A7 B7 ^558twf.doc/006 五、發明說明（丨） 本發明是有關於一種記憶體架構及其所使用的控制 器，且特別是有關於一種整合多種記憶體於一體的一種記 憶體架構及其所使用的控制器。 高密度的快閃記憶體（FLASH memory)已在很多應用方 面使用，如可攜式電話（Mobile phone)及個人數位助理器 (PDA)。其中，快閃記憶體主要是用來儲存程式碼，資料 碼（如文字字型，影像，聲音等）及個人的資料（如電話號 碼）。而由於系統穩定後，程式碼及資料碼已經固定，所 以以高密度快閃記憶體來儲存程式碼及資料碼，並不符合 經濟效益。藉由減少快閃記憶體的容量需求，而只將快閃 記憶體用來儲存會產生變動的個人資料，可降低整個裝置 的成本。因此，一種同時包括快閃記憶體及遮罩式唯讀記 憶體（Mask ROM)的記憶體架構，有實際上存在的必要。 習知整合兩種記憶體的記憶體架構包括一快閃記憶體 及一靜態隨機存取記憶體（SRAM)，並將此兩種記憶體包 含在同一封裝中。此記憶體的架構特徵在於，快閃記憶體 及SRAM共同分享位址線及資料線，但是各自擁有自己的 控制線及電源線，因此，結合成的記憶體架構的腳位與快 閃記憶體不同，無法與快閃記憶體相容。 因此由上述所知，習知之技術具有以下缺點： 1 ·因總體腳位數的不同，而產生相容性的問題，使印 刷電路板需要重新佈局。 2·由於控制訊號及電源訊號的不同，軟體方面必須改 寫。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525168 7 55 8twf. doc/006 A7 B7 五、發明說明（z) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有鑑於此，本發明提供一種記憶體架構及其所使用的 控制器。此種記憶體架構，係由兩種記憶體組合而成，但 是以其中一種記憶體的總體腳位數爲此記憶體架構的總體 腳位數，且此兩種記憶體使用相同的控制線及電源線，因 此可以達到消除相容性的問題及使軟體不需改寫的目的。 爲達成上述目的，本發明提出一種記憶體架構，此記 憶體架構一次所能讀取的記憶體範圍稱爲總體記憶容量， 且此記憶體架構之記憶容量爲總體記憶容量時具有總體腳 位數，此總體腳位數爲此記憶體架構之使用腳位數與未使 用腳位數的和。此記憶體架構包括容量爲第一記憶容量的 第一記憶體，與容量爲第二記憶容量的第二記憶體。且第 一記憶體之記憶容量爲特定之固定容量時具有數量爲第一 使用腳位數的腳位，而第二記憶體之記憶容量爲固定容量 時則具有數量爲第二使用腳位數的腳位。其中，第一使用 腳位數大於第二使用腳位數，且此記憶體架構的總體腳位 數符合第一記憶體之記憶容量爲總體記憶容量時的第一總 體腳位數。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本發明之一較佳實施例中，第一記憶容量與第二記 憶容量之總和與該總體記憶容量相同。 在本發明的另一較佳實施例中，第二記憶容量大於第 一記憶容量，且第二記憶體具有記憶容量分別與第一記憶 容量相當之數個儲存區。此第一記憶體係用以取代第二記 憶體之儲存區中的一個，以使讀取此記憶體架構時所能讀 取的範圍爲第一記憶體與第二記憶體除被第-j記憶體所替 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 525168 755 8twf. doc/00 6 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i、發明說明（>) 換之儲存區外的數個儲存區。而且被第一儲存區所替換的 儲存區可替代第二記憶體之儲存區中，除被第一記憶體所 替換的儲存區之外的任一個儲存區。此外，尙可包括至少 一個第二記憶體替換儲存區，而每一個第二記憶體替換儲 存區的記憶容量係與上述的儲存區相當。任一個第二記憶 體替換儲存區可替代一個上述的儲存區，以使此記憶體架 構所能讀取的範圍爲上述之第一記憶體、用以替換儲存區 的至少一個第二記憶體替換儲存區，以及儲存區中未被前 述兩者所替換的部分。 在本發明的另一較佳實施例中，此記憶體架構更包括 至少一個替換記憶體，此替換記憶體之記憶容量與第二記 憶容量相同。當讀取此記憶體架構之時，讀取之範圍爲第 二記憶體或一個上述替換記憶體所形成之讀取記憶體中未 被第一記憶體替換的儲存區，以及上述的第一記憶體。 在本發明的又一個較佳實施例中，此記憶體架構不但 具有至少一個替換記憶體，更具有至少一個第二記憶體替 換儲存區。其中，第二記憶體本身或替換整個第二記憶體 的替換記憶體如上被稱爲讀取記憶體，而第二記憶體替換 儲存區則用以替換上述讀取記憶體中的部分儲存區，以使 得讀取此記憶體架構時所能讀取的範圍爲上述之第一記憶 體、替換讀取記憶體中部分儲存區所用的第二記憶體替換 儲存區，以及讀取記憶體中未被第一記憶體與第二記憶體 替換儲存區所替換的部分儲存區。 本發明還提供一種記憶體架構，此記憶體架構包括具 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格 (210 X 297公釐）
Aw -------1 ^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 525168 7558twf.doc/006 A7 B7 五、發明說明（4 ) 有第一容量的第一記憶體，以及具有第二容量的第二記憶 體。其中，此記憶體架構之總體腳位數符合第一記憶體於 總體記憶容量時的第一總體腳位數。 本發明另外還提供一種記憶體架構所使用的控制器， 其適用於具有第一記憶體與第二記憶體的記憶體架構中。 此控制器具有區塊辨識單元，命令辨識單元，以及記憶體 選擇單元。其中，區塊辨識單元根據所輸入之存取位址而 輸出記憶體存取訊號。命令辨識單元則根據所輸入之控制 訊號輸出一個記憶體模式訊號。記憶體選擇單元即根據此 記憶體存取訊號與記憶體模式訊號以決定存取第一記憶體 或第二記憶體。 在本發明之一較佳實施例中，記憶體架構所使用的 控制器的區塊辨識單元具有第一記憶體位址暫存器及第一 比較器。其中，第一記憶體位址暫存器係用以儲存可辨識 用以表示第一記憶體之位址的辨識第一記憶體位址位元。 第一比較器係用以比較該辨識第一記憶體位址位元與所輸 入之存取位址中對應於該辨識第一記憶體位址位元的部分 位元，並根據比較結果輸出一比較訊號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明的一個較佳實施例中，此控制器還具有一個 取代儲存區暫存器，第二比較器，虛擬儲存區暫存器以及 一個多工器組。其中，定義辨識取代儲存區位址位元爲可 辨識用以表示第二記憶體中被第一記憶體所取代之儲存區 所要取代的第二記憶體之儲存區的位址。取代儲存區暫存 器則係用以儲存此辨識取代儲存區位址位元。第二比較器 6 本紙張尺度適用準（CNSM4規格⑵〇 X 297公餐） 525168 A7 B7 755 8twf. doc/006 五、發明說明（夕） 則比較辨識取代儲存區位址位元與存取位址中對應於辨識 取代儲存區位址位元的部份，並根據比較所得的結果輸出 一個致能訊號。虛擬儲存區暫存器用以儲存辨識第一記憶 體位址位元。而多工器組則根據上述的致能訊號，將辨識 第一記憶體位址位元或存取位址之相對應位元傳送到解碼 器。 此外，控制器還可以包括一個介面電路，此介面電路 則係用以更動上述之第一記憶體位址暫存器，取代儲存區 暫存器與虛擬儲存區暫存器三者中至少一個的儲存內容。 在本發明的另一個較佳實施例中，此控制器除了區塊 辨識單元，命令辨識單元，以及記憶體選擇單元之外，還 具有取代儲存區暫存器，第二比較器，交換儲存區暫存器， 以及多工器組。其中，取代儲存區暫存器用以儲存前述之 辨識取代儲存區位址位元。第二比較器則比較此辨識取代 儲存區位址位元與存取位址中對應於此辨識取代儲存區位 址位元的部份，並根據比較所得的結果輸出致能訊號。交 換儲存區暫存器儲存辨識第一記憶體位址位元與表示替換 記憶體之編號的一個替換編號。其中，替換記憶體係用以 替換第二記憶體。而多工器組則根據此致能訊號以將交換 儲存區暫存器中所儲存之辨識第一記憶體位址位元或所輸 入之存取位址之相對應位元傳送到解碼器。 綜上所述，本發明藉由控制訊號及總體腳位數的整 合，再加上本發明所設計的可選擇任一種記憶體之存取位 址的控制器，可使由兩種記憶體所組成的記憶體架構的總 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） -----------•裝--------訂---------MW, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525168 A7 B7 7558twf.doc/006 五、發明說明（6) (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 體腳位數能與其中一種記憶體總體腳位數相符。因此，本 發明可以解決之前多種記憶體組成新記憶體架構時所產生 的總體腳位數不符而導致電路必須重新设δ十的問題。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點，能更加 明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖示，做詳 細說明如下： 圖式簡單說明： 第1圖繪示的是根據本發明之記憶體架構之一較佳實 施例的電路方塊圖； 第2圖繪示的是根據本發明之記億體架構之一較佳實 施例的記憶體配置方塊圖； 第3圖繪示的是根據本發明之記憶體架構所使用之控 制器之一較佳實施例的方塊圖； 第4圖繪示的是根據本發明之記憶體架構所使用之控 制器之一較佳實施例的電路圖； 第5圖繪示的是根據本發明之記憶體架構之另一較佳 實施例的一記憶體配置方塊圖； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第6圖繪示的是根據本發明之記憶體架構所使用之控 制器之另一較佳實施例的電路圖； 第7圖繪示的是根據本發明之記憶體架構之再一較佳 實施例的一記憶體配置方塊圖； 第8圖繪示的是根據本發明之記憶體架構之再一較佳 實施例的另一記憶體配置方塊圖； 第9圖繪示的是根據本發明之記憶體架構之再一較佳 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2_1〇 X 297公髮)-- 525168 7558twf.doc/006 A7 B7 五、發明說明（1) 實施例的再一記憶體配置方塊圖；以及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第10圖繪示的是根據本發明之記憶體架構所使用之 控制器之再一較佳實施例的電路圖。 重要元件標號·· 20，50，70，80，90 :記憶體架構 100，22，52，72，82，92 :遮罩式唯讀記憶體 102，24，54，74，84，94 :快閃記憶體 208，508，708，808，908 ··快閃記憶體儲存區 200-206，500-507，700-707，709，800-807，800，-807,， 900-907，900’-907’，909，910 :遮罩式唯讀記憶體之儲 存區 104 ， 210 ， 210a ， 510 ， 510a ， 710 ， 810 ， 810a ， 912 :控 制器 30 :區塊辨識單元 32 :命令辨識單元 34 :記憶體選擇單元 402，606，1006 :第一記憶體位址（FS)暫存器 404，620 ··比較器 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 602 :取代儲存區（RS)暫存器 604 :虛擬儲存區（VS)暫存器 608，1008 :控制器部分電路 610 :介面電路 612 ··多工器組 61 4，616，61 8 ··緩衝器 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 525168 A7 B7 7558twf.d〇c/006 五、發明說明（？） 1004 :交換儲存區（SS)暫存器 ^佳實施例: 在說明實施例之前必須注意的是，在以下的實施例中 雖然爲了方便起見僅以快閃記憶體與遮罩式唯讀記憶體 (Mask ROM)爲例說明，但熟知此技藝者當知，只要是以兩 種不同的記憶體組合成一個記憶體架構，而想以符合其中 一種記憶體的總體腳位數爲此記憶體架構之總體腳位數的 狀況，就可以本發明適用之。其中總體腳位數爲使用腳位 數與未使用腳位數的和。使用腳位數包括位址、資料、控 制、電源及接地等訊號所使用的腳位數。而未使用腳位數 是不需連接至其它地方的腳位數。換言之，本發明對熟悉 此技藝者而言，當可適用於以兩種不同的記憶體組合成一 個記憶體架構的狀況，而非僅能限定於快閃記憶體與遮罩 式唯讀記憶體的組合上。 第1圖繪示的是本發明所提供之記憶體架構的一個較 佳實施例的電路方塊圖，此記憶體架構包括記憶體容量爲 64M位元的Mask ROM 100、記憶體容量爲8M位元的快閃 記憶體102、以及控制器104。此記憶體架構的特徵在於 其腳位配置必須與64M位元的快閃記憶體所使用的腳位配 置完全相同。而在此記憶體架構之中的控制器，則是用來 決定以哪一種記憶體存取資料。 請參照第2圖，其繪示的是根據本發明之記憶體架構 之一較佳實施例的記憶體配置方塊圖。在第2圖中，讀取 範圍爲64M位兀的記憶體架構2〇包括記憶體容量爲56m 10 -------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇 X 297公爱） 525168 A7 B7 7558twf.doc/006 五、發明說明（气） 位元Mask ROM (22)、記憶體容量爲8M位元的快閃記憶體 24、以及控制器210。其中以快閃記憶體24之儲存區208 之大小做爲Mask ROM (22)分區的標準，也就是每個分區 爲8M位元。因此，記憶體架構20可分爲8個儲存區，這 8個儲存區是透過儲存區位址中的最高三個位元（PA21， PA20及PA19)做解碼。其中，Mask ROM (22)被分爲7個 儲存區（圖中標號爲200至206)，當存取到標號爲207的 儲存區時，在此記憶體架構20之下就會轉而存取由快閃 記憶體24所提供的8M記憶體空間（標號208)。 在以兩種記憶體組合而成的新記憶體架構下，當兩種 記憶體的容量總和與外界讀取新記憶體架構時所看到的總 體記憶容量相同，則此新記憶體架構所使用之控制器的一 個較佳實施例可以第3圖繪示的方塊圖表示。在本實施 例中，控制器包含三個部分：（1)區塊辨識單元30，用以 根據所輸入之存取位址輸出相對應的記憶體存取訊號；（2) 命令辨識單元32，用以根據所輸入之控制訊號輸出記憶體 模式訊號；以及（3)記憶體選擇單元34，其根據上述的記 憶體存取訊號與記憶體模式訊號，決定存取兩種記憶體的 其中一'種。 第4圖繪示的是根據本發明，而以快閃記憶體與Mask R⑽所組成之記憶體架構所使用之控制器之一較佳實施例 的電路圖。其中，如第3圖中的區塊辨識單元30在第4 圖中包含以下兩個部分：（1)第一記憶體位址儲存區（以下 簡稱FS)暫存器402，用來儲存可辨識用以表示快閃記憶 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公髮) "一 ^--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525168 A7 755 8twf. doc/00 6 __B7__ 五、發明說明（A?) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 體24之位址的一組辨識第一記憶體位址位元，在本實施 例中則是指代表快閃記憶體儲存區208之位址的最高三個 位元的値。（2)比較器（Comparator )404 ’用來比較所輸入 之存取位址中的最高三個位元（PA21，PA20及PA19)與FS 暫存器302的値，並根據比較的結果輸出前述的記憶體存 取訊號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 控制器210a的運作情形如下：在FS暫存器402中儲 存代表快閃記憶體儲存區之位址的最高三個位元的値，並 於接收到外界存取此記憶體架構的位址時，由比較器404 比較所接收到的位址中最高的三個位元與FS暫存器中的 値是否相同。當相同時且命令致能訊號（Command Enable， 以下簡稱CE#)爲低位準時，無法讀取Mask ROM，並產生 快閃記憶體命令致能訊號（Command enable FLASH，簡稱 CE_F)，以存取快閃記憶體。相反地，當比較器104比較 所接收到的位址中最高的三個位元與FS暫存器中的値不 同且CE#爲低位準時，則允許存取Mask ROM中的儲存區。 此外，當CE#命令致能訊號且寫入致能訊號（Write Enable，簡稱WE#)同時爲低準位時，例如將寫入（program) 或淸除（ei^se)的命令傳送至快閃記憶體，故Mask ROM不 允許被讀取。在本實施例中，CE#與WE#即爲第3圖中所述 之控制訊號，而後續的訊號處理部分則包括了第3圖中的 命令辨識單元32與記憶體選擇單元34。 爲使上述的實施例更顯而易懂，以下列的例子來做說 明。請同時參照第2圖，當FS暫存器402的値是（1，1， 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) "" 6 IX 5 2 ^55 8twf. doc/006 ----- B7__ 發明說明（丨I) 1)，如果（PA21，PA20，PA19)的位址也是（1，1，1)，貝 ij 存取快閃記憶體儲存區208 ;如果（PA21，PA20，PA19)
Input Address 存取資料的區域 0-6 0-6(Mask ROM) 7 7(FLASH) ------------t--- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 的位址是（1，1，〇)，則存取Mask ROM的儲存區206。其 存取資料的區域與輸入位址之間的關係可詳如以下列袠 声設FS臀里器706的値爲7) ·· 奉· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接下來請參照第5圖，其所繪示的是根據本發明之 記憶體架構之另一較佳實施例的的一記憶體配置方塊圖。 在此請注意，由於在之後的實施例中都是以快閃記憶體_ Mask ROM爲例子，因此將以新記憶體架構稱呼之後的記憶 體架構。在第5圖中，讀取範圍爲64M位元的新記憶體架 構50包括記憶體容量爲64M位元的Mask ROM(52)、記憶 體容量爲8M位元的快閃記憶體54、以及控制器510。在 此記憶體架構下，快閃記憶體508可以取代任一儲存區（如 507 )，而其所使用的方法則與第2圖所示的記憶體架構相 同。而且被取代的儲存區（507)還可以取代其它的儲存區 ( 500-506)。雖然第5圖所繪示的記憶體配置架構中，Mask ROM與快閃記憶體之記憶容量的總合會大於外界讀取此記 憶體架構時所看到的總體記憶容量，但卻可以在設計上更 有彈性。 而如第5圖所示的記憶體配置架構可以以第6圖所 繪示的控制器的電路達成控制所需的功能。請參照第6圖， 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 525168 7558twf. doc/006 A7 B7
五、發明說明（ 其繪不的是根據本發明之記憶體架構所使用之控制器之另 一較佳實施例的電路圖。其中，控制器部分電路608所執 行的功能及架構與第4圖所示者相同，在此不予以重複 贅述。在第6圖中的控制器510a與第4圖的新記憶體架 構控制器的差異在於，（1)虛擬儲存區（Virtual Segment， 簡稱VS)暫存器604所儲存的是被快閃記憶體508所取代 之儲存區507的位址的最高三個位元。（2)取代儲存區 (Replaced Segment，簡稱RS)暫存器602所儲存的則是 被取代之儲存區（在本實施例中爲儲存區507)所要取代的 其他儲存區（ 500-506)的位址的最高三個位元。（3)介面電 路610，其可用來改變FS暫存器606，RS暫存器602及VS 暫存器604的値。（4)多工器組612，包括三個多工器，用 以將VS暫存器604中所儲存的値或存取位址中的最高三 個位元（PA21，PA20，PA19)傳送至後續的解碼器650。其 中，在此實施例中，因FS與VS所儲存之資料相同，皆爲 儲存區（507)的位址的最高的三個位元。因此，或可以以 一暫存器取代，以簡化電路。 此架構的特徵在於，當RS暫存器602所儲存的値與 所輸入的存取位址經由比較器620的比較得到二者相同的 結果的時候，就由比較器620輸出一個致能訊號至多工器 組612，以將VS暫存器中所儲存的値透過多工器組以傳送 到解碼器650進行後續的操作。而當經由比較器620比較 所得的結果是RS暫存器602所儲存的値與所輸入的存取 位址不同時，則比較器620所輸出的致能訊號就會使多工 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝訂---I I I I — (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525168 A7 7 55 8twf·d〇c/〇 Ο 6 _B7______— 五、發明說明（丨3 ) 器組612選擇將所輸入的存取位址中，經由位址緩衝器 614，616與618所暫存的最高三個位元（PA21，PA2〇， PA19)，傳輸至解碼器650之中。 爲使其更顯而易懂，以下列的例子來做說明，當FS 暫存器606與VS暫存器604所儲存的値同樣是（1，1，丨）’ 而RS暫存器中所儲存的値爲（1，1，0)的時候，如果（PA21， PA20，PA19)的位址也是（1，1，丨）’則由於控制器部分電 路608的運作，無論RS暫存器602所存的値爲何，所存 取到的都會是快閃記憶體508。但如果（PA21，PA20, PA19) 的位址與FS暫存器606的內容不同，則必須視RS暫存器 602中所存的値來決定所輸入之存取位址進行存取操作的 標的。如果RS暫存器602所儲存的値是（1，1，1)且（PA21， PA20，PA19)的位址是（1，1，〇)，則Mask ROM中的儲存 區506被存取。如果RS暫存器602所儲存的値是（1，1， 0)且（PA21，PA20，PA19)的位址是（1，1，0)，則 Mask ROM 中的虛擬儲存區507被存取。其解碼器（Decoder)所得的 資料與輸入位址，VS暫存器604及RS暫存器602之間的 關係可詳如以下列表（假設FS暫存器606的値爲7):
Input Address VS register RS register Decoder 0-6 7 7 0-6(Mask ROM) 7 7 7 7(FLASH) 0-5 7 6 0-5(Mask ROM) 6 7 6 7(Mask ROM) 7 7 6 7(FLASH) 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 525168 7 55 8twf. doc/006
五、發明說明（丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第7圖繪示的是根據本發明之記憶體架構之又一較 貫施例的的5己彳思體配置方塊圖。在第7圖中，讀取範 0爲64M位元的新日己彳思體架構7〇包括$措㈣客量择72M 位元的㈣卿2)、記讎容量爲記7憶 體74、以及控制器710。Mask ROM中，在此記憶體架構下， 除了快閃sSk體708可以取代任一儲存區如7〇7及被取 代的儲存區7〇7可以取代其它的儲存區二_7()=外， 3s可以儲存E爲709(即專利範圍中所述之第二記彳章體替換 儲存區）來與被取代的儲存區707所取代之儲存區外的其 它的儲存區進行交換。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第8圖繪示的是根據本發明之記憶體架構之再一較佳 實施例的另一記憶體配置方塊圖。在第8圖中，讀取範圍 爲64M位兀的新記憶體架構8〇包括記憶體容量爲128M位 元的Mask ROM(82)、記憶體容量爲8M位元的快閃記憶體 84、以及控制器810。此架構.的特徵在於，快閃記憶體808 可以取代任一儲存區（如807)，還可以一組額外的儲存區 (即專利範圍中所述之替換記憶體800’-807，）來與儲存區 800-807相互交換，並且快閃記憶體808也可以取代儲存 區807’。在交換之後，被快閃記憶體808取代的儲存區 807’，還可以取代其它的儲存區（800’-806’）。 第9圖繪示的是根據本發明之記憶體架構之再一較 佳實施例的再一記憶體配置方塊圖。在第9圖中，讀取範 圍爲64M位元的新記憶體架構90包括記憶體容量爲144M 位元的Mask ROM(92)、記憶體容量爲8M位元的快閃記憶 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 525168 A7 7 55 8twf. doc/00 6 1、發明說明（〇 體94、以及控制器912。此架構的特徵在於，快閃記憶體 908可以取代儲存區900〜907中之任一儲存區，且有一組 額外的儲存區（即專利範圍中所述之替換記憶體9〇〇, 407，） 可與儲存區900-907相互交換，快閃記憶體908可以取 代儲存區900’〜907’中之任一儲存區’，以及在交換之後， 被快閃記憶體908取代的儲存區907’，可以取代儲存區 (900’-906’）外，還可以儲存區909，910(即專利範圍中所 述之第二記憶體替換儲存區）來與被取代的儲存區9〇7，所 取代之儲存區外的其它的儲存區進行交換。 而如第7、8、9圖所示的記憶體配置架構可以第10圖 所繪示的控制器的電路達成控制所需的功能。請參照第10 圖’其繪示的是根據本發明之記憶體架構所使用之控制器 之再一較佳實施例的電路圖。由於第7、8、9圖的記憶體 架構之控制器具有相同的電路，所以配合第8圖的記憶體 架構作說明。其中，控制器部分電路1〇〇8所執行的功能 及架構與第4圖相同。第1〇圖之控制器81〇a與第6圖 的控制器510a的差異在於：交換儲存區（swap Segment ， 簡稱SS)暫存器1004所儲存的內容包括兩個部分，其一是 被快閃記憶體所取代之儲存區的位址的最高三個位元，另 一則是用以替換儲存區800-807的替換記憶體的編號。在 本實施例中，則分別以位元S0-S2與位元S3來表示。在 此要補充說明的是，由於第9圖中之Mask R0M(92)之儲存 區爲18個，已經超過第1〇圖中之ss暫存器丨〇〇4所能選 擇的儲存區之最高數目16個，所以SS暫存器1〇〇4必須 17 '' 又 Τ囷國豕標準（CNS)A4規格（21〇x297公髮） -----------t ------$--— — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 6 IX 5 2 5 五 7 55 8 twf. doc/0 0 6 一 _B7 _發明說明（4) 多加一個位兀，才能達成第9圖的需求。以此類推，爲使 用更多的Mask ROM，就必須相對應於SS暫存器1〇〇4中增 加適當的位元數，以符合選擇時的需求。 此電路的運作與前述第6圖中的運作方式類似，現以 弟8圖爲例，將其邏輯特性以下表表示。其中，假設fs 暫存器1006的値爲7，且S3=0時代表原始的Mask ROM(即 儲存區800-807 ’後稱爲L.B·) ’而S3 = l時則代表替代記 憶體（前述的800’-807’，後稱爲H.B.)： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Input S3 S2-S0 RS Decoder Address 0-6 0 7 7 L.B. 0-6 7 0 7 7 7(FLASH) 0-5 0 7 6 L.B. 0-5 6 0 7 6 L.B. 7 7 0 7 6 7(FLASH) 0-6 1 7 7 Η·Β· 0，-6， 7 1 7 7 7(FLASH) 0-5 1 7 6 Η·Β· 0，-5， 6 1 7 6 Η·Β· 7， 7 1 7 6 7(FLASH) 綜上所述，本發明具有如下的優點： 1.由Mask ROM與快閃記憶體所組合而成之新記憶體 架構的使用腳位數及腳位配置與快閃記憶體的使用腳位數 及腳位配置完全相同，可以消除相容性上的問題。 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 525168 7558twf·d〇c/0〇6 A7 ________ B7 五、發明說明（/φ 2. 由於Mask ROM與快閃記憶體使用相同的控制線及 電源線，軟體方面不必重寫。 3. 由上述之本發明所提供的多種記憶體架構，可機動 地更改記憶體的組合方式，使運用上更具彈性。 4·藉由組合上述的多種記憶體架構，可以得到各種不 同方式的記憶體組合。 在此要重複強調的是，上述實施例中雖然是以快問記 憶體與Mask R⑽爲例，但這並非是本發明的限制條件。 熟知此技藝者皆可運用本發明之精神於各種不同記憶體的 組合上，亦即，本發明實可運用於各種不同的記憶體組合， 如快閃記憶體、Mask ROM、靜態隨機存取記憶體等等。此 外，雖然在上述的實施例中提及的暫存器（如FS暫存器， RS暫存器，或SS暫存器等）是以三個位元爲其儲存內容， 但實際上其精神係在於儲存足以辨識特定儲存區或特定言己 憶體的位址位元，而非限定一定要是三個位元才行，且也 並不限定只能有三個暫存器。熟悉此技藝者當知，藉由增 加暫存器的個數以及電路的小幅修改，就能夠增加所使用 之某一特定記憶體的儲存區個數或所能替代之儲存區的個 數。同樣的狀況也適用於所輸入之存取位址中用於比較器 比較與多工器選擇的部分。 雖然本發明已以較佳實施例揭露於上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所介定者爲準。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — — — — ——Awl i 111111 ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)