板1之上鍍上一層反射層5與一抗反射 膜1 1以增加光吸收效率；可藉由光學繞射元件2 1將 太％光中所需之泵浦波長，近似垂直柄合至水平方向傳 輸並往波導管3之方向匯聚以接受泵浦波長的激發，並 藉由反射層5將穿透該太陽能矽晶片板χ而未能善加利 用的泵浦波長再次繞射進入光增益介質4，係使輸入端 6 1之入射信號得以放大並由輸出端6 2輸出達到放大 器的功能； _ 请參閱『第4圖』所示，係本發明之雷射運作原理 上視示思圖，其至少包含一太陽能石夕晶片板1、一光學 徺射元件2 1、一第一光學反射元件22、一第二光學 反射元件23、一光增益介質4、一輸出端γ2、一抗. 反射膜5及一反射層1 1 ; 其中於太1%能石夕晶片板鑛上一層反射層5及一二氧 化石夕層12並没光學繞射元件2 1、光增益介質4及抗反籲 射膜1 1，並藉由該太陽能矽晶片板i上之光學繞射元 件2 1將太陽光中所需之波長與第一光學反射元件2 2 内之波長，耦合並匯聚至光增益介質4，並配合第二光 學反射元件2 3藉此產生雷射，並由輸出端7 2輸出。 上述所提之太陽能矽晶片板i可進一步為一基板， 其表面上係可鍍上一厚度為數十微米左右之二氧化矽波 導層1 2，並於該二氧化矽太陽能矽晶片板i上設置有 12 1239658 光學繞射元件21，該光學繞射元件21可為全像天線 光柵或光子晶體，可以製作成很大的面積以收集足夠的 太陽光’且該全像天線光柵可以是表面浮雕型 (surface-relief type )，或折射率調變型 (index-modulation type)，又於本發明中央處係設置 有波導管3，該波導管3令央處係設置有光增益介質4 係為而摻雜澴度之摻餌玻璃或摻鏡玻璃或錦^鐘 共摻或選自稀土元素中之元素，該摻铒玻璃係經由抗輻 射處理（radiation hardened)，以抑制日曝效應 (solarization)的影響，該光增益介質4並於兩側設 有第一光學反射元件22，該第一光學反射元件可為反 射光柵（ref lection grating)或布拉格光柵或泵浦光反 射光柵（reflection grating for pump wavelength )， 亚於泫太陽能矽晶片板i之上鍍上一層反射層5與一抗 反射膜1 1以增加光吸收效率；可藉由光學繞射元件2 1將太陽光中所需之泵浦波長，近似垂直耦合至水平方 向傳輸並彺波導管3之方向匯聚以接受泵浦波長的激 發，並藉由反射層5將穿透該二氧化矽波導層12而未能 善加利用的泵浦波長再次繞射進入光增益介質4，並配 合設置於中心介質4兩側之第二光學反射元件2 3產生 雷射光亚由輸出端72輸出達到雷射的功能，其中該第二 光學反射元件2 3可為雷射光反射光柵（reilecti〇n grating for lasing wavelength); 13 1239658 其中’以上所述之光學繞射元件係可進一步由光子 晶體所替代，藉此達到本發明之效果，其令光子晶體 (photonic crystal)之垂直繞射效率高，因此本創作之 全像天線光柵係可用光子晶體來取代，但其中泵浦光反 射光柵及雷射光反射光栅則是利用光子晶體本身的能帶 (photonic band gap)來達到反射特殊波長，其過程並非 、’&射與取代全像天線光栅用之光子晶體之繞射運作原 理不同。 μ 另，本發明係可進一步利用光增益介質4的色散特籲 性與在旁之二氧化矽層不同之特性，製出s頻帶或其他 頻帶之光放大器與雷射，若光增益介質4摻有Er或 Er/Yb共摻，則此時光增益介質4又摻有硼，同時，二 氧化矽全像光栅層摻有氟（F)，即可利用材料色散特性製 出S頻帶之光放大器與雷射，或進一步利用光增益介質 4擁有比二氧化矽層較高的材料色散斜率（materiai dispersion slope)，不論光增益介質4或二氧化矽層摻籲 加何種材料，藉此，我們可實現波長較（：頻帶短的光放大 器與雷射。另，本發明之光增益介質4若為摻铒玻璃或 铒/鏡（Er/Yb)共摻時可進一步摻鋁（A1)，若光增益介質 4摻有稀土元素中之元素可進一步摻硼（B)或摻锗 (Ge)。另，上述之—氧化矽可進一步由高分子聚合物 (polymer)所取代。且本發明之基板可進一步於發光不需 發電的情況下使用其他的金屬或高分子聚合物或介電質 14 1239658 材料作為基板，且本發明之全像天線光栅並非限定為圓 形’可進一步為糖圓形或其他幾何形狀所形成。另，本 發明之光增益介質4的基材材料係可選自璃酸鹽玻璃 (Phosphate glass)或氟磷酸鹽破璃（flu〇r〇ph〇sphat^ 或矽酸鹽玻璃（sUicate)或硼酸鹽玻璃（borate)。 且本發明之係可應用於許多環境，舉凡衛星光通 訊:光纖通訊、無線光通訊等均適用之，可解決目前光 通Λ中光放大态之電力需求問題’而達到無需使用電力 之太陽光栗浦式光放大器’可用於人造衛星、國際太空# 站、外星球探險基地、國際長途航線飛機、高山、沙漠^ 南北極等特殊環境，若搭配備用太陽能電池使用時，亦 可做為節賓能源之光通訊信號放大設備，但若於地面使 用時，可能較適合使用於大陸型或沙漠型（沙塵暴季節除 外）等乾燥少雨氣候地區’並適合架設於企業大樓頂端使 用，簡言之，凡有太陽能矽晶片板工（太陽能電池）使 用的地方即可適用本發明。 而上述具有波長選擇特性的全像天線光栅可以實現 將幾乎是垂直入射的太陽光頻譜中之泵浦波長，耦合成 為在水平方向行進的泵浦波長，這樣的好處在於可二用 太陽能石夕晶片板1上之波導層！ 2，將太陽光中的98〇nm 或1480ηπι波長以垂直地方式耦合進入波導層丄2中，並 往全像天線光柵2 1中心匯集進入摻铒波導之波導管3 以激勵铒離子於l530nm-丨56〇nm波長能量達到光放大的 15 1239658 效果，若進一步搭配雷射光反射光柵可產生雷射現象。 其令’此波長選擇全像天線光柵2繞射98〇mn或i48〇nm 附近的波長進入波導管3，並不會影響到太陽能矽晶片 板1 (太陽能電池）電池發電的主要光吸收頻帶 (550nm-750nm)，因此，這樣結構的好處是僅僅利用在原 本的大面積太％能石夕晶片板1上鍍上一層波導層1 2並 於其上製作大面積全像天線光栅2 (h〇1〇graphic antenna grating)即可實現光通訊的目的且不會影響太 陽能石夕晶片板1 (太陽能電池）發電；然而，全像天線_ 光栅2的致命缺點在於它的繞射效率理論極限值僅有 40%而已，換句話說，太陽光中的98〇nm波長最高僅有4〇% 了以被搞合到水平方向傳輸並進入中心的波導管3，盆 餘的60%將穿透至底下的太陽能矽晶片板i (太陽能電 池）。然而，稍後的計算我們即可驗證即使繞射效率僅有 30%而已，仍然可以使面積為3〇cm*3〇cm的正方形繞射板 子產生大於2ODmw的泵浦能量，至於繞射效率，可以簡 鲁 單地利用在此全像天線光柵2下方多加一層98〇nm的反 射層5即可將穿透該二氧化矽波導層12而未能善加利用 的泵浦波長重新反射回至全像天線光柵2，再轉換至波 導層1 2傳導於光增益介質4中，達到放大器的功能， 因而間接地有效提高全像天線光柵2的繞射效率。 請芩閱『第5圖』所示，係本發明之放大器之串接 示思圖，其中泫太％能光主動元件可藉由輸出端與另一 16 1239658 個太陽能光主動元件輸 果，藉此做為放大器。 入端相連接達到放大 器串接之效 另=參閱『第6圖』所^係本發明雷射之 思圖、、中該太陽能光主動元件可藉由輸出： ί陽能光主動元件輸入端相連接達到雷射串接：效果 藉此做為雷射。 牧 < 政果， 請參閱『第7、8圖』所示，係本發明 璃之吸收頻譜圖、本發明量測_⑽雷射二極體I頻钱 圖:如圖所示：係利用美國海軍實驗室所量測的太陽^ 頻譜（附件一）來做簡單的估算： 1.由附件，美國海軍實驗室於地面所測得的每平方公 尺面積内太陽光總能量為1366 w/m2，考慮恰在 處的能量約為887.5 mw/nm.m2，而我們考慮太陽光 中能多句使波導管3 (即摻财璃）被激發的果浦波長 僅為97〇nm-980nm (如第7圖所示），事實上965_985nm 都可以被近似垂直耦合到波導層丄2，所以，我們可 以從太陽光中得到的有效泵浦波長能量為887· 5 mw/nm · m2 X (985-975) = 8875 mw/m2 = 8875 X 1 0 4 mw/cm2 ° 2.考慮使用面積為30cm*30cm的正方形全像天線光柵 2 ’則接收到太1%光的泵浦波長總能量為8 8 了 5 X 1 〇 4 mw/cm2 X 30cm X 30cm = 789·75 mw 。 3 ·由别述全像天線光拇2理論繞射極限為4 ,假使我 1239658 們只獲得3G%的繞射效率則接收到的泵浦波長總能量 為 789· 75 X 〇. 3 = 236. 925 mw ;僅僅 30cmx30cm 的 天線光栅2就可以得到大於2〇〇,的98〇抓泵浦 月匕畺且疋純粹980nm附近的能量，然而衛星上的太 陽能電池板面積都是數公尺X數公尺的大小，因 此，可證明本發明放大器之可行性。 而一般商用98〇nm泵浦雷射的能量表達方式是利用 積分球加上光功率計（p〇wer_meter)量得，所以，一般市 ^ 一個20〇mw的98〇nm雷射，並不代表98〇_附近的 能量真的有200·’而是所有頻譜能量的積分所得，而今 以一顆28〇mw的高功率98〇nm栗浦雷射，利用光功率計 (P〇wer-meter)測量結果’真的幾乎是28〇_ ’但利用光 譜分析儀量測，則可以發現有很多能量分布在範 圍之外（如第8圖所不）。因此’本發明中選擇計算太陽 光中泵浦波長能量的方式較市面上的通用方法，嚴格許 多。 , 口月 > 閱第9、1 〇圖』所示，係本發明以25〇w鹵 素燈泡照射波導管量得之增益頻譜圖、本發明以280mw 的980雷射照射波導管得到之增益頻譜圖，如圖所示： 以下是以利用250W齒素燈泡側向激發波導管3 (即摻餌 玻璃）的方式（如第9圖所示）與28〇腳的98〇_泵浦雷 射激發波導管3 (即_玻璃）（如第10圖所示）做比 較： 1239658 •考慮以250W未聚焦鹵素燈泡，利用側向激發一塊長 2〇mm、見17mm、高5mm的高濃度摻铒玻璃則得到摻铒 光纖放大器的自發放大輻射（ASE)的頻譜圖，如第9 圖。 2·利用280mw的980nm泵浦雷射，依同上條件得到摻铒 光纖放大器的自發放大輻射（ASE )頻譜如第丄〇圖。 ^由第9圖及第1 〇圖比較，可以發現ι·53μπι的波長 月b里皆可以達到相近的程度；換句話說，一顆25〇w的鹵 素燈泡，其侧向激發波導管3 (即摻铒玻璃）的能力等 效於一顆280H1W之980nm半導體雷射；且第9、丄〇圖 中，摻餌光纖放大器的自發放大輻射（ase)功率看起 來似乎很弱，原因是一方面波導管3(即摻餌玻璃）輸 出的摻铒光纖放大器的自發放大輻射（ASE)能量沒有聚 “、、進入光4分析儀，另，泵浦波長未能全面地將體積這 麼大一塊的波導官3 (即摻铒玻璃）完全激發也是一個 原口仁這些:並不景》響相同條件下的比較結果，第9圖 的1·53μιη波萇的增益似乎比第丄〇圖小多了，這其實是 因為函素燈導入較多的白光進入光譜分析儀，導致雜訊 位準（n〇1Se level)上升所致。此處，我們只關心摻铒光 纖放大為的自發放大輻射（ASE )的輸出能量到底能達到 何種耘度，這疋攸關光源的泵浦能力，若將鹵素燈的其 他波長濾掉，第9圖的增益也可跟第丄〇圖一樣高。再 者，我們亦可推測每平方公尺的太陽能量為i · 36kW左 1239658 右，倘使全像天線光柵2的繞射效率僅有30 %，我們仍 可得到450W左右的總能量，還是比25〇w的鹵素燈泡能 量強，因此，大約只要一塊50cm*5〇cm見方的全像繞射 板，就可以成功地達到如同280mw的980nm泵浦雷射之 功效。 請參閱『第1 1、1 2圖』所示，係本發明利用 30cm*30cm的Fresnel聚焦板將太陽光聚焦到波導管上 1得之增盈頻谱圖、本發明調整98〇nm雷射的電流以模 擬第11圖之太陽光強度圖。 _ 如圖所示，以下是實際利用太陽光聚焦激發波導管 3 (即摻铒玻璃）方式的結果並與1〇〇mw的98〇nm 泵浦 雷射激發波導管3 (即摻铒玻璃）之結果做比較： 1. 於中午多雲時晴天氣，氣溫攝氏3〇度，利用一片 30Cm*3〇Cm的壓克力材質之全像菲涅爾透鏡（Fresnei lens)聚焦板將太陽光側向聚焦於上述之波導管3(即 摻铒玻璃）上，並利用光譜分析儀量測此波導管3 (即鲁 摻鎮玻璃Γ的光放大絲（受激與自發㈣未使用聚 焦透鏡直接量測）’得到第11圖的光增益頻譜， 1·54 μπι波長能量可以達_4〇 dBm左右，其中i 微米附近的凹陷是因為壓克力材質本身的能帶吸收所 致。 2. 利用98_泵浦雷射操作在裏心的電流下，經由光 功率計（power-meter)量測得到1〇〇 _的能量，將此 20 1239658 能董利用側向激發方式及相同眚 一 相丨j實驗條件下，激發波導 管3 (即摻餌玻璃），得到第]9 步丄Z圖之增益頻譜，其中 h53叩處的摻斜光纖放大器的自發放大輕射（ASE) 能量為-42 dBm左右。 由第1 1圖及第1 2圖比較，我們發現一片 3〇cm*3〇cm的Fresnel聚焦板激發波導管3 (即換斜玻 璃）的能力至少大於100卿的㈣⑽泵浦雷射，況且， 太陽光聚f、到波導管3 (即摻_破璃）上時，因為光束 較大’所以並非所有的能量都進入波導管3(即摻餌玻 璃）；反觀980 nm泵浦雷射，因為是從光纖輸出，所以 可以把很強的能量集中輸出在較小的區域上使波導管3 (即摻铒玻璃）得到較高的粒子居量反轉。 故利用太陽光聚焦的方式，可以很輕易地就達到平 常高功率980⑽果浦雷射的激發功效，因此，一但普及 推廣太陽能光放大H ’應當可以對光通訊（尤指衛星光通 Λ及地面無線光通訊）產生重大的技術改革。 惟以上所"述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當 不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請 專利範圍及發明說明書内容所作之簡單的等效變化與修 飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 1239658 【圖式簡單說明】 =1圖，係本發明之放大器運作原理上視示意圖。 第2圖’係本發明之放大器側視圖。 第3圖，係本發明之放大器截面示意圖。 ^ 4圖，係本發明之雷射運作原理上視示意圖。 第5圖’係本發明之放大器之串接示意圖。 第6圖’係本發明之雷射之串接示意圖。 第7圖’係本發明量測換_玻璃之吸收頻譜圖。 第8圖，係本發明量測980nm雷射二極體之頻譜圖。 鲁 第9圖，係本發明以250W鹵素燈泡照射波導管量得之增 益頻譜圖。^ 第1 0圖，係本發明以280mW的980雷射照射波導管得 到之增益頻譜圖。 第1 1圖’係本發明利用30cm*30cm的Fresnel聚焦板 將太陽光聚焦到波導管上量得之增益頻譜圖。 第1 2圖’係t本發明調整980nm雷射的電流以模擬第9 φ 圖之太暢光強度圖。 附件一：美國海軍實驗室所量測的太陽光頻譜。 【元件標號對照】 太陽能矽晶片板1 光學繞射元件21 第一光學反射元件2 2 第二光學反射元件2 3 波導管3 光增益介質4 反射層5 抗反射膜1 1 22 1239658 波導層1 2 輸入端6 1 輸出端6 2 輸入端7 1 輸出端7 2

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Claims (1)

1. !239658 l如申請專利範圍第i項所述之太陽能光主動元件，其 中’該光學繞射元件可以是表面浮雕型 (surface-relief type)光栅。 10·如申請專利範圍第1項所述之太陽能光主動元 件，其中，該光學繞射元件可以是折射率調變型 (index-modulation type)光栅。 π·如申請專利範圍第1項所述之太陽能光主動元 其中’該基板係可選自太陽能石夕晶片板或金屬或 高分子聚合物或介電質材料。 鲁 12. 如申請專利範圍第2項所述之太陽能光主動元 件’其中’該放大器之全像天線光拇形狀係可為圓形 或橢圓形或特殊幾何形狀。 13. 如申請專利範圍第！項所述之太陽能光主動元 件，其中，該光增益介質係為摻铒玻璃。 14. 如申請專利範圍第13項所述之太陽能光主動元 件，其中’該摻鲜玻璃係經過抗轄射處理（radiati〇n ^ hardened) ° 15. 如申請專利範圍第χ 3項所述之太陽能光主動元 件，其中，該摻铒玻璃可進一步摻鋁（A1)。 1如申請專利範圍第工項所述之太陽能光主動元 件’其中’該光增益介質係為摻镱（Yb)材料。 π.如申請專利範圍第16項所述之太陽能光主動元 件，其中，該摻镱(Yb)材料可進一步摻鋁⑷）。 25 Ϊ239658 18 * ~中請專利範圍第1項所述之太陽能光主動元 19件’其中，該光增益介質係摻有稀土元素中之元素。 •如申請專利範圍第18項所述之太陽能光主動元 Y牛 ’其中’該摻有稀土元素中之光增益介質可進一步 摻硼（β)。 2〇 如申請專利範圍第18項所述之太陽能光主動元 //I 其中’該摻有稀土元素中之光增益介質可進一步 摻锗（Ge)。 如申睛專利範圍第1項所述之太陽能光主動元 2件其中，該光增益介質係含铒/镱（Er/Yb)共摻。 •如申請專利範圍帛2 i項所述之太陽能光主動元 其中，該铒/镱（Er/Yb)共摻之光增益介質可進一 步摻硼（B)。 、 〇 〇 .如申請專利範圍第2i項所述之太陽能光主動元 其中，该辑/镱（Er/Yb)共推之光增益介質可進一 步摻锗（Ge)。 、 24·件如：請專利範圍第1項所述之太陽能光主動元 (E :二中’該光增益介質係可為摻铒玻璃或铒/鏡 #摻’ Μ增益介質亦可推领⑻，該光學繞 i件，可進―步㈣射氟（F)之二氧切全像光柵 25·如申請專利範圍第1項所汗—丄s 株甘士 μ 貝所述之太陽能光主動元 件，其中，該光增益介質係比作 下為一虱化矽層之該光 26 1239658 學繞射元件的材料色散斜率（material dispersion slope)高，藉此製作比C頻帶短的光放大器。 26·如申請專利範圍第1項所述之太陽能光主動元 件，其中，該光增益介質之基材（h〇st)材料係選自磷 酸鹽玻璃（phosphate glass)或氟磷酸鹽玻璃 (f luorophosphate)或矽酸鹽玻璃（si丨icate)或硼璇 鹽玻璃（borate)。 27·如申請專利範圍第1項所述之太陽能光主動元 件’其中該光學繞射元件係用以繞射泵浦光® (diffract pump light) 〇 28·如申請專利範圍第1項所述之太陽能光主動元 件，其中該第一光學反射元件係為泵浦光反射光柵 (reflection grating for pump wavelength ) 〇 29· 一種太陽能光主動元件，其至少包含一基板、一光 學繞射元件、一第一光學反射元件、一第二光學反射 元件、一波導官、一光增益介質、一輸出端、一抗反籲 射膜及一反射層； 其中於基板鍍上一層反射層並設光學繞射元件、波導 官、光增益介質及抗反射膜，並藉由該基板上之光學 繞射元件以及波導管内第-光學反射元件將太陽光中 所需之波長耦合並匯聚至光增益介質，並配合第二光 學反射元件藉此產生雷射’並由輸出端輸出。 3〇·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 27 1239658 件，其中，该光學繞射元件係為全像天線光栅。 31.如申請專利範圍第29項所述之太陽能光主動元 件，其中，該光學繞射元件係為光子晶體。 32·如申請專利範圍第2 9工貝所述之太陽能光主動元 件’其中’該第-光學反射元件係為布拉格光拇。 33·如申請專利範圍第29項所述之太陽能光主動元 件，其中，戎第一光學反射元件係為光子晶體。 34.如申請專利圍第2 9項所述之太陽能光主動元 件’其中，該第二光學反射元件係為雷射光反射光拇。 35·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 件，其中，該第二光學反射元件係為光子晶體。 36·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 件，其中，該光學繞射元件係構成為一波導層。 37·如申請專利範圍第3 6項所述之太陽能光主動元 件，其中，該波導層係為二氧化矽。 38·如申請專利範圍第3 6項所述之太陽能光主動元 件，其中，a亥波導層係為高分子聚合物（p〇 1 y⑺叶）。 39·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 件，其中，該光學繞射元件可以是表面浮雕型 (surface-relief type)光柵。 40·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 件/、中及光學繞射元件可以是折射率調變型 (index-modulation type)光柵。 28 1239658 41. 如申吻專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 ，’其中’該基板係可選自太陽能石夕晶片板或金屬或 高分子聚合物或介電質材料。 42. 如申請專利範圍第3 〇項所述之太陽能光主動元 八中β亥放大器之全像天線光栅形狀係可為圓形 或橢圓形或特殊幾何形狀。 43. 如申請專利範圍第29項所述之太陽能光主動元 件，其中，該光增益介質係為摻铒玻璃。 44如申請專利範圍第43項所述之太陽能光主動元· :牛’其中，該摻铒玻璃係經過抗輻射處理（η— hardened) 〇 饭如申請專利範圍第43項所述之太陽能光主動元 牛，其中，該摻铒玻璃可進—步摻鋁（A1)。 银件如If，專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 "，5亥光增盈介質係為摻镱（Yb)材料。 件如申^專利範圍第46項所述之太陽能光主動元 牛其巾’該摻彳㈣⑽材射進—步軸 。 件如 1=專利範㈣29項所述之太陽能光主動元 49 /由5亥先增盈介質係摻有稀土元素令之元素。 件口申清專利範圍第48項所述之太陽能光主動元 換:二該推有稀土元素中之光增益介質可進-步 5〇.如申請專利範圍第48項所述之太陽能光主動元 29 1239658 件，其中，该摻有稀土元素中之光增益介質可進一步 摻锗（Ge)。 51·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 件，其中，該光增益介質係含餌/镱（Er/Yb)共摻。 52·如申請專利範圍第5 1項所述之太陽能光主動元 件，其中，該铒/镱（Er/Yb)共摻之光增益介質可進一 步摻棚（B)。 53·如申請專利範圍第5 1項所述之太陽能光主動元 件，其中，该铒/镱（Er/Yb)共摻之光增益介質可進一鲁 步摻锗（Ge)。 54·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 件’其中’該光增益介質係可為摻餌玻璃或铒/镱 (Er/Yb)共摻，該光增益介質亦可摻硼，該光學繞 射元件，可進一步係為摻有氟（F)之二氧化矽全像光柵 層。 55·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元鲁 件，其中’該光增益介質係比作為二氧化矽層之該光 學繞射元件的材料色散斜率（material dispe;rsic)n slope)高，藉此製作比c頻帶短的光雷射。 56·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 件’其中’ δ亥光增显介質之基材（h〇st)材料係選自石粦 酸鹽玻璃（phosphate glass)或氟磷酸鹽玻璃 (f luorophosphate)或矽酸鹽玻璃（Si 1 icate)或删酸 30 1239658 鹽玻璃（borate)。 57·如申請專利範圍第2 9項所述之太陽能光主動元 件，其中δ亥光學繞射元件係用以繞射泵浦光 (diffract pump light) ° 58. 如申請專利範圍帛29销述之太陽能光主動元 件，其中該第-光學反射元件係為泵浦光反射光柵 (reflection grating f〇r pump wavelength )〇 59. 一種太陽能光主動元件，其至少包含一基板、一光 學繞射元件、一第一光學反射元件、一光增益介質、 一波導管、一輸入端、-輸出端、-抗反射膜及一反 射層； 其中該太陽能光主動元件可藉由輪出端與另一個 能光主動元件輸入端相連接達到串接之.效果，藉此做 為放大器。 6 V:申利範圍第5 9項所述之太陽能光主動元 件，：中’:該光學繞射元件係為全像天線光栅。 61杜如專利範圍第5 9項所述之太陽能光主動元 件、、中’該光學繞射元件係為光子晶體。 '如？專利範圍第59項所述 , 先予反射元件係為布拉格光栅。 件，其令，…止5 9項所述之太陽能光主動元 "" ^ 光學反射元件係為光子θ辦。 64· 一種太陽能先主動元 “二 sa - ^件：其至少包含一基板、一光 1239658 學繞射元件、—第—光學反射元件、—第二光學 元件、一波導管、一 射層 光增盈介質、一抗反射膜及 反射 一反 其中該太陽能光主動元件可藉由輸出端與另一個太陽 能光主動元件輸入端相連接達到串接之效果，藉此做 為雷射。 65. 66. 67. 68. 69. 70. 如申凊專利範圍第6 4項所述之太陽能光主動元 件’其中’絲學繞射元件係為全像天線光栅。 如申請專利範圍第6 4項所述之太陽能光主動元鲁 件，其中，該光學繞射元件係為光子晶體。 如申睛專利範圍第6 4項所述之太陽能光主動元 件’其中’該第—絲反射元件係為布拉格光拇。 如申請專利範圍第6 4項所述之太陽能光主動元 件’其中’該第-光學反射^件係為光子晶體。 如申請專利範圍第6 4項所述之太陽能光主動元 件’其中’該第二光學反射元件係為雷射光反射光栅。籲 如申請專利。範圍第6 4項所述之太陽能光主動元件， 其中，該第二光學反射元件係為光子晶體。 32