TW542792B - Narrow ink jet printhead - Google Patents

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542792 A7 B7 五、發明說明（ 發明之技術背景 本發明係大致有關喷墨列印技術，且更確切來 說，係有關一種狹窄的薄膜喷墨列印頭。 喷墨列印技藝相對來說已經相當成熟地發展。 商業化產品，例如電腦列印機、圖形繪圖機，以及 傳真機等，均已經利用喷墨技術執行以製造列印媒 體。美商惠普公司（Hewlett-Packard Company)對 喷墨技術的貢獻已在以下文獻中說明，如在各種不 同的惠普期刊中(Hewlett-Packard Journal)，例如 第36期第5冊（1985年5月出版）；第39期第5 冊（1988年1〇月出版）；第43期第4冊（1992 年8月出版）；第43期第6冊（1992年12月出版）； 以及第45期第1冊（1994年2月出版）；上述文 獻皆以參照方式並入本文。 大體上來說，喷墨影像係根據由稱為喷墨列印 頭的一種墨滴產生裝置射出墨滴到列印媒體上的準 確位置而形成。典型地，噴墨列印頭係設置在可移 動列印載架上’该載架將往返移動於列印媒體的表 面上，且將在適當時機根據微電腦或其他控制器的 指令來控制噴墨列印頭以發射出墨滴，其中施用墨 滴的時機將意圖對應於正被列印出之影像的像素型 樣。 種典型的惠普T墨列印頭將包括於孔口板中 精密成型的一噴嘴陣列，該孔口板將附著至一墨水 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --------^---------^ ----1--- 542792 A7

五、發明說明（2 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 障壁層，而該障壁層相對地將附著至執行墨水喷發 加熱器電阻器與用以致能該電阻器之裝置的一薄膜 次結構。該墨水障壁層界定墨水通道，其包括設置 在相關連墨水喷發電阻器上的墨水腔室，並且孔口 板中的噴嘴將對齊於相關連墨水腔室。墨滴產生器 區域將由墨水腔室以及相鄰於該墨水腔室的薄膜次 結構部分與孔口板而形成。 該薄膜次結構將典型地包含一基體，例如矽， 在遺基體上將形成各種不同的薄膜層，而該薄膜層 將形成薄膜墨水喷發電阻器，用以致能該電阻器的 裝置，以及連接黏合襯塾的互連體，而該互連體係 備置作列印頭的外部電接。該墨水障壁層典型地為 一種聚合物材質，其被層合至該薄膜次結構作為一 乾燥薄膜，且該墨水障壁層將設計為光可顯明的並 為UV可固化與熱可固化。在狹槽饋入設計的噴墨 列印頭中，將透過形成在該基體上的一個或多個墨 水饋入狹槽，從一個或多個墨水儲槽饋送墨水至不 同的墨水腔室。 孔口板、墨水障壁層與薄膜次結構的實體配置 的一實例已說明於上面所引證之1 994年2月份所 出版之惠普期刊(Hewlett-Packard Journal)第 44 頁中。噴墨列印頭的其他實例已揭露於共同受讓的 美國專利證號4,719,477與5,31 7,346中，該二案 係以參考方式併入本文。 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱) "~ ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

542/V2 A7 五、發明說明（ B7 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 第2圖Λ 4 M q ”、、—未依比例概要頂部平面圖，其展示 ^ 噴墨列印頭的墨滴產生器佈置與接地匯 流排。 解透I:為弟1圖之喷墨列印頭的概要.、部分分 々圖為第Ί圖之噴墨列印頭的未依比例概要 部分頂部平面。 第5圖為概要說明圖，其展示 薄膜次結構的廣義層。 第6圖為一部分頂部平面圖，其大致展示第] 圖之列印碩的代表FET驅動電路陣列佈置與接地 匯流排。 第7圖為一電子電路概要圖，其說明第ί圖中 列印頭的加熱器電阻器與旰丁驅動電路之電接。 第8圖為一概要平面圖，其展示第ί圖之列印 頭的代表原始選定型態線跡。 第9圖為一概要平面圖，其展示第ί圖之列印 頭的FET驅動電路執行與接地匯流排。 第10圖為一概要正視橫截面圖，其展示第 圖之FET驅動電路。 第11圖為一列印機的未依比例概要透視圖 其中將可應用本發明中的列印頭。 明的詳細說明 --------β---------線 —01^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度義中國國家標準（CNS)A4規格（21? x 297公釐） 542792 A7 B7 五、發明說明（5) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在以下的發明說明與圖式中，相同的元件將以 相同的元件編號來代表。 現在請參照第1圖至第4圖，其中概要地展示 的是可在本發明中應用之喷墨列印頭100的未依 比例概要平面圖與透視圖，且該喷墨列印頭100 大致上包括（a)薄膜次結構或晶粒1Ί，其包含例如 石夕的一基體’且在其上形成有多個不同的薄膜層； (b)—墨水障壁層12，其設置在薄膜次結構υ上； 以及（c) 一孔口或噴嘴板13,其層合地附著在墨水 障壁層1 2的頂部。 該薄膜次結構1 1包含一積體電路晶粒，其係 根據習知積體電路技術而形成，且如第5圖中所 概要地說明的，該薄膜次結構彳]大致上包括矽基 體1 1 1 a、FET閘極與介電層1 ! Ί b、電阻器層彳彳c、 第一金屬化層1 1 1 d。如在本文中特別地說明之驅 動FET電路的主動裝置將形成在矽基體1彳彳a的頂 端部分以及FET閘極與介電層1 1 1 b中，該FET閘 極與介電層Ί 1 1 b包括閘極氧化層、多晶矽閘極， 以及相鄰於該電阻器層的介電層。薄膜加熱 器電阻器56將精由電阻器層與第一金屬化 層Ί 1 1 d的個別型樣而形成。薄膜次結構另包括複 合鈍化層1 1 1 e，其包含如氮化;5夕層與碳化石夕層， 以及至少壓在該加熱器電阻器56之上的钽機械鈍

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂------ 線丨#· 五、發明說明（6) 化層11H。金傳導層111§將壓在該鈕機械鈍化層 1 上。 墨水障壁層12冑由乾燥薄膜形成，其係為被 層合在該薄膜次結構n上的熱氣與壓力，並且為 光可顯明的以在其中形成設置在加熱器電阻器％ 上的墨水腔室19以及墨水通道29。接合外部電接 的金黏合襯墊74將以縱向地間隔方式形成在金層 中，即薄膜次結構11的相對端點，且並未被墨水 障壁層12覆蓋住。藉由例示的實例，障壁層材質 包含一種丙烯酸鹽基光聚合物乾燥薄膜，例如 "Parad”牌的光聚合物乾燥薄膜，其由位於美國德 拉瓦州（Delaware)威彌頓市（则牆抑⑴的E丨· duPont de Nemours and Company 所提供。相似 的乾爍薄膜將包括duPont公司的其他產品，例如 ”Riston”牌的乾燥薄膜，以及其他化學製造商所 製造的乾燥薄膜。例如，孔口板包含由聚合物 材質所組成的一種平面基體，且其中該孔口將藉由 雷射燒蝕而形成，如於美國專利證號5,469,199中 所揭露的，而該案係以參考方式併入本文。該孔口 板可同時包含一種鍍金金屬，例如鎳。 如第3圖中所述，墨水障壁層12中的墨水腔 室19將更確切地設置在個別墨水喷發加熱器電阻 器56上，且各個墨水腔室19將由在障壁層中 形成之腔室開口的互連邊緣或圍壁所界定。墨水通

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 542792 A7 B7 五、發明說明（ 道29係由在障壁層12中形成的其他開口來界定， 且墨水通道29將整體地鄰接到個別墨水噴發腔室 19。墨水通道29將面向相鄰墨水饋入狹槽门的 饋送邊緣而開口，並接收來自該墨水饋入狹槽的墨 水。 孔口板13包括設置在個別墨水腔室19上之孔 口或喷嘴21 ,以便使各個墨水喷發加熱器電阻器 阢、相關連墨水腔室19、以及相關連孔口 皆 、子A並幵y成墨滴產生器4〇。各個加熱器電阻器具 有至少100歐姆（〇hms)的標定電阻，例如大約 或130歐姆，且可包含如第9圖中所展示的一分 段電阻器，其中加熱器電阻器56將包含由金屬化 區域59所連接的二個電阻器區域56a與5卟。此 電阻器結構可提供高於相同區域之單一電阻器區域 的電阻。 線 雖然所揭露的列印頭係說明為具有一障壁層與 一分別孔口板，應該可以了解的是，該列印頭可以 用一體成型的障壁/孔口結構來執行，其可利用如 多重暴露過程進行暴露且隨後養成的單一光聚合物 層來製成。 墨滴產生器40將設置於沿著參考軸L延伸的 欄狀陣列或欄狀群組61中，而墨滴產生器4〇將 相對於該參考軸L橫向地或橫切地彼此分隔開來。 各個墨滴產生器群組的加熱器電阻器56將大致上 本纸張尺度適用家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐f A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 地與參考軸L對齊，且基上方$ 土土 丁糾且&者该參考軸L·具有業已決 定之中心對中心間隔或噴嘴間距p。該噴嘴間距p 可為1/600英对或更大，例如1/300英时。例如， 墨滴產生為的各個攔狀陣列61包括ι〇〇個或更多 個墨滴產生！（即至少⑽個墨滴產生器）。 藉由展示的實例，該薄膜次結構11可為矩形， 其中當縱向地間隔開來時，其相對邊緣51與52 將為長度尺寸LS的縱向邊緣，而相對邊緣53與54 的寬度或橫向尺寸WS將小於該薄膜次結構^的 長度LS。·該薄膜次結構11的縱向延伸程度係沿著 :以平行於參考軸L的邊緣51與52。在進行使用 日守，參考軸L可以對齊於一般通稱的媒體前進軸 線。為了方便的關係，該薄膜次結構的縱向分別端 點將可同時以用以指示該端點的邊緣的元件編號 53與54來代表。 雖然墨滴產生器各個欄狀陣列61的墨滴產生 40貫負上係以一直線而展示，應該可以了解的 是，墨滴產生器陣列中的某些墨滴產生器4〇可以 是稍微偏離該行的中間線，例如以彌補喷發延遲的 問題。 各個墨滴產生器40將包括加熱器電阻器56， 該加熱器電阻器將因此設置在對應於墨滴產生器的 攔狀陣列的攔狀群組或陣列中。為了方便的關係， 11 Μ氏張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 ——*--------·1€--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 542792 A7 B7 五、發明說明（9) 加熱器電阻器陣列或群組將以相同元件標號 代表。 線 第1圖至第4圖中列印頭100的薄膜次結構η 將更確切地包括二個墨水饋入狹槽门，該墨水饋 入狹槽將對齊於參考軸L，且將相對於參考軸l彼 此橫切地間隔開來。墨水饋入狹槽71將個別地餵 送四個搁狀墨滴產生器61，該墨滴產生器係個別 地位於二個墨水饋入狹槽7彳的相對邊，其中該墨 水通道將面對於由薄膜次結構中之相連墨水饋入狹 槽所形成之邊緣而開口。以此種方式，各個該墨水 饋入狹槽的相對邊緣將形成一饋送邊緣，且該二個 墨水饋入狹槽均包含一個雙邊墨水饋入狹槽。藉由 特定的實例，第1圖至第4圖中的列印頭彳〇〇將 為一單色列印頭，其中該二個墨水饋入狹槽均將供 應相同顏色的墨水，如黑色，以使墨滴產生器的所 有四個攔狀墨滴產生器均可產生相同顏色的墨滴。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在一墨水饋入狹槽之任一邊緣上之攔狀間的欄 間距或間隔CP將少於或等於630微米（"m)(即至 多630"m)，且在該墨水饋入狹槽内側攔狀間的間 距或間隔CP’將少於或等於800微米（"m)(即至多 800/vm)。 沿著該參考軸L從一攔至一相鄰攔的喷嘴間 距、交錯安排或抵銷以及墨滴體積將更確切地構形 以致能沿著該參考軸L進行單程、單色點狀間隔列 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 542792 A7 五、發明說明（1〇) B7 印，其係介於1/3〇() # 距p的1/4 *于至1/600英吋間之噴嘴間 八 切墨水來說，該墨滴體積可 至/微微公升的範圍間(在特定實例中大約 為5从微公升）， 、^ 體積可介於”…水來說，該墨滴 、 ；至19极微公升的範圍間（在特定给 例中士約為16微微公升）。以1/3⑼英#的喷嘴間 距來祝，沿著該參考軸L於既定橫切方向在喷嘴相 _之間的交錯安排或抵銷可為W200英时。換 口之從左邊算來第二攔將沿著相對於最左邊的攔 位之多考軸L的選出方向偏移1/12〇〇英时。從左 邊异來第三攔將沿著相對於從左邊算來第二棚位之 參考軸L的選出方向偏移1/12〇〇英对。從左邊算 來第四攔將沿著相對於從左邊算來第三攔位之參考 軸L的選出方向偏移1/12〇〇英吋。 —因此，1/300英吋的喷嘴間距將可提供ι/ΐ2〇〇 英吋的單程點狀間隔，其對應於1200 dpi的單程 列印解析度。1/600英_的喷嘴間距將可提供 1/2400英吋的單程點狀間隔，其對應於24〇〇 d… 的單程列印解析度。 在具有喷嘴間距P為1/300英吋之至少1〇〇個 墨滴產生器的四個欄狀陣列61之更確切實行例 中，藉由展示的實例，薄膜次結構Η的長度LS可 約為11500微米，且該薄膜次結構的寬度ws可 訂 線 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(_21G x 297公爱_ 542792 A7

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542792 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（θ 狀陣列中之N個墨滴產生器的N為4的整數倍數 的特疋貫例中，各個原始群組包括N/4個墨滴產 生器。參考來說，原始群組、G1b、6k與61d 將從檢向邊緣53朝向橫向邊緣54依序地設置。 第8圖將更確切地說明墨滴產生器相關連欄狀 陣列61的原始選定型態線跡86a、86b、86c、86d 的概要頂部平面圖，以及FET驅動電路85之相關 連欄狀陣列81 (第6圖），如由金金屬化層1 1 1 g(第 5圖）中之線跡所執行的，該金金屬化層Ί彳]g係位 於FET驅動電路相關連陣列81與接地匯流排ι81 之上且介電性地與其分離。原始選定型態線跡 86a' 86b、86c、86d將藉由形成在金屬化層111d 中的電阻為引線5 7b (第8圖）以及在原始選定型態 線跡與電阻器引線57b之間延伸的互連通孔58 (第 9圖）而個別電子性地連接至四個原始群組6彳&、 61 b、61c、61d。 第一原始選定型態線跡86a縱向地沿著第一原 始群組61a延伸，且壓在一部份的加熱器電阻器 引線57b (第9圖）上面，而該加熱器電阻器引線57b 係個別地連接至第一原始群組6 Ί a的加熱器電阻 器56 ’並且該第一原始選定型態線跡86a將透過 通孔58 (第9圖）連接至該加熱器電阻器引線57b。 第一原始選定型態線跡86b包括沿著第二原始群 組61 b延伸且壓在一部分的加熱器電阻器引線57b -----------Γ --------訂---------線~^^" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 542792 A7 —--— _B7___ 五、發明說明（14) (第9圖）上面的一部段，而該加熱器電阻器引線57b 係個別地連接至第二原始群組61b的加熱器電阻 器56，並且該第二原始選定型態線跡86b將透過 通孔58連接至該加熱器電阻器引線57b。第二線 跡86b包括另一個部段，其沿著第一原始選定型 態線跡86a在第一原始選定型態線跡86a的側邊 上延伸，而該第一原始選定型態線跡86a係相對 於第一原始群組61 a的加熱器電阻器56。第二原 始選定型態線跡86b大致上為L形，其中該第二 部段將比·第一部段狹窄，以便旁通過比第二原始選 定型態線跡86b之較寬部段還狹窄的第一原始選 定型態線跡86a。 該第一與第二原始選定型態線跡86a與86b大 致地至少與第一與第二原始群組61a與61b共同 延伸，且將個別適當地連接至設置在橫向邊緣53 的分別黏合槪塾7 4 ’而該橫向邊緣5 3係最接近於 第一與第二原始選定型態線跡86a與86b。 第四原始選定型態線跡86d將縱向地沿著第四 原始群組61 d延伸，且壓在一部分的加熱器電阻 器引線57b (第9圖）上面，而該加熱器電阻器引線 57b個別地連接至第四原始群組61d的加熱器電 阻器56，並且該第四原始選定型態線跡86d係透 過通孔58連接至該加熱器電阻器引線57b。第三 原始選定型態線跡86c包括一部段，其沿著第三 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

•丨嗓------ —訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 542792 A7 ----------— B7__ 五、發明說明（巧沒 原始群組61c延伸且壓在一部分的加熱器電阻器 引線57b (第9圖）上面，而該加熱器電阻器引線57b 係個別地連接至第三原始群組6 Ί c的加熱器電阻 器56，並且該第三原始選定型態線跡86c將透過 通孔58連接至該加熱器電阻器引線57b。第三線 跡86c包括另一個部段，其沿著第四原始選定型 態線跡86d延伸。第三原始選定型態線跡86c大 致上為L形，其中該第二部段比第一部段狹窄，以 便旁通過比第三原始選定型態線跡86c之較寬部 段還狹窄的第四原始選定型態線跡86c|。 該第三與第四原始選定型態線跡86c與86d大 致地至少與第三與第四原始群組61c：與61d共同 延伸，且將個別地適當地連接至設置在橫向邊緣54 的黏合襯墊74，該橫向邊緣54係接近於第三與第 四原始選定型態線跡86c與86d。 藉由特定的實例，墨滴產生器襴狀陣列61的 原始選定型態線跡86a、86b、86c與86d壓在FET 驅動電路以及與墨滴產生器攔狀陣列相關連的接地 匯流排上面，且原始選定型態線跡86a、86b、86c 與86d將包含在縱向地與相關連攔狀陣列6Ί共同 延伸的一區域中。如此一來，墨滴產生器攔狀陣列 61之四個原始選定型態的四個原始選定型態線跡 將面對列印頭基體的端點沿著該陣列而延伸。更確 切來說’設置在列印頭基體一半長度之第一對原始 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 五 發明說明（y 群組61a # 61b的第-對原始選定型態線跡將包 έ在〜著w亥第一對原始群組延伸的一區域中，而設 置在列印頭基體的另一半長度之第二對原始群組 61c與61d的第二對原始選定型態線跡將包含在沿 著。亥苐一對原始群組延伸的一區域中。 為了對照方便，電子性連接加熱器電阻器％ 與相關連FET驅動電路85絲合襯墊M的原始 選定型態線跡86與相關連接地匯流排將整體性地 稱為電源線跡。同時為了對照方便，該原始選定型 態線跡86可被稱為高邊電源線跡或非接地電源線 跡。 大體上而言，各個FET驅動電路85的寄生電 阻（或導通電阻）係構形以彌補寄生電阻中的變 化，該寄生電阻係藉由電源線跡所形成的寄生路徑 而引發至不同的FET驅動電路85，進以降低供應 至加熱器電阻器之能量中的變化。特別地，該電源 線跡將形成引發寄生電阻至FET電路的寄生路徑， 而該寄生電阻將因著路徑上的位置而有所變化，且 各個FET驅動電路85的寄生電阻將被選出，以使 各個FET驅動電路85的寄生電阻與電源線跡的寄 生電阻的結合如引發至FET驅動電路般地，僅在 一墨滴產生器與另一個墨滴產生器之間具有些許差 異。只要加熱器電阻器56實質上均具有相同電阻， 菖長:出至不同FET驅動電路85時，各個fet辱區動 19 542792 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（17) 電路85的寄生電阻將因此被構形以彌補相關連電 源線跡之寄生電阻的變化。如此一來，當實質上相 等的能量將供應到連接至該電源線跡的黏合襯墊 時’實質上相等的能量將可供應至不同的加熱器電 阻器56。 現在更確切地參照第9圖與第1 0圖，各個FET 驅動電路85包含多個電子性地互連的汲極指87， 其設置在形成於矽基體111a (第5圖）中的汲極區 域指89上，並且各個FET驅動電路85同時包含 多個電子性地互連的源極指97，其與汲極87叉合 或間插並設置在形成於矽基體111a的源極區域指 99上。在個別端點互連的多晶矽閘極指91將設置 於形成在矽基體1 1 1a上的薄閘極氧化層93上。 碟矽酸鹽玻璃層95將使汲極87與源極97分離於 石夕基體1 1 1a。多個傳導汲極接觸點88將電子性地 連接;及極8 7到〉及極區域8 9，而多個傳導源極接觸 點98將電子性地連接源極97到源極區域99。 被各個FET驅動電路所佔據之區域將較佳地 小’且各個FET驅動電路的導通電阻將較佳地低， 例如少於或等於1 4或1 6歐姆（即至多14或16 歐姆），這便需要有效率的FET驅動電路。例如， 導通電阻Ron與FET驅動電路面積a的相關性將 如下： 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 542792 五、發明說明（

Ron< (250,000 歐姆•微米 2)/a 其中面積A為平方微米（"m2)。這可藉由如具 有尽度少於或4於800埃（AngStr〇ms)(即至多 埃）的閘極氧化層93來達成，或閘極長度少於4"m 的閘極氧化層93來達成。同時，具有電阻為至少 100歐姆的加熱器電阻器相較於具有較低電阻的加 熱菇電阻器來說，將可允許製造較小的p；ET電路， 因為較大加熱器電阻器值將使較大FET開啟電阻 能忍受寄生與加熱器電阻器之間的能量分散。 另一個特定實例是，汲極87、汲極區域89、 源極9 7、源極區域9 9與多晶石夕閘極指9彳可以實 質上垂直或橫切於參考軸L與接地匯流排ι81的 縱向延伸程度而延伸。同時，對各個FET電路85 而言’沒極區域8 9與源極區域9 9橫切於參考軸 的範圍將相同於閘極指橫切地於參考軸L的範圍， 如第6圖所示’其將界定出主動區域橫切於該參 考軸L的範圍。為了對照方便，汲極87、汲極區 域89、源極97、源極區域99與多晶石夕閘極指91 的範圍可稱為該等元件的縱向延伸程度，只要該等 元件是呈條狀或指狀般地長且狹窄。 藉由展示的實例，各個FET電路85的導通電 阻將可藉由控制汲極區域指之連續性非接觸部分的 縱向延伸程度或長度而個別地構形，其中一連續性 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -I ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

542792 A7 五、發明說明（1今 ! 局 消 費 社 印 製 非接觸部分將缺少電子接觸點88。例如，汲極區 域指之連續性非接觸部分可以開始於離加熱器電阻 器56最遠的沒極區域89端點。特定FET電路85 的導通電阻將以連續性非接觸汲極區域指部分的增 加長度來增加，且該長度將被選出以測定出特定 FET電路的導通電阻。 另一個實例是，各個FET電路85的導通電阻 將可藉由選出FET電路的尺寸而構形。例如，FET 電路橫切於該參考軸L的範圍可以被選出以界定出 該導通電阻。 在當中特定FET電路85的電源線跡路徑將由 直接路徑合理地安排至位於列印頭結構之縱向地分 離端點最近端點上的黏合襯墊74的典型實行中， 寄生電阻將以離列印頭之最近端點的距離而增加， 且FET驅動電路85的導通電阻將以離該最近端點 的距離（使FET電路更有效率）而減少，以便抵銷 電源線跡寄生電阻中的增加。另一個特定實例是， 對於開始於離加熱器電阻器56最遠的個別旰丁驅 動電路8 5之;及極區域指端點的連續性非接觸沒極 指部分來說，該部分的長度將以離該列印頭結構之 縱向分離端點之最近端點的距離而減少。 各個接地匯流排181將由與FET電路85的汲 極87與源極97相同的薄膜金屬化層形成，且包 含源極與汲極區域89與99的各個FET電路主動 22 本紙張尺[適財_家標準（C_NSM4規格⑵。χ 297公餐 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 542792 A7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 區域，以及多晶矽閘極91將較佳地延伸在相關連 接地匯流排181的下面。這將使接地匯流排與FET 電路陣列佔據較狹窄的區域，這相對地形成較狹窄 且因此較節省成本的薄膜次結構。 同時，在汲極區域指的連續性非接觸部分開始 於離加熱器電阻态5 6最遠的汲極區域指端點的一 實行中，當連續性非接觸汲極指區域的長度增加 時各個接地匯流排1 81橫切於或橫向於參考軸[ 且面對於相關連加熱器電阻器56的範圍便可以增 加，因為汲極並不需要延伸過該連續性非接觸汲極 指區域。換言之，接地匯流排181的寬度w可以 藉由增加接地匯流排壓在FET驅動電路85下面之 主動區域的量而增加，端看續性非接觸汲極指區域 部分的長度而定。這並不需要增加接地匯流排181 與其相關連FET驅動電路陣列81所佔據的區域寬 度便可以達成，因為該項增加係為藉由增加FE丁 驅動電路85之接地匯流排與主動區域之間的重 1而達成的。有效地，在任何特定FET電路85 接地匯流排與橫切於參考軸L之主動區域係重疊 没極區域之連續性非接觸部分的實質寬度。 在連續性非接觸汲極區域部分將開始於離加 器電阻器5 6最遠的汲極區域指端點且該連續性非 接觸汲極區域部分的長度將以離該列印頭結構之最 近端點距離而減少的特定實例中，具有連續性非接 疊 於 熱 厂蠍-------丨訂---------線"4^" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 23

542792 五、發明說明（21) 觸汲極區域部分之長度變化之接地匯流排181寬 度w的模組或變化將使寬度為W181的接地匯流 排的寬度隨著接近於該列印頭結構的最近端點而增 加，如第8圖所說明。由於共享電流量將隨著接 近於黏合襯墊74而增加，該形狀將較佳地將提供 隨著接近於黏合襯墊74而降低的接地匯流排電 阻。 匯流排電阻可以同時減少接地匯流排1 81的橫 向地延伸部分而成為解碼器邏輯電路3 5之間的縱 向間隔區域。例如，該部分可以以解碼器邏輯電路 35所开）成之區域中的寬度而橫向地延伸超過主動 區域。 與墨滴產生器欄狀陣列相關連的以下電路部分 可以包含在個別區域中，該個別區域將具有在第6 圖與第8圖所指明的下列寬度，藉由隨著該寬度 值的元件指定方式。 -------- I ^---------線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 包含以下物件之區域 寬度 電阻器引線57 大約95微米（；/m)或更 少（W5 7) FET電路81 例如，至多為250/vm 或至多為 180/ym (W81) 解碼邏輯電路31 大約 34/im或更少 (W31) 原始選定型態線跡86 大約 290"m或更少 (W86) 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 542792

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 542792 A7 B7 五、發明說明（25) 元件標號對照表 11 薄膜次結構或晶粒 12 墨水障壁層 13 孔口或喷嘴板 19 墨水腔室 20 喷墨列印裝置 21 孔口或喷嘴 29 墨水通道 31 欄狀陣列 33 位址匯流排 35 解碼器邏輯電路 40 墨滴產生器 51 相對邊緣 52 相對邊緣 53 相對邊緣、薄膜次結構的縱向分別端點 54 相對邊緣、薄膜次結構的縱向分別端點 56 薄膜加熱器電阻器 56a 電阻器區域 56b電阻器區域 57a加熱器電阻器引線 57b加熱器電阻器引線 58 互連通孔 59 金屬化區域 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 542792 A7 B7 五、發明說明（26) 61 欄狀陣列或欄狀群組 61 a原始群組 61b原始群組 61c原始群組 61 d原始群組 71 墨水饋入狹槽 74 金黏合襯墊、黏合襯墊 81 FET驅動電路陣列 85 FET驅動電路 86 原始選定型態線跡 86a原始選定型態線跡 86b原始選定型態線跡 86c原始選定型態線跡 86d原始選定型態線跡 87 汲極指 88 傳導汲極接觸點 89 汲極區域指 91 多晶石夕閘極指 93 薄閘極氧化層 95 磷矽酸鹽玻璃層 9 7 源極指 98 傳導源極接觸點 99 源極區域指 100喷墨列印頭 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 542792 A7 B7 五、發明說明（27) 1 1 1 a矽基體 1 1 1b FET閘極與介電層 1 1 1 c電阻器層 1 1 1 d第一金屬化層 1 1 1e複合鈍化層 1 1 1f鈕機械鈍化層 1 1 1 g金傳導層 122底盤 122a垂直面板 124外罩或包覆體 125 列印區 1 26適應列印媒體處理系統 128饋送托盤 129驅動輥子 1 30可縮回輸出乾燥翼狀部件 132輸出托盤 133彎曲箭頭 134滑動長度調整臂 135信封饋入狹槽 136列印機控制器 138滑桿 139印刷電路板 140列印載架 150單色列印墨水匣 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -——.----------------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 542792 A7 _B7 五、發明說明（28) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 152 三色列印墨水匣 1 54 列印頭 156 列印頭 1 58 傳動帶 1 59 線性編碼條 1 70 夾持桿 1 72 閂鎖部件或蓋子 181 欄狀接地匯流排 185 反樞轉棒 CP 欄狀陣列間的間隔或間距 CP7 内側攔狀陣列間的間距或間隔 L 參考軸 LS 長度 P 喷嘴間距 PS 墨水喷發原始選定型態信號（能量) W 寬度 ii 3 --------^---------^ IAW1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 542792 •修正補充苳?碎”、曰 六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第90122010號專利申請案申請專利範圍修正本92年4月24曰 1 · 一種喷墨列印頭，其包含： 一列印頭基體（11)，其包含多個薄膜層； 墨滴產生器（40)的四個邊對邊攔狀陣列（61)，其 係形成在5亥列印頭基體中且沿著一縱向延伸程 度而延伸； 墨滴產生器的各個攔狀陣列具有以一墨滴產生 器間距Ρ所分隔開來的至少1 00個墨滴產生器； 該墨滴產生器的四個攔狀陣列包含以至多630 微米彼此間隔開來的第一攔狀陣列與第二欄狀 陣列，以及以至多630微米彼此間隔開來的第 三攔狀陣列與第四欄狀陣列； 該墨滴產生器可產生具有業已決定之相同顏色 的墨滴，該墨滴可致能於一解析度下的單程列 印方式，而該解析度沿著平行於該縱向延伸程 度的一列印軸不少於1/(4P)dpi ;以及 形成在該列印頭基體中之FET驅動電路（85)的 四個攔狀陣列（81 )，該陣列個別地相鄰於該墨滴 產生器的欄狀陣列用以供應能量至該墨滴產生 器的攔狀陣列。 2·如申請專利範圍第1項之列印頭，其另包含第 一墨水饋入狹槽（71)與第二墨水饋入狹槽 (71)，且其中： 閱 訂 # 32 (210 x 297 公釐） M2792

   忒墨滴產生器的第一襴狀陣列與該墨滴產生器 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 的第二攔狀陣列係設置在該第一墨水饋入狹槽 的任一邊；以及 該墨滴產生器的第三欄狀陣列與該墨滴產生器 的第四攔狀陣列係設置在該第二墨水饋入狹槽 的任一邊。 3·如申請專利範圍帛2狀列印頭，纟中該墨滴 產生器的第二攔狀陣列與該墨滴產生器的第三 欄狀陣列將以至多800微米的距離互相間隔開 來。 4·如申請專利範圍第1項之列印頭，其中ρ將介 於1/300英吋至1/600英吋之間的範圍。 5_如申請專利範圍帛1項之列印頭，其中該墨滴 產生器係以噴出具有墨滴體積介於12至19微 微公升之間範圍之墨滴的方式來構形。 6·如申請專利範圍帛1項之列印頭，其中該墨滴 產生裔係以喷出具有墨滴體積介於3至7微微 公升之間範圍之墨滴的方式來構形。 7·如申請專利範圍第1項之列印頭，其中各個該 墨滴產生器將包含一加熱器電阻器（56)，其具有 至少為100歐姆的電阻。 8·如申請專利範圍第彳項之列印頭，其另包括接 地匯流排（181)，該接地匯流排將重疊於該FET 驅動電路的主動區域。 33 本紙張尺度適用中ιϋ標準（CNS)A4規格咖χ 297公爱〜—〜— _ 裝--------訂---------. 填寫本頁)

   具中各個該 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 .如申請專利範圍第1項之列印頭 ^ FET驅動電路將具有少於（25〇,〇〇〇歐姆·平方微 米）/A的導通電阻，其中a為該FET電路的面 積（以平方微米為單位）。 1 〇·如申請專利範圍第9項之列印頭，其中各個該 FET驅動電路的閘極氧化層（93)厚度至多為 800 埃（Angstroms)。 11. 如申請專利範圍第9項之列印頭，其中各個該 FET驅動電路的閘極長度少於$微米。 12. 如申請專利範圍第彳項之列印頭，其中各個該 FET電路的導通電阻至多為14歐姆。 13·如申請專利範圍第彳項之列印頭，其中各個該 FET電路的導通電阻至多為16歐姆。 14_如申請專利範圍第彳項之列印頭，其另包括電 源線跡（86a、86b、86c、86d、181)，且其中， FET驅動電路係以彌補該電源線跡所引起之寄 生電阻而構形。 如申請專利範圍第14項之列印頭，其中該fet 電路的個別導通電阻係被選出以彌補該電源線 跡所引起之寄生電阻的變化。 16·如申請專利範圍第15項之列印頭，其中該各個 FET電路的尺寸係被選出以設定該$通電阻。 17·如申請專利範圍第15項之列印頭，其中各個該 FET電路包括： 人 34 t Wi?Tai)A4 (210 X 297 公F - - - - ----訂------I-- (請先閱讀背面之注音心事項,填寫本頁} Μ 0 542792 申請專利範圍 部 智 慧 局 員 工 消 費 汲極（87); 汲極區域（89); 電子性地連接該汲極至該汲極區域的汲極接觸 點（88); 源極（97); 源極區域（99); 電子性地連接該源極至該源極區域的源極接觸 點（98);以及 其中該汲極區域係以設定該各個FET電路的一 導通電阻來構形，以彌補該電源線跡所引起之 寄生電阻的變化。 18·如申請專利範圍第彳7項之列印頭，其中該汲極 區域包含經延長汲極區域，各個該經延長汲極 區域包括一連續性非接觸部分，而該部分的長 度係被選出以設定該導通電阻。 19.如申請專利範圍第1項之列印頭，其中該 電路的各個攔狀陣列將包含在其寬度至多為 180微米的一區域中。 2〇·如申請專利範圍第彳項之列印頭，其中該fet 電路的各個攔狀陣列將包含在其寬度至多為 250微米的一區域中。 21.如申請專利範圍第！項之列印頭，其中該列印 頭基體具有長度LS與寬度WS,且其中LS 上WS的比例將大於3.7。 賣 訂 # 比 35 t紙張尺度翻t咖家辟（CNS)A4規彳; 297公釐） I 542792 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 22.如申請專利範圍第21項之列印頭，其中WS大 約為2900微米。 36 I I j---------------訂---------· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）