TW579445B - Variable optic attenuator by waveguide bend loss - Google Patents

Description

579445

發明背景： 1 ·發明領域 本發明得、II於導引波導光學組件之領域特別是關於

Zii:衰減器，其藉由改變光學訊號之垂直限制而控 制波導彎曲之輻射損耗。 2 ·先如技術說明： /光學網路中，傳統可變光學衰減器（v〇a)使用來控制 傳送至裝置之功率以使功率均等分配於多個光學頻道之間 ，以及減小切換器間之串音。傳統v〇A包含機械式或集體光 于表置。機械式裝置通常藉由改變光纖與光纖 或光纖弯曲損耗而加以操作。包含Y分支切換戴器，； 器，以及馬赫倫德爾調變器之集體依據模組干涉或絕熱定 理加以操作。這些集體裝置之性能無法與長度成比例，'以 及其衰減通常為25dB，其不足以減小串音效應。 範例性VOA說明於Veldhuis等人之"lntegrated opt ic inyensity modulator based on a bent channel waveguide" Optics Communications 168， pp. 481-491 ( 1 999年9月）。其中所說明VOA藉由迫使光模水平地偏移而 加以作。光模藉由在心淡及包層間橫向改變折射率而水 平地偏移。該偏移需要心蕊及包層為不同的材料系統，以 及需要較大的驅動功率。這些規格增加製造過程額外的步 驟，加入材料匹配性問題，以及增加裝置反應時間。除此， 傳統設計對外界環境條件為高度地敏感（例如大氣溫度以 及相對濕度）以及可能加入由於雙折射性所導致之偏極相

J/V445

關性。 高性能VOA之需求，該v〇a能夠 丄因而，存在一項低價格， 衷減光學訊號超過30dB。 發明大要： 包層相同材V〇A包含波導，其中心蕊由與 該處玫置電^使Λ = 波導亦具有f曲區域，在 直光學限制被改變接收訊號時’波”曲區域之垂 方半t ί明第二項實施例揭示出可變光學衰減之方法。該 種_ 11下列步驟：提供波導，其中心蕊及包層區域由相同 。氺風；、"所構成。波導亦包含彎曲區域，在該處放置電極 =干訊號之光模的垂直限制藉由傳送訊號至電極而加以 本發明其他目標，優點以及新穎的特性將由下列詳細 說明並參考附圖了解。 洋細說明： 、本發明係關於可變光學衰減器（VOA)以及可變光學衰 減之方法。我們發現不同於傳統之v〇A能夠加以設計而改 變在其中光學訊號之垂直光模限制，異於只利用改變水平 光模限制操作之V〇A。如底下詳細說明，依據本發明製造出 VOA能夠減小交互串音，反應時間，功率規格，以及因而減少 製造費用，同時增加最大可能之衰減。 參考圖1及2，其中顯不板本發明一項實施例之v 〇 A。 VOA 10包含波導輸入區段2〇，彎曲衰減區域24，以及波導輸

579445 五、發明說明（3) 出區段22。VOA 10能夠裝置於基質40,其能夠作為熱沉。 輸入及輸出區段20及22優先地為直的以及產生光纖耦合以 及模穩定。衰減區域24包含具有彎曲半徑之弧狀波導。弧 狀可為圓形或另外一種形狀例如擴圓形以及抛物形。除此 弧狀區段彎曲半徑並不需要為固定的，例如為拋物形以及 橢圓弧狀具有非固定半控。衰減區域24亦包含電極46，其 能夠包含金屬加熱器，電-光裝置，其具有一對各別電極^一 個放置於高於心蕊以及一個放置於底下），以及裝置具有水 平偏移之電極。在優先實施例中，電極4 6為傳統金屬加熱 器，其垂直地位於高於心蕊4 4處。心蕊4 4由包層4 2圍繞著 。除此，功能採用光纖而不連接平面波導結構，只要在彎曲 區域中產生熱梯度。 依據本發明一項實施例，心蕊以及包層區域由相同的 材料所構成。除此，心蕊及包層材料具有類似的熱-光反應 。例如，在一項優先實施例中，兩個區域由聚合性材料所才^ 成。在另外一個實施例中，心蕊及包層區域兩者由玻璃所 構成。例如，心蕊44以及包層42能夠兩者由氟化丙烯酸醋 所構成。在該情況下，心蕊4 4折射率在波長為1 · 5 5微米下 在1. 3 1 1 · 3 5範圍内，以及包層4 2折射率小於心蕊之〇 3 % 一 1 %。 · 在該構造中，施加加熱器4 6功率以在波導中產生垂直 性梯度。由於溫度提高而降低聚合物薄膜之折射率，接近 加熱器46處包層折射率減小最大，以及接近基質4〇處包層 具有最小折射率變化。此垂直折射率梯度促使光模遠離曰減

第 五、發明說明（4) 包層。因而，傳播通過v〇a，彎曲 地且i:!:: 底下所說明，另外-麵初始 也/、有垂直非對稱模之設計亦為可能的。 謂模署偏/顯示於圖10中’其中顯示在波導中四個不同 加功率至電極之光學訊號能量的位置。例 中Λ ΓΛ122輸入以及輸出直線部份中，*模位於波 斷面126及128所示。在波導124弯曲區域中 ’下;：：、:&錯由電極施加於波導，光模垂直地偏離電極（向 :)一以及朝向幫曲區域之外侧（至右邊)，如斷面13。及⑶ 波導·彎曲固有效應。垂直模偏移促使在 r私山產生垂直非對稱模分佈，其促使光能由》皮導彎曲1 34 季畜射出。 於傳: ί ί理過程能夠控制輻射損耗，當光學訊 ίίίί考曲波導區域時將發生該損耗。可變衰減能夠 猎由控制μ之垂直扭曲而達成，其能夠藉由施加控制訊號 至位於彎曲區域頂部之電極以減小波導心蕊的光學限制。 依據優先實施例之VOA使用聚合物中之熱—光效應。可加以 變化，依據其他改變波導中模限制之方法例如電—光效應 VOA亦可考慮，下列說明亦為熟知此技術者了解。 〜 依據本發明另外一個實施例，初始具有垂直性非對稱 模之VOA設計亦為可能的。在該另外一個ν〇Α設計中，光學 訊號初始地具有垂直性非對稱模以及入射於輸入波導區^段 上。當電子訊號施加於加熱器（以及熱量施加於波導）時， 579445 五、發明說明（5) - 奍對稱以及光學損耗將減小。此不同的設計具有與上述 説明實施〜例相反的功能，上述實施例中並無熱量施加於波 導，產生咼訊號損失，以及假如熱量施加於波導，達成無訊 號損失。 ， μ σ 波導彎曲設計以數種方式提高可衰減消失比 ，在直線波導設計之情況時衰減主要原因為彎曲 益#模消《。顯然地，波導完全消失並不加以要： 可變衰減。t曲輻射損耗減小功率大小，該功 線波導中相同功率減小所需要的。 +马這成直 第二，波導彎曲確保直線波導輸出位於 徑之外侧。對於直線波導，輸出波導收集一 = =Γη對不但輸出波導移動 率數毫未，同時其接收角度亦改變。這 ：二 及2所示f曲波導設計之性能。該 棱同如圖1 於繞射以及輻射場輻射進入波導/藉由放y咸可能受限 輸入區段，入射輸出之光線能夠減^小。輪出波導離開 圖3顯示7微米寬度波導以 範例模擬。衰減區域具有約 曰听耵旱差值為0.5%之 及總共路徑長度約為5毫米'為:::米(_)之變曲半徑以 位於彎曲區域大氣的增加溫度之函數顯。不功率衰減為高於 在優先實施例中，光、學\係卢數=觸為'·2.5Χ10，。 非常大區域存在於輸出功’ 次部份1 44)顯示 羊决疋於加熱器溫度處。同時， 579445 五、發明說明（6) 光二功率變為未被良好地導引低於完全消除心蕊—包層折 f率差值所需要之溫度變化。此發生係由於彎曲波導需要 ^ 射率差值以導引光線而大於直線波導情況。彎曲波 =计因而需要發生較小的未被導引之驅動功率而小於直 線模消失模組。 I 了達成衰減超過30dB，本發明優先實施例之VOA使用 所^阿電極溫度約4〇K。此類似於聚合物熱-光1x2切換器 斤需要之溫度。傳統lx2切換器需要約為1〇〇[1^之操作功率 。由於VOA需要類似的溫度以衰減超過3〇dB，因而能夠使用 lOOmW之電驅動功率。 ^此，依據本發明優先實施例之V0A衰減較小依附於波 =^化。例如，波長界於153微米至157微米間之變化 ^衰減值下產生3(18插入損耗之差異。圖9顯示 /應（衰減）為波長之函數。由於較長的波長通常具有 乂 /、的限制，其產生較大的衰減而大於較短波長之情況。 I關依ί本發明另外一項實施例，能夠作出V0A效應與波長 =屮且if外一個將波導效應平坦化設計之實施例中，製 辦加）、、值色散折射率之波導（其中折射率隨著波長而 率藉ί i ϊλ設計將波長效應平坦化之第二實施例中，功 色^。 (或類似線路）施加於波導，因而改變波導波長 方向i i 2波長ί應平坦化之第三實施例中，包含波導 β "、藉由提高較短波長之衰減將波長效應平坦化。 579445 五、發明說明（7) 士本發明波長效應平坦化之第四 含k尚較短波長之衰減以與較長波長 ^進一步〇 配。 波導彎曲損耗相匹 在本發明波長效應平坦化之第二 包含多模波導區段以產生較長波：：；;;=，更進-步 長之不同多模條件。藉由施加功率至^ =及較短波 能夠產生所有波長或只存在最長波長：：：：”段， 用相關波長以耦合至單模及多模區、U 。猎由使 頻譜效應。 布、[域’此夠補充波導彎曲 例如圖11所示，干涉儀放置鄰近於彎曲 知此技術者了解’干涉儀161亦能夠包含於160二62戌“:、 之位置（即，在VOAf曲區域166内，或之前或之後’ 同的設計亦適用於其他上述所說明之附加裝置。 二个 對於特定應用，波長相關為可接受的。例如 交，連接（wsxc)對於每一存在分離波長頻道需要v〇a由擇 於母一V0A控制分離波長，波長相關並非關鍵的。實際上 由於每一 V0A能夠對特定波長加以最佳化，及由於大二最佳 化波長將產生較高的損耗，V0A亦減小分離波長頻道間之串 音。例如，具有128個波長頻道之WSXC。例如具有128個波 長頻道之WSXC使用128個V0A。在該應用中，優先考慮每一 個V0A價格而優於考慮v〇A波長相關性。 除此對於特定V0A應用，假如V0A反應時間為緩慢的（約 為1 0宅秒），需要小於〇 · 2 d B偏極相關性。對於操作於< 1毫 秒之V0A較高的偏極相關性為可接收的，因為對於進入訊號 579445 五、發明說明（8) 之偏極變動VOA能夠藉由使用回授控制快速地反應。在v〇A 操作情況下衰減反應時間決定於熱量轉移至波導心蕊附近 區域之快速程度。由於VOA溫度需要與聚合物ix2熱—光學 切換恭所品要的溫度相同，預期產生相同的速度。例如，對 於大於20dB之衰減，優先地VOA之反應時間約為1毫秒至10 毫秒。 圖4及5顯示出對於代表性結構之光束傳播結果，其中 光學訊號輻射損耗隨著電極溫度變化而發生。在圖4中V0A 波導並無功率施加於電阻加熱器，因而在圖5中v〇A波導具 有可開啟之加熱器。曲線圖顯示兩個不同情況東傳 。在該範例中波長包含三個區段。第—區段 第一區段（62及82)為具有長度為1毫米之直線波導。中央 區段（64及84)為長度約為imm之彎曲波導。能夠由圖4看出 =於正常模扭曲所導致進入以及離開彎曲波導發生非常少 1 =模耦合損耗66。圖5顯示當傳播於彎曲波導區域86附 =^，光模呈指數地衰減。因而依據本發明一項實施例能 夠放置例如為電阻加熱器之電極’ 提高彎曲波導區域之輻射損耗。 1模限制，因而 VOA %曲波導區域之最佳彎曲半^ ^ ^ ^ 傳皮播導模寬 =:。在_^^ 分彎曲路Λ ΐ 蕊—包層折射率差值為〇.5%，及u公 ，使用為彎曲半徑函數之輪出以“有電桎，皿度變化情況 卞4曲丰徑下，裝置存在最大的消失 579445

五、發明說明（9) 比。在該情況下，並無訊號施加於加熱器，能夠得到由於彎 曲輕射所導致約為0· 2dB之過度損耗。假如麵人指魏為〇 2 dB(對於該波導尺寸以及折射率差值）以及波導2傳播損< 耗為 0.3/公分，在這些條件下總插入損耗能夠預期為小於1(^。 不過，彎曲路徑長度，彎曲半徑，以及波導寬度能夠最佳化 以減小特定應用之插入損耗。

本發明另外一項實施例顯示於圖13中。在該實施例中 ，波導240彎曲區域一部份具有較為狹窄寬度小於輸入242 及輸出2 4 4波導區段。輸入波導區段2 4 2優先地具有直線形 狀，雖然能夠使用非直線輸入，特別是當合併於具有其他波 導裝置之基質上，如熟知此技術者了解者。在優先實施例 中，兩個漸變段246及248包含於直線波導區段與彎二=導 區域間之界面處。例如，如斷面250及252中所示，直線輸入 及輸出波導之斷面量測高度為7微米以及寬度為^微米#同 時彎曲波導區域斷面量測高度為7微米以及寬度為3 ^米（ 如斷面254所示）。由目前說明熟知此技術者了&解#能=使用 其他高度及寬度。該設計導致VOA需要較少驅動功率施加 於電極以達成已知的光學訊號衰減。 & σ

該改善顯示於圖1 4中，該圖顯示設定加熱器溫度，漸變 波導能夠達成較大的衰減。依據該設計，較為寬廣波導區交 段有益於光纖耦合以及較為狹窄波導區段有益於衰/減。°σ 圖1 8顯示本發明另外一個實施例，具有回授控制線路 1 01之VOA 1 〇4。在該範例中回授控制線路包含回 1 ϋ3以及回授線路丨〇2。回授控制線路亦包含耦合部份百八

579445

比VOA輸出之波導分接頭1〇〇，該百分比優先地為1%至1〇%。 回授線路1 02控制訊號例如施加於電極之電流。例如，具有 超過30dB之動態範圍的v〇A能夠具有彎曲區域，其整體長度 約為1公分至1 · 5公分。 另通常，對於單獨之V0A，假如回授分接耦合器包含於V0A $置中最小插入損耗並不大於ldB。所提出設計之總插入 損^匕έ光纖麵合，傳播損耗，最小彎曲損耗，以及回授分 接損耗。低損耗可以使用傳播損耗約為〇· 2dB/公分之氟化 聚口物所製造出單模波導而達成。該插入損耗估計包含由 =材料吸收以及散射所導致之損耗。例如，低損耗之光學 聚合物之優先地多官能氟化（甲基）丙烯酸酯的化學分子式 ”、、頁示於圖1 6中。關於這些材料之其他資料已揭示於2 〇⑽年 12月20日申請之美國第〇9/745 〇76號專利中，該專利内容 在=加入作為參考之用。這些材料製造出波導在丨⑽下 之傳播損耗小至0.19dB/cm。這些材料之Tg能狗很容易地 加以選擇而低於熱-光學裝置之操作溫度。這些材料低Tg 情況由輔助光栅量測顯示具有可忽略之雙折射性。藉由使 ㈣合物’可達成具有ldB插入損耗之V0A。在表i 中之數值顯示所達成最小插入損耗之程度。 表1 又

〇·2dBx2 〇.4dB 〇.2dB/cm < 1.5cm <0.3dB <〇·ldB 光纖耦合 傳播損耗 最小彎曲損耗（並無 功率施加於加熱器）

579445

<5%分接 <0· 2dB 五、發明說明（11) 回授分接損耗 VOA整體插入損耗能夠減小，甚至於假如直接地鱼 波導裝置整體形成。顯示於圖7中本發明實施例顯示出該 情況。其中VOA與具有兩個輸出端琿222及224之Y-分支切 換器220。在該範例中，波導彎曲衰減器與γ_分支切換器 220輸出端瑋222之一整體形成。切換器電極226虚丫_八°支 裝置整體形成。藉由促動位於|，關,，端琿中衰減器，'切ς 失比值能夠由25dB增加至50dB。由於V0A衰減範圍與長声 成比例，該實施例VOA只需要數毫米長度即達成該衰減值又。 在本發明另外一個實施例如圖1 5所示，對於功率均等 情况，VOA 310能夠例如由光學交互連接311製造於波導輪 出陣列31 2之端部處。此增加包含於單一晶片中之功能別 以及其亦消除關於超光纖波導耦合之損耗。此亦將節此省 外的包裝費用。 上述所說明實施例之VOA能夠加入其他整體形成光學 裝置於單一基質上以改善切換性能或提供調變。優先 °又**十使用標準被動性聚合物材料，其能夠使用來製造γ —分 支刀換器，方向搞合|§，相位|§，以及其他集體形成之波導 裝置。除此，甚至於利用小的路徑長度可達到大的衰減。 圖6顯示本發明實施例之VOA衰減長度相關性之模擬結 =°直線輸入200及輸出202區域並未提供衰減，然而v〇a之 考曲&域產生線性衣減，參閱曲線部份2 q 4。曲線圖顯示約 為1公分彎曲長度能夠達成3OdB之消失比值。

579445 五、發明說明（12) 本發明VOA具有其他優點，其能夠經由朝向直線製造技 術製造出，因而避免在傳統V〇A中使用其他裝置層之需求， 該VOA依據改變水平模限制進行操作。 圖1 2顯示本發明範例性製造技術。通常，例如旋轉鑄 造標準技，能夠使用來產生包層及心蕊層於基質上。 在4範例中，能夠使用厚度為1 mni之矽或矽石基質2 6 〇 。包層262以及心蕊層264再沉積於基質260上。包層262及 心蕊層264之厚度能夠在藉由控制旋轉塗覆過程中旋轉速 度以及時間而加以控制。除此，v〇A結構能夠更進一步包含 緩衝層265沉積於基質及包層之間，如熟知此技術者所了解 情況。 —能夠使用傳統光石版印刷法或蝕刻技術以更進一步界 定出波導。例如，能夠使用紫外線2 6 6以及光遮罩2 7 〇以界 定出心蕊層寬度，例如在優先實施例中該寬度約為7微米。 選擇性地亦能夠使用一個或多個對準標記272作為對準用 途。能夠使用上昇圖案電極層268以完成v〇a構造。 與傳統VOA比較，本發明v〇A設計另外一項優點為較低 裝置費用以及較小的裝置尺寸。例如，wsxc每頻道需一 個VOA。對於每一光纖具有32個波長之4χ4交互連接，該 設計能夠消除外部分接耦合器之需求。除此，該裝置之 用能夠由於下列因素而降低：低價袼之聚合物波導處理過 程，依據上述對裝置所說明之實施例整體形成ν〇Α之 以及在單m產生裝置陣狀能力。假如多個頻道 置需要128個VOA，此將導致實質上費用之節省。 、

第16頁 579445 五、發明說明（13) 除此，對於尺寸考慮，因為光纖連接所雲！ ^ _ 包裝尺寸，只有四個商業化可利用具有回授:要制之之 按裝於20平方英吋之卡上。該傳統V0A設計之限 ％ ° 光纖模組以及回授感測器所需要之空間。至 ......

%本^發"明V Ο A 工間保守估計假設為5公分xl公分，每個卡能夠 個裝置。將VOA與波導交互連接裝置直接地整體形成將更 進一步地減小空間，包裝費用，以及插入損耗。 與傳統具有馬赫倫德爾或Y —分支切換器之波導比 ，發明VOA其他優點包含尺寸，插入損耗，製造誤差，以=性 能。馬赫倫德爾或Y-分支切換器藉由加入γ—分支切換器 需要長度為最小。傳統裝置長度約為3公分。長度增加°亦 增加裝置之插入損耗。除此，這些裝置對γ—分支製造誤 為靈敏的。 本發明實施例之波導彎曲ν〇Α誤差為寬鬆的。例如，電 】不只需要對準在± 5微米範圍内。加以比較，馬赫倫德爾 ^及Y_分支裝置只能承受製造誤差為小於± j微米。除此 二長度成比例之波導彎曲V0A之衰減，能夠調整尺寸配合性 :而求。馬赫倫德爾以及γ_分支裝置依據模干涉或絕熱原 。對於低損耗條件，這些裝置所需要的長度保持大約相 =\不論應用需要l〇dB或20dB範圍。最終，依據本發明優先 施例可達成製造精確度之限制能夠衰減訊號超過3。 ς馬赫倫德ϋ或1x2切換器比較，波導f曲具有較低之 番入損耗，較高製造誤差以及較高的性能。 本發明另外一項優點在於波導利用相同的心蕊及包層 579445 五、發明說明（14) 材料製造出，因而減化製造處理過程以及變為經濟以及大 大地減小對環境條件例如大氣溫度及相對濕度之靈敏性。 上述說明揭示出本發明優先實施例，能夠採用各種變 而’其他改變以及相對情況而並不會脫離本發明範圍。因 發明ΐ ί =及列舉情況並不構造限制本發明之範圍，本 親圍由申請專利範圍界定出。

第18頁 579445

性地顯示出本發明 一項實 弟一圖（圖1)為平面圖示意 施例之VOA。 第^一圖（圖2)為沿著— 了綠麻 篦二M & ί圖線展開之V0A斷面圖。 ^ ϋ…、器溫度增加已知的數量時VOA反應 曲線圖。 ν取旦』 第四圖（圖4)為本發明一垣说主 .^ ^ ^ η +〜明項代表性實施例具有第·-加 熱裔 >蓋度之第一光束傳播曲線圖。 第五圖（圖5)為本發明_Jg冲主 — &炒、—^ ^ ^項代表性實施例具有第二加 熱器溫度之第二光束傳播曲線圖。 第六圖（圖6)為曲線圖，其顯示出衰減線性地決定於彎 曲區域之長度。 第七圖（圖7)為平面圖示意性地顯示出本發明一 施例之VOA加入Y分支切換器。 、 第八圖（圖8)為平面圖示意性地顯示出回授控制線路 加入本發明另一項實施例VOA中。 第九圖（圖9)為曲線圖，其顯示出本發明波長相關性 第十圖（圖1 0)為本發明一項實施例圖樣，具有相關 面圖，其顯示出沿著波導不同點處之光能的位置。 第十一圖（圖11)為示意圖，其顯示出波長效應 加入本發明中。 ^ ^ 實 曲 第十二圖（圖12)為示意圖，其顯示出依據本發 施例之製造VOA的方法。 月優先 第十三圖（圖1 3)顯示依據本發明另外一項實施 579445 圖式簡單說明 第十四圖（圖14)為使用圖13所示本發明實施例達成衰 減之曲線圖。 第十五圖（圖15)為依據本發明另外—項實施例之示意 性方塊圖，其顯示V〇A放置於光學交互連接端部處。 第十六圖（圖1 6 )為優先低損耗波導聚合物材料之化學 結構。 附圖數字符號說明： 可變光學衰減器10;輸入區段2〇;輸出區段22;衰減 區域24;基質40;包層42;心蕊44;加熱器46•第一區段 6〇,80;第三區段62,82;中央區段64,84;°模耦合損耗66; f曲波導區域86;分接頭100;回授控制線路1〇1;回授線 路102;回授感測器i〇3;VOA 104;波導12〇 1 22 1 24;斷 面1 26,1 28;斷面130，132;波導f曲134;曲線部份U4; 干涉儀161;位置160，162，164;彎曲區域166;輸入2〇〇; 輸出202;曲線部份204;切換器22〇;輪出端璋222 224; 電極226;波導240;輸入波導242;輪出波導244;漸變段 2^6,248;斷面 25〇,252;斷面 254;基質 26〇;包層 262;心 ‘翁層264;緩衝層265;紫外線266;電極層268;光遮 對準標記272;V0A 310;交互連接311;波導輸出陣列 312。

Claims (1)

1. ^/^445 申請專利範圍 一種光學衰減器，其包含： 波導，該波導包含： 具有第一折射率之包層， 同 〃有第一折射率之心蕊層，其中包層以及心蕊層由相 的材料所構成，以及 八有第 秦曲半徑之彎曲區域，以及 曲 2. 由 成 酯 3. 以 4. 步 裝 爾 5. 步包含: 裝 ί ^ t於該彎曲區域上，使得當訊號被電極接收時，在彎 :二Ii學訊號之垂直光學限制被改變。 ^申㉖專利範圍第1項 ^ Λ, , ^ a 具有1· 32至丨R S々间=心』复九子哀減态，其中心蕊層 ;以及 .靶圍之第一折射率的氟化丙烯酸酯所構 包層由具有1·31至ι·5範圍 所構成。 固弟—折射率的氟化丙烯酸 依據申請專利範圍第1 纟 ^ 及包層由玻璃材料所槿 ，交光學衰減器，其中心蕊層 依據申請專利範圍第Q 包含： 員之可變光學衰減器，其中更進一 光學裝置耦合至該波 置由方向耦合器，干涉乂，=於耦合區域之前，該光學 調變器所構成。 儀，夕模波導區段，以及馬赫倫德 依據申請專利範圍第 两^ 包含： 項之可變光學衰減器，其 止皿壯，六甲更進〆 光子裝置麵合至該攻 置由方向輕合器，干之後，該光學 ----- 品， 及馬赫倫德

   579445 六、申請專利範圍 爾調變器所構成。 6. 依據申請專利範圍第1項之可變光學衰減器，其中更進一 步包含： 光學裝置耦合至該波導以及位於鄰近彎曲區域，該光學 裝置由方向耦合器，干涉儀，多模波導區段，以及馬赫倫德 爾調變器所構成。 7. 依據申請專利範圍第1項之可變光學衰減器，其中更進一 步包含： 回授感測器以及光學功率分接頭位於彎曲區域之後以感 測光學訊號；以及 回授線路，連接至回授感測器以及電極以自動地控制離 開可變光學衰減裝置之光學訊號功率。 8. 依據申請專利範圍第1項之可變光學衰減器，其中一段彎 曲區域為1公分以及離開彎曲區域之光學訊號功率減小至 少30dB 。 9. 依據申請專利範圍第1項之可變光學衰減器，其中更進一 步包含： 第一漸變部份由波導輸入部份延伸至彎曲區域之輸入部 份，其中波導之寬度在第一漸變部份内逐漸地減小；以及 第二漸變部份由彎曲區域之輸出部份延伸至波導之輸出 部份，其中波導寬度在第二漸變部份内逐漸地增加。 1 0.依據申請專利範圍第9項之可變光學衰減器，其中波導 輸入及輸出部份之一具有寬度約為7微米以及其中彎曲區 域之寬度約為3微米。

   579445 六、申請專利範圍 ' -- 11· 一種可變光學衰減之方法，其包含： 一&供波導，其包含具有第一折射率之包層，具有第二折射 率之心蕊層，其中包層以及心蕊層以及由與包層相同的材 料所構成，具有第一彎曲半徑之彎曲區域，以及電極位於該 彎曲區域上，以及 在彎曲區域中改變光學訊號之光模的垂直限制。 12·依據申請專利範圍第1項之方法，其中更進一步包含· 麵合光學裝置緊鄰於彎曲區域，光學裝置由方$ 器 干涉儀，多模波導區段，以及馬赫倫德爾調變器所構成°’ 13·依據申請專利範圍第11項之方法，其中更進一步包含· 自動地控制離開波導之光學訊號的輸出功率。 3 · 1 4·依據申請專利範圍第13項之方法，其中更進一步包含· 、提供回授感測器以及光學功率分接頭位於彎曲【以^後 以感測光學訊號；以及 提供回授線路連接至回授感測器以及兮蕾枚A ， “ 唸電極以自動地柝 制離開該波導之光學訊號功率。 1 5·依據申請專利範圍第11項之方法，其中Φ、社 止 、丁史^進步包· 楗供第一漸變部份由波導輸入部份延彳由$ A 1 · 入部份，其中波導之寬度在第一漸變部：内至久曲，^ 提供第二漸變部份由彎曲區域之輪出却斤丨減小；及 輪出部份，其中波導寬度在第二漸變部f 77延伸至波導之 1物内逐漸地增加。

   第23頁