TW488071B - Phase grating image sensor and its manufacturing method - Google Patents
Phase grating image sensor and its manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- TW488071B TW488071B TW90111026A TW90111026A TW488071B TW 488071 B TW488071 B TW 488071B TW 90111026 A TW90111026 A TW 90111026A TW 90111026 A TW90111026 A TW 90111026A TW 488071 B TW488071 B TW 488071B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- phase grating
- image sensor
- phase
- diodes
- scope
- Prior art date
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488071 7277twf.doc/006 A7 __B7_____ 五、發明說明(/ ) 本發明是有關於一種影像感測器(Image Sensing Devlce)及其製造方法,且特別是有關於一種相位光柵式 (Phase Grating)影像感測器及其製造方法。 影像感測器係利用將光線射入二極體上,並依據光線 射入之量以產生光電子(Photoelectrons)。而影像感測器 係由許多二極體呈陣列式排列,如同圖元(Pixel)。然後, 每一二極體將依照影像感測器上之影像投出亮度產生電 荷,且在光線射入二極體之前,會先通過一彩色濾光層, 以使單一顏色組成之光轉換成電流。 第1圖是習知一種影像感測器結構圖。 請參照第1圖,習知之影像感測器結構係在已形成有 數個二極體(Photodiode)102之基底100上,形成隔離結 構104於各個二極體102之間。之後,在二極體102與隔 離結構104之表面上依序形成有一平坦層(Smoothing 1^76〇106與一彩色濾光層(0〇1(^?丨1161:1^761:)108,其 中彩色濾光層108係位於平坦層106之中,而與平坦層106 成一三明治結構。最後,在平坦層106上形成一聚光層 (Condense Lens Layer)112,其中聚光層112係由數個微 透鏡(Microlens)結構所組成。 習知之影像感測器是利用由數個微透鏡所組成之聚光 層,以提高影像感測器之靈敏度(Sens:it1V1ty),並減少 模糊之現象(Smear Phenomenon)。然而,通常以熱流製程 (Thermal Flow Procedure)所形成之微透鏡,其製程所需 控制之因子相當繁雜,例如熱流溫度、壓力等等。且通常 3 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) " " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • · ·ΒΙ·Ι a··· maa · · » 如-> n —i ϋ urn ϋ I— $mmm I 赢 488071 Λ7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 2 77twfl .doc/008 ^ m οQ111-^-2^ w m a---修正 ΰ,!·. 2_〇〇2. j. ^五、發明說明()) 微透鏡所使用之材質爲感光樹脂(Photosens i t ive Resin),而使得製造成本較爲昂貴。此外,習知所形成之 微透鏡之局度114必須大於微透鏡底部寬度之一半116 ’ 才能有效提升靈敏度,然而,習知之微透鏡利用係用完全 融化(Melt)的方式製作,因表面張力之故,常使所形成的 微透鏡的底部寬度之一半116比微透鏡之高度114大,且 對於所形成之微透鏡之尺寸並不容易控制,而更添加了製 程的複雜性。 因此,本發明的目的就是在提供一種相位光柵式影像 感測器,其製造法可以避免習知形成聚光層所面臨之問 題。 本發明的另一目的是提供一種相位光柵式影像感測 器,可大幅降低其製造成本,並降低其製程複雜度。 本發明提出一種相位光柵式影像感測器,其包括數個1 二極體、一平坦層、一彩色濾光層與數個相位光柵層’其 中,二極體係位於一基底上,且係以隔離結構予以隔離; 平坦層係覆蓋於二極體與隔離結構的表面上;彩色濾光層 係位於平坦層之中,且與平坦層呈一三明治結構;相位光 柵層則是配置平坦層的表面上,其位置對應於隔離結構 上,係用以使通過平坦層之光線產生建設性干涉。 本發明提出一種相位光柵式影像感測器,其包括數個 二極體、一平坦層、一彩色濾光層與數個相位光柵層’其 中,二極體係位於一基底上,且係以隔離結構予以隔離; 平坦層係覆蓋於二極體與隔離結構的表面上;相位光柵層 4 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·# 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488071 7277twf.doc/006 A7 B7 五、發明說明(>) 係位於平坦層之中,其位置對應於隔離結構上,係用以使 通過平坦層之光線產生建設性干涉;彩色濾光層則是配置 平坦層的表面上。 本發明提出一種相位光柵式影像感測器之製造方法, 首先於一基底上形成數個二極體,之後在各個二極體之間 形成一隔離結構,用以隔離各個二極體,接著在數個二極 體與數個隔離結構的表面上形成一第一平坦層,並在第一 平坦層上形成一彩色濾光層,之後在彩色濾光層上形成一 第二平坦層,接著在第二平坦層上形成一相位光柵材料 層,然後圖案化相位光柵材料層,以形成數個相位光柵, 其中此數個相位光柵係用以使通過彩色濾光層之光線產生 建設性干涉。 本發明提出一種相位光柵式影像感測器之製造方法, 首先於一基底上形成數個二極體,之後在各個二極體之間 形成一隔離結構,用以隔離各個二極體,接著在數個二極 體與數個隔離結構的表面上形成一第一平坦層,之後在第 一平坦層上形成一相位光柵材料層,之後圖案化相位光柵 材料層,以形成數個相位光柵,接著在第一平坦層上形成 一第二平坦層,並覆蓋數個相位光柵,然後在第二平坦層 上形成一彩色濾光層,此數個相位光柵可以使通過彩色濾 光層之光線產生建設性干涉。 本發明之相位光柵係利用一般CMOS標準製程即可形 成’因此其製程條件較易於控制,且較習知形成微透鏡之 方法更爲簡化。 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) ----------------I---訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 488071 7277twf.d〇c/〇〇6 A7 B7 五、發明說明(…) 本發明所形成之相位光柵,由相位光柵至二極體間之 距離以及相位光柵之寬度與高度等條件較易於控制。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之相位光柵之材質係採用金屬材質,較習知之 感光材質之微透鏡,可大幅降低其製造成本。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂,下文特舉一較佳實施例’並配合所附圖式,作詳 細說明如下: 圖式之簡單說明: 第1圖爲習知一種影像感測器結構圖。 第2A圖至第2C圖是依照本發明一較佳實施例之相位 光柵式影像感測器之製造流程剖面圖。 第3圖是依照本發明一較佳實施例之相位光栅式影像 感測器之相位光柵上視圖。 第4A圖至第4C圖是依照本發明另一較佳實施例之相 位光柵式影像感測器之製造流程剖面圖。 圖式之標示說明: 100、200、400 :基底 102、202、402、302 :二極體 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 104、204、404 :隔離結構 106、206、406 :第一平坦層 108、208、414 :彩色濾光層 110、210、412 :第二平坦層 112 :聚光層 114 :微透鏡之高度 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 488071 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7277twf.doc/006 A7 五、發明說明(;) 112 :微透鏡底部寬度之一半 212、408 :相位光柵層 212a、408a、300 :相位光柵 214、410 :光阻層 第一實施例 . 第2A圖至第2C圖,其繪示依照本發明一較佳實施例 的一種相位光柵式影像感測器的製造流程剖面圖。 請參照第2A圖,首先提供一基底200,且基底200上 已形成有數個二極體202。之後,在各個二極體202之間 形成一隔離結構204。其中隔離結構204之材質例如爲氧 化矽。接著,在二極體202與隔離結構204的表面上形成 一第一平坦層206,第一平坦層206之材質例如爲氧化矽 或憐砂玻璃。然後’在第一平坦層206上形成一'彩色濾光 層208。之後,在彩色濾光層208上行成一第二平坦層210, 第二平坦層210之材質例如爲氧化矽或磷矽玻璃。其中彩 色濾光層208係位於第一平坦層206與第二平坦層210之 間,而形成一三明治結構。接著,在第二平坦層21〇之表 面上形成一相位光柵材料層212,其中相位光柵材料層212 之材質例如爲金屬材質,較佳的材質例如爲鉻。 之後,請參照第2B圖,在相位光柵材料層212上行 成一圖案化之光阻層214,以圖案化相位光栅材料層us。 然後’請參照第2C圖,之後,進行一触刻製p,以 形成數個相位光柵212a,其中此數個相位光柵=壬、 一 ’12 a係配 置在對應於隔離結構204之第二平坦層210的表面上且 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0S------- —訂---------· 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(2】〇 X 297公爱) 488071 7 2 7 7 twf . doc / 0 0 6 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(έ ) 此數個相位光柵212a係用以使通過第二平坦層210、彩色 濾光層208與第一平坦層206之光線產生建設性干涉,而 達到提高感測器之靈敏度之目的。 第3圖所示,其繪示爲依照本發明一較佳實施例之相 位光柵式影像感測器之相位光柵上視圖。 . 本實施例之數個相位光柵212a係配置於環繞在數個 二極體202之周緣,換言之,此數個相位光柵212a係由 數個環繞在二極體202周緣之同心環所組成,如第3圖所 示,其中相位光柵300之最內圏之位置302係爲二極體之 位置。 第二實施例 第4A圖至第4C圖,其繪示依照本發明另一較佳實施 例之相位光柵式影像感測器的製造流程剖面圖。 請參照第4A圖,首先提供一基底400,且基底400上 已形成有數個二極體402。之後,在各個二極體402之間 形成一^隔離結構404。其中隔離結構404之材質例如爲氧 化矽。接著,在二極體402與隔離結構406的表面上形成 一第一平坦層406,第一平坦層406之材質例如爲氧化石夕 或磷矽玻璃。然後,在第一平坦層406上形成一相位光柵 材料層408,其中相位光柵材料層408之材質例如爲金屬 材質,較佳的材質例如爲鉻。 之後,請參照第4B圖,在相位光栅材料層408上形 成一圖案化之光阻層410,以圖案化相位光柵材料層4〇8。 然後,請參照第4C圖,之後,進行一蝕刻製程,以 8 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 488071 A7 7277twf.doc/006 五、發明說明(1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成數個相位光柵410a。而此數個相位光柵410a係配置 於環繞在數個二極體402之周緣,換言之,此數個相位光 柵410a係由數個環繞在二極體402周緣之同心環所組成, 其相位光柵410a之上視圖如第3圖所示,其中相位光柵300 之最內圏之位置302係爲二極體之位置。 . 接著,在第一平坦層406上行成一第二平坦層412, 並覆蓋此數個相位光柵410 a,以使此數個相位光柵410 a 配置在對應於隔離結構404之第二平坦層210中,其中第 二平坦層412之材質例如爲氧化矽或磷矽玻璃。之後,在 第二平坦層412上形成彩色濾光層414。而此數個相位光 柵410a可以使通過彩色濾光層414、第二平坦層412與第 一平坦層406之光線產生建設性干涉,以達提高到感測器 之靈敏度之目的。 本發明可將相位光柵形成於平坦層之上,亦可形成於 平坦層之中,皆可達到使通過彩色濾光層與平坦層之光線 產生建設性干涉,而達到提高感測器之靈敏度之目的。 綜合以上所述,本發明具有下列優點: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1·本發明之相位光栅係利用一般CMOS標準製程即可 形成,因此其製程條件較習知微透鏡之方法易於控制,且 較習知形成微透鏡之方法較爲簡化。 2·本發明利用蝕刻製程以形成相位光柵’因此,對於 相位光栅至二極體間之距離以及相位光柵之寬度與高度等 較易於控制。 3·本發明之相位光柵之材質係採用金屬材質,其成本 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱1 " 488071 7277twf .doc/006 A7 _B7 五、發明說明(g ) 較習知感光材質之微透鏡低廉。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以 限定本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精神 和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Claims (1)
- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488071 A8 7 2 7 7 twf . doc / Ο Ο 6 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種相位光柵式影像感測器,包括: 複數個二極體位於一基底上; 一隔離結構,其位於該些二極體之間,用以隔離該些 二極體; 一平坦層,其覆蓋於該些二極體與該隔離結構的表面 上; 一彩色濾光層,其位於該平坦層之中,且與該平坦層 呈一三明治結構;以及 複數個相位光柵,配置在對應於該些隔離結構之該平 坦層的表面上,該些相位光柵係用以使通過該平坦層之光 線產生建設性干涉。 2. 如申請專利範圍第1項所述之相位光柵式影像感測 器,其中,該些相位光柵係配置在對應於該些隔離結構之 該平坦層的表面上,且係環繞於該些二極體之周緣。 3. 如申請專利範圍第2項所述之相位光柵式影像感測 器,其中,各個相位光柵係由複數個環繞該些二極體其周 緣之同心環所組成。 4. 如申請專利範圍第3項所述之相位光柵式影像感測 器,其中,該些相位光柵之材質包括金屬。 5. 如申請專利範圍第4項所述之相位光柵式影像感測 器,其中,該些相位光柵之材質包括鉻。 6. 如申請專利範圍第1項所述之相位光栅式影像感測 器,其中,該些相位光柵之材質包括金屬。 7. 如申請專利範圍第6項所述之相位光柵式影像感測 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參 訂---------線: 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488071 A8 7 2 7 7 twf . doc / 0 Ο 6 〇8 D8 六、申請專利範圍 器,其中,該些相位光柵之材質包括鉻。 8. 如申請專利範圍第1項所述之相位光柵式影像感測 器,其中,該平坦層之材質包括氧化矽與磷矽玻璃其中之 -- 〇 9. 如申請專利範圍第1項所述之相位光柵式影像感測 器,其中,該平坦層包括: 一第一平坦層,其覆蓋該些二極體與該隔離結構的表 面,且與該彩色濾光層之一表面相連;以及 一第二平坦層,其覆蓋該彩色濾光層之另一表面。 10. —種相位光柵式影像感測器,包括: 複數個二極體位於一基底上; 一隔離結構,其位於該些二極體之間,用以隔離該些 二極體; 一平坦層,其覆蓋於該些二極體與該隔離結構的表面 上; 一彩色濾光層,其覆蓋於該平坦層之表面上;以及 複數個相位光柵,其配置在對應於該些隔離結構之該 平坦層之中,該些相位光柵係用以使通過該彩色瀘光層之 光線產生建設性干涉。 11. 如申請專利範圍第10項所述之相位光柵式影像感 測器,其中,該些相位光柵係配置在對應於該些隔離結構 之該平坦層之中,且係環繞於該些二極體之周緣。 12. 如申請專利範圍第11項所述之相位光柵式影像感 測器,其中,各個相位光柵係由複數個環繞該些二極體其 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--I---II 線 »· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488071 A8 t B8 7277twf.doc/006 C8 D8 六、申請專利範圍 周緣之同心環所組成。 13. 如申請專利範圍第12項所述之相位光柵式影像感 測器,其中,該些相位光栅之材質包括金屬。 14. 如申請專利範圍第13項所述之相位光柵式影像感 測器,其中,該些相位光柵之材質包括鉻。 15. 如申請專利範圍第10項所述之相位光柵式影像感 測器,其中,該些相位光柵之材質包括金屬。 16. 如申請專利範圍第15項所述之相位光柵式影像感 測器,其中,該些相位光柵之材質包括鉻。 Π.如申請專利範圍第10項所述之相位光柵式影像感 測器,其中,該平坦層之材質包括氧化矽與磷矽玻璃其中 之一。 18.—種相位光柵式影像感測器之製造方法,該方法 包括: 於一基底中形成複數個二極體; 在該些二極體之間形成一隔離結構,用以隔離該些二 極體; 在該些二極體與該隔離結構的表面上形成一第一平坦 層; 在該第一平坦層上形成一彩色濾光層; 在該彩色濾光層上形成一第二平坦層; 在該第二平坦層上形成一相位光柵材料層;以及 圖案化該相位光柵材料層,以形成複數個相位光栅, 其中該些相位光柵係用以使通過該彩色濾光層之光線產生 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線· 488071 A8 7277twf.doc/006 C8 D8 六、申請專利範圍 建設性干涉。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19. 如申請專利範圍第18項所述之相位光柵式影像感 測器之製造方法,其中,圖案化該光柵材料層的方法係採 用微影、蝕刻法,且其所形成之該些相位光柵係對應於該 些隔離結構之上,且係環繞於該些二極體之周緣。 20. 如申請專利範圍第19項所述之相位光柵式影像感 測器之製造方法,其中,該光柵材料層係圖案化成複數個 環繞該些二極體其周緣之同心環以形成該些相位光柵。 21. 如申請專利範圍第18項所述之相位光柵式影像感 測器之製造方法,其中,該相位光柵材料層之材質包括金 屬。 22. 如申請專利範圍第21項所述之相位光柵式影像感 測器之製造方法,其中,該相位光柵材料層之材質包括鉻。 23. —種相位光柵式影像感測器之製造方法,包括下 列步驟: 於一基底中形成複數個二極體; 在該些二極體之間形成一隔離結構,用以隔離該些二 極體; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在該些二極體與該隔離結構的表面上形成一第一平坦 層; 在該第一平坦層上形成一相位光柵材料層; 圖案化該相位光柵材料層,以形成複數個相位光柵; 在該第一平坦層上形成一第二平坦層,並覆蓋該些相 位光柵;以及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 488071 六、申請專利範圍 在該第二平坦層上形成一彩色濾光層,該些相位光栅 可以使通過該彩色濾光層之光線產生建設性干涉。 24. 如申請專利範圍第23項所述之相位光柵式影像感 測器之製造方法,其中,圖案化該相位光柵材料層的方法 係採用微影、蝕刻法,且其所形成之該些相位光柵係對應 於該些隔離結構之上,且係環繞於該些二極體之周緣。 25. 如申請專利範圍第24項所述之相位光柵式影像感 測器之製造方法,其中,該光柵材料層係圖案化成複數個 環繞該些二極體其周緣之同心環以形成該些相位光柵。 26. 如申請專利範圍第23項所述之相位光柵式影像感 測器之製造方法,其中,該相位光柵材料層之材質包括金 屬。 27. 如申請專利範圍第26項所述之相位光柵式影像感 測器之製造方法,其中,該相位光柵材料層之材質包括鉻。 ------------Ar--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW90111026A TW488071B (en) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | Phase grating image sensor and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW90111026A TW488071B (en) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | Phase grating image sensor and its manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW488071B true TW488071B (en) | 2002-05-21 |
Family
ID=21678184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW90111026A TW488071B (en) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | Phase grating image sensor and its manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW488071B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8092699B2 (en) | 2008-10-21 | 2012-01-10 | United Microelectronics Corp. | Method for forming phase grating |
-
2001
- 2001-05-09 TW TW90111026A patent/TW488071B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8092699B2 (en) | 2008-10-21 | 2012-01-10 | United Microelectronics Corp. | Method for forming phase grating |
US8792171B2 (en) | 2008-10-21 | 2014-07-29 | United Microelectronics Corp. | Phase grating with three-dimensional configuration |
US8885253B2 (en) | 2008-10-21 | 2014-11-11 | United Microelectronics Corp. | Phase grating with three-dimensional configuration |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6818934B1 (en) | Image sensor having micro-lens array separated with trench structures and method of making | |
US6638786B2 (en) | Image sensor having large micro-lenses at the peripheral regions | |
EP0511404B1 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same | |
CN100470818C (zh) | 具有内透镜的图像传感器 | |
TWI240992B (en) | Image sensor having micro-lenses with integrated color filter and method of making | |
CN100466282C (zh) | Cmos图像传感器的制造方法 | |
TW490850B (en) | Image pickup system | |
US10986293B2 (en) | Solid-state imaging device including microlenses on a substrate and method of manufacturing the same | |
JP4480740B2 (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 | |
TWI491031B (zh) | 影像感測器及其製造方法 | |
TW488071B (en) | Phase grating image sensor and its manufacturing method | |
US6570145B2 (en) | Phase grating image sensing device and method of manufacture | |
JP6311771B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
US8031253B2 (en) | Image sensor having micro-lens array separated with ridge structures and method of making | |
JPH11289073A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
TWI227037B (en) | Method of forming planar color filters in an image sensor | |
JP2002217393A (ja) | マイクロレンズの形成方法 | |
KR20010061586A (ko) | 이미지센서의 마이크로렌즈 형성 방법 | |
TWI275188B (en) | Image sensor having reduced stress color filters and method of making | |
CN110164892A (zh) | 图像传感器及其形成方法 | |
JP4997907B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラ | |
JP2008258203A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
JP2003249634A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
TW561621B (en) | Microlens set of image sensor device, image sensor device and manufacturing method of image sensor device | |
JP2001085651A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |