TWI227381B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents
Lithographic apparatus and device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- TWI227381B TWI227381B TW092123469A TW92123469A TWI227381B TW I227381 B TWI227381 B TW I227381B TW 092123469 A TW092123469 A TW 092123469A TW 92123469 A TW92123469 A TW 92123469A TW I227381 B TWI227381 B TW I227381B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- thickness
- radiation
- intermediate layer
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
- G21K1/062—Devices having a multilayer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
1227381 疚、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明與-微影投影裝置有關,其包括: -幸田射系統’用以提供一輻射投影光束; -支撐結構’用以支撐圖案化構件,該圖案化 根據所需圖案將投影光束圖案化; “ -一基板臺’用於固定一基板; 二=!二:其用以將該圖案化的光束投影在該基板的 目才不4分上;以及 至/個光子元件(該投影光束入射其上)’其呈— S"M。多層結構、—外蓋層以及—位於該 構 外盖層之間的中間層,其中,該外蓋層之組成為嶋 M〇或⑻―位於該多層結構旁的Mo内中間層,以 於該盍層旁的c外中間層。 此處所用術語「圖案化構件」應廣義解釋為指可用以賦 予進入之射光束一圖案化之斷面的構件,該圖案化之斷 面係對應於需建立於基板目標部分的一圖案;本文中亦可 使用術語「光閥」…般而言,該圖㈣應於建立&目Μ 分的元件中的一特別功能層,諸如一積體電路或其他元件 (詳見下文)。此類圖案化構件的例子包括: _ 一光罩。光罩的概念在微影術中廣為人知,並包括如二 進制、交替式相移及衰減式相移等光罩形式,以及各= 混合的光罩形式。此種光罩放在㈣光束中,將導致照 射在光罩上的輻射依據光罩上圖案作選擇性透射(當於 87674 1227381 透射光罩的狀況)或反射(於反射光罩的狀況)。在光罩的 狀況中,其支撐結構-般是—光罩臺,其確保光罩被支 承於進入的輻射光束中-理想位置,並於需要時 於光束移動。 -可程式化鏡面陣列。該種元件的一個例子為一矩陣可 疋址表面,具有一黏彈性控制層及—反射表面。該種穿 置的基本原理為(例如)反射表面的已定址區域反射入射 先為繞射光,而未定址區域則反射人射光為非繞射光。 利用適當錢n可自反射光束巾篩檢出㈣繞射光,僅 ::繞射光,如此光束即依矩陣可定址表面的定址圖案 一:圖案化T ^式鏡面陣列的另-具體實施例使用 一微小鏡面的矩陣配置,Μ山大A丄 ^ 、 平己罝精由苑加一適當的局部電場或 用:壓電啟動裝置’各個鏡面可分別繞一軸傾斜。再 者’鏡面為可定址矩陣,使得以址鏡面以不同 射入射的輻射光束至未定址的 ° 陳可宕U於A Μ + 以此方式,根據矩 :了疋址鏡面的疋址圖案使反射光束圖案化。可 备的電子構件’以執行所需的矩陣定址 ι 狀況下,圖案化構件可包括一或 2兩種 女Η目丄 、 J ^式鏡面陣列。 有關本文所述的鏡面陣列的 國糞剎宏嗲ττςς^ ]文夕貝Λ,凊參閱(例如)美 1 案仙S 5,296,891 及 US 5,523,193 以及 請:號W〇_97及w〇_〇96,此處 = 入本文。就可程式鏡面陣列而言, 式併 框架或臺面方式呈俨彳卜B、 叉撐、、、°構可以(例如) 万式/、收化,且視需要可為固定或移 —可程式LCD陣列。這種構 式 構w的貝例可於美國專利案號 87674 1227381 US 5,229,872中找到,此處以提及方式併入本文。如上 所述,此種狀況的支樓結構可以(例如)框架或臺面方式 具體化,並視需要可為固定或移動式。 有關光罩及光罩臺的實例 用原理應適用於較廣域的 【先前技術】 基於簡化的目的,本文其餘部分將在特定位置專門探討 ’二、、而’此類實例中所探討的通 圖案化構件中。 微影投影裝置可用於(例如)積體電路(ics)的製造上。在 此種情況中’目案化構件可產生對應於i(:中單—層的電路 '案,亚可將此圖案映射於已塗佈-層對輻射敏感的材料 (k蝕劑)之一基板(矽晶圓)上的目標部分(如包括一或多個 曰曰粒)。一般而S,單一晶圓可包括相鄰目標部分所構成之 整個網路,它們將依次經由投影系統逐個照射。在當前裳 置中利用光罩!上的光罩進行圖案化,在兩種不同形式 的機器之間可有區別。纟一種微影投影裝置中,一次處理 將正個光罩圖案曝露於目標部分上,讓每一目標部分都照 射到,此種裝置一般稱為晶圓步進機(waferstepper)。在— 替代裝置中(一般係指一步進掃描裝置),在一既定參考方 向(掃彳田」方向)在投影光束下逐步掃描光罩圖案,使每 目標部分均照射到,而同時與該方向平行或反向平行掃 描基板堂;一般而言,由於投影系統將有一放大倍率因數 Μ(通g <ι),故基板臺的掃描速度v將為因數μ乘以光罩臺 的掃标速度。有關上述微影元件的進一步資訊可於(例如) US6,046,792中得到,本文中以提及方式併入。 87674 1227381 在使用微影投影裝置的製造方法中,於至少部分由一層 對輻射敏感的材料(抗蝕劑)覆蓋的基板上映射一圖案(例如 在-光罩汗在此成像步驟之前’基板可經各種程序處理 ,例如打底(priming)、抗蝕劑塗佈及軟烘(s〇ft 。曝光 之後,該基板可接受其他處理,例如曝光後烘乾 (post-exposure bake ; PEB)、顯影、硬供(hard 及測量 /檢查成像之特徵。這一系列的程序係用來作為一基礎,以 圖案化-兀件(如1C)的單-層。接著,此—圖案化層可再 經過各種處理,例如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬電鍍、 氧化、化學機械研磨等’所有步驟皆為各層表面處理所需 。如果需要若干層’則整個程序,或其一變化步驟必須每 層重覆。最後,在基板(晶圓)上將呈現一元件陣列。然後 這些元件將藉由-種技術來彼此分隔,例如切割或鑛開, 藉此該個別的元件可安裝在一載體上,連接到接針等。關 於這種製程的進一步資訊可由例如peter van Zant所著一書 「微晶片製造:半導體製程指南」(第三版,McGraw Hiu
Publishing公司,1997年,ISBN 〇_〇7_〇6725〇_4),本文中以 提及方式併入。 為簡化起見,以下稱該投影系統為「透鏡」;不過,此術 浯必須廣義的解釋為包括各種類型投影系統,例如,包含 折射光學、反射光學及反折射的系統。該輻射系統亦可包 含根據任何設計類型操作的組件,用以引導、塑造或控制 幸田射的投影光束,且該類組件以下也可以統稱或獨稱為 「透鏡」。另外,此微影裝置可能是一種具有兩個或以上基 87674 1227381 板臺(及/或兩個或以上光罩臺)的形式。在此種「多平臺」 元件中,可以平行使用額外臺面,或在一或多個臺面上進 行準備步驟,而其他一或多個臺面則用於曝光。雙平臺微 影裝置在(例如)US 5,969,441及W0 98/40791中均有說明, 此處以提及方式併入本文中。 在遠紫外線(extreme ultraviolet ;EUV)光譜區域中使用的 光學元件’例如,多層薄膜反射器,其對會大幅度減少其 反射率與光學品質的物理與化學損害尤其敏感。例如,一 具有Mo/Si夕層結構之未受保護的光學元件在存在丨 mbar水的情況下,在]£1;¥輻射過程中會快速氧化,正如在 一未烘烤的真空中EUV掃描機會出現的情況一樣。 該等多層光學元件在Euv波長的反射率與反射器在更長 波長的反射率相比已經較低’這個問題較為特殊,因為^ 型的EUV微影系統可呈有容查 ’、 凡」八有夕達11個鏡面;四個在照射光 元件中,六個在成像光學元件中, T r 再加上反射主光罩。亦 可具有數個掠射鏡面。因此顯 口此顯而易見,即使氧化只 一個鏡面反射率的「小巾s ... . ^ r J幅」減少,亦會導致光學系統中女 幅度的光產能減少。 、〒大 多層涛版反射器的外層的氧化的問題已 i風5咐得料決1由❹ :^ 作為多層結構的外表面上 们敉马Mil的材养 體實施例,,—結:冓=解, 少因必需的多層沈積造成的不;入層:覆蓋有其他層,⑼ 該多層蓋層具有較佳的 王设盍的可能性。已發項 W柷氧化性。 87674 -10- 1227381 【發明内容】 本發明的目的之一是提供— 學元件,同時^有可接受之反射率的光 才展不出改進之長期抗氧化性。 q目的以及其他目的係依據本發明 一、 影裝置中實現’選項⑴其特徵 :“兄明之微 與9.0疆之@,在選中間層的厚度位於6.0 产4 、 1 ,其特徵係該C外中間層的厚 度大於y或該Ru蓋層的厚度大於20_。 該較厚中間層的優勢在於其 -从t 仇化子攻擊性,尤苴是井學 兀件的抗氧化性大於先 /、疋尤干 摩六㈣厚度在1與2請之間的 車乂厚的中間層。令人驚奇的是 ^ . 抗乳化性的增加並未伴有 反射率的大幅度減少,並原本是 …、夬”,'占。本發明的中間層的 厗度處於反射率第二峰值區,先 φ pe , ^ # ^ 亚不知道它的存在。 中間層存在其本身確保了蓋層材料不會與多層結構的外層 (其外層通常係Si)混合。 根據本發明的另一方面’提供一元件製造方法,其步驟 包括: k ί、至y S由一層對輕射敏感的材料所覆蓋之一基 板; -利用一輻射系統提供一輻射投影光束; -利用圖案化構件賦予投影光束一圖案式之斷面; -使用至少一個光學元件(該投影光束入射其上)將輻射的 圖案化光束投影到輻射敏感材料層的目標部分上,其中 至少一個光學元件具有一 Si/Mo多層結構、一外蓋層及 一 C或Mo組成且位於該多層結構與該外蓋層之間的中間 87674 1227381 層, 其特徵係,該中間層的厚度在6._9 Gnm之間,或 遠中間層包含一位於該多層結構旁的内部M〇中間 —位於該蓋層旁邊的外部c中間層,1 及 a r ,、符试為,该C外部屏 、旱度大於3.4 nm或該Ru蓋層的厚度大於2〇 。 a 雖然本文提供使用根據本發明的裝置製造ics的特^失 考’但必須明白該裝置具有許多其他的應用。舉例而:: 可用於製造整合光學系、統、磁域記憶體之導引及偵測圖案 、液晶顯示器面板、薄膜磁頭等。專業人士將可瞭解到: 這些其他應用的上下文中,在該文中任何所使用的術語 般 「主光罩」、「晶圓」或「晶粒」必須分別考慮由更為 性的術語「光罩」、「基板」及「目標部分」所取代。 在本檔案中,術語「輻射」與「光束」係用來涵蓋所有 的電磁輕射類型,包括紫外線轄射(例如,波長為365、248 、193、157或126 nm)以及Euv(遠紫外線轄射,例如波長在 5至20 nm之間’特別係135 nm),以及諸如離子束或電子 束的粒子束。 【實施方式】 县體貫施例1 圖1示意說明依據本發明一特定具體實施例的微影投影 裝置。該裝置包括: -一輪射糸統Ex、IL,用於供應輻射(例如guv輻射)的投 衫光束PB,其在本特定情況下,亦包括輻射源; -一第一物件堂(光罩臺,具有支撐光罩MA(例如一主 87674 1227381 光罩)的一光罩支架,並與第一定位構件連接以相對於項 目PL將光罩精確定位; -—第二物件臺(基板臺)w T,具有支撐基板w (例如一塗佈 了抗姓Μ的石夕晶圓)的一基板支架,並與第二定位構件連 接以相對於項目PL將基板精確定位; _ 一投影系統「透鏡」PL(例如一鏡面群組)以將光罩ΜΑ 的一文照射部分映射於基板w的目標部分c(例如包含一 或多個晶粒)上。 如此處所描述,該裝置屬一反射型式(如具有一反射光罩) 。然而,一般而言,它亦可屬一(例如)透射型式(如具有一 透射光罩)。或者,該裝置可採用另一種圖案化構件,例如 上述所^的可程式化鏡面陣列。 輻射源LA(例如一鐳射產生電漿源或一放電電漿源)產生 一輻射光束。此光束直接地或在穿過調節構件(諸如一光束 擴張器Ex)之後,被饋入一照射系統(照射器)il中。照射器 IL可包含調整構件AM以設定光束中強度分佈的外徑向範 圍及/或内徑向範圍(一般分別稱為〇外及〇内)。此外,其一 般包含許多其他組件,例如一整合器IN及一聚光器c〇。以 此方式,照射在光罩MA上的光束?]5在其橫戴面中具有所需 的均勻性及強度分'佈。 於圖1中應注意的是:輻射源1八可位於微影投影裝置的 外殼中(通常當輻射源LA是一(例如)水銀燈時,即是如此) ,但它亦可與微影投影裝置距離遙遠,其所產生之輻射光 束被饋入裝置中(例如依靠適當導引鏡面之助);當輻射源 87674 * 13 - 1227381 LA為一準分子鐳射(excimer iaser)時,通常是後面這種狀況 本I明及申清專利範圍包含這雨種情况。
該光束PB隨後截斷該光罩μα,其係夾持在一光罩臺MT 上。藉由該光罩ΜΑ進行選擇性的反射,光束ρβ穿過透鏡pl ’其將該光束ΡΒ聚焦於基板w的一目標部分C上。藉由第二 定位構件(以及干涉測量構件IF)的幫助,可精確移動基板臺 WT ’(例如)在光束PB的路徑上定位不同的目標部分c。同 樣也 了用弟一疋位構件以相關於光束P B的路徑精確定位 光罩MA ’例如,自光罩庫機械性地取出光罩MA之後,或 在掃杌备中。物件臺MT、WT的移動一般係藉助於一長衝 桎杈組(粗略定位)及一短衝程模組(精確定位)實現,其未在 圖1中明確繪出。但是,在晶圓步進機的例子中(相對於一 Y進及掃杬I置)’該光罩臺MT可正好連接到一短衝程驅 動器,或可為固定。 上述裝置可用於兩種不同模式中: K在步進模式中,該光罩臺MT基本上保持靜止,而一整個 光罩影像在一次處理中(即一單一「閃光」)中投影到一 刀C上。然後將該基板臺WT沿著X及/或y方向偏移 2 使不同的目標部分C可由該光束PB照射;
在知描杨式中,大體上為相同狀況,但特定目標部分C 並非在單_· Γ 卩q、卜 内光」中曝光。相反地,光罩臺MT可在一 特定方向(戶斤崎「以 矛夕 (斤明的知描方向」,例如y方向)以一速度v ^動,使投影光束pB掃描通過一光罩影像,同時 WT則與之 双至 叫向或反向以速度V = Mv移動,其中Μ為透鏡 87674 -14- 1227381 PL的放大倍率(一般為]^=1/4或1/5)。如此,可曝光一相 對大區域的目標部分C而不需犧牲解析度。 下述本發明的範例係從使用依據標準光學原理的薄膜設 計程式實施的計算中獲得的。各種材料的光學常數,即, 複折射率N=n-ik由Henke等人的原子散射因數得出,並可從 CXRO在Berkeley的網站伺服器獲得(B. L· Henke,&
Gullikson與J. C· Davis,原子資料與核資料表,54 (2),丨8卜 342 (1 993); http://www.cxro.lbl.g〇v/〇pticaLc〇nstants/) 〇 計算在13.5nm實施,則所使用的材料的11與1^的值作為波長 1 3 _ 5 nm的函數下載。 訐异各種光 丁 I丁 、 、“,〜伏做枯木,係使用波長 為13.5nm的投影光束來實施的,但未將表面的粗糙情況或 介面擴散考慮在内。本發明亦適於其他波長,尤其是 至42 nm的EUV範圍内。 圖2所示的係計算普通私 τ r曰逋入射先學兀件的理論反射率 擬結果,該元件的多声έ士椹 、 周期的生長於Si基板上 J 〇層。在實務中’ Zer〇dur(TM)或其他低係數的熱擴 政材料,例如ULE (TM)用作其k ” )用作基板,且使用Si/M。的40至5〇 周期。儘管亦可使用直#戶硌 y 厂L 便用,、他厗度,但在給定範例巾,Si層的 子又為3.36 nm,Mo層的厚度為3 側(g卩^ u 又為3·66 nm。位於光學元件外 (P至基板的多層結構的一 R笔 側)仏一 Ru組成的蓋層。該 盡層思欲長期防止多層处槿 Q. L 曰、、Ό構的虱化。為避免Rii與多層姓 構的Si外層混雜,將一 M 夕曰、、,口 备妙 宁間層置於多層結構與蓋層之間。 主能保持光學元件的高反 二 射革,因此,先前只使用薄 87674 -15 - 1227381 的中間層。可想到’在厚度於以至以㈣範圍的中間層中 發現的反射率隨著Mo中間層厚度增加而減少的趨勢在厚 度更高的中間層中會依然存在。但參考圖2,可看出厚度於 UU.Onm之間的M〇中間層的反射率出現了第二峰值。 儘管該厚度的中間層的反射率低於厚度較薄的中間層的 反射率’但一反射率的減少依然可以容忍’因提供該厚度的 Mo中間層實現了抗氧化性之改善。 從圖2中可見,由R組成厚 力乂 7子度於1.0至3·〇 nm之間的芸層 出現反射率峰值,特別是1>6至3 Gnm以及(特別是厚度車^ 的中間層)2.0至3.〇 nm之間。一厚度在68與85⑽之間的
Mo中間層具有最佳反射率, ⑺千与庋在7.2與8·〇 nm之間的層具 有更佳的反射率。 A體實施例2 圖3所示的係依據第二項具體實施例之普通入射光學元 件的理娜反射率.计异的模擬結果。第二項具體實施例的光 學元件具有與第一項呈髅每始Μ Μ μ撕 貝八肢Κ ^例的光學元件相同的結構, 除了中間層由C,而非Mo組成。 如第一項具體實施例,從圖3中明顯看出反射率的第二峰 值’在該情況下,中間層的厚度在6 ()與9 Q麵之間。可見 最高的反射率介於6.5至8·2細之間,更㈣言之,介於7〇 與7 · 8 η m之間。就r丨】芸爲二> ^ ’ 1層而έ ,取佳反射率可見於厚度在 U與3.0議之間的中間層。就厚度較大的中間層而言,希 望蓋層的厚度較低’例如"請。就c組成的厚度較低的中 間層而吕’希望戸/¾1击工丄 叩主層的尽度較大,達3〇nm左右。“蓋 87674 16 1227381 層的厚度較佳介於1.6與3.0 nm之間,至少2 〇 nm更佳。 施例3 圖4所示的係依據本發明的第三項具體實施例之普通入 射光學元件的理論反射率計算的模擬結果。本發明第三項 具體實施例的光學元件之結構與本發明第一項具體實施例 的光學元件之結構相同,除了中間層含有一 M〇内層,其位 於多層結構旁邊,以及一 C外層,其位於Ru蓋層旁邊。圖4 中的模擬結果是對於一厚度為3 36 ^⑺的“。内中間層。 圖4的結果顯示了反射率的第二峰值,其方式與圖^及) 的結果亦顯示反射率的第二峰值相同。在第三項具體實施 例中,反射率的第二峰值出現在c外中間層厚度在3 〇至4 〇 之間Ru組成的盍層厚度大於約2 ·〇 nm,更佳的係2 2 nm 最乜的係大於約2·4 nm。對於ru組成,厚度在16與3〇 之間的蓋層,利用厚度至少為3 ·4 nm的c外中間層實現最佳 反射率’最好是大於3.5 nm,最佳大於約3·7 nm。 攸範例中可見,當中間層厚度,即位於Si/Mo多層結構中 的最外Si層與夕卜盖層之間的|亥等層之厚度約為入射輕射波 長的—半日寺,例如在入射輕射;皮長的〇·3與〇·7倍之間或〇·4 2〇.6倍之間,最好是在入射輻射波長的0.45與〇·55倍之間 % ’會出現反射率的第二峰值。 儘管只以Mo-C、C以及Μο中間層為例,但本發明並非僅 限於此。巾間層可由諸如、c、Μ。、¥、Κ⑺ B 4 C - C - B 4 C專材料組成。 外蓋層可由諸如Ru、Rh、B、Si〇2、Pd、叫吣、^、 87674 1227381 BN、B4C、Be〇、b「癸』丄 寺材料組成。 本發明的另一優1J;作金ρ 炎仏盖層的厚度並不重要,所以應用蓋 層時只需較少控制。 雖然本發明的牲$ 特疋具體實施例已如上述加以說明,應明 瞭本發明可以上述以冰 疋以外的其他方式實施。本發明並不受本 說明所限制。 【圖式簡單說明】 具體實施例’ 以上已參考附圖藉由範例說明了本發明的 其中: 圖1顯不依據本發明的— 曰7項具體貝施例之一微影投影裝 置; 圖2係對於依據本發明第-項具體實施例之光學元件,作 為Mo中間層厚度對以蓋層厚度的函數的反射率之等高線 圖, 圖3在對於依據本發-每 月弟一項具體戶、%例之光學元件,作 線圖 為C中間層厚度對RU蓋芦焊库的π奴μ ^ 6 以及 现禮7子度的函數的反射率之等高 為對於依據本發明第四項具體實施例之光學元件,作 圖。間層厚度對RU蓋層厚度的函數的反射率之等高線 在圖中,對應的參考符號表示對應的零件。 【圖式代表符號說明】
AM C 調整構件 目標部分 87674 18- 1227381 CO 聚光器 EX 光束擴張器 IF 干涉移位測定構件 IL 照射器 IN 整合器 LA 幸S射源 MA 光罩 MT 光罩臺 PB 光束 PL 透鏡 W 基板 WT 基板臺 87674 - 19 -
Claims (1)
1227381 拾、申請專利範圍: 1 · 一種微影投影裝置,其包括·· -一輻射系統,其用於提供一輻射投影光束; -一支撐結構,其用以支撐圖案化構件,該圖案化構 件用來根據一所需圖案將該投影光束圖案化; -一基板臺,其用於固定一基板; -一投影系統,其用以將該圖案化的光束投影在該基 板的一目標部分上;以及 至少一個該投影光束入射其上的光學元件,其具有一 Si/Mo多層結構,一外蓋層以及一中間層,其由c或 組成且位於該多層結構與該外蓋層之間,其特徵係該中 間層的厚度在6.0與9.0 nm之間。 2.如申請專利範圍第丨項之微影投影裝置’其中該中間層 的厚度介於6.5與8·5 nm之間,最好係介於7()與8〇㈣ 之間。 3. 如申請專利範圍第!項之微影投影裝置’其中該中間層 由Mo組成且厚度介於6·8與8.5麵之間,最好係介於7曰: 與8.0 n m之間。 “ 4. 如申請專利範圍第1項之微影投影裝置 由c組成且厚度介於6·5與8.2 與7 · 8 nm之間。 nm之間 其中該中間層 表好係介於7 〇 5 ·如申請專利範圍第 — 〜埙I倣影筏影裝置,I 该盍層由Ru組成,苴Μ ώ八〜 人 /、厗度,丨於1.0與3.0nm之間,最杯 ;丨於1.6與3.0nm之間,更佳 足仏的係至少為2.0 nm42.2 87674 1227381 6· 一種微影投影裝置,其包括: "一車昌射系統,宜用於V祖W , /、用於k供一輻射投影光束; 支撐…構,其用以支撐圖案化構件,該圖案化構 件用來根據-所需圖案將該投影光束圖案化; 基板堂,其用於固定一基板; -一投影系統,i用η脸斗前也 /、用从將该圖案化的光束投影在該基 板的一目標部分上;以及 至少一個該投影光束入射其上的光學元件’其具有一 “ Mo夕層結構外蓋層以及-位於該多層結構與該外 蓋層之間的中間;a,甘1 , 曰/、中該中間層包含一位於該多層結 構旁的Mo内中間;以兑 ,A ° 曰以及一位於該蓋層旁的C外中間層, 其特徵係,該C外Φ P弓既^ < 曰’層的厚度大於3.4nm,或該ru蓋 層的厚度大於2.0 nm。 7.如申請專利範圍第6項之微影投影裝置,其中該等驗 C層的組合厚度在6〇與9〇謂之間。 ” 其中該C層 申π #利圍第6或7項之微影投影裝置 的厚度大於3.5 nm ’最好係大於3.7 nm。 其中該C, 9·如申請專利範圍第6或7項之微影投影裝置 的厚度小於3.8 nm,最好係小於34謹。 如申凊專利範圍第6或7項之微影投影裝置,其中該蓋 1的厚度大於2.1 nm ’最好係大於2·2議。 士申石月專利摩色圍第6或7項之微影投影裝置,其中該! 層的厚度介於3.0與4·0峨之間,最好係小於3.75nm 2·-種元件製造方法,包括下列步驟: 87674 1227381 -提供一至少部分由一層對轄射敏感的材料所覆蓋之 基板; -利用一輻射系統提供一輕射投影光束; -利用圖案化構件賦予該投影光束一圖案式之斷面; -使用至少一個该投影光束入射其上的光學元件,將 該輻射的圖案化光束投影到該輻射敏感材料層的一 目標部分上,其中該至少一個光學元件具有一 Si/M〇 多層結構、一外蓋層以及一中間層,其由C*M〇組 成且位於該多層結構與該外蓋層之間, 其特徵係’該中間層的厚度介於6 0與9.0 nm之間。 1 3 . —種元件製造方法,包括下列步驟: -提供一至少部分由一層對輻射敏感的材料所覆蓋之 基板; -利用一輻射系統提供一輻射投影光束; -利用圖案化構件賦予該投影光束一圖案式之斷面; -使用至少一個該投影光束入射其上的光學元件,將 該輪射的圖案化光束投影到該輻射敏感材料層的一 目標部分上,其中該至少一個光學元件具有一 Si/Mo 多層結構、一外蓋層以及一位於該多層結構與該外 蓋層之間的中間層, 其中’該中間層包含一位於該多層結構旁的Mo内中間 層以及一位於該蓋層旁的c外中間層, 其特徵係在於該C外中間層的厚度大於3.4 ηπ1或該Ru蓋 層的厚度大於2.0 。 87674
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP02255961 | 2002-08-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200405131A TW200405131A (en) | 2004-04-01 |
TWI227381B true TWI227381B (en) | 2005-02-01 |
Family
ID=32338164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092123469A TWI227381B (en) | 2002-08-28 | 2003-08-26 | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6954257B2 (zh) |
JP (1) | JP3837405B2 (zh) |
KR (1) | KR100566144B1 (zh) |
CN (1) | CN100495210C (zh) |
SG (1) | SG111143A1 (zh) |
TW (1) | TWI227381B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7372623B2 (en) * | 2005-03-29 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Multi-layer spectral purity filter, lithographic apparatus including such a spectral purity filter, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7336416B2 (en) * | 2005-04-27 | 2008-02-26 | Asml Netherlands B.V. | Spectral purity filter for multi-layer mirror, lithographic apparatus including such multi-layer mirror, method for enlarging the ratio of desired radiation and undesired radiation, and device manufacturing method |
NL2005657A (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-06 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a method of forming a lyophobic coating on a surface. |
US8317210B1 (en) | 2010-10-29 | 2012-11-27 | Stempf Automotive Industries, Inc. | Suspension height adjustment apparatus |
CN102621815B (zh) * | 2011-01-26 | 2016-12-21 | Asml荷兰有限公司 | 用于光刻设备的反射光学部件及器件制造方法 |
DE102011076011A1 (de) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Reflektives optisches Element und optisches System für die EUV-Lithographie |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4924701A (en) * | 1988-09-06 | 1990-05-15 | Panex Corporation | Pressure measurement system |
DE3917832A1 (de) * | 1989-06-01 | 1990-12-13 | Bosch Gmbh Robert | Sensor zur bestimmung der winkelgeschwindigkeit |
US5265143A (en) * | 1993-01-05 | 1993-11-23 | At&T Bell Laboratories | X-ray optical element including a multilayer coating |
US5958605A (en) * | 1997-11-10 | 1999-09-28 | Regents Of The University Of California | Passivating overcoat bilayer for multilayer reflective coatings for extreme ultraviolet lithography |
US6159643A (en) * | 1999-03-01 | 2000-12-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Extreme ultraviolet lithography reflective mask |
TWI267704B (en) * | 1999-07-02 | 2006-12-01 | Asml Netherlands Bv | Capping layer for EUV optical elements |
DE10016008A1 (de) | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Zeiss Carl | Villagensystem und dessen Herstellung |
US6664554B2 (en) * | 2001-01-03 | 2003-12-16 | Euv Llc | Self-cleaning optic for extreme ultraviolet lithography |
US6396900B1 (en) * | 2001-05-01 | 2002-05-28 | The Regents Of The University Of California | Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application |
US20030008148A1 (en) * | 2001-07-03 | 2003-01-09 | Sasa Bajt | Optimized capping layers for EUV multilayers |
EP1408417A1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-04-14 | Fujitsu Siemens Computers, LLC | Efficient messaging in a parallel processing system |
-
2003
- 2003-08-26 CN CNB03147022XA patent/CN100495210C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-26 SG SG200304853A patent/SG111143A1/en unknown
- 2003-08-26 KR KR1020030059215A patent/KR100566144B1/ko active IP Right Grant
- 2003-08-26 US US10/647,784 patent/US6954257B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-26 TW TW092123469A patent/TWI227381B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-26 JP JP2003343776A patent/JP3837405B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SG111143A1 (en) | 2005-05-30 |
CN100495210C (zh) | 2009-06-03 |
JP3837405B2 (ja) | 2006-10-25 |
KR20040030270A (ko) | 2004-04-09 |
CN1495530A (zh) | 2004-05-12 |
US20040105083A1 (en) | 2004-06-03 |
TW200405131A (en) | 2004-04-01 |
US6954257B2 (en) | 2005-10-11 |
KR100566144B1 (ko) | 2006-03-30 |
JP2004165642A (ja) | 2004-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5406602B2 (ja) | 多層ミラー及びリソグラフィ装置 | |
JP5087076B2 (ja) | Euvマスク用反射防止コーティング | |
JP5449358B2 (ja) | レチクル、リソグラフィ装置、およびレチクルを生成する方法 | |
EP2678743B1 (en) | Grazing incidence reflector, lithographic apparatus, method for manufacturing a grazing incidence reflector and method for manufacturing a device | |
TWI534557B (zh) | 微影裝置、光譜純度濾光器及元件製造方法 | |
TWI239033B (en) | Adjustment method and apparatus of optical system, and exposure apparatus | |
JP3766041B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、この方法によって製造されるデバイス、反射器製造方法、この方法によって製造される反射器、位相シフト・マスク | |
JP2006108686A (ja) | スペクトル純度が高められたリソグラフィ装置、デバイス製造方法、及びそれによって製造されたデバイス | |
JP2010541234A (ja) | スペクトルフィルタ、そのスペクトルフィルタを含むリソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびその方法により製造されたデバイス | |
JP5485262B2 (ja) | アライメントフィーチャ、プリ・アライメント方法、及びリソグラフィ装置 | |
TWI510821B (zh) | 光譜純度濾光器 | |
JP3662571B2 (ja) | リソグラフ装置およびデバイス製造方法 | |
TWI227381B (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
TWI452440B (zh) | 多層鏡及微影裝置 | |
KR20040038847A (ko) | 리소그래피장치 및 디바이스제조방법 | |
EP1394815B1 (en) | Lithographic apparatus comprising a Mo/Si-multilayer with capping layer | |
JP5216738B2 (ja) | 光学要素、リソグラフィ装置、および光学要素を製造するための方法 | |
EP1369744A1 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
EP1357427A2 (en) | Mask for use in lithography, method of making a mask, lithographic apparatus, and device manufacturing method | |
NL2006647A (en) | Grazing incidence reflectors, lithographic apparatus, methods for manufacturing a grazing incidence reflector and methods for manufacturing a device. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |