TW444358B - Luminescent device and the fabrication thereof - Google Patents

Description

4443 5 8 五、發明說明（1) 本發明係有關於一種發光元件及其製作方法，特別係 有關於一種高亮度發光二極體及其簡易製程 在各種發光元件中’發光二極體（LED)屬於應用相當 廣泛的一種發光元件，舉凡在通訊、顯示、裝飾、照明等 方面，發光二極體均普遍地被使用。自從可見光發光二極 體發明以來’如何增進元件的發光效率更是研發人員努力 的目標。 過去，在發光二極體的製造方面之研究，除了磊晶科 技的成就外’元件的設計與製程的改善，也有相當的進 步。相關的習知技術’例如，在美國專利第5008718號 中’R.M· Fletcher等人於磊晶層最外層成長—層電阻係 數低，且能隙大於活性層之窗戶層（window layer)，其厚 度一般在五至數十微米之間’藉以使電極流出的電流均勻 分散’均勻流過活性層’以增加發光效率。另外，在美國 專利第5048035號中’曰本東芝公司提出了電流阻隔的構 想’可進一步將電流均勻分散流過活性層，以增加發光效 率。而在美國專利第523320 4號中，美國惠普公司也提出 厚透明層的概念’使活性層發出的光易於折射穿出晶粒， 增加光輸出。隨後，惠普公司又在美國專利第537658〇號 中’’揭露了晶片黏合（wafer bonding)的技術，去除掉吸 光的基板，以增加光輸出與提高發光效率。與此類似的是 曰本東芝公司，在其美國專利第531 71 67號中，揭露了利& 用製作厚的磊晶層，並去除吸光的基板，以增加光輸出。 又，在美國專利第5226053號中，美國貝爾實驗室

4443 5 8 五、發明說明（2)

Bell Lab.)應用分散布拉格反射層（distributed Bragg reflector)，以增加光輸出。最後，在美國專利第 5481122號、第5717226號以及中華民國專利第291610號、 第2882 1 3號及第232753號中，工研院光電所揭露了使用透 明導電氧化物薄膜與電流阻隔結構，使電流均勻分散流過 活性層’以增加發光效率。 不過’前述習知技術多牵涉磊晶技術，製程時間較 長’成本也高。其中，惠普公司的晶片黏合技術需處理 數十微米厚之大面積薄膜，製程相當困難。至於工研院光 電所使用的透明導電氧化物薄膜係包括：I n2〇3、Sn02、 IT0( In2 03 -Sn02)、ZnO等，此類透明導電氧化物均為重摻 雜之η型半導體，其載子濃度約介於1〇丨9至i〇2icnrs之間， 電阻率約在l〇-3-l〇-4Qcm左右，然而一般AlGalnP四元發光 二極體均使用η型GaAs做為基板，在其上成長磊晶層，且 在其最外層為p型半導體，為了使透明導電氧化層與最外 層為P型半導體形成低的接觸電阻（contact resistance)，最外層必須選擇能隙較小的半導體，且須 具有高的載子濃度，以形成隧穿二極體及背向式二極體， 使得電子能穿隧過界面，其相關說明可參見S. M. Sze著的 "Physics of semiconductor devices," Chapter 9,

John Wiley and Sons, New York， 1981，藉以得到低的 接觸電阻’如此才能達到電流分散的目的，增加發光效 率。但是為了達成低的接觸電阻，一般均使用p型GaAs做 為覆蓋層’因為一般在A1 Gal nP四元系統中無法將p型半導

Γ 4443 5 8 五、發明說明（3) 體的載子濃度提高到足以形成隧穿二極體或背向式二極體 的程度’只有GaAs能將電洞濃度提高至i〇i9cm_3以上，與 透明導電氧化物薄膜形成低的界面電阻，但是Ga^s在室溫 的能隙僅有1 · 42 4eV ’對可見光而言是吸收物質，因此會 降低了發光二極艘的發光效率β 有鑑於此’本發明之目的乃在於提出一種高亮度的發 光元件及其製作方法，其利用一複合透明導電氧化物薄膜 做為透明電極’可增加發光元件的發光效率。上述複合透 明導電氧化物薄膜不需使用Ρ型GaAs，即可與ρ型 AlGalnP、AlGaAs或GaP等半導體形成低的接觸電阻。 為了達成上述目的，本發明主要是在發光二極體磊晶 片之P面上’先後製作p型1^^^1〇(0^义$〇.3)與11'0薄 膜，以利用L^NihO/ITO複合透明導電氧化物薄膜做為透 明電極。另外，IT0亦可用ZrAIN代替。 為了更進一步說明本發明之架構、方法及優點，茲配 合附圖說明實施例如下，其中： 第1圖係繪示一習知的發光二極體的架構的截面圖。 第2圊係繪示根據本發明之一實施例的發光二極體的 架構的截面圈β ’第3圊係繪示使用於本發明之發光二極體中的LixNi( i-jO/ITO透明導電膜的光穿透率之圖式β 第4囷係繪示本發明之發光二極體及習知發光二極體 的表面發光強度分佈圖。 第5圚係繪示根據本發明之另一實施例的發光二極體

IMHH HI 4443 5 8 五、發明說明（4) 的架構的截面圖。 第6圖係繪示根據本發明之又一實施例的發光二極體 的架構的截面圖。 第7圖係緣示根據本發明之再一實施例的發光二極體 的架構的截面圖。 第8圖係鳍示根據本發明之再一實施例的發光二極體 的架構的戴面圖。 參考標號之說明 1 0~n型0&八8基板；20〜異質結構；21 - η型A1Q 5 InQ 5P被 覆層；22〜AlGalnP/GalnP量子井發光活性層；23~卩型八1 〇.5ln〇.5P〜被覆層；30~ρ型GaP窗戶層；40、42、44〜正面金 屬電極；50〜背面金屬電極；60、80〜半導體氧化物薄膜； 70、90、92〜透明導電薄膜；75、95、複合透明電極。 實施例之說明 請參閱第1圈，其繪示一習知的發光二極體之架構， 包括：一η型GaAs基板1〇 ;異質結構2〇，形成於上述 GaAs基板10上，依序包括n型Alfl5!nfl5p被覆層（cladding layer)21、AIGalnP/GalnP量子井活性層 05P被復層23 ;p型GaP窗戶層（wind〇w layer)3〇，形成於 上述異質結構20上；一正面電極4〇 ’形成於上述p型以卩窗 戶層30之上’並與GaP形成歐姆接觸；一背面電極5〇，形 成於上述η型GaAs基板10的另 10形成歐姆接觸。 一面，且與上述η型GaAs基板

第9頁 ' 4443 5 8 五、發明說明（5)

上述習知發光二極體主要是用以與本發明之發光二極 體進行比較。請參閱第2圖，本發明之發光二極體的架構 係包括：一η型GaAs基板10 ;異質結構2〇，形成於上述 GaAs基板10上’依序包括η型被覆層21、AlGaInP/GaInP量 子井活性層22及p型被覆層23 ; —p型窗戶層3〇，形成於上 述異質結構2 0上：一透明氧化物薄膜6〇，形成於上述？型 窗戶層30上；一透明導電薄膜70，形成於上述透明氧化物 薄膜60上；一正面電極40 ’形成於上述透明導電薄膜7〇之 上；一背面電極50，形成於上述η型GaAs基板10的另一 面’且與上述η型GaAs基板10形成歐姆接觸D 形成上述η型被覆層及p型被覆層的材料，可為a% 5ln 0·5Ρ 或是（Al/ah)。5In。5P (〇· 5<χ $ 1)等。 形成上述p型窗戶層的材料’則可為GaP或（AlxGal x)As (0.4$χ<1)等。上述透明氧化物薄膜為一 p型過渡金屬氧 化物（transition metal oxide，TM0),可為MnO、FeO、

CoO、NiO、PdO、M〇02、Fe203、Cr203、Cr〇2、Rh203 或是

CuAl〇2或SrCugO2等其中任一種氧化物e上述透明導電薄膜 為一透明導電氧化物’可為含有IT0、Sn〇2、In2〇3、Zn〇、 T 1203、CdO、In4Sn3012、ZnSn03、SnZn2 04、Zn2In205、ZnGa 2 04’、S η Z n2 04、C d S b2 06、G a I n 03、M g I η 04、Z n 2 I n 2 05、

Agln02、MIn2 04 (M = Mg、Ca、Sr、Ba)等其中任一種氧化 物。或是TMN、TMA1N、TMGaN、TMInN，其中，TM為過渡元 素（Transition Metal)，例如 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、 Cr、Mo、W 等。 ihhb mm 第10頁 4443 5 8 五、發明說明（6) 上述正面電極為一金屬電極，其可為單一金屬層、多 層金屬層或是合金層，例如Al、Au、Pt、Cr/Au、 Ti/Pt/Au 、 10%Ti~W 等。 再者’上述半導體氧化物薄膜不限於單一半導體氧化 物膜層’其亦可為複數層之半導體氧化物，例如Ni〇/C〇〇 或NiO/LiJU，或是為複數種氧化物之混合膜層或複數 種氧化物所形成的固溶想（solid solution)，例如NixCo hCK 0<χ<1 )等。 同時，在上述半導體氧化物薄膜中可添加鹼金屬或是 第五族元素’以增加P型載子濃度’降低與半導體之界面 阻抗’及提高本身之導電度。 相對於上述實施例之發光二極體的架構，根據本發明 之另一個實施例’其可將上述實施例中之正面金屬電極下 方的部分複合透明電極去除’只要有部分與複合透明電極 相連接即可。請參閲第5圏，本發明之發光二極體的架構 係包括：一n型GaAs基板10 ;異質結構2G，形成於上述n型 GaAs基板10上’依序包括η型被覆層21、AlGaInP/GaInP量 子井發光活性層22及p型被覆層23 ; —p型窗戶層3〇，形成 於上述異質結構20上；一半導體氧化物薄膜80，形成於上 逝P型窗戶層30上’在其上形成有一接觸窗；一透明導電 薄膜90，形成於上述半導體氧化物薄膜8〇上；—正/金屬 電極44 ’形成於上述透明導電薄膜9〇之上，僅部分與上述 透明導電薄膜90及半導體氧化物薄膜80連接，其主要經由 上述接觸窗而直接形成於上述p型窗戶層3〇 ; 一背面金屬

第11頁 4 4443 5 8 五、發明說明（7) 電極50，形成於上述η型GaAs基板10的另一面，且與上述η 型G a A s基板1 0形成歐姆接觸。 請參閱第6圖’根據本發明之第三個實施例，發光二 極體的架構包括：一η型GaAs基板10 ;異質結構20，形成 於上述η型GaAs基板1〇上，依序包括η型被覆層21、 AlGalnP/GalnP量子井發光活性層22及ρ型被覆層23 ; —ρ 型窗戶層30，形成於上述異質結構2〇上；一半導體氧化物 薄膜80 ’形成於上述p型窗戶層3〇上，在其上方形成有一 接觸窗；一透明導電薄膜90，形成上述半導體氧化物薄骐 80及其上方之接觸窗上；一正面金屬電極44，形成於上述 透明導電薄膜90之上；一背面金屬電極5〇，形成於上述^ 型GaAs基板10的另一面，且與上述nSGaAs基板10形成歐 姆接觸。 請參閱第7圖’根據本發明之第三個實施例，發光二 極體的架構包括：一n sGaAs基板1〇 ;異質結構20，形成 於上述η型GaAs基板10上，依序包括^型被覆層21、 AlGalnP/GalnP量子井發光活性層22及1)型被覆層23 ; 一半 導體氧化物薄膜8 0 ’形成於上述異質結構2〇上，在其上方 形成有一接觸窗；一透明導電薄膜92，形成上述半導體氣 化物薄膜80及其上方之接觸窗上；一正面金屬電極44，形 成於上述透明導電薄膜9 2之上；一背面金屬電極5〇，形成 於上述η型GaAs基板10的另一面，且與上述nsGaAs基板1〇 形成歐姆接觸》 圖 請參閱第8圖’第8圖所繪示的架構係對應於第5

第12頁 4443 5 8 五、發明說明（8) ------- 仁是去除p型囪戶層3〇，換言之，其上面的部分與第5圖相 同’而下面的部分則是與第7圖相同。 ^ 在上述五個實施例中，由於正面電極與透明導電薄膜 到界面電阻报低的接觸。而對半導體氧化物薄膜與 透明導電薄膜而言，由於可將兩者的載子濃度提高，以形 成隧穿二極體或背向二極體，其界面電阻亦可調至很低。 再者半導體氧化物薄膜與蟲晶層的p面可藉由同時 形成P型半導體，使界面電阻亦可降至很低，所以複合透 明導電氧化物層與磊晶層的接觸電卩且可以降低。另一方 面’由於半導體氧化物薄膜本身的電阻率較高電流不易 分散’但是透明導電薄膜的電阻率报低，可將電流分佈至 整個發光二極體表面，使得發光面為整個發光二極體表 面’使得發光二極體之發光效率得以大幅提升。在上述實 施例中，在正面電極下方故意去除部分之半導體氧化物薄 膜’目的在使得電極下方無電流流過活性層，亦即要達到 電流阻隔（current blocking)的效果，藉以使得這個位置 下方的發光活性層不發光，如此可使得發光二極體的效率 更加提升。 接著’說明本發明發光元件第一實施例的製作方法， 包•括下列步驟：（i )首先，以M0VPE的方法，在η型GaAs基 板上製作LED蟲晶層，其結構包括η-(Α1〇5Ιη〇5)Ρ被覆層、 AlGalnP/GalnP量子井發光活性層、P-(A1D 5 InD 5)P被覆層 及p-GaP窗戶層；（i i )然後，在上述η型GaAs基板背面製作 歐姆接觸，以形成其背面電極；（iii)在上述磊晶層P面上

第13頁 4 443 5 8 五 '發明說明（9) '— 依序製作一複合透明電極，包括2〇-3〇〇〇a厚的LixNUCo SxS0.3)與 lOOA-2/zm 厚的 5% Sn02-95% Ιη2 03 (ΙΤ0); (iv)接下來，在上述複合透明導電層表面製作3金屬電極， 以連接外部電路；（V)最後，再將其切成3〇〇mmx 3〇〇咖大 小的晶粒，即完成LED元件。上述ITO可用ZrA1N代替，亦 有類似的效果。 至於上述第二至五個實施例之發光元件，在製程上與 第一實施例之差異’僅是在於在上述步驟（Hi)與（iv)之 間，再加上微影製版（photo-lithrography)及餘刻的步 驟’藉以在上述複合透明導電層的上方形成一接觸窗。 在上述實施例中，與習知發先二極體相比’本發明主 要是利用上述特定材料形成複合透明電極，使得自正面電 極流向活性層的電流可以均勻分佈於發光活性層，藉以改 善發光二極體的發光強度分佈’並提升其發光效率。 在本發明中提出之複合透明電極，主要係由一半導體 氧化物薄膜及一透明導電薄膜結合而成，因此適用於具有 以GaP、AlGaAs、AlGaInP、Α1ΙηΡ等p型半導體做為外層之 結構的發光二極體。其中，上述透明導電薄膜可為透明導 電氧化物或氮化物。 為了要使本發明之發光二極體發出的光線可以充分的 發射至外部’在本發明中所使用的複合透明電極必須具有 有良好的光穿透性。請參閱第3圈’本發明人將複合透明 導電薄膜製作於玻璃片上’以雙光束光譜光度計（d〇uble beam spectro-photometer)測量透明導電薄膜的光穿透

第14頁 4443 5 8 五、發明說明（ίο) 率’結果顯示在本發明中所使用的複合透明導電薄膜，在 可見光的範圍内’均具有良好的光穿透性，可用以做為發 光二極體的透明電極。 接著’比較本發明之發光二極體與習知發光二極體的 發光區隔。請參閱第4圖》第4圖上部為發光二極體晶粒之 上視圖’其十’標號100表示為發光二極體晶粒，標號2〇〇 則表示為晶粒之正面金屬電極。第4圖下部曲線表示發光 二極體晶粒位置與其發光強度間的關係，其中連續曲線A 為本發明的發光二極體發光之量測結果，虛線曲線B則為 第1圖之發光二極體發光的量測結果。由圖中可知，本發 明之發光二極體的發光強度，除了被正面電極陴擋的部 分，在其他位置上均相當高，且其強度分佈亦相當均勻。 反觀習知發光二極體，其發光強度主要是集中在正 電極下方及其附近，但是大部分的所發的光卻又被正面金 屬電極所遮蔽，以至於此種發光二極體的發光效率極差。 另外，就本發明與第1囷所示之發光二極體的特性 析加以比較，可以得到下表的結果： \CmtO & #«作^下之餘出功 在2QttA的揉作電流下之推作 率比 電磨⑺ 苐2涵 580 1.36 2.17 ~~' 第1蒯 580 f-Γ- 2J3 '~~ 由上表可知，在相當的操作電壓之下第2圖所示本發明

4443 5 8 五、發明說明（11) 之發光二極體的輸出功率（即亮度）比第1圖之發光二極體 高出36% 。 與習知技術相比，本發明由於無需磊晶成長很厚（例 如 50 #m)的窗戶層，例如GaP、（AlxGabX)As (0.4 Sx<l) 等，同時又可省去磊晶成長p-Ga As接觸層，所以可以有效 地簡化製程。再者，由於沒有會吸光的p-GaAs接觸層，所 以可增加發光效率。

Claims (1)

1. ίΐΐ1 補充 年孕月 f卜正 -

   4443 5 8 _案號89100791 气〇年屮月I Ί日 六、申請專利範圍 1 . 一種發光元件，包括： 一η型GaAs基板： 異質結構，形成於上述η型GaAs基板上，依序包括η型 (A1D.5 Ιηϋ 5)Ρ被覆層、AlGalnP/GalnP量子井發光活性層及ρ 型（A 1〇.5〖nQ 5 )P被覆層； 一半導體氧化物薄膜，形成於上述異質結構上； 一透明導電薄膜，形成於上述半導體氧化物薄膜上， 藉以與上述半導體氧化物薄膜結合形成複合透明電極； 一正面金屬電極’形成於上述透明導電薄膜之上； 一背面金屬電極，形成於上述η型GaAs基板的另一 面，且與上述η型GaAs基板形成歐姆接觸。 2. 如申請專利範圍第1項之發光元件，更包括—窗戶 層’形成於上述異質結構與上述半導體氧化物薄膜之間。 3. 如申請專利範圍第1項之發光元件，其中，上述11型 被覆層及P型被覆層的材料為（AlxGahVsIn。5P (〇. 5 $ 1)。 .-- 4. 如申請專利範圍第1項、第2項或第3項之發光元 件’其中’在上述半導體氧化物薄膜的上面形成有接觸 窗。 5. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件，其中， 上述半導體氧化物薄膜為一過渡金屬氧化物。 6. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件，其中， 上述透明導電薄膜為一透明導電氧化物或氮化物。 7. 如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件，其中，

   第17頁 2001.04.17.017 4443 5 8 案號 89100791 ___ 曰 修正 六、申請專利範圍 上述之半導體氧化物薄膜為半導體氧化物。 8 ·如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件’其中’ 上述半導體氧化物薄膜可為複數層氧化物’或是為複數種 氧化物之混合膜層或複數種氧化物所形成的固溶體。 9.如申請專利範圍第2項之發光元件’其中’上述Ρ型 窗戶層的材料為GaP或（APGahMs (0.4Sx<l)。 1 0.如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件’其 中’在上述半導體氧化物薄膜及透明導電薄膜的上面形成 有接觸窗。 11. 如申請專利範圍第5項之發光元件，其中，上述過 渡金屬元素之氧化物為含有Mn0、FeO、CoO、C〇304、NiO、 PdO、M〇02、Fe2〇3、Cr2〇3、Cr02、Rh2 03 等其中任一種氧化物 之組合體。 12. 如申請專利範圍第6項之發光元件，其中，上述透 明導電氧化物為含有IT〇、Sn〇2、In2〇3、Zn〇、Tl2〇3、 CdO > In4Sn3012 > ZnSn03 ^ SnZn2 04 'Zn2In2〇5 > ZnGa204 ' SnZn204 'CdSb2〇6 >GaIn〇3 'Mgln04 'Zn2In2〇5 >AgIn02 > MIn2 04 (M = Mg、Ca、Sr、Ba)等其中任一種氧化物之组合 1 3.如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件，其 中，上述正面金屬電極為單一金屬層、多層金屬層或是合 金層。 1 4.如申請專利範圍第1項或第2項之發光元件，立 中，上述正面金屬電極可為含有A1、Au、pt、Cr/Al/、、

   Μ I麵

   第18頁 2001.04.17.018 4443 5 8 _案號89100791 年月曰__ 六、申請專利範圍 Ti/Pt/Au、或10%Ti-W等金屬之組合體。 15. 如申請專利範圍第7項之發光元件，其中，上述p 型半導體氧化物為CuA1〇2、SrCu2 02、ZnO。 16. 如申請專利範圍第9項之發光元件，其中，上述複 數層半導體氧化物’可為1^0/(：〇0或1^0/1^[^1_3(0。 17·如申請專利範圍第8項之發光元件，其中，上述複 數種半導體氧化物所形成的固溶體為NLCo^O、NLMnhO、 NixFeH〇、CoxFe卜x0、CoxMrvx0 或FexMrvxO(0<x〈l)。 18. 如申請專利範圍第11項之發光元件，其中，上述 半導體氧化物薄膜中添加有鹼金屬或是第五族元素。 19. 如申請專利範圍第15項之發光元件，其中，上述 半導體氧化物薄膜中添加有鹼金屬或是第五族元素。 20·如申請專利範圍第6項之發光元件，其中，上述透 明導電氮化物為TMN、TMA1N ' TMGaN或TMInN，其中TM為過 渡金屬元素。 21. 申請專利範圍第20項之發光元件，其中，上述透 明導電氮化物為TiN、ZrN、TiAIN、ZrAIN、TiGaN、 ZrGaN 、TiInN 或ZrlnN 。 22. —種發光元件的製作方法，包括下列步驟： (i)首先’在η型基板上製作發光二極體之磊晶層，其 結構包括η型被覆層、發光活性層、ρ型被覆層； ’ (i 1)然後’在上述η型基板背面製作歐姆接觸，以形 成其背面電極； (iii)在上述遙晶層Ρ面上依序製作一複合诱 . (1V)接下來，在上述複合透明電極表面；=;，

   第19頁 2001.04.17.019 4443 5 8 _奪1，791___年月 日 修正 六、申請專利範圍 極，供線路接合； C v )最後’再將其切成晶粒。 2 3.如申請專利範圍第22項的製作方法，其中，上述 步驟α 1)延後至步驟（i丨丨）與步驟（丨v)間進行。 24.如申請專利範圍第22項的製作方法，其中，上述 步驟（ii)延後至步驟（iv)之後進行。 25_如申請專利範圍第22項的製作方法’其中，上述 中的磊晶層更包括有-窗戶層，形成於P型被覆層 項的製作方法Λ範圍第22項、第23項、第24項或第25 物薄膜及透明導電二膜上述複合透明電極係由半導體氧化 成於上述半導體氧上而上述透明導電薄膜則是形 述半奮專利範圍第26項的製作方法，其中，在上 窗。氧化物薄膜與透明導電薄膜的上方形成有接觸 ，在上 ，上述 ，上述 述半導俨*申^清專利範圍第26項的製作方法，其 乳化物薄膜的上方形成有接觸窗。 半導雜葡扎申請專利範圍第26項的製作方法，其 30 物薄膜為一過渡金屬元素之氧化物" 透明導電：Λ專利範圍第26項之製作方法，其 Ή 膜為一透明導電氧化物或氮化物。 0申請專利範圍第2 6項之製作方法，其 ，上述

   4443 5 8 曰 一修正 -iS__89l〇〇79i__年月 六、申請專利範圍 之半導體氣化物薄膜為P型半導體氧化物 32·如申請專利範圍第26項之製作方法， f導體氧化物薄膜可為複數層過渡金屬元、中’上述 =複數種氧化物之混合膜層或複數種氧化物所二物，或 '今 /成的固 Μ如—申請專利範圍第μ項之製作方法 過渡金元素之氧化物為含有MnO、FeO、C〇0、P ，上逑 N^、_、_2、Fe2〇3、Cr2〇3、Cr()2D3〇4、 氧化物之組合體β 3寻、中住一種 34·如申請專利範圍第3〇項之製作方 1 明化物為含有1 4SM12、ZnSn03、SnZn204、Ζη2ΐη2〇5、Ζη(^3、 SnZr^O;、CdSb2〇6、GaIn〇3、MgIn〇4、z 二、 ，〇4(Mg'Ca、Sr、Ba)等其中任一種二物H rlSL 35.如申請專利範圍第31項之製作方法，其中， 述半導體氧化物薄膜中添加有鹼金屬或是第五族元素。 36‘如申請專利範圍第33項之製作方法，其中，’在上 述半導體氧化物薄膜中添加有鹼金屬或是第五族元素。 37. 如申請專利範圍第30項之製作方法，其争，’上述 透明導電氮化物為TMN、TMA1N、TMGaN或TMInN，其中TM為 過渡金屬元素》 38. 申請專利範圍第37項之製作方法，其中，上述透 明導電氮化物為 TiN、ZrN、TiAlN、ZrAlN、TiGaN、

   2001. 04.17. 021 第21頁 _案號89100791_年月曰_ 六、申請專利範圍 ZrGaN 、TiInN 或ZrlnN 。 1_

   第 22 頁 2001.04.17.022