TWI229862B - Optical information recording medium - Google Patents

Description

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發明領域 本發明係關於一種用於記錄資訊及再生該資訊的光資 訊記錄媒體，尤其有關一種可用作為該光資訊記錄媒體的 記錄層的無機光資訊記錄組成物。 發明背景 目剛市面上可錄式光碟片的記錄層材料皆為有機材 料’主要為化青染料（Cyanine dyes)、駄花青染料 (Phthal〇cyanine dyes)及偶氮染料（Azo dyes)。這些染 料的合成及純化需要複雜的步驟，其成本也相對的較高。 更高的記錄密度是可錄式光碟片的發展趨勢，隨著記 錄密度的不斷增加，記錄跡（mark)也將變得愈來愈小，其 記錄層材料的選擇也更加嚴格。尤其應用於短波長雷射、 (如405 nm藍光雷射）及高倍速（>2χ DVD)的有機染料記錄 層材料非常少’發明人已知的只有日本s〇ny公司於2〇〇丨年 ISOM Conference所提出的一種對應藍光的新型有機染 料。日本Sony公司提出的HD —DVD —R有機染料製作方法採用 蒸鐘法（Evaporation)，而不使用光碟廠量產習用的旋轉 塗佈法（Spin Coating)。原因是高密度HD-DVD-R軌溝寬度 (Track Pitch)較低密度的DVD — R碟片約小一倍，若採用旋 轉塗佈法’則染料無法填入深軌溝（Deep Groove)基板 中。也就是說染料無法藉由附著於HD — DVD —R之深軌溝的基 板上達到均勻塗佈的目的。然而，蒸鍍法在量產能力方面 及降低成本方面也尚有待考驗。

H:\lika\ITRI11383.ptd 第5頁 1229862 五、發明說明（2) 到有美：可錄式光碟片的記錄層材料發明人杳 其 ί 2t!u h 44八33 ’62297δ5Μ 及 美國專利提〆^Ta^1,6229785B1 &US2〇〇2/0〇221 05Al 無機材料ί 層材/較具商品化潜力。以 J習用的真空滅鐘方法(二採二見；㈡ 且環境較清潔，薄膜品質較容易二來念：，人力較精簡 倍速且多層印絲展# & ^ 易控制。要實現高密度、高 材料比有機材料‘ ^ ^行，的生產以無機材料作為記錄層 發明要旨 本"發"明之^ .一 φ並 = 光= : = = = 發明之一主要目的在提供一種高件进；5 — # 的光資訊記錄媒體，其同_且右傷1^速及面記錄密度 (carrier-to_noisfi其同時具有優異的高訊雜比 記錄及讀取特Γ U。，圓及低抖動率（m㈣的 本發明使用無機材料Sb_N或別 =或Sb-Ο-Μ含氧材料系列或㈣以材=列f :系列為可錄式光碟片的記錄層材料戈b N =

Sn, Ag, Au, Ifij p p A1 si T Λ r

Mn，Fe，Co Ni Γι , Λ丄，b1，Ti，V，Cr，

Rh，Hf，W，Re 〇s \ & Ta’ 以，訏，Nb，Mo，Ru， ’ 0s’ Ir，Dy，Tb之其中-種或多種元 ：\lika\ITRI11383.ptd 第6頁 1229862

素，此材料鍍著於含環狀溝軌（Annular_grc)c)ved ti_ae 之透明基板後，其上鍍著一層金屬反射層及保護層，即可 製成一高密度可錄式光碟片。記錄層材料製作方法採用 應性难鍍法（Reactive sputtering)，其中濺錢無材 (Target)使用金屬材料Sb或其合金讥^，濺鍍時腔體 (Chamber)中同時通入氬氣及氮氣（或同時通入氬氣及^ 氣；或同時通入氬氣、氮氣及氧氣），以直流或射 法（DC or RF-sputtering)製作記錄層。控制記錄^層^ 成分及厚度，使其在紫外光區、藍紫光區或可見光區有足 夠的吸收度，於是可用波長200_80 0 nm的光束記錄及 發明詳細說明 本發明提供一種有良好的記錄及讀取特性的光資訊記 錄媒體，例如：利用低波長的雷射光束，以寬鬆的寫H力 率容忍度（Power margin)記錄小於250 nm的記^跡長度" (Mark length)，於是實現高倍速及高記錄密度碟片，並 可同時得到優異的高訊雜比（Carr i er-to-noise rat io CNR)、低抖動率（ji tter)及穩定的讀取特性。 1Q’ 本發明的光資訊記錄媒體的結構及各膜層材料包 (但不限於）以下幾種： 山^如圖1(A)所示，光資訊記錄碟片的結構依序為聚 石反S夂醋（Polycarbonate，簡稱PC)基板1/記錄層 (recording iayer) 3/反射層（Reflective layer) 5/樹

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五、發明說明（4) 脂保護層（UV可硬化樹脂）6。該記錄層的材料可為外―N或 Sb-N-Μ含氮材料系列或Sb-o或Sb-O-Μ含氧材料系列戍 ^ Sb-Ν-0或Sb-N-Ο-M含氮氧材料系列，其中M = Ge，Te，\i

Sn， Ag， Au， In， Pb， Pd， Pt， Al， Si， Ti， V， Cr Mn

Fe， Co， Ni， Cu， Zn， Ta， Ga， Zr， Nb， Mo， Ru， Rh ’

Hf，W，Re，〇s， ir，Dy，Tb之其中一種或多種元素，反 射層的材料可為Au，Ag，Cu，A1或其合金。光束8的波長 可為紅光（波長= 780nm、6 50nm或63 5nm)、藍紫光（波長 = 400〜50〇nm)或紫外光（波長=190〜4〇〇nm)，光聚焦透境7之 數值孔控值（Numerical Aperture )可為〇· 45〜0.65。 (b)如圖1(B)所示，碟片膜層結構依序為％基板1/τ 介電層（Under dielectric layer) 2 /記錄層3 /反射層 5/ 樹脂保護層6。該下介電層2的材料可為zns-Si〇2、Si^x、 AINx、TaOx或S%等介電材料。該記錄層3的材料，反射 層5的材料’光束8的波長，及光聚焦透境7之數值孔徑值 均可與（a )相同。 (c)如圖1(C)所示，碟片膜層結構依序為％基板“記 錄層 3 /上介電層（Upper dielectric layer) 4/反射層 5/ 樹脂保護層6。該上介電層4的材料可為ZnS —Si〇2、SiNx、 AINx、TaOx或Si〇2等介電材料。該記錄層3的材料，反射 層5的材料，光束8的波長，及光聚焦透境7之數值孔徑值 均可與（a)相同。 (d)如圖1(D)所示，碟片膜層結構依序為？(：基板"下 電層2/記錄層3/上介電層4/反射層5/樹脂保護層6。該

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1229862 五、發明說明（5) 下介電層2及該上介電層4的材料可為ZnS-Si〇2、SiNx、 AINx、TaOx或Si〇2等介電材料。該記錄層3的材料，反射 層5的材料，光束8的波長，及光聚焦透境7之數值孔徑值 均可與（a)相同。 (e) 如圖2(A)所示，碟片膜層結構依序為％基板1/反 射層5/記錄層3/可透光覆蓋層（c〇ver Uyer) 1〇。該可透 光覆蓋層10的材料可為聚碳酸酯（p〇ly — pc)或 聚曱基丙烯酸曱酯（poly-methacrylate，PMMA)。該記錄 層3的材料，反射層5的材料，及光束8的波長均可與（&)相 同。該光聚焦透境7之數值孔徑值可為〇. 75 —〇. 95。 (f) 如圖2(B)所示，碟片膜層結構依序為％基板^反 射層5/記錄層3/下介電層2/可透光覆蓋層1〇。該下介電層 2的材料可為21^-81〇2、3丨比'人1以、了3(^或8丨02等介電材 料。該記錄層3的材料，反射層5的材料，可透光覆蓋層1〇 的材料，光束8的波長及光聚焦透境7之數值孔徑值^盥 (e)相同。 ” 射声5 =?所示，碟片膜層結構依序為pc基板"反 、曰5/上"電層4/記錄層3/可透光覆蓋 4的材料可為ZnS-Si〇2、SiNx、則。恤或叫等；；電電= :材m::材料’反射層5的材料，可透光覆蓋層10 (\ ' 、波長及光聚焦透境7之數值孔徑值均可盥 相同。 /、

1229862 五、發明說明（6) 該下介電層2及上介電層4的材料可為ZnS-Si02、SiNx、 AINx、TaOx或Si〇2等介電材料。該記錄層3的材料，反射 層5的材料，可透光覆蓋層10的材料，光束8的波長及光聚 焦透境7之數值孔徑值均可與（e)相同。 實施例1: PC 基板（0.6 mm)/Sb-N (28 nm)/Ag (90 nm)/UV 可硬 化樹脂（500 ηπι) /空白PC基板（0.6 mm) 碟片製作方法·濺鍍背景真空度5xl 〇-6 torr以下， 濺鍍時腔體（Chamber)壓力3 mtorr，腔體中同時通入氬氣 與氮氣（流量比例N2 / A r = 1 )，以射頻濺鍍法 (RF-Sputtering)製作記錄層SbNx於PC基板），濺鍍靶材使 用Sb ’並精確控制其厚度’反射層Ag以射頻濺鍍法方式鍍 著’再以旋轉塗佈法塗佈樹脂保護層（uv可硬化樹脂），最 後黏著另一片空白PC基板。以表面深淺量測儀 (Alpha-Step Surface Pr0filer)測量該記錄層 SbNx 的厚 度，其值為28 nm ;以歐傑電子光譜儀（Auger Electr〇n Spcetroscopy，AES)分析該記錄層的讥及\的原子百分 比，其結果為79. 6%及20. 4%。 一碟機測試參數：雷射波長405 nm，聚焦透鏡之數值孔 徑值（NA)是0.65，碟片轉速為定線速度（CLV)2. 2〜12丄 m/s，記錄訊號可同時記錄於碟片之平地（Land)或凹槽 (Groove)上，寫入功率5〜12 _，讀取功率〇·4 。 測試結果··寫入倍速至少可高達5· 〇倍MD速率也就是

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南達55· 40 Mbps，CNR訊號強度仍將近55 dB。 實施例2 : PC 基板（〇·6 _)/ZnS-Si 02 ( 50 nm)/Sb-N (28 nm)/Ag (90 nm)/uv 可硬化樹脂（ 50 0 nm)/ 空白 PC 基板（0.6 mm) 碟片製作方法：濺鍍背景真空度5 x 1〇-6 torr以下， 濺錄時腔體壓力3 mtorr，腔體中同時通入氬氣與氮氣（流 量比例N2/Ar = l)，以射頻濺鍍法製作記錄層SbNx於PC基 板，濺鍍靶材使用Sb，並精確控制其厚度，介電層 ZnS-Si 〇2以射頻濺鍍法製作，並精確控制其厚度，反射層 Ag以射頻濺鍍法方式鍍著，再以旋轉塗佈法塗佈樹脂保護 層（UV可硬化樹脂），最後黏著另一片空sPC基板。 以相同於實施例1的方法測得該記錄層SbNx的厚度為 28 nm ;該記錄層的sb及N的原子百分比為79. 6%及20. 4%。 以相同於實施例1的條件對碟片進行測試。測試結果顯 示，資料寫入後，讀取3T ( 250 nm)以及14T (1167 nm)的 紀錄訊號，並將它們顯示於示波器（〇scillator)上，結果 發現碟片不僅有足夠的反射率且寫入前以及寫入後的對比 反差極大（>60%)，而且3T以及14T訊號的單頻訊號強度CNR (carrier-to- noise ratio) >49%。不同寫入倍數下的 CNR 訊號強度與寫入功率關係被示於圖3，從其中可看出不同 的寫入倍速下有不同的最佳寫入功率，寫入倍速至少可高 達5· 5倍DVD速率也就是高達60. 94Mbps，CNR訊號強度仍將

H:\lika\ITRI11383.ptd 第11頁 1229862 近6〇dB。對4倍速DVD (資料傳輸率Data transfer rate, D· Τ· R· - 44. 32 Mbps)的寫入訊號加予讀取，並使讀取的 訊號通過傳統DVD的等化器（ConVentional equalizer)， 再以時間間隔分析儀（Time interval analyzer)計算訊號 的抖動率（Jitter)，其中寫入的頻道時脈頻率（Channel clock) = l〇4.64 MHz、碟片等線速率（CLV) = 88 m/s、最小 的訊號長度（Minimum pit length 3T) = 25〇nm， Modulation〜60%。經分析後讀取的訊號的抖動率為 11· 9%〜12· 2 8%。另外對不同寫入倍數下（1)(一5· 5χ)的訊號 進行抖動率的分析’結果顯示抖動率介於丨〗.7%至丨3· 〇%之 間。 實施例3 : PC 基板（0.6 mm)/ZnS-Si 02 ( 90 nm)/Sb-N(25 nm)/ZnS-Si 02 ( 20 nm)/Ag (90 nm)/UV 可硬化樹脂（500 nm)/ 空白 PC 基板（0.6 mm) 碟片製作方法：濺鍍背景真空度5 xl〇-6 t〇rr以下， 濺鍍時腔體壓力3 ratorr，腔體中同時通入氬氣與氮氣（流 量比例Ng/Ad)，以射頻濺鍍法製作記錄層SbNxKpC* 板，滅鑛把材使用Sb，並精確控制其厚度，介電層 Z n S - S i 〇2以射頻濺鑛法製作，並精確控制其厚度，反射層 Ag以射頻錢锻法方式鍵著’再以旋轉塗佈法塗佈樹脂保護 層（UV可硬化樹脂），最後黏著另一片空白pc基板。以相同 於實施例1的方法測得該記錄層SbNX的厚度為25 nm ;該記

H:\lika\ITRI11383.ptd 第12頁 1229862 五、發明說明（9) -- " 錄層的Sb及N的原子百分比為79· 及2〇· 4%。 一以相同於實施例1的條件對碟片進行測試。測試結果 顯不寫入倍速至少可高達5· 〇倍叭^速率也就是高達554〇 Mbps，CNR訊號強度仍將近55dB。 實施例4 : PC 基板（〇·6 mm)/ZnS-Si 02 ( 6 0 nnO/Sb-N-Ge (30 nm)/Ag (90 nm)/lJV 可硬化樹脂（5〇〇 nm)/ 空白 pc 基板（〇·6 mm ) 碟片i作方法··濺鍍背景真空度5 X j 〇_6 t 〇 r r以下， =鍍時腔體壓力3 mtorr，腔體中同時通入氬氣與氮氣（流 里比例N2:Ar = l:4)，以射頻濺鍍法製作記錄層Sb —N-GeK PC基板，濺鍍靶材使用Sb9GGe1G，並精確控制其厚度，介電 層ZnS-Si 〇2以射頻濺鍍法製作，並精確控制苴厚度，反射 層Ag以射頻濺鍍法方式鍍著，再以旋轉塗佈/法塗佈樹脂保 護層（UV可硬化樹脂），最後黏著另一片空白pc基板。以相 同於實施例1的方法測得該記錄層Sb —N —Ge的厚度為3〇 nm，该記錄層的Sb、N及Ge的原子百分比為π· 々％ = 1 3 及16· 5%。 · · 〇 以相同於實施例1的條件對碟片進行測試。不同寫入 倍數下的CNR訊號強度與寫入功率關係被示於圖4，從其中 可看出不同的寫入倍速下有不同的最佳寫入功率，^二倍 速至少可高達5·〇倍DVD速率也就是高達55.4() Mbps，CNR 訊號強度仍將近55dB。

H:\lika\ITRI11383.ptd 1229862 五、發明說明（10) 實施例5 : PC 基板（0.6 mra)/ZnS-Si 02 ( 60 nm)/Sb-N-Te (30 nra)/Ag (90 nm)/UV 可硬化樹脂（ 5 0 0 nm)/ 空白 PC 基板（〇·6 mm) 碟片製作方法：錢鑛背景真空度5 x 1 〇-6 t orr以下， 濺鍍時腔體壓力3 mtorr，腔體中同時通入氬氣與氮氣（流 量比例N2/Ar = l)，以射頻濺鍍法製作記錄層Sb-N-Te於pc 基板’濺鍍把材使用Sb7GTe3()，並精確控制其厚度，介電層 ZnS-Si 02以射頻濺鍍法製作，並精確控制其厚度，反射層 Ag以射頻濺鍍法方式鍍著，再以旋轉塗佈法塗佈樹脂保護 層（UV可硬化樹脂），最後黏著另一片空白pC基板。以相同 於實施例i的方法測得該記錄層Sb-N-Te的厚度為30 nm ; 該記錄層的Sb、N及Te的原子百分比為56. 4%、1 5. 4%及28. 2% ° 以相同於實施例1的條件對碟片進行測試。不同寫入 倍數下的CNR訊號強度與寫入功率關係被示於圖5，從其中 可看出顯示不同的寫入倍速下有不同的最佳寫入功率，寫 入倍速至少可高達5·〇倍DVD速率也就是高達55.40 Mbps， CNR訊號強度仍將近55dB。 實施例6 : PC 基板（0.6 mm)/ZnS-Si〇2 (60 nm)/Sb-N-0 (30 nm) /Ag (90 nm)/UV可硬化樹脂（ 500 nm)/空白pC基板（〇·6

IHil I H:\lika\ITRI11383.ptd 第14頁 1229862

、 碟片製作方法··濺鍍背景真空度5 X10_6 torr以下， ，鍍時腔體壓力3 mtorr，腔體中同時通入氬氣、氮氣及 氧氣（流量比例1:〇2:人1-1:〇.5:〇，以射頻濺鍍法製作記 錄層Sb-N-0於PC基板，濺鍍靶材使用讣，並精確控制其厚 度，介電層ZnS-Si02以射頻濺鍍法（RF —⑪“以厂““製 ，，並精確控制其厚度，反射層Ag以射頻濺鍍法方式鍍 著’再以旋轉塗佈法塗佈樹脂保護層（uv可硬化樹脂），最 ，黏著另一片空白PC基板。以相同於實施例1的方法測得 該記錄層Sb-N-0的厚度為30 nm ;該記錄層的Sb 1及〇的 原子百分比為71· 2%、18· 3%及10. 54%。 一以相同於實施例1的條件對碟片進行測試。測試結果 顯不寫入倍速至少可高達5〇倍01)速率也就是高達55.4〇 Mbps ’ CNR訊號強度仍將近55dB。 實施例7 : 、PC 基板（〇·6 mm)/ZnS-Si 02 ( 6 0 nm)/Sb-0 (30 nm)/Ag (90 nm)/UV 可硬化樹脂（ 5 0 0 nm)/ 空白 PC 基板（0·6 mm) 碟片製作方法：濺鍍背景真空度5 X丨〇_6 t 〇 r r以下， ，鍍時腔體壓力3 mt〇rr，腔體中同時通入氬氣及氧氣（流 置比例〇2义1^〇.2:1)，以射頻濺鍍法製作記錄層讣—〇於？(： 基板’錢鍍乾材使用Sb，並精確控制其厚度，介電層 ZnS-Si〇2以射頻濺鍍法（RF-Sputtering)製作，並精確控

H:\lika\ITRI11383.ptd 1229862 五、發明說明（12) 制其厚度，反射層Ag以射頻錢鐘法方式鍍著，再以旋轉塗 佈法塗佈樹腊保護層（U V可硬化樹脂），最後黏著另一片空 白PC基板。以相同於貫施例1的方法測得該記錄層sb_〇的 厚度為30 nm ;該記錄層的Sb及0的原子百分比為1〇· 8%及 89.2%。 ‘ * 以相同於實施例1的條件對碟片進行測試。測試結果 顯示寫入倍速至少可高達5· 0倍DVD速率也就是高達55· 40 Mbps，CNR訊號強度仍將近52dB。 貫施例8 : PC 基板（〇·6 mm)/ZnS-Si 02 ( 60 nm)/Sb-0-Ag (30 nm)/Ag (90 iim)/UV 可硬化樹脂（ 5 0 0 nm)/ 空白 PC 基板（0·6 mm ) 碟片製作方法：濺鍍背景真空度SxiOitorr以下， ，鍍時腔體壓力3 mtorr，腔體中同時通入氬氣及氧氣（流 $比例<VAr = 0.2:l)，以射頻濺鍍法製作記錄層Sb —〇 — Ag 於pc基板’濺鍍靶材使用st^Ag3。，並精確控制其厚度，介 電層ZnS:Si〇2以射頻濺鍍法（RF —SpuUering)製作，並精 確控制其厚度，反射層Ag以射頻濺鍍法方式鍍著，再以旋 轉塗佈法塗佈樹脂保護層（UV可硬化樹脂），最後黏著另一 片空白PC基板。以相同於實施例1的方法測得該記錄層 Sb OAg的厚度為3〇 nm ;該記錄層的、〇及Ag的原子百 分比為54.2%、9.6 % 及 36.2%。 以相同於實施例丨的條件對碟片進行測試。测試結果

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H：\1ika\ITRi11383> Ptcl 1229862 圖式簡單說明 伴雄依本發明的第—較佳具體實施例的 錄碟片的結構的示意剖面圖。 錄磁^ ί依本發明的第二較佳具體實施例的 錄碟片的結構的示意剖面圖。 圖1(C)為依本發明的第三較佳具體實施例的 、彔碟片的結構的示意剖面圖。 圖1 (D)為依本發明的第四較佳具體實施例的 、彔碟片的結構的示意剖面圖。 、 圖2 (A)為依本發明的第五較佳具體實施例的 錄碟片的結構的示意剖面圖。 圖2 (B )為依本發明的第六較佳具體實施例的 錄碟片的結構的示意剖面圖。 圖2 (C)為依本發明的第七較佳具體實施例的 錄碟片的結構的示意剖面圖。 圖2 (D)為依本發明的第八較佳具體實施例的 錄碟片的結構的示意剖面圖。 圖3頒不以下本發明實施例2的光資訊記錄碟 寫入倍數下的CNR訊號強度與寫入功率的關係。 圖4顯示以下本發明實施例4的光資訊記錄碟 寫入倍數下的CNR訊號強度與寫入功率的關係。 官圖0顯示以下本發明實施例5的光資訊記錄碟 叫入倍數下的CNR訊號強度與寫入功率的關係。 主要元件之符號說明 第18頁 光資訊記 光資訊記 光資訊記 光資訊記 光資訊記 光資訊記 光資訊記 光資訊記 片在不同 片在不同 片在不同 # 1229862

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Claims (1)

1¾¾獅 :]二 ）]案被91118052_年月日 修正_ 六、申請專利範圍 1. 一種光資訊記錄媒體，包含一層光資訊記錄組成 物，其特徵在於該光資訊記錄組成物包含Sb，及選自N及0 所組成族群的一或二種元素。 2. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其中該 光資訊記錄組成物進一步包含選自Ge， Te，Bi，Sn，Ag， Au, In，Pb，Pd, Pt，A1, Si，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co, Ni，Cu，Zn，Ta，Ga，Zr，Nb, Mo, Ru, Rh，H f, W, Re, Os , Ir， Dy及Tb所組成族群的一種或多種元素M。

3. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其中該 光資訊記錄組成物包含Sb及N，且Sb : N的原子比介於1 : 0· 0 1 至1 : 1。 4. 如申請專利範圍第2項的光資訊記錄媒體，其中該 光資訊記錄組成物包含Sb，N及Μ，其中Sb : N的原子比介 於1 : (L01至1 : 1 ，而Sb : Μ的原子比介於1 : 0.01至1

5. 如申請專利範圍第4項的光資訊記錄媒體，其中該 Μ 為Ge，Te 或Ag 〇 6 . 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其中該

第20頁 5mm2, 93. ^ 91118052 Λ_η 曰 修正 言f軍利範圍 光資訊記錄組成物包含S b，N及0，其中S b : N的原子比介 於1 : (K01至1 : 1 ，及Sb : 0的原子比介於1 : 0.01至1 7. 如申請專利範圍第2項的光資訊記錄媒體，其中該 光資訊記錄組成物包含Sb，N，0及Μ，其中Sb : N的原子 比介於1 : 0.01至1 : 1 ，而Sb : 0的原子比介於1 : 0.01至1 : 1 ，及Sb : Μ的原子比介於1 : (Κ01至1 : 1。 8. 如申請專利範圍第7項的光資訊記錄媒體，其中該 Μ 為Ge，Te 或Ag。 9. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其中該 光資訊記錄組成物包含Sb及0，其中Sb : 0的原子比介於1 :0· 01 至1 : 1 。 10. 如申請專利範圍第2項的光資訊記錄媒體，其中 該光資訊記錄組成物包含Sb，0及Μ，其中Sb : 0的原子比 介於1 : 0.01至1 : 1，及Sb : Μ的原子比介於1 :0.01 至1 : 1。 11. 如申請專利範圍第1 0項的光資訊記錄媒體，其中 該Μ為Ge，Te或Ag。

第21頁 122觀 Γ 案號91118052_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 12. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其進 一步包含一可透光基板、一反射層及一樹脂保護層，其中 該光資訊記錄組成物層被形成於該基板上，該反射層被形 成於該光資訊記錄組成物層上，及該樹脂保護層被形成於 該反射層上。

13. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其進 一步包含一可透光基板、一形成於該基板上的下介電層、 一反射層及一樹脂保護層，其中該光資訊記錄組成物層被 形成於該下介電層上，該反射層被形成於該光資訊記錄組 成物層上，及該樹脂保護層被形成於該反射層上。 14. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其進 一步包含一可透光基板、一上介電層、一反射層及一樹脂 保護層，其中該光資訊記錄組成物層被形成於該基板上， 該上介電層被形成於該光資訊記錄組成物層上，該反射層 被形成於該上介電層上，及該樹脂保護層被形成於該反射 層上。

15. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其進 一步包含一可透光基板、一形成於該基板上的下介電層、 一上介電層、一反射層及一樹脂保護層，其中該光資訊記 錄組成物層被形成於該下介電層上，該上介電層被形成於 該光資訊記錄組成物層上，該反射層被形成於該上介電層

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案諕丨91118052 曰 修正 青專利範圍 上，及該樹脂保護層被形成於該反射層上 16. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其進 一步包含一可透光基板、一形成於該基板上的反射層及一 可透光覆蓋層，其中該光資訊記錄組成物層被形成於該反 射層上，及該可透光覆蓋層被形成於該光資訊記錄組成物 層上。 17. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其進 一步包含一可透光基板、一形成於該基板上的反射層、一 下介電層及一可透光覆蓋層，其中該光資訊記錄組成物層 被形成於該反射層上，該下介電層被形成於該光資訊記錄 組成物層上，及該可透光覆蓋層被形成於該下介電層上。 18. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其進 一步包含一可透光基板、一形成於該基板上的反射層、一 形成於該反射層上的上介電層及一可透光覆蓋層，其中該 光資訊記錄組成物層被形成於該上介電層上，及該可透光 覆蓋層被形成於該該光資訊記錄組成物層上。 19. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其進 一步包含一可透光基板、一形成於該基板上的反射層、一 形成於該反射層上的上介電層、一下介電層及一可透光覆 蓋層，其中該光資訊記錄組成物層被形成於該上介電層

第23頁 年_ I案g丨91118052_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 上，該下介電層被形成於該光資訊記錄組成物層上，該可 透光覆蓋層被形成於該下介電層上。 2 0. 如申請專利範圍第1項的光資訊記錄媒體，其中 一波長介於2 0 0 - 8 0 0 nm的光束被用於將資訊記錄於該光資 訊記錄媒體及從該光資訊記錄媒體再生該資訊。

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