TW563022B

TW563022B - Method for DRAM control with adjustable page size

Info

Publication number: TW563022B
Application number: TW091116801A
Authority: TW
Inventors: Ming-Hsien Lee; Yi-Kang Wu; Chien-Ming Chen
Original assignee: Silicon Integrated Sys Corp
Priority date: 2002-02-15
Filing date: 2002-07-26
Publication date: 2003-11-21
Also published as: CN1215417C; CN1438579A; US20030158995A1

Description

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却情5 ΐ:,有關？ 5己憶體控制☆’特別係指-種可調整 ° ”之，態隨機存取記憶體（dram)控制方法。 ::圖所不’傳統的電腦系統具有主匯流排i60、周邊匯流_!匯流排)17〇和績圖匯流排(AGp匯流排)18〇。主匯流排160將中央處理器（cpu)1 i 〇和快取記憶體（cache) 130連接至匯流排介面單元或稱為北橋（n〇rth化^以） 120，快取記憶體ι30可以包含在cpu 11〇中或放在外面。北橋120當作是高速的主匯流排16〇和較慢速的pc][匯流排 ^70間的介面，而且北橋12〇具有記憶體控制器以提供系統記憶體140的存取，還包括圖形埠以連接繪圖加速器15()。如AGP之類的圖形埠係針對立體繪圖顯示的應用，以提供元件層級的高效率的互連功能。記憶體控制器可從PCI匯流排1 7〇、AGP匯流排180或是 CPU 11 0接受記憶體存取的要求，一個記憶體存取要求至少包含了位址及讀/寫的資訊，為達成記憶體存取要求，記憶體控制器發出適當的控制訊號給系統記憶體丨4 〇。對 DRAM型的記憶體而言，這些控制訊號包括列位址選擇（R〇w

Address Strobe ’RAS)、行位址選擇（Column Address

Strobe，RAS)和寫入致能（Write Enable，WE)。系統記憶體140 —般來說可以支援多個dr AM模組，也有不同的模組結構’像是單直列記憶體模組（S i n g 1 e I η _ 1 i n e M e m 〇 r y Module ’SIMM)或是雙直列記憶體模組（Dual In-line Memory Module ’DIMM)可供利用。決定系統效能的一項重要因素為系統記憶體1 40的資

'563022 五、發明說明（2) 料流量（throughput )，而利用記憶體頁的技術可改善記憶體的資料流量。記憶體頁（page)可定義為由給定的列位址所存取的記憶體組（b a n k )中的一塊區域，當給定的列位址被選到時，則開啟某一記憶體頁，假設一連串的記憶體存取均是針對同一記憶體頁，一旦該記憶體頁已被開啟，記憶體組僅需行位址的選取，因此，對此一開啟的記憶體頁隨後的存取可省下RAS的預充電（precharge)時間。只要存取都”命中”（hit)同一記憶體頁，該記憶體頁將一直保持. 在開啟狀態，一旦有某一記憶體存取π錯失M (miss)此一開啟的記憶體頁，則關閉舊記憶體頁而開啟另一新的記憶體頁。由於在同一記憶體組内只能開啟一記憶體頁，因此開啟新的記憶體頁會帶來預充電時間的損失。 DRAM之型態一般可以BA X RA X CA表示，其中RA是列位址位元的數目，C A是行位址位元的數目，而B A是記憶體組位址位元的數目。目前可以取得許多不同的DRAM型態，例如：lx 11x8、2x 12x 10和2x 13x 12等等，行位址位元的數目決定了記憶體頁的大小，也就是說記憶體頁的大小為2CA X 23位元組（byte)，例如：CA = 8的DRAM其記憶體頁的大小是28 X 23，即2K位元組。不同的DRAM型態可以一起安裝在電腦系統中，舉例而 s ’記憶體頁大小為2K位元組（2KB )的一個記憶體模組可以和記憶體頁大小為8K位元組（8KB )的兩個記憶體模組同時安裝在電腦系統之中。傳統的記憶體控制器不理會安裝何種DRAM型態的模組，僅利用記憶體頁大小固定為2KB的

0702-6860W ; 90P77 ; Lin.ptd 第6頁 563022 五、發明說明（3) 方式來處理上述的情形，然而，這樣的方式在記憶體頁大小超過2KB時將導致頁命中率的降低。一般說來，採取較大的記憶體頁可以產生較高的頁命中率。此外，傳統的記憶體控制器將交錯的實體位址映射到DRAM的行位址，以致記憶體頁被分割成好幾段，例如··記憶體頁大小為8KB的 DRAM其記憶體位址空間如第2圖所示，8KB的記憶體頁其第 0頁分成4個2KB的段落20 0a-d，分別以16進位的位址〇〜 7FFh、2000000h〜20 00 7FFFh、4000 0 00h〜40007FFFh 以及 6000 0 0 0h〜60007FFFh來表示，與第3圖所示的連續位址映射方#相較，同樣的第〇頁卻可以在記憶體位址空間内擁有完整的8KB的段落30 0。因此，對於具有相同記憶體頁大小的DRAM ’連續位址映射方式比起交錯的位址映射更能得到較南的頁命中率。有鑑於此，如何提供一種記憶體控制器能不受傳統技術的限制而可以改進系統記憶體的資料流量，將成為一項重要的課題。本發明之目的係提供一種可調整記憶體頁大小之DRAM 控制方法以提高記憶體頁的命中率。本發明之另一目的係提供一種利用調整記憶體頁大小之記憶體控制方法以及連續位址的映射設計，以改善電腦系統的效能。、本發明係一種針對以調整記憶體頁大小之DRAM控制方法〔、有以下的步驟·首先辨識一DR1M之型態，再判芩此 DRAM最大的記憶體頁大小，並根據其跑μ之型態設定一頁

I麵

第7頁 0702-6860TWf ; 90Ρ77 ; Lin.ptd 563022 五、發明說明（4)

遮罩。在電腦系統運作期間，應一筆⑽錢存取要求而進行 DRAM讀寫動作，然後接收另一筆DRAM存取要求，其中後來的這筆DRAM存取要求跟隨在前一筆⑽^存取要求之後，並且根嫁頁遮罩，分別決定前筆⑽履存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分以及下筆DRAM存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分。若用於前筆DRAM存取之内部位址其第一部分與用於下筆DRAM存取之内部位址其第一部分相符，而且用於前筆DRAM存取之内部位址其可調整記憶體頁部分與，下筆DRAM存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分亦相符’則可以判定下筆DRAM存取屬於頁命中存取，接著根據此DRAM最大的記憶體頁大小，將用於下筆DRAM存取之内部位址其第二部分映射至這個DRAM之行位址，其中内部位址之第二部分係連續的位址位元。

另一方面’本發明提出一種適用於電腦之記憶體抂制方法’此電腦安裝有數個DRAM模組，本發明之記憶體控制方法至少包含下列步驟：先辨識這些已安裝的DRAM模組之型態’再判定這些DRAM模組各自之最大記憶體頁大小，並根據14些DRAM模組個別的型態對每一已安裝⑽―模組設定一頁遮罩’然後儲存用於前筆存取之内部位址，其中 DRAM ^取之内部位址包括第一部分、第二部分和第三部分。接著收到下筆DRAM存取要求，其中後面的下筆DRAM存取要求緊接在前筆DRAM存取要求之後，而根據用於下筆dram 存取之内部位址，選取已安裝dram模組其中之一當作下筆存取的模組。以前筆存取模組對應的頁遮罩，運算處理前

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址其第三部分，並且處理下筆DRAM存取用前筆DRAM存取用之内筆DRAM存取用之内部前筆DRAM存取之内部之内部位址其第一部位址其可調整記憶體址其可調整記憶體頁為一頁命中存取，因記憶體頁大小，將用分映射至下筆存取模分係連續的位址位元以下筆存取模之内部位址其部位址其可調位址其可調整位址其第一部分相符，且用頁部分與用於部分亦相符，此，根據下筆於下筆DRAM存組之行位址，筆DRAM存取用之内部位組對應的頁遮罩，運算第三部分，而分別產生整記憶體頁部分以及下記憶體頁部分。若用於分與用於下筆dram存取於别筆dram存取之内部下筆dram存取之内部位則判定下筆dram存取係存、取模組其對應的最大取之内部位址其第二部其中内部位址之第二部【實施例】 ^如第4圖所示，記憶體控制器410從發出要求的裝置所提供的内部位址（亦即實體位址）得到n+1位元之位址“[η: 〇] ’在較佳實施例裡，内部位址係33位元之位址 · HA[31 :〇]。記憶體控制器41〇於^[11:〇]上以多工方式將列位址及行位址提供給系統記憶體42 〇，由ΜΑ [ η : 〇 ]提供的列位址其後接著一個或連串的行位址。系統記憶體42〇包括數個記憶裝置，而這些記憶裝置又組織成多個記憶體模組’如模組420a-d，這些模組並沒有特別的限制，可以利用動態隨機存取記憶體（DRAM)、EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)、SDRAM(Synchronous DRAM)或是其他記憶體裝置，在某些實施例每一個記憶體裝置還可分為數個組

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(bank) 〇 ,己隐體控制器41〇發出RAS# (此選擇將MA[n: 〇 ]上之列位址认正破不低準位觸發）以㈣哭"η」確的屺憶體模組，記憶體控制器410亦會提供⑽#給系統記憶體 -.^ MM t . . ^ ^flJ ,41 〇 ^ # "二^打位址給此一有效的記憶體模組。記憶體控制态410還楗供WE#以區分讀取和寫入的操 =體資料匯流獅在記憶體控制器41 〇以及系統記憶曰體之間來回傳送。對讀取而言，記憶體模組420a-d其中一個被選模組根據列、行位址把資料提供在資料匯流排md 上；對寫入而言，記憶體控制器41 〇則將寫至有效記憶體模組由列、行位址所指定位置的資料提供在資料匯流排仙上0 記憶體頁的存取與一記憶體組内的列位址保持有效而使該記憶體組中的某記憶體頁持續開啟有關，隨之在後針對同一記憶體頁的存取，僅需提供行位址便可完成，如此避免供應列位址時間的損失，只要存取都是”頁命中”，則記憶體存取可以很快的完成，一旦”頁錯失”發生，則取消 RAS#或疋發出§己憶體組失效命令（precharge command)來關閉開啟的記憶體頁，再發出r A S #將列位址選取或是發出 5己憶體組啟用命令（a c t i v e c 〇 m m a n d)來開啟新的記憶體頁。以下將舉一實例並配合所附流程圖說明本發明之特徵。假設型態為n 2 X 1 2 X 8，’的兩個記憶體模組安裝在模組

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420b而型態為"2 x 1 2 x 1 0 ’’的另外兩個記憶體模組則同時安裝在模組420c、420d。在電腦開機初始化期、間，先辨識這些已安裝的抑〇模組之型態（步驟S51〇)，再根據這些DRAM模組個別的型態，判定這些DRAM模組各自的最大記憶體頁的大小，並對每一已安裝DRAM模組設定一頁遮罩（page mask)(步驟S520 )。最大記憶體頁的大小、頁遮罩MK[ 14 : 11 ]以及DRAM型態厶間的關係記載於下表一，據此，模組420a、420b兩者之最大記憶體頁大小均為 2KB ’頁遮罩為[1 1 1 1]，同樣地，模組42〇c '“od兩者之最大記憶體頁大小均為8KB，頁遮罩則為[1 1 〇〇 ]。表一 DRAM型態 (BAxRAxCA) 最大記憶體頁关小 mm MK[14:in 1x11x8 1x13x8 s y 2x11x8 Ύ u 2x12x8 2x13x8 2KB [1111] 1x11x9 ) 1x13x9 J/ > 2x12x9 2x13x9 4KB [1110] 1x11x10 1x13x10 2x12x10 2x13x10 8KB [110 0] 2x12x11 2x13x11 16KB [10 0 0] 2X13X12 32KB [00001 〜

0702-6860TWf ; 90P77 ; Lin.ptd — 第11頁 r63〇22 五、發明說明（8) 在開機初始化結束之後，記憶體控制器4丨〇開始回應 DRAM的要求並執行讀寫的存取，同時儲存用於前筆卯錢"存取之内部位址。根據本發明，32位元的内部位址，即實體位址’ HA[31 : 0]可分成二個部分··第一部分ΗΑ[31 · 1 、第二部分HA[10:0]以及第三部分HA[14:11]。圮憶體控制器4 1 0接著收到緊接在前筆DRAM存取要求之後的下筆DRAM存取要求，而根據每次收到的DRAM存取内部位址，記憶體控制器410選取已安裝⑽媚模組的其一當作下筆存取的模組。、然後記憶體控制器410利用前筆存取之 = ΜΓ[14:11]，運算處理用於前筆⑽ 十應部的頁，己憶體頁部分ADJ，[“··"]，並且利用下筆存取之槿、、且對應的頁遮罩ΜΚ[14··11]，運算處理用於下筆dram取 : = 三部分HA[14:11]以產生下_存取内 /二7 =憶體頁部分ADJ[14:11]，也就是說： ADJL14.il] = HA[14:11] & ΜΚ[14:Π1 ADJ ,[14··11] = ΗΑ’[14:11] & Μκ，["··"]

、中&代表以位元操作的及 operator)。 k 铒運异子（b x t w i se AND 下筆DRAM存取是頁命中戍 (步驟S530 )，條件一為 =失可由兩個條件決定部分HA，[31 :15]盥下筆DRAM；r存取用的内部位址其第一 ”下筆DRAM存取用的内部位址其第一部分第12頁 0702-6860W ; 90P77 ; Lin.ptd 563022

t π钢相符，條件二則為前筆DRAM存取用的内部位址二二二+ 2憶體頁部分ADJ，[14:11 ]與下筆DRAM存取用的 # :，、了調整記憶體頁部分ADJ[14:11]相符。換言 AIuV;/「是 Η"31:15]: HA[31:15]，而條件二是 ADJ [14:11]= ADJ[14:11] 〇你说ί條件一和條件二兩者均滿足，則可判定下筆DRAM存取係為一頁命中存取（步驟S540 )。當頁命中的存取發生 =百下，DjAM存取與前筆DRAM存取一樣都是對相同的記憶 *進行讀/寫’因此僅有行位址需提供給選取的下筆存，模組，對接下來針對同一開啟的記憶體頁存取而言，可省下RAS的預充電（precharge)時間。若條件一和條件二兩者或其中之一無法滿足，則可判定下筆DRAM存取係為一頁錯失存取（步驟S550)。當頁錯失的存取發生時，則取消 R AS#或是發出預充電命令（pre charge command)來關閉開啟的記憶體頁，再發出RAS#將新的列位址選取或是發出啟用命令（active command)來開啟新的記憶體頁。無論下筆 DRAM存取型式決定為何，記憶體控制器41 〇根據選取的下筆存取模組其對應的最大記憶體頁大小，將下筆⑽^存取用的内部位址Η A [10:0]其第二部分映射至下筆存取的dram 模組之行位址，特別的是，内部位址之第二部分係連續的位址位元。最大記憶體頁的大小和行位址的詳細關係記載於下表二，由於系統記憶體為6 4位元的資料匯流排，所以 HA3映射至行位址的CA0。

0702-6860Bff ； 90P77 ； Lin.ptd 第13頁 163022 五、發明說明（ίο) 表二 D·型態 (BAxRAxCA ) 最大記憶體頁大小行位址CA[ 11:0] CA1 1 CA1 0 GA9 CA8 CA7 CA6 CA5 CA4 CA3 CA3 CA1 CA0 1x11x8 1x13x8 2x11x8 2x12x8 2x13x8 2KB HA1 0 HA9 HA8 HA7 HA6 HA5 HA4 HA3 1x11x9 1x13x9 2x12x9 2x13x9 4KB HA1 1 HA1 0 HA9 HA8 HA7 HA6 HA5 HA4 HA3 1x11x10 1x13x10 2x12x10 2x13x10 8KB HA1 2 HA1 1 HA1 0 HA9 HA8 HA7 HA6 HA5 HA4 HA3 2x12x11 2x13x11 16KB HA1 3 HA1 2 HA1 1 HA1 0 HA9 HA8 HA7 HA6 HA5 HA4 HA3 2X13X12 32KB HA1 4 HA1 3 HA1 2 HA1 1 HA1 0 HA9 HA8 HA7 HA6 HA5 HA4 HA3 例如，前筆DRAM存取用的内部位址HA’ [31 : 0]是 80 0 0 07FFh而下筆DRAM存取用的内部位址HA[31 : 0]是 80 0 0 080 0h，前筆DRAM存取開啟模組420c第0頁（page 0)之記憶體頁。根據位址80 00 080Oh，記憶體控制器410瞭解下筆DRAM存取係同樣針對具有8KB記憶體頁大小之模組 420c，對於模組4 20c，頁遮罩為如前所述之[1 1 0 0]。記憶體控制器410比較ΗA’ [31 : 15]和HA[ 31 : 15]並且比較

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以判斷下筆DRAM存取為頁命五、發明說明（11) ADJ’ [14:11]和ADj[i4:ll] 中或頁錯失存取，因為 HA[31:15] = l〇〇〇h HA，[31:15] = 1()00h 所以滿足條件一：HA[ 31:15] = HA，[31:15]，而且 ADJ[14:11] . HA[14:11] & MK[14:11] -[0 0 0 1] & [1 1 0 〇] =[0000] ADJ’ [14:11] = HA， [14:11] & MK， [14:11] =[0 0 0 0] & [1 1 0 〇] =[0000] 因此亦滿足條件二：ADJH4: 11卜ADJ，[14: 11]。結果對於記憶體頁大小為8KB之記憶體模組420c，HA，[ 31 : 1 3 ]等於HA[31:13]，如此下筆DRAM存取”命中”模組420c之第〇頁’記憶體控制器4 1 〇僅需提供行位址給模組4 2 〇 c即可。再另舉一例說明，前筆DRAM存取用的内部位址HA，[ 31:0]是7FFh而下筆DRAM存取用的内部位址HA[31:0]是 80 Oh，前筆DRAM存取開啟模組4 2 0a第0頁（page 〇)之記憶體頁。根據位址8 0 0h，記憶體控制器4 1 0知道下筆DRAM存取係同樣針對具有2KB記憶體頁大小之模組420a，對於模組4 2 0 a ’頁遮罩為如前所述之[1 1 1 1 ]。記憶體控制器 410 比較HA’ [31:15]和HA[31:15]並且比較ADJ，[14:11]和 ADJ[14:11]，以判斷下筆DRAM存取為頁命中或頁錯失存取’由於

563022 五、發明說明（12) HA[31 : 15]-HAJ [31 : 15]. 所以滿足條件 ADJ[14:11]. 一：ΗΑ[31 : 15]= HA’ [31 : 15]，但是 HA[14:11] & MK[14:11] [0 0 0 1] & [1 1 1 1] [0001] HA， [14:11] & MK， [14:11] =[0 0 0 0] & [1 1 1 1] =[0000] 因此條件二：ADJ[14: 11 ]= ADJ’ [14: 11 ]無法滿足。結果對於記憶體頁大小為2KB之記憶體模組420a，HA，[31 : 11 ] 與HA[ 31 : 11 ]不相符，以致下筆DRAM存取’，錯失π模組420a 之第0頁，記憶體控制器41 0必需發出預充電命令 (precharge command)來關閉開啟的記憶體頁，再發出啟用命令（active command)來開啟模組42〇a中新的記憶體雖然本發明已以具體實施例揭露如上，缺於說明本發明之技…，而並非將本發明：義22 該實施例，任何熟f此技#者，在 =義地限疋於範圍内’當可作些許之更動與潤飾，因】明之精神和圍當視後附之申請專利範圍所界定者為本發明之保護範 0702-6860TWf ； 90P77 ； Lin.ptd 第16頁 563022 圖式簡單說明為使本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：第1圖是電腦系統範例之方塊圖；第2圖是傳統記憶體位址映射之示意圖；第3圖是根據本發明之記憶體位址映射之方塊圖；第4圖是輔助說明本發明之記憶體控制器其運作方式之示意圖；以及第5圖是調整記憶體頁大小之DRAM控制方法之流程圖。【標號說明】 110〜中央處理器（CPU); 120〜北橋（north bridge); 1 3 0〜快取記憶體； 1 4 0〜系統記憶體； 1 5 0〜繪圖加速器； 1 6 0〜主匯流排； 17Q〜周邊匯流排； 1 8 0〜繪圖匯流排； 20 0a-d〜記憶體頁4個段落； 4 1 0〜記憶體控制器； 4 2 0〜系統記憶體； 4 2 0 a _ d〜記憶體模組。

0702-6860TWf ； 90P77 ； Lin.ptd 第17頁

Claims

563022 六、申請專利範圍 1 · 一種可調整記憶體頁大小之動態隨機存取記憶體控制方法’至少包含下列步驟：辨識一動態隨機存取記憶體（j) r A Μ)之型態；判定該DRAM之最大記憶體頁大小，並根據該DRAM之型態設定一頁遮罩；應一前筆DRAM存取要求而進行一DRAm讀寫動作；接收一下筆DRAM存取要求，其中該下筆DRAM存取要求接在該前筆DRAM存取要求之後；根據該頁遮罩，分別決定該前筆DRAM存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分和該下筆DRAfl存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分；、若該前筆DRAM存取用之内部位址其第一部分與該下筆 DRAM存取用之内部位址其第一部分相符，並且該前筆DRAM 存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分與該下筆DRAM存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分亦相符，則判定該下筆DRAM存取係一頁命中存取；以及根據該DRAM之最大記憶體頁大小，將該下筆DRAM存取用之内部位址其第二部分映射至該DRAM之行位址’其中該下筆DRAM存取用之内部位址其第二部分係連續的位址位元。 2.如申請專利範圍第1項所述可調整記憶體頁大小之動態隨機存取記憶體控制方法，尚至少包含下列步驟：若上述前筆DRAM存取用之内部位址其第一部分與上述下筆DRAM存取用之内部位址其第一部分不相符’則執行：

0702-6860TWf ； 90P77 ； Lin.ptd 第 18 頁 563022 六、申請專利範圍判定上述下筆DRAM存取係，頁錯失存取；發出一預充電命令至上述dram ;以及在該預充電命令之後發出〆啟用命令至上述⑽龍。 3 ·如申請專利範圍第1項所述可調整記憶體頁大小之動態隨機存取記憶體控制方法，尚至少包含下列步驟：若上述前筆dram存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分與上述下筆dram存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分不相符，則執行： h 判定上述下筆DRAM存取係一頁錯失存取；發出一預充電命令至上述DRAM ;以及在該預充電命令之後發出一啟用命令至上述⑽八⑽。 4·如申請專利範圍第1項所述可調整記憶體頁大小之動態隨機存取記憶體控制方法，其中上述決定可調整記憶體頁部分之步驟至少包含下列步驟： ° ^ 以上述頁遮罩運算處理上述前筆DRAM存取之内部位址其第三部分，而產生上述前筆DRAM存取之内整記憶體頁部分；以及 ^ J ^ 以上述頁遮罩運算處理上述下筆DRAM存取之内部位其第三部分’而產生上述下筆DRAM存取整記憶體頁部分。丨彳止兵了調，方法，該電腦安裝有该記憶體控制方法至少 5 · —種適用於電腦之記憶體控複數個動態隨機存取記憶體模組，包含下列步驟：辨識該些已安裝動態隨機存取記憶體（DRAM) 模組之型

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判定該些已安裝dram模組夂έ * I 並根據該些已安裝匪模•且ί最大記憶體頁大小，模組設定-頁遮罩；、且各自之型態對每-已安裝應Μ 取之前筆關存取之内部位址，其中該圓存部分；罘邛分、一第二部分和一第三接收一下筆dram存取要求，使士 _ > , 接在該前筆嶋存取要求;其中該下筆隱存取要求請2==下筆簡存取之内部位址，選取該些已安裝DRAM模、、且其中之一當作一下筆存取模組； niMM ^ ^筆存取模組對應之頁遮罩，運算處理該前筆 DRAM存取用之内部位址其第三部分，而產生該前細财取用之内部位址其可調整記憶體頁部分·，以該下筆存取模組對應之頁遮罩，運算處理該下筆 DRAM存取用之内部位址其第三部分，而產生該下筆卯繾存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分；若該前筆DRAM存取用之内部位址其第一部分與該下筆 DRAM存取用之内部位址其第一部分相符，並且該前筆dram 存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分與該下筆卯腿存取用之内部位址其可調整記憶體頁部分亦相符，則判定該下筆DRAM存取係一頁命中存取；以及根據該下筆存取模組對應之最大記憶體頁大小，將該下華DRAM存取用之内部位址其第二部分映射呈該下筆存取

0702-6860TWf ； 90P77 ； Lin.ptd 第20頁 563022 六、申請專利範圍 —--- 模組之行位址，其中該下筆DRAM存取用之内部位址其第一部分係連續的位址位元。 Μ — 6·如申請專利範圍第5項所述之適用於電腦之 I ^ | 控制方法，尚至少包含下列步驟：若上述前筆DRAM存取用之内部位址其第一部分盘、、下筆DRAM存取用之内部位址其第一部分不相符，二上述 4 則執杆· 判定上述下筆D R A Μ存取係〆頁錯失存取；發出一預充電命令至上述下筆存取模組；以及在該預充電命令之後發出/啟用命令至上述模組。卜聿存取週用於電腦之記憶體 7 ·如申請專利範圍第5項用控制方法，尚至少包含下列步若上述前筆DRAM存取用之内部位址其可調整部分與上述下筆DRAM存取用之内部位址其可調μ = ^體頁部分不相符，則執行： i已憶體頁判定上述下筆dram存取係〆頁錯失存取；發出一預充電命令至上述下筆存取模組；以及在該預充電命令之後發出’啟用命令至上诚 * 模組。；筆存取

0702-6860Bff ； 90P77 ； Lin.ptd 第21買