TW444358B - Luminescent device and the fabrication thereof - Google Patents

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Jin-Guo He
Tze-Ruen Chen
Jen-Shiung Jeng
Yuan-Jen You
Chang-Shiang Jung
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Ind Tech Res Inst
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4443 5 8 五、發明說明(1) 本發明係有關於一種發光元件及其製作方法,特別係 有關於一種高亮度發光二極體及其簡易製程 在各種發光元件中’發光二極體(LED)屬於應用相當 廣泛的一種發光元件,舉凡在通訊、顯示、裝飾、照明等 方面,發光二極體均普遍地被使用。自從可見光發光二極 體發明以來’如何增進元件的發光效率更是研發人員努力 的目標。 過去,在發光二極體的製造方面之研究,除了磊晶科 技的成就外’元件的設計與製程的改善,也有相當的進 步。相關的習知技術’例如,在美國專利第5008718號 中’R.M· Fletcher等人於磊晶層最外層成長—層電阻係 數低,且能隙大於活性層之窗戶層(window layer),其厚 度一般在五至數十微米之間’藉以使電極流出的電流均勻 分散’均勻流過活性層’以增加發光效率。另外,在美國 專利第5048035號中’曰本東芝公司提出了電流阻隔的構 想’可進一步將電流均勻分散流過活性層,以增加發光效 率。而在美國專利第523320 4號中,美國惠普公司也提出 厚透明層的概念’使活性層發出的光易於折射穿出晶粒, 增加光輸出。隨後,惠普公司又在美國專利第537658〇號 中’’揭露了晶片黏合(wafer bonding)的技術,去除掉吸 光的基板,以增加光輸出與提高發光效率。與此類似的是 曰本東芝公司,在其美國專利第531 71 67號中,揭露了利& 用製作厚的磊晶層,並去除吸光的基板,以增加光輸出。 又,在美國專利第5226053號中,美國貝爾實驗室
4443 5 8 五、發明說明(2)
Bell Lab.)應用分散布拉格反射層(distributed Bragg reflector),以增加光輸出。最後,在美國專利第 5481122號、第5717226號以及中華民國專利第291610號、 第2882 1 3號及第232753號中,工研院光電所揭露了使用透 明導電氧化物薄膜與電流阻隔結構,使電流均勻分散流過 活性層’以增加發光效率。 不過’前述習知技術多牵涉磊晶技術,製程時間較 長’成本也高。其中,惠普公司的晶片黏合技術需處理 數十微米厚之大面積薄膜,製程相當困難。至於工研院光 電所使用的透明導電氧化物薄膜係包括:I n2〇3、Sn02、 IT0( In2 03 -Sn02)、ZnO等,此類透明導電氧化物均為重摻 雜之η型半導體,其載子濃度約介於1〇丨9至i〇2icnrs之間, 電阻率約在l〇-3-l〇-4Qcm左右,然而一般AlGalnP四元發光 二極體均使用η型GaAs做為基板,在其上成長磊晶層,且 在其最外層為p型半導體,為了使透明導電氧化層與最外 層為P型半導體形成低的接觸電阻(contact resistance),最外層必須選擇能隙較小的半導體,且須 具有高的載子濃度,以形成隧穿二極體及背向式二極體, 使得電子能穿隧過界面,其相關說明可參見S. M. Sze著的 "Physics of semiconductor devices," Chapter 9,
John Wiley and Sons, New York, 1981,藉以得到低的 接觸電阻’如此才能達到電流分散的目的,增加發光效 率。但是為了達成低的接觸電阻,一般均使用p型GaAs做 為覆蓋層’因為一般在A1 Gal nP四元系統中無法將p型半導
Γ 4443 5 8 五、發明說明(3) 體的載子濃度提高到足以形成隧穿二極體或背向式二極體 的程度’只有GaAs能將電洞濃度提高至i〇i9cm_3以上,與 透明導電氧化物薄膜形成低的界面電阻,但是Ga^s在室溫 的能隙僅有1 · 42 4eV ’對可見光而言是吸收物質,因此會 降低了發光二極艘的發光效率β 有鑑於此’本發明之目的乃在於提出一種高亮度的發 光元件及其製作方法,其利用一複合透明導電氧化物薄膜 做為透明電極’可增加發光元件的發光效率。上述複合透 明導電氧化物薄膜不需使用Ρ型GaAs,即可與ρ型 AlGalnP、AlGaAs或GaP等半導體形成低的接觸電阻。 為了達成上述目的,本發明主要是在發光二極體磊晶 片之P面上’先後製作p型1^^^1〇(0^义$〇.3)與11'0薄 膜,以利用L^NihO/ITO複合透明導電氧化物薄膜做為透 明電極。另外,IT0亦可用ZrAIN代替。 為了更進一步說明本發明之架構、方法及優點,茲配 合附圖說明實施例如下,其中: 第1圖係繪示一習知的發光二極體的架構的截面圖。 第2圊係繪示根據本發明之一實施例的發光二極體的 架構的截面圈β ’第3圊係繪示使用於本發明之發光二極體中的LixNi( i-jO/ITO透明導電膜的光穿透率之圖式β 第4囷係繪示本發明之發光二極體及習知發光二極體 的表面發光強度分佈圖。 第5圚係繪示根據本發明之另一實施例的發光二極體
IMHH HI 4443 5 8 五、發明說明(4) 的架構的截面圖。 第6圖係繪示根據本發明之又一實施例的發光二極體 的架構的截面圖。 第7圖係緣示根據本發明之再一實施例的發光二極體 的架構的截面圖。 第8圖係鳍示根據本發明之再一實施例的發光二極體 的架構的戴面圖。 參考標號之說明 1 0~n型0&八8基板;20〜異質結構;21 - η型A1Q 5 InQ 5P被 覆層;22〜AlGalnP/GalnP量子井發光活性層;23~卩型八1 〇.5ln〇.5P〜被覆層;30~ρ型GaP窗戶層;40、42、44〜正面金 屬電極;50〜背面金屬電極;60、80〜半導體氧化物薄膜; 70、90、92〜透明導電薄膜;75、95、複合透明電極。 實施例之說明 請參閱第1圈,其繪示一習知的發光二極體之架構, 包括:一η型GaAs基板1〇 ;異質結構2〇,形成於上述 GaAs基板10上,依序包括n型Alfl5!nfl5p被覆層(cladding layer)21、AIGalnP/GalnP量子井活性層 05P被復層23 ;p型GaP窗戶層(wind〇w layer)3〇,形成於 上述異質結構20上;一正面電極4〇 ’形成於上述p型以卩窗 戶層30之上’並與GaP形成歐姆接觸;一背面電極5〇,形 成於上述η型GaAs基板10的另 10形成歐姆接觸。 一面,且與上述η型GaAs基板
第9頁 ' 4443 5 8 五、發明說明(5)
上述習知發光二極體主要是用以與本發明之發光二極 體進行比較。請參閱第2圖,本發明之發光二極體的架構 係包括:一η型GaAs基板10 ;異質結構2〇,形成於上述 GaAs基板10上’依序包括η型被覆層21、AlGaInP/GaInP量 子井活性層22及p型被覆層23 ; —p型窗戶層3〇,形成於上 述異質結構2 0上:一透明氧化物薄膜6〇,形成於上述?型 窗戶層30上;一透明導電薄膜70,形成於上述透明氧化物 薄膜60上;一正面電極40 ’形成於上述透明導電薄膜7〇之 上;一背面電極50,形成於上述η型GaAs基板10的另一 面’且與上述η型GaAs基板10形成歐姆接觸D 形成上述η型被覆層及p型被覆層的材料,可為a% 5ln 0·5Ρ 或是(Al/ah)。5In。5P (〇· 5<χ $ 1)等。 形成上述p型窗戶層的材料’則可為GaP或(AlxGal x)As (0.4$χ<1)等。上述透明氧化物薄膜為一 p型過渡金屬氧 化物(transition metal oxide,TM0),可為MnO、FeO、
CoO、NiO、PdO、M〇02、Fe203、Cr203、Cr〇2、Rh203 或是
CuAl〇2或SrCugO2等其中任一種氧化物e上述透明導電薄膜 為一透明導電氧化物’可為含有IT0、Sn〇2、In2〇3、Zn〇、 T 1203、CdO、In4Sn3012、ZnSn03、SnZn2 04、Zn2In205、ZnGa 2 04’、S η Z n2 04、C d S b2 06、G a I n 03、M g I η 04、Z n 2 I n 2 05、
Agln02、MIn2 04 (M = Mg、Ca、Sr、Ba)等其中任一種氧化 物。或是TMN、TMA1N、TMGaN、TMInN,其中,TM為過渡元 素(Transition Metal),例如 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、 Cr、Mo、W 等。 ihhb mm 第10頁 4443 5 8 五、發明說明(6) 上述正面電極為一金屬電極,其可為單一金屬層、多 層金屬層或是合金層,例如Al、Au、Pt、Cr/Au、 Ti/Pt/Au 、 10%Ti~W 等。 再者’上述半導體氧化物薄膜不限於單一半導體氧化 物膜層’其亦可為複數層之半導體氧化物,例如Ni〇/C〇〇 或NiO/LiJU,或是為複數種氧化物之混合膜層或複數 種氧化物所形成的固溶想(solid solution),例如NixCo hCK 0<χ<1 )等。 同時,在上述半導體氧化物薄膜中可添加鹼金屬或是 第五族元素’以增加P型載子濃度’降低與半導體之界面 阻抗’及提高本身之導電度。 相對於上述實施例之發光二極體的架構,根據本發明 之另一個實施例’其可將上述實施例中之正面金屬電極下 方的部分複合透明電極去除’只要有部分與複合透明電極 相連接即可。請參閲第5圏,本發明之發光二極體的架構 係包括:一n型GaAs基板10 ;異質結構2G,形成於上述n型 GaAs基板10上’依序包括η型被覆層21、AlGaInP/GaInP量 子井發光活性層22及p型被覆層23 ; —p型窗戶層3〇,形成 於上述異質結構20上;一半導體氧化物薄膜80,形成於上 逝P型窗戶層30上’在其上形成有一接觸窗;一透明導電 薄膜90,形成於上述半導體氧化物薄膜8〇上;—正/金屬 電極44 ’形成於上述透明導電薄膜9〇之上,僅部分與上述 透明導電薄膜90及半導體氧化物薄膜80連接,其主要經由 上述接觸窗而直接形成於上述p型窗戶層3〇 ; 一背面金屬
第11頁 4 4443 5 8 五、發明說明(7) 電極50,形成於上述η型GaAs基板10的另一面,且與上述η 型G a A s基板1 0形成歐姆接觸。 請參閱第6圖’根據本發明之第三個實施例,發光二 極體的架構包括:一η型GaAs基板10 ;異質結構20,形成 於上述η型GaAs基板1〇上,依序包括η型被覆層21、 AlGalnP/GalnP量子井發光活性層22及ρ型被覆層23 ; —ρ 型窗戶層30,形成於上述異質結構2〇上;一半導體氧化物 薄膜80 ’形成於上述p型窗戶層3〇上,在其上方形成有一 接觸窗;一透明導電薄膜90,形成上述半導體氧化物薄骐 80及其上方之接觸窗上;一正面金屬電極44,形成於上述 透明導電薄膜90之上;一背面金屬電極5〇,形成於上述^ 型GaAs基板10的另一面,且與上述nSGaAs基板10形成歐 姆接觸。 請參閱第7圖’根據本發明之第三個實施例,發光二 極體的架構包括:一n sGaAs基板1〇 ;異質結構20,形成 於上述η型GaAs基板10上,依序包括^型被覆層21、 AlGalnP/GalnP量子井發光活性層22及1)型被覆層23 ; 一半 導體氧化物薄膜8 0 ’形成於上述異質結構2〇上,在其上方 形成有一接觸窗;一透明導電薄膜92,形成上述半導體氣 化物薄膜80及其上方之接觸窗上;一正面金屬電極44,形 成於上述透明導電薄膜9 2之上;一背面金屬電極5〇,形成 於上述η型GaAs基板10的另一面,且與上述nsGaAs基板1〇 形成歐姆接觸》 圖 請參閱第8圖’第8圖所繪示的架構係對應於第5
第12頁 4443 5 8 五、發明說明(8) ------- 仁是去除p型囪戶層3〇,換言之,其上面的部分與第5圖相 同’而下面的部分則是與第7圖相同。 ^ 在上述五個實施例中,由於正面電極與透明導電薄膜 到界面電阻报低的接觸。而對半導體氧化物薄膜與 透明導電薄膜而言,由於可將兩者的載子濃度提高,以形 成隧穿二極體或背向二極體,其界面電阻亦可調至很低。 再者半導體氧化物薄膜與蟲晶層的p面可藉由同時 形成P型半導體,使界面電阻亦可降至很低,所以複合透 明導電氧化物層與磊晶層的接觸電卩且可以降低。另一方 面’由於半導體氧化物薄膜本身的電阻率較高電流不易 分散’但是透明導電薄膜的電阻率报低,可將電流分佈至 整個發光二極體表面,使得發光面為整個發光二極體表 面’使得發光二極體之發光效率得以大幅提升。在上述實 施例中,在正面電極下方故意去除部分之半導體氧化物薄 膜’目的在使得電極下方無電流流過活性層,亦即要達到 電流阻隔(current blocking)的效果,藉以使得這個位置 下方的發光活性層不發光,如此可使得發光二極體的效率 更加提升。 接著’說明本發明發光元件第一實施例的製作方法, 包•括下列步驟:(i )首先,以M0VPE的方法,在η型GaAs基 板上製作LED蟲晶層,其結構包括η-(Α1〇5Ιη〇5)Ρ被覆層、 AlGalnP/GalnP量子井發光活性層、P-(A1D 5 InD 5)P被覆層 及p-GaP窗戶層;(i i )然後,在上述η型GaAs基板背面製作 歐姆接觸,以形成其背面電極;(iii)在上述磊晶層P面上
第13頁 4 443 5 8 五 '發明說明(9) '— 依序製作一複合透明電極,包括2〇-3〇〇〇a厚的LixNUCo SxS0.3)與 lOOA-2/zm 厚的 5% Sn02-95% Ιη2 03 (ΙΤ0); (iv)接下來,在上述複合透明導電層表面製作3金屬電極, 以連接外部電路;(V)最後,再將其切成3〇〇mmx 3〇〇咖大 小的晶粒,即完成LED元件。上述ITO可用ZrA1N代替,亦 有類似的效果。 至於上述第二至五個實施例之發光元件,在製程上與 第一實施例之差異’僅是在於在上述步驟(Hi)與(iv)之 間,再加上微影製版(photo-lithrography)及餘刻的步 驟’藉以在上述複合透明導電層的上方形成一接觸窗。 在上述實施例中,與習知發先二極體相比’本發明主 要是利用上述特定材料形成複合透明電極,使得自正面電 極流向活性層的電流可以均勻分佈於發光活性層,藉以改 善發光二極體的發光強度分佈’並提升其發光效率。 在本發明中提出之複合透明電極,主要係由一半導體 氧化物薄膜及一透明導電薄膜結合而成,因此適用於具有 以GaP、AlGaAs、AlGaInP、Α1ΙηΡ等p型半導體做為外層之 結構的發光二極體。其中,上述透明導電薄膜可為透明導 電氧化物或氮化物。 為了要使本發明之發光二極體發出的光線可以充分的 發射至外部’在本發明中所使用的複合透明電極必須具有 有良好的光穿透性。請參閱第3圈’本發明人將複合透明 導電薄膜製作於玻璃片上’以雙光束光譜光度計(d〇uble beam spectro-photometer)測量透明導電薄膜的光穿透
第14頁 4443 5 8 五、發明說明(ίο) 率’結果顯示在本發明中所使用的複合透明導電薄膜,在 可見光的範圍内’均具有良好的光穿透性,可用以做為發 光二極體的透明電極。 接著’比較本發明之發光二極體與習知發光二極體的 發光區隔。請參閱第4圖》第4圖上部為發光二極體晶粒之 上視圖’其十’標號100表示為發光二極體晶粒,標號2〇〇 則表示為晶粒之正面金屬電極。第4圖下部曲線表示發光 二極體晶粒位置與其發光強度間的關係,其中連續曲線A 為本發明的發光二極體發光之量測結果,虛線曲線B則為 第1圖之發光二極體發光的量測結果。由圖中可知,本發 明之發光二極體的發光強度,除了被正面電極陴擋的部 分,在其他位置上均相當高,且其強度分佈亦相當均勻。 反觀習知發光二極體,其發光強度主要是集中在正 電極下方及其附近,但是大部分的所發的光卻又被正面金 屬電極所遮蔽,以至於此種發光二極體的發光效率極差。 另外,就本發明與第1囷所示之發光二極體的特性 析加以比較,可以得到下表的結果: \CmtO & #«作^下之餘出功 在2QttA的揉作電流下之推作 率比 電磨⑺ 苐2涵 580 1.36 2.17 ~~' 第1蒯 580 f-Γ- 2J3 '~~ 由上表可知,在相當的操作電壓之下第2圖所示本發明
4443 5 8 五、發明說明(11) 之發光二極體的輸出功率(即亮度)比第1圖之發光二極體 高出36% 。 與習知技術相比,本發明由於無需磊晶成長很厚(例 如 50 #m)的窗戶層,例如GaP、(AlxGabX)As (0.4 Sx<l) 等,同時又可省去磊晶成長p-Ga As接觸層,所以可以有效 地簡化製程。再者,由於沒有會吸光的p-GaAs接觸層,所 以可增加發光效率。

Claims (1)

  1. ίΐΐ1 補充 年孕月 f卜正 -
    4443 5 8 _案號89100791 气〇年屮月I Ί日 六、申請專利範圍 1 . 一種發光元件,包括: 一η型GaAs基板: 異質結構,形成於上述η型GaAs基板上,依序包括η型 (A1D.5 Ιηϋ 5)Ρ被覆層、AlGalnP/GalnP量子井發光活性層及ρ 型(A 1〇.5〖nQ 5 )P被覆層; 一半導體氧化物薄膜,形成於上述異質結構上; 一透明導電薄膜,形成於上述半導體氧化物薄膜上, 藉以與上述半導體氧化物薄膜結合形成複合透明電極; 一正面金屬電極’形成於上述透明導電薄膜之上; 一背面金屬電極,形成於上述η型GaAs基板的另一 面,且與上述η型GaAs基板形成歐姆接觸。 2. 如申請專利範圍第1項之發光元件,更包括—窗戶 層’形成於上述異質結構與上述半導體氧化物薄膜之間。 3. 如申請專利範圍第1項之發光元件,其中,上述11型 被覆層及P型被覆層的材料為(AlxGahVsIn。5P (〇. 5 $ 1)。 .-- 4. 如申請專利範圍第1項、第2項或第3項之發光元 件’其中’在上述半導體氧化物薄膜的上面形成有接觸 窗。 5. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件,其中, 上述半導體氧化物薄膜為一過渡金屬氧化物。 6. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件,其中, 上述透明導電薄膜為一透明導電氧化物或氮化物。 7. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件,其中,
    第17頁 2001.04.17.017 4443 5 8 案號 89100791 ___ 曰 修正 六、申請專利範圍 上述之半導體氧化物薄膜為半導體氧化物。 8 ·如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件’其中’ 上述半導體氧化物薄膜可為複數層氧化物’或是為複數種 氧化物之混合膜層或複數種氧化物所形成的固溶體。 9.如申請專利範圍第2項之發光元件’其中’上述Ρ型 窗戶層的材料為GaP或(APGahMs (0.4Sx<l)。 1 0.如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件’其 中’在上述半導體氧化物薄膜及透明導電薄膜的上面形成 有接觸窗。 11. 如申請專利範圍第5項之發光元件,其中,上述過 渡金屬元素之氧化物為含有Mn0、FeO、CoO、C〇304、NiO、 PdO、M〇02、Fe2〇3、Cr2〇3、Cr02、Rh2 03 等其中任一種氧化物 之組合體。 12. 如申請專利範圍第6項之發光元件,其中,上述透 明導電氧化物為含有IT〇、Sn〇2、In2〇3、Zn〇、Tl2〇3、 CdO > In4Sn3012 > ZnSn03 ^ SnZn2 04 'Zn2In2〇5 > ZnGa204 ' SnZn204 'CdSb2〇6 >GaIn〇3 'Mgln04 'Zn2In2〇5 >AgIn02 > MIn2 04 (M = Mg、Ca、Sr、Ba)等其中任一種氧化物之组合 1 3.如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件,其 中,上述正面金屬電極為單一金屬層、多層金屬層或是合 金層。 1 4.如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件,立 中,上述正面金屬電極可為含有A1、Au、pt、Cr/Al/、、
    Μ I麵
    第18頁 2001.04.17.018 4443 5 8 _案號89100791 年月曰__ 六、申請專利範圍 Ti/Pt/Au、或10%Ti-W等金屬之組合體。 15. 如申請專利範圍第7項之發光元件,其中,上述p 型半導體氧化物為CuA1〇2、SrCu2 02、ZnO。 16. 如申請專利範圍第9項之發光元件,其中,上述複 數層半導體氧化物’可為1^0/(:〇0或1^0/1^[^1_3(0。 17·如申請專利範圍第8項之發光元件,其中,上述複 數種半導體氧化物所形成的固溶體為NLCo^O、NLMnhO、 NixFeH〇、CoxFe卜x0、CoxMrvx0 或FexMrvxO(0<x〈l)。 18. 如申請專利範圍第11項之發光元件,其中,上述 半導體氧化物薄膜中添加有鹼金屬或是第五族元素。 19. 如申請專利範圍第15項之發光元件,其中,上述 半導體氧化物薄膜中添加有鹼金屬或是第五族元素。 20·如申請專利範圍第6項之發光元件,其中,上述透 明導電氮化物為TMN、TMA1N ' TMGaN或TMInN,其中TM為過 渡金屬元素。 21. 申請專利範圍第20項之發光元件,其中,上述透 明導電氮化物為TiN、ZrN、TiAIN、ZrAIN、TiGaN、 ZrGaN 、TiInN 或ZrlnN 。 22. —種發光元件的製作方法,包括下列步驟: (i)首先’在η型基板上製作發光二極體之磊晶層,其 結構包括η型被覆層、發光活性層、ρ型被覆層; ’ (i 1)然後’在上述η型基板背面製作歐姆接觸,以形 成其背面電極; (iii)在上述遙晶層Ρ面上依序製作一複合诱 . (1V)接下來,在上述複合透明電極表面;=;,
    第19頁 2001.04.17.019 4443 5 8 _奪1,791___年月 日 修正 六、申請專利範圍 極,供線路接合; C v )最後’再將其切成晶粒。 2 3.如申請專利範圍第22項的製作方法,其中,上述 步驟α 1)延後至步驟(i丨丨)與步驟(丨v)間進行。 24.如申請專利範圍第22項的製作方法,其中,上述 步驟(ii)延後至步驟(iv)之後進行。 25_如申請專利範圍第22項的製作方法’其中,上述 中的磊晶層更包括有-窗戶層,形成於P型被覆層 項的製作方法Λ範圍第22項、第23項、第24項或第25 物薄膜及透明導電二膜上述複合透明電極係由半導體氧化 成於上述半導體氧上而上述透明導電薄膜則是形 述半奮專利範圍第26項的製作方法,其中,在上 窗。氧化物薄膜與透明導電薄膜的上方形成有接觸 ,在上 ,上述 ,上述 述半導俨*申^清專利範圍第26項的製作方法,其 乳化物薄膜的上方形成有接觸窗。 半導雜葡扎申請專利範圍第26項的製作方法,其 30 物薄膜為一過渡金屬元素之氧化物" 透明導電:Λ專利範圍第26項之製作方法,其 Ή 膜為一透明導電氧化物或氮化物。 0申請專利範圍第2 6項之製作方法,其 ,上述
    4443 5 8 曰 一修正 -iS__89l〇〇79i__年月 六、申請專利範圍 之半導體氣化物薄膜為P型半導體氧化物 32·如申請專利範圍第26項之製作方法, f導體氧化物薄膜可為複數層過渡金屬元、中’上述 =複數種氧化物之混合膜層或複數種氧化物所二物,或 '今 /成的固 Μ如—申請專利範圍第μ項之製作方法 過渡金元素之氧化物為含有MnO、FeO、C〇0、P ,上逑 N^、_、_2、Fe2〇3、Cr2〇3、Cr()2D3〇4、 氧化物之組合體β 3寻、中住一種 34·如申請專利範圍第3〇項之製作方 1 明化物為含有1 4SM12、ZnSn03、SnZn204、Ζη2ΐη2〇5、Ζη(^3、 SnZr^O;、CdSb2〇6、GaIn〇3、MgIn〇4、z 二、 ,〇4(Mg'Ca、Sr、Ba)等其中任一種二物H rlSL 35.如申請專利範圍第31項之製作方法,其中, 述半導體氧化物薄膜中添加有鹼金屬或是第五族元素。 36‘如申請專利範圍第33項之製作方法,其中,’在上 述半導體氧化物薄膜中添加有鹼金屬或是第五族元素。 37. 如申請專利範圍第30項之製作方法,其争,’上述 透明導電氮化物為TMN、TMA1N、TMGaN或TMInN,其中TM為 過渡金屬元素》 38. 申請專利範圍第37項之製作方法,其中,上述透 明導電氮化物為 TiN、ZrN、TiAlN、ZrAlN、TiGaN、
    2001. 04.17. 021 第21頁 _案號89100791_年月曰_ 六、申請專利範圍 ZrGaN 、TiInN 或ZrlnN 。 1_
    第 22 頁 2001.04.17.022
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