TW474849B - Windowless belt and method for improved in-situ wafer monitoring - Google Patents
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Description
A7 B7 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（ 發明背景 本發明大體上關於晶圓加工設備。更明確地説，本發明 關於一種半導體晶圓之化學機械研磨帶。 化学機械研磨（CMP)係用於使半導體晶圓平坦化。在半導 體晶圓製程中有許多步驟在晶圓上產生一非常不規則之表 面。爲了提高晶圓上半導體之可製造性，晶圓表面經平坦 化處理。舉例來説，爲了提咼一金屬交聯層之沈積均勻度 ’ to圓經平坦化處理以減少表面上之隆起和凹谷。 在習知平坦化技術中，一半導體晶圓面下抵住一移動研 磨墊支撑。有兩種類型之研磨或平坦化裝置爲慣常使用。 在旋轉平坦化技術中，一晶圓固定於固定於一夹具上且帶 動至與安裝在一旋轉檯上構成研磨面之平坦研磨墊接觸。 在線性平坦化技術中，一無端帶在二個或更多滾子上帶動 。TO圓放置爲抵住帶之研磨面。此種系統之一實例爲美國 加川弗力蒙（Fremont) Lam Research Corporation 製造之
TeresTM化學機械研磨系統。 通常期望在研磨過程中監測晶圓表面。一般而言，會在 帶上提供一光學窗口。光束自晶圓反射穿過窗口並測量反 射光線。 光學窗口避免漿料穿過帶子到工作檯上，漿料可能在工 作檯上乾燥並污染或刮傷工作檯，擋到光學系統或塞住流 體軸承口。有一些光學窗口設計爲避免漿料在窗口上集聚 ’如此光束不會受漿料干擾。然而，光學窗口可能改變或 過濾光束。窗口材料之不一致可能導致對晶圓表面之監測 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ------------裝--------訂--------.·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 474849 A7 _B7_ 五、發明說明（2 ) 不一致。就設計爲在施加空氣壓力時朝晶圓撓曲之窗口而 言，帶内窗口之不一致窗口材料或厚度或定位可能導致不 一致監測。窗口内漿料聚集或乾化漿料積累亦可能造成不 一致監測或刮傷.細缴昂貴的.晶圓。不一致監測無法達到偵 測平坦化處理終點（end point)之最大有效性。此外，在許多 情況中，窗口之物理性故障損壞研磨帶使其必須更換，不 管帶之研磨面的眞實狀況爲何。 因此，業界需要一種改良之化學機械研磨系統用研磨帶 ，其能更準確且更可靠地監測一晶圓表面而不對晶圓或加 工設備造成損害。 發明概述 在此僅以介紹方式提出一種改良之化學機械平坦化（CMP) 系統用研磨帶。該帶有一孔隙穿透該帶，是以其爲無窗。 光束無阻礙地穿過該孔隙。藉由對作業工作檯或該帶底面 加水避免槳料乾化並清除之。藉由使用穿透該帶之孔隙， 提供更爲可靠的監測。該帶亦爲便宜且較易於製造，如此 以較低成本獲得較高品質之研磨帶。帶内無窗口之直接影 響爲較不需要維護，減少研磨帶故障或細緻昂貴晶圓上的 缺陷。 在一第一觀點中，一帶包含（1) 一研磨面，其用來研磨在 一化學機械線性研磨系統内之一工件且（2)提供與該研磨面 相向之一側。該帶構成一無端環且改良爲有至少一孔隙穿 透該帶。 在一第二觀點中提出一種用於化學機械研磨程序中研磨 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 474849 A7 _B7_；_ 五、發明說明（3 ) 工件之系統。該系統包括一監測器。一無端帶與該監測器 相鄰。該無端帶有至少一孔隙穿透該帶。有一無阻礙之路 徑穿過該空隙自該工件至該監測器。 在一第三觀點.中，提出一種用於化學機械研磨程序中研 磨工件之方法。一無端帶行經一工件。該無端帶有一孔隙 穿透該帶。穿過該孔隙測量該工件之一特質。經由該孔隙 至該工件之一路徑因該孔隙而無阻礙。 以上較佳實施例論述僅爲簡介。本段内容不應作爲對定 義本發明範圍之申請專利範圍的限制。 圖式簡單説明 圖1爲一線性化學機械研磨系統之較佳實施例的透視圖； 圖2爲一用於圖1系統之帶之較佳實施例的局部透視圖； 且 圖3爲一工件研磨方法之較佳實施例的流程圖。 現今較佳實施例詳細説明 較佳實施例包括一帶有一孔隙穿透該帶使該帶和孔隙沒 有窗口。該孔隙容許不受一光學窗口阻礙地監測一受研磨 工件之表面。來自一工作檯之強制氣流及/或水流避免漿料 阻塞該工作檯内之流體轴承口以及光學系統且避免漿料污 染工作檯表面。 圖1爲一用來研磨工件之線性化學機械研磨或平坦化 (C Μ P)系統10之透視圖。系統10包括一帶12，一第一滾子14 ，一第二滚子13，一工作檯25，一研磨頭18 , —漿料施配 器2 1，一調節器20，一監測器28及一控制器3 0。圖示實施 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂--------_線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工，消費合作社印製 例l系統10適於使工件（例如半導體晶圓n)平坦化。不過在 系統10内實施之作業原則同樣可應用於其他工件之化學機 械研磨。 浓子U和14相隔一段預定距離以拉張並移動帶12。滚子 13和14之直徑較佳約介於2英吋至4〇英吋之間。帶12之運動 線性地平坦化晶圓U。滾子13和14其中之_或二者例如藉 由一電動機以箭頭16所示方向轉動。滚子13和14使該帶移 動經過晶圓11。較佳來説，帶12以約1〇至1〇〇〇英尺/分鐘（更 佳爲約100至400英尺/分鐘）之速率移動。其他輸送機構包括 輪予、滑輪及維持帶12之適當張力之拉張裝置的組合以及 相關傳動件如電動機和機械連捍組。 作業參數如帶I2之速度和張力係由控制器3〇控制。控制 器J 〇包含—處理器或其他計算裝置依據儲存在一相伴記憶 體内之資料和指令運作。 在作業時，將晶圓11安裝於研磨頭18上。晶圓u藉由眞 二力、一止動環或以任何其他適當技術安裝且留置就位。 較佳來説’在晶圓11與研磨頭18之間使用一承載薄膜。研 磨頭18安裝於一臂件上且可在控制器3〇之控制下運動。舉 例來説，研磨頭18在帶12上方旋轉。研磨頭18對晶圓丨丨施 加抵住帶丨2之研磨壓力，例如約1-15榜重/平方英忖（例如 5磅重/平方英吋）。 爲了進一步控制研磨壓力，將工作檯25定位於晶圓^下 方研磨頭18對面。較佳來説，工作檯2 5包含一流體工作檯 。在—實施例中’在工作檯25中心提供1-250毫升/分鐘的水 ---— — — — — — — —--------訂--------Μ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 474849 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 且在自中心徑向向外之一共心環提供空氣壓力。較佳工作 檯25之中央流體部分包含與下文所述帶12之孔隙4〇相當的 面積和形狀。流體工作檯揭示於1996年4月26日申請之美國 專利申請案第〇8/638,462號及美國專利第5,558,568號和 5,593,344號中，以上各專利在此以提及方式併入。可使用 其他類型工作檯控制研磨壓力，例如運用空氣恩力、水壓 、來自機械連結件之壓力、電磁壓或以上之組合的機構。 帶12在晶圓11之前表面與工作檯25之間通翁。工作檯25 對帶12施加壓力。在一些應用中，工作檯25排列爲在控制 器30之控制下以工作檯25之可控制區域施加壓力。舉例來 説，在工作檯25之表面上徑向排列1至3〇個區域。此種控制 壓力施加讓帶12能均勻地研磨晶圓n之表面。較佳來説， 必須在帶I2與工作檯25之間使用一去離子水預濕層以協助 避免漿料阻塞流道。 漿料施配备21對帶12施配一漿料，較佳以約5 _5 〇〇毫升/分 鐘之流率施配。爲了達到均勻的平坦化或研磨效果，漿料 均勻地散佈於晶圓11之表面上。一般而言該漿料包括二個 组份。不同用途或物質使用不同組份，端視所要去除或研 磨之物質而定。舉例來説，用來平坦化晶圓u表面上之二 氧化矽層的漿料组份即與用來平坦化表面上之一金屬層的 漿料組份不同。同樣的，適於鎢金屬層之漿料組份與比鎢 軟之銅層所用的漿料不同。在多數情況中，磨粒（例如二氧 化砂或氧化銘）與-化學藥物結合，例如對si〇2使用氨氧化 神或nh4oh’對金屬使用士0、KI〇33tFe(N〇3)3。不過，得 ------------^^裂--------訂--------.線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 474849 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（6 ) 使用不含未溶解粒子之化學溶液。在此等案例中，磨粒可 加在研磨π内。化學藥物使表面軟化或水合，磨粒去除表 面物質。在一實施例中，漿料之pH値約爲1 5至12。有一種 漿料爲Hoechst出品之Klebesol。 調節器2〇處理帶12之表面將該帶之粗糙度或研磨能力維 持爲相當固定。隨著帶12平坦化或研磨晶圓丨丨，自晶圓丄^ 去除I物質會沈積在帶12的表面上。調節器2〇清潔並加粗 帶12之表面以去除沈積物並避免帶12變形。 帶12較佳爲一無端環形研磨帶。在—實施例中，帶。爲訌 14英吋寬、0.020-0,200英吋厚，約9(Μ 1〇英吋長且由滾子 13和14以500-5000磅重之張力撑住。在所示實施例中，帶 12心尺寸訂爲搭配美國加州弗力蒙[碰 C〇rporatlon出品之TeresTM化學機械研磨系統使用。 帶12具備有效作業所需之任何適當尺寸。不同研磨工具 可能需要不同帶長和帶寬。不同工件大小可能需要不同帶 寬。又，不同類型之研磨可能需要不同特質：整體厚度， 密度，硬度，可壓縮性’彈性，以及多層之不同相對厚度 。帶之頂面或底面得爲凸形或凹形或其他形狀以配合待 研磨工件之輪廓或配合帶下滚子或支撑結構。 可使用不同類型之帶12，例如⑴單層/多層帶，⑺經不 .銹鋼、纖維或織物強化之帶或（3)無此等強化之帶，或⑷其 他已知或尚待開發之帶’例如以研磨墊黏附於一支撑帶或 不銹鋼圈或具期望特質之其他材料製造m施例 中，帶12以無額外加強物之單—無端層製造，該單—無端 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公笼 --------------------訂--------Γ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 474849 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（ 層提t、研磨表面以及安裝、拉張和捲動（加出㈣之機械強 度。-聚合物層如微孔尿垸構成無端環。該聚合材料具有 大致均勻（厚度和結構。帶12應具充分彈性以在使用期間 維持張力，亦即.不在使用期間鬆弛。帶12可預期在_6〇1至 + 150°C之溫度作業。 在另Λ施例中，帶12具有複數層。附加層得以任何適 當材料（包括橡膠或塑膠）製造。—般而言，丨同層由不同材 料製成且具有不同特質、結構、尺寸和機能。在一實例中 ，-雙層帶12有-如下文所述之頂部研磨層及—聚合物底 層或相向層。在-較硬研磨層底下之一較教底層提高㈣ 々整體剛性JL容許充分柔敕性使研磨層彎曲酉己合晶圓U之 表面。 帶12在無端環之-側上有—研磨面15且在無端環之另— 側上有一反面或底面17。該帶具有連接研磨面15與反面Ρ 〈邊緣19。—般而言’帶12之外側或頂面爲研磨心，然 其内表面亦可爲研磨面15。此外，帶12可爲可翻面，以其 二表面在同時或不同時用於研磨。其二表面可用於不同:員 型之研磨作業，且多層帶可包含適用於不同研磨應用之= 同材料。 ' 、在-實^施例中，帶12之研磨面15有複數個溝槽。舉例來 説，该等溝槽爲0.005-0.100英吋深，〇 〇〇5_〇 ι〇〇英吋寬且 節距爲每英….5G個'可使用其他溝槽參數，例如較小= 槽用來在晶圓11下方輸送漿#。該等溝槽得爲多種構造中 之任一種，例如直線形、矩形、U字形或ν字形。反面_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- 474849 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 爲平滑或有紋理。反面17考具有溝槽或隆脊或其他物理特 徵讓帶12與滚子丨3和丨4適切配合。帶12表面上之紋理和物 理特徵可爲模造或可在二次製造作業中構成。在替代實施 例中不提供溝槽或紋理。 、 研磨面15之其他紋理可提供爲取代溝槽或在溝槽之外額 外附加。研磨層得爲實心或成多孔蜂窩狀。一實心層較佳 遍及其長度和斷面皆一致實心。蜂窩狀聚合物包括^漿料 載送至晶圓11表面之空格或小孔。此等蜂窩狀小格可爲開 放或射閉且得以任何f當方式構成，其中非偈限性包括^ 製、膨脹擴張、發泡等，且含有中空微型元件。在—應用 中，所用聚合物爲具有(Μ至1000微米級之小空格的微孔尿 燒。研磨層可包含各種添加物，其中非偈限性包括潤 和磨粒。 ^ 爲了料在漿料内使用較低濃度之磨粒，可對整個研磨 層政佈填充料及/或磨粒（例如平均粒徑小於1微米）。漿料 濃度較低使光線較不散射，得以更爲準確地監測。7 研磨材料得以包括橡膠或塑膠之任何適當材料製造。橡 膠和〒膠之實例非偈限性包括：聚氨醋，聚脲，聚酯，聚 誕’環氧化物，聚酿胺，聚礙酸醋，聚乙浠，聚丙缔，含 氟聚合物，乙晞基聚合物’丙烯酸和甲基丙埽酸聚合物： ㈣，膠乳，氮化橡膠’異戊二烯橡膠，丁二缔橡膠，以 2乙缔、丁二缔和丙缔赌之各種共聚物。所用聚合物得 局固性或熱塑性。 參照圖1和2,圖中顯示帶12内有-孔隙40。孔隙40穿過 -----------裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
474849 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（9 ) 帶12，穿透帶12之所有層。其不像形成或嵌入帶12内之習 知窗口有阻礙。因此，帶12或孔隙40沒有窗口。孔隙⑽因 f透帶12而容許對晶圓u表面進行直接現場監測。孔隙4〇 藉由在帶I2内沖.孔或車削加工（例如雷射切割）形成，或以形 成孔隙40爲模造或製造帶12之程序的—部份。 可提供-或多個孔隙40穿透帶12。較佳來説，三個孔隙 40沿帶12之長度等間隔分佈。該等孔隙定位於邊緣^之間 之帶12中央。在—實施例中，每-孔隙爲G.25_2英叶直徑之 圓形。較佳來説，其形狀少有或没有邊角（例如爲_形或 卵形）以避免卡住乾化漿料。可使用具有邊角之形狀。孔隙 40可使用其他形狀、大小、位置和數量。 監測器28利用孔隙40測量晶圓丨丨之一特質。監測器28包 含一光線發射/接收裝置用來判定晶圓u表面之薄膜類型及/ 或薄膜厚度。例如使用一短距離漫反射感測器，例如Sunx 牌CX-24型感測器。發射一包含白光之寬頻束流。可使用其 他波長，例如紫外光或紅外光。可使用其他監測器，例如 美國專利申請案第09/038,171號所揭示之監測器。”監測器 (monitor)'’ 一詞在此廣泛涵蓋能用於在化學機械研磨處理過 程中現場監測一晶圓之任何裝置。此等裝置非侷限性包括 :一光源，干涉儀，偏振光橢圓計，束流剖面反射計，或 光應力產生器。#由測量特質得以判定化學機械研磨程序 之終點。亦可測量去除率，速率偏差値以及平均去除率。 監測器28定位爲與帶12相鄰，較佳來説，監測器μ定俨 於工作檯25下彳。監測器28導引一束流（例如光束 -12- 本紙張ϋ適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮 -----------裝--------訂--------11^^1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明說明（10 Α7 Β7 檯25内之一窗口，通過孔隙4〇到達晶圓11上。該束流沿相 同路徑反射以進行測量。在替代實施例中’監測器定位於 工作檯25上方或相鄰或定位在其他位置與帶12相鄰。 在一實施例中.，監測器28在每一孔隙40介於監測器28與 晶圓11之間時受引動進行測量。監測器28受一觸發機構引 動。舉例來説，沿邊緣19或帶 12之另一部分提供一凹口或 觸發孔42。一旦孔隙40經過監測器28，觸發孔或凹口 42接 合—感測器表示孔隙40與晶圓11相鄭。監測器28回應於此 對帶12在孔隙40附近投射光線或其他能量。一旦孔隙4〇過 了晶圓11，監測器28測量從晶圓11反射回來的光線或其他 能量。測量系統藉由測量能量及其變異提供化學機械研磨 系統10研磨進度之讀數。觸發孔或凹口 42可安置爲與孔隙 40成任何關係。此外，可對帶12内之每一孔隙4〇提供一個 觸發孔或凹口 42。在替代實施例中，監測器28爲持續作動。 除了任何凹口 42之外，帶12之邊緣19爲平滑、有紋理或 有圖案。邊緣19可含有做其他用途之孔或其他物理特徵， 例如用來協助使用中之帶的校直和捲動或是用來協助計算 轉數。帶12之邊緣19係在模造過程中成形或是在二次製造 作業（例如切削，鑽孔，車床加工或沖孔）中構成。 在作業時，晶圓11定位爲與帶丨2相鄰。帶丨2隨滚子丨3和 14轉動而研磨晶圓11。漿料施配器21在帶12上施配漿料。 i 邵份漿料自晶圓11下方通過。晶圓11將部份漿料移到帶12 义兩侧或邊緣。調節器20在帶12研磨之後調節該帶。工作 檯25利用水、$氣或其他壓力裝置對帶η施加壓力。該塵 _ -13- 本紙張尺度適用1國規格（210 χ 297 )— --— iIIIIIIII — -------I ^ - — 111— — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11474849 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ 力確保最佳壓力分佈及研磨面i5與晶圓i i間之適切接觸。 圖3爲表現一化學機械研磨監測程序實施例之流程圖。爲 了監測研磨作業，在步驟50中使孔隙4〇自晶圓丨丨與監測器 28之間通過。一旦有一凹口42通過一感測器即啓動監測器 28。該感測器定位爲使監測器28在相應孔隙4〇處於監測器 28與晶圓之間1丨之同時觸發。在有一個以上的孔隙4〇時， 每一孔隙40沿晶圓匕通過。監測器28因每一孔隙4〇而觸發 。監測器28在啓動之後對晶圓丨丨發出一束流（例如一光束）。 在步驟52中以反射爲基礎偵測出晶圓u之一特質。 爲避免乾化漿料擋到光學系統或刮傷或堵塞工作檯及流 體軸承口之局郅，較佳由工作檯25利用空氣和水對帶12施 加壓力。水預先濕潤工作檯25中央。水避免工作檯25上之 漿料乾化，避免漿料在讓流體（例如空氣或水）通過形成流體 軸承之工作檯噴口内乾化，且避免刮傷工作檯窗口或在窗 口上形成薄膜。該壓力（不論是水、空氣或由其他機構施加 之壓力）可避免漿料自孔隙40排到監測器28或工作檯25上。 該壓力可迫使部份漿料上到與晶圓丨丨相鄰之帶U研磨面15 上。在替代實施例中，避免乾漿料從孔隙4〇掉落。在其他 替代實施例中，使用吸力或重力將漿料拉離該孔隙且避免 損壞或妨礙工作檯之效能。在其他替代實施例中，可使用 加濕空氣對帶12之底面施加壓力且避免製料乾化或污染工 作檯2 5。 如以上所述’本説明書之實施例提供—種改良之化學機 械研磨帶及該T之使用方法。該帶不需要窗口材料。穿透 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------ I I I I---^ · I-----^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 474849 A7 B7 _______ 五、發明說明（12 ) 該帶之無阻孔隙提供更可靠的監測，降低製造成本，監測 不同帶之一致性提高，較易於維護，且降低故障可能。監 測束流未經任何窗口過遽或反射，不像使用在相同或不同 帶上具備不同過濾及反射特質之窗口。 儘管本説明書圖示且説明本發明之一特殊實施例，有可 能對其做出修改。因此預期以附屬申請專利範圍涵蓋所有 此等依循本發明眞實精神及範圍之變化和修改。 H al I IV H ϋ n n a^l 1^1 n ϋ 1^1 n M 1_ -i· i emmw a·— I I ^#1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本K ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
Claims (1)
- 474849 A8 B8 C8 D8 t、申請專利範圍 1. 一種帶，其包含（a) —研磨面用於一化學機械線性研磨系 統内研磨一工件及（b)與該研磨面相向之一側，該帶形成 一無端環，其改良處在於包含至少一孔隙穿透該帶使該 孔隙大致沒有窗口。 2. 如申請專利範圍第1項之帶，其中該帶有二個大致平行邊 緣且該孔隙居中於該二大致平行邊緣之間。 3. 如申請專利範圍第1項之帶，其中該孔隙包含一大致圓 形。 4. 如申請專利範圍第1項之帶，其中該帶有至少三個孔隙穿 透該帶。 5. 如申請專利範圍第4項之帶，其中該至少三個孔隙沿該無 端環等距間隔。 6. 如申請專利範圍第1項之帶，其更沿該帶之一第一邊緣包 含一凹口，該凹口相對於該孔隙定位。 7. 如申請專利範圍第1項之帶，其更包含一觸發孔相對於該 孔隙定位。 8. —種以化學機械研磨法研磨工件之系統，其包含： 一監測器；及 一無端帶，其定位爲與該監測器相鄰，該無端帶有至 少一孔隙穿透該帶，其中自該工件穿過該孔隙至該監測 器之一路徑爲無阻礙，該孔隙實質上沒有窗口。 9. 如申請專利範圍第8項之系統，其中該無端帶有二個大致 平行邊緣且該孔隙居中於該二大致平行邊緣之間。 10. 如申請專利範圍第8項之系統，其中該無端帶有至少三個 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂·-------I線秦 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 A8 B8 C8 D8/、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 孔隙。 u•如申請專利範圍第8項之系統，其中該無端帶沿該帶之一 第一邊緣有一凹口或觸發孔，該凹口或觸發孔相對於貧 孔隙定位，其中該監測器之啓動係回應於該凹口 '二 或觸發 孔相對於該工件之一位置。 12. 如申請專利範圍第8項之系統，其更包含一漿料施配器定 位爲與該無端帶之一研磨側相鄰。 13. 如申請專利範圍第12項之系統’其更包含一工作接適於 對該無端帶加水。 如申請專利範圍第13項之系統，其中該水可操作避免聚 料乾化且大致清除一工作檯的漿料。 0.如申請專利範圍第13項之系統，其中該工作檯適於對該 無端帶·施加空氣。 0.—種以化學機械研磨程序硏磨工件之方法，其包含以下 步驟： (a) 使一無端帶沿一工件通過’該無端帶有一孔隙穿透 該帶，該孔隙沒有窗口；及 (b) 穿過該孔隙測量該工件之一特質’穿過該孔隙用來 測量該工件之一路徑因該帶内之孔隙而無阻礙。 17. 如申請專利範圍第16項之方法’其中步驟（a)包含使複數 個相隔孔隙沿該工件通過。 18. 如申請專利範圍第16項之方法’其中步驟（b)包含穿過該 孔隙對該工件發射一光束。 19. 如申請專利範圍第16項之方法，其更包含： · -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公 -----------裝---------訂--------.線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 888¾ ABCD 圍 位I 申請專利範 (c) 回應於一觸發凹口或觸發孔相對於該工件、 而觸發步驟（b)。 ^ ^ Λ .如申請專利範園第16項之方法，其更包含： (e)對該無端帶之一研磨側施加漿料，該 分與該工件相鄰。 磨側〈-郅 •如申請專利範圍第20項之方法，其更包含： (d) 以水對該無端帶施加壓力。 22·如申請專利範圍第21項之方法.，其更包含， (e) 藉由步騍（d)的水避免一工作檯上夕2丨』 阻塞；及 孔隙受乾化漿料 (f) 藉由步驟（d)的水自該工作檯之孔隙产 ΊΟ ; . , ·、θ除装料。 乂如申請專利範圍第21項之方法，其更包含. (e)以空氣對該無端帶施加壓力。 ------------裝---------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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