A7 B7 經滴部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（1 ) 搿明昔兽 1 .發明領域 本發1明關係於一種用於半導體裝置的清洗液，使用於 生產半導體積體電路的方法中，更特別而言，關係一種 用於半導體裝置Μ除去在乾蝕刻後留下阻劑-留$ 6¾j 洗液。 2.相關技藝說明 半導體積體電路是根據如後之程序產生：一無機基底 被塗K光阻劑；光胆劑所成之圖紋經過曝光而顯像；形 成圖紋的光阻劑被用作阻罩，無機基底未被光阻劑遮罩 之部位被用反應性氣體乾蝕刻而後灰化；而阻劑殘留物 (保護用之澱積膜）留存於無機基底上者，從無機基底 上被除去。通常用一種含氯氣體乾式蝕刻塗於無機基底 上的光阻。阻劑殘留物是由光阻劑與含氯之反應性氣體 在乾蝕刻時作用而形成。保護用之澱積膜殘存於無機基 底上，構成不連續而且不正常的線路和種種困擾。因此 ，須要完全除去保護用之澱積膜。 Μ前曾用鹼清洗液作為除去阻劑殘留物之液體。鹼清 洗液之實例包括一種由氧化乙烯與醇胺或聚烷撐聚胺， 踽化合物，和二醇單烷基醚等所"加成生成物構成之清 洗液（日本公開專利昭62 ( 1 987 )-49355 );和一種Κ二 甲基亞踽為主成份與二乙烯二醇單烷基链和含氮之有機 羥化物為其他成份所構成的清洗液（日本公開專利昭 64(1989)-42653)。然而如上之各清洗液在使用當中因 -3- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.A7 B7 Printed by the Consumer Standards Cooperative of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Industry 5. Description of the Invention (1) 搿 明西 兽 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning solution for semiconductor devices, which is used to produce semiconductor integrated circuits The method, more specifically, relates to a cleaning device for semiconductor devices that removes the resist left behind after dry etching-leaving $ 6¾j of washing solution. 2. Relevant technical description The semiconductor integrated circuit is produced according to the following procedure: an inorganic substrate is coated with K photoresist; the pattern formed by the photobilitizer is developed after exposure; the photoresist forming the pattern is used As a mask, the part of the inorganic substrate that is not covered by the photoresist is dry-etched with a reactive gas and then ashed; and the resist residue (deposited film for protection) is left on the inorganic substrate Was removed. A photoresist coated on an inorganic substrate is usually dry-etched with a chlorine-containing gas. The resist residue is formed by the action of a photoresist and a reactive gas containing chlorine during dry etching. The deposited film for protection remains on the inorganic substrate, which constitutes discontinuous and abnormal circuits and various problems. Therefore, it is necessary to completely remove the deposited film for protection. Before, M had used an alkaline cleaning solution as a liquid to remove the residue of the resist. Examples of the alkaline cleaning solution include a cleaning solution composed of an addition product of ethylene oxide and an alcohol amine or a polyalkylene polyamine, a sulfonium compound, and a glycol monoalkyl ether (Japanese Laid-Open Patent Sho 62 (1 987) -49355); and a cleaning solution composed of K-dimethylene sulfonate as the main component and a diethylene glycol monoalkyl chain and a nitrogen-containing organic hydroxyl compound as other components (Japanese Laid-Open Patent Sho 64 (1989) -42653). However, the above cleaning solutions are in use because of -3- (Please read the precautions on the back before filling this page).
、1T 線 本紙張尺度適力]中國國家標埤（（:奶）六4規格（210'乂297公釐） A7 B7 經"部中决標準局員工消费合作社印？木 五、發明説明 ( 2 ) 1 為 吸 收 水 而 使 胺 析 離 並 變 為 鹼 〇 當 清 洗 水 進 行 而 不 用 1 1 例 如 醇 之 有 機 溶 劑 時 9 在 胆 劑 殘 留 物 清 除 之 後 9 所 用 之 1 1 水 在 1 清 洗 時 變 成 鹼 0 如 此 將 加 速 對 鋁 的 腐 蝕 > 鋁 為 形 成 /、 請 1 先 1 微 细 電 路 所 常 用 的 佈 線 材 料 〇 因 此 » 如 上 之 清 洗 液 不 適 閱 讀 於 用 作 新 近 需 要 嚴 格 精 度 的 微 细 结 構 製 作 〇 背 面 1 I 之 由 含 氟 化 合 物 之 水 溶 液 Λ 有 機 溶 劑 和 —* 種 腐 蝕 抑 制 注 意 1 I 劑 所 構 成 而 用 於 半 導 體 裝 置 的 清 洗 液 9 是 最 近 被 用 作 顯 項 1 I 再 I 示 有 除 去 阻 劑 殘 留 物 之 優 異 能 力 且 使 用 方 便 的 清 洗 液 填 寫 本 1 裝 (日本公開專利平7 (1995) -201 794和平8 (1996) -20205 )0 頁 '〆 1 I 然 而 9 乾 蝕 刻 之 條 件 繼 缠 趨 向 更 為 嚴 格 〇 例 如 t 含 1 1 氟 氣 體 加 至 含 氯 氣 體 而 用 於 乾 蝕 刻 t 和 高 密 度 電 漿 用 1 I 於 乾 触 刻 0 這 些 情 況 之 改 變 進 一 步 改 變 阻 劑 殘 留 物 中 的 1 訂 化 學 變 化 9 上 述 各 種 用 於 半 導 體 裝 置 的 清 洗 液 無 法 做 到 1 完 全 除 去 阻 劑 殘 留 物 〇 1 當 如 納 和 鉀 之 鹼 金 鼷 出 現 於 清 洗 液 中 9 金 屬 被 吸 收 於 1 | 基 底 的 表 面 上 〇 Μ 此 種 情 形 之 基 底 所 製 成 之 裝 置 f 因 為 1 1 出 規 衍 生 白 鹼 金 鼷 而 在 裝 置 内 移 動 的 活 動 離 子 * 裝 置 將 線 I 發 生 問 題 f 甚 至 在 低 溫 y 裝 置 的 性 質 仍 傾 向 於 劣 化 » 因 1 1 而 降 低 裝 置 的 效 率 〇 1 1 如 上 所 述 » 亟 需 一 種 清 洗 液 > 能 夠 在 半 導 體 積 體 電 路 I 的 生 產 佈 線 步 驟 中 9 於 乾 蝕 刻 和 灰 化 之 後 9 於 低 溫 快 速 1 1 而 完 全 除 了 遺 留 的 m 劑 殘 留 物 f 但 不 腐 蚰 佈 線 材 料 〇 1 1 m 明 概 沭 1 I 經 AM 18 本 發 明 人 等 積 極 研 究 Μ 謀 解 決 習 用 技 術 之 上 述 問 1 1 一 1 1 1 1 本紙張尺度適W中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） A7 B7 經漓部中央標率局負工消费合作社印來 五、發明説明 ( 3 ) 1 題 9 發 現 用 反 n*p 懕 性 氣 體 乾 蝕 刻 並 灰 化 之 後 所 遺 留 的 阻 劑 1 1 殘 留 物 赁 若 用 含 有 由 氟 化 合 物 和 大 量 可 溶 於 水 的 溶 劑 所 1 1 成 之 1 水 性 溶 液 作 為 半 導 體 裝 置 的 清 洗 液 ί 將 可 輕 易 清 除 請 1 先 1 而 不 致 腐 蝕 佈 線 材 料 〇 本 發 明 已 Μ 此 知 識 為 基 礎 而 完 成0 閲 1 ( 所 Μ 9 本 發 明 提 供 一 種 用 於 半 導 體 裝 置 的 清 洗 液 * 含 背 [ 之 有 0 . 1 至 10 重 量 % 之 氟 化 合 物 9 72 至 80 重 量 % 可 溶 於 水 注 意 1 I 之 有 機 溶 劑 和 餘 量 之 水 〇 事 項 1 I 再 1 圖而簡翬說明 4 寫 本 1 裝 第 1 圖 表 示 - 半 導 體 裝 置 的 剖 面 > 其 為 經 過 用 阻 膜 為 頁 -—， 1 I 罩 而 乾 蝕 刻 Μ 形 成 鋁 合 金 (A 1 - Si -Cu) 電 路 t 並 用 氧 電 漿 1 1 灰 化 〇 1 I 1 . 矽 基 底 1 訂 2 . 氧 化 物 膜 1 3 . 鈦 1 | 4 . 氮 化 钛 1 I 5 . 鋁 合 金 (Α 1- Si -Cu ) 電 路 1 1 6 . 阻 劑 殘 留 物 線 1 較 i 具 髒 例 說 明 1 1 氟. 化 合 物 Μ R * N F所代表之化合物， 其中R 代表氫原子 1 1 或有 1 至 4 個 碳 原 子 之 烷 基 0 氟 化 物 之 實 例 包 括 氟 化 I 銨 氫 氟 酸 酸 性 氟 化 緩 甲 基 胺 之 氟 化 氫 鹽 乙 基 胺 1 1 之 m Wl 化 氫 鹽 丙 基 胺 之 氟 化 氫 鹽 Λ 氟 化 四 甲 基 銨 和 氟 1 i 化 四 乙 基 銨 〇 在 這 些 化 合 物 中 9 氟 化 銨 和 氟 化 四 甲 基 銨 1 I 為 較 佳 > 而 氟 化 銨 為 更 佳 〇 氟 化 合 物 可 Μ m 獨 或 以 二 或 1 1 -5 - 1 1 1 1 本紙張尺度適川中國國家標缚（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印？木 五、發明説明 ( 4 ) 1 多 種 化 合 物 合 併 使 用 〇 氟 化 合 物 之 用 量 為 使 其 在 整 個 溶 1 1 液 中 之 濃 度 在 0 . 1 至 10 重 量 % 之 範 圍 内 9 較 佳 在 0 . 1 至 1 1 5 重 i 量 % 範 圍 內 9 更 佳 在 0 . 5 至 1 . 5 重 量 % 範 圍 内 〇 若 請 1 先 1 氟 化 合 物 之 量 超 過 Μ 上 之 範 圍 9 其 如 為 鋁 之 佈 線 材 料 將 閱 讀 發 生 腐 蝕 〇 如 氟 化 合 物 之 量 少 於 上 述 範 圍 > 清 除 阻 劑 殘 背 1 I 之 留 物 之 能 力 減 小 〇 所 9 ija, m 多 或 過 少 皆 非 所 宜 〇 意 1 1 可 溶 於 水 之 有 機 溶 劑 之 實 例 1 包 括 藤 胺 類 9 如 甲 贐 胺 事 項 1 I 再 1 I 單 甲 基 甲 醯 胺 二 甲 基 甲 醯 胺 乙 醯 胺 甲 基 乙 醯 胺 填 寫 本 1 裝 二 甲 基 乙 藤 胺 Λ 和 N- 甲 基 吡 咯 烷 嗣 醚 類 如 乙 烯 二 醇 頁 '—-· 1 I 單 甲 基 醚 二 乙 烯 二 醇 單 甲 基 醚 二 乙 烯 二 醇 單 丁 基 醚 1 1 二 乙 烯 二 醇 二 甲 基 醚 和 二 乙 烯 二 醇 二 乙 基 醚 * m 類 1 I 如 四 氫 瞎 吩 > 亞 m 類 如 二 甲 基 亞 δ風 * 和 醇 類 如 甲 醇 Λ 乙 1 訂 醇 異 丙 醇 乙 二 醇 和 丙 三 醇 0 在 這 些 可 溶 於 水 之 有 1 拠 m 溶 劑 中 > 二 甲 基 甲 醯 胺 二 甲 基 乙 醯 胺 Ν- 甲 基 吡 咯 1 | 烷 酮 和 二 甲 基 亞 fiJI 為 較 佳 0 可 溶 於 水 之 有 機 溶 劑 可 Μ 1 I 單 獨 或 以 二 或 多 種 合 併 使 用 〇 利 用 可 溶 於 水 之 有 機 溶 劑 1 1 之 量 為 使 其 在 整 個 溶 液 中 之 濃 度 在 72 至 80 重 量 範 圍 之 線 1 内 較 佳 在 72 至 75 重 量 % 之 範 圍 内 0 當 可 溶 於 水 之 有 機 1 [ 溶 劑 用 量 在 整 個 溶 液 中 少 於 72 重 量 % 時 j 佈 線 材 料 的 腐 1 1 蝕 增 加 〇 當 用 量 超 過 80 重 量 X 時 9 除 去 阻 劑 殘 留 物 的 能 I 力 很 差 〇 1 1 水 之 用 量 9 在 本 發 明 中 無 特 別 限 制 9 可 根 據 氟 化 合 1 1 物 和 在 水 中 可 溶 之 有 機 溶 劑 之 量 而 選 擇 〇 1 I 如 上 所 述 9 當 如 納 與 鉀 之 鹼 金 觴 出 規 於 清 洗 液 時 f 金 1 1 -6 一 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標碑.（（、NS ) Λ4規格（2丨OX297公釐） 經濟部中次標準局員工消费合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（5) 屬被吸收於基底之表面上，使裝置之性質產生缺點而趨 於劣化，裝置的效率降低。為求改進此等缺失，用於本 發明清!洗液之水、氟化合物、和可溶於水之有機溶劑， 最好先用離子交換瞑或離子交換樹脂處理，使在用於本 發明半導體裝置的清洗液中，驗金屬離子濃度降至0.5 ppm或更少。 本發明之半導體裝置清洗液，是用於清除阻劑殘留物 ，其為在用反應性氣體乾蝕刻塗於無機基底之光阻劑並 用電漿灰化之後所遺留。用本發明半専體裝置清洗液除 去PB劑殘留物，通常可Μ進行於室溫而可令人滿意，但 也可視需要加熱進行。作為本發明中所用之清洗液者， 醇類如甲醇、乙醇、和異丙醇均可使用。特純之水也可 單獨用作清洗液而無任何問題。或是，用Μ上之醇與特 純之水混合也可用作清洗液而無任何問題。如有需要， 本發明之清洗液中較佳加入表面活化劑，其如陽離子性 表面活化劑、陰離子性表面活化劑、和非離子性表面活 化劑。用於無機基底之腐蝕抑制劑，如蔗糖、餘糖醇、 聚酚、和第四銨鹽等，均可被加入而無任何問題。 本發明清洗液所施用之無機基底，包括例如半導體佈 線材料，如矽、a -矽、多晶矽、氧化矽膜、氮化矽膜、 鋁、鋁合金、钛、鈦-鎢、氮化钛、鎢、钽、氧化钽、 銀合金、鉻、氧化鉻、鉻合金、和ITO (絪錫氧化物） ;化合物半導體，如鎵-砷、鎵-磷、和絪-磷；以及玻 璃基底，如LCD (液晶顧示器）。 -7- 本紙張尺度適用中國國家標跨.（CNS ) Λ·4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\-° A7 B7 經濟-部中央標準局員工消贽合作社印？木 五、發明説明 ( 6 ) \ 總 括 本 發 明 之 各 項 優 點 本 發 明 用 於 半 導 體 裝 置 之 清 1 1 洗 液 在 用 反 應 性 氣 體 乾 蝕 刻 並 灰 化 之 後 9 可 以 輕 易 除 去 1 I 遣 留 之 胆 劑 殘 留 物 而 不 腐 蝕 及 於 佈 線 材 料 〇 '·~·Ν. 請 1 先 1 旃 例 閱 ! 1 I 本 發 明 參 考 如 下 各 實 施 例 而 作 更 為 詳 盡 之 說 明 〇 然 而 背 1 I 之 本 發 明 並 非 受 各 實 施 例 所 限 制 〇 意 1 1 實 施 例 1 至 11 事 項 1 I 再 1 1 種 鋁 合 金 (A 1 - Si -C u) 電 路 是 用 阻 膜 為 罩 而 施 行 乾 蝕 瑱 I 裝 本 刻 所 形 成 〇 所 成 電 路 用 氧 電 漿 灰 化 9 從 而 製 成 如 第 1 圖 頁 1 I 所 示 之 半 導 Μ〇3 體 裝 置 〇 在 半 導 體 裝 置 中 9 氧 化 物 膜 2 形 成 1 1 於 矽 基 底 1 上 〇 為 電 路 材 料 之 鋁 合 金 5 被 置 於 氧 化 物 膜 1 | 2 上 9 m 劑 殘 留 物 6 遺 留 在 兩 側 〇 钛 3 和 氮 化 钛 4 被 設 1 訂 置 成 為 隔 層 金 鼷 〇 1 Μ 上 所 製 成 之 半 導 體 裝 置 被 浸 入 用 於 半 導 體 裝 置 之 清 1 I 洗 液 其 組 成 和 條 件 均 見 於 表 1 〇 浸 入 之 後 9 裝 置 被 用 1 I 極 純 之 水 清 洗 並 予 乾 燥 〇 鋁 合 金 側 逢 阻 劑 殘 留 物 之 清 除 1 1 和 鋁 合 金 表 面 的 腐 蝕 用 電 子 顯 微 鏡 (SEM) 觀 察 測 定 〇 半 線 I 導 體 裝 置 清 洗 後 的 電 性 根 據 如 後 EBIC (E 1 e C t Γ 0 η Be am 1 1 I n d υ c e d C U Γ Γ e η t - 電 子 束 感 應 電 流 )之方法測試： 用電 1 1 子 束 掃 瞄 半 導 體 裝 置 表 面 » 流 經 裝 置 之 電 流 Μ 二 因 次 量 r 1 測 而 顯 示 一 影 像 而 偵 測 在 晶 圓 ( 晶 體 ) 中 的 疵 病 〇 若 疵 1 1 病 存 在 9 則 發 生 電 潛 移 ( 斷路 ) > 且 電 性 變 壞 0 因 此 9 1 1 若 無 疵 病 » 則 電 性 被 評 為 優 f 且 若 有 疵 病 則 電 性 被 評 1 | 為 不 良 〇 結 果 見 於 表 1 〇 1 1 - ί 一 1 1 1 1 本紙張尺度诚川中國國家標導（（〕NS ) Λ4規格（210X297公釐) A7 __B7_ 五、發明説明（7 ) 觀察之结果，表示如下： [胆劑殘留物之清除] 極優(：完全除去 佳： 近於完全除去 良： 尚存部份殘留物 不良：大部殘留物尚在 [腐蝕] 極優：無腐蝕發生 優： 稍有腐蝕發生 良： 有洞形或坑形腐蝕發生 不良：整個鋁電路表面粗糍，覺察/U-Si-Cu層有凹陷 清洗液中的鹼離子（Na+K)濃度根據無焰原子吸收光譜 測定。 „ 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經漪部中央標隼局賀工消费合作社印？木 -9- 本紙張尺度適州中國囤家標潭.（（-奶）厶4規格（210'乂297公釐） 五、發明説明（8 A7 B7 表1_1 丨 氟化合物 可溶於水之溶劑 添加劑 化合物 濃度 溶劑 濃度 濃度 (重量X ) (重量》：) 添加物 (重量ίϋ ) 實施例1 氟化銨 1.0 二甲基甲醯胺 72 一 - 實施例2 氟化銨 1.0 二甲基甲醯胺 72 TMAF 1 1.0 實施例3 氟化銨 1.0 N-甲基吡咯烷酮 74 - — 實施例4 氟化銨 1.0 N-甲基吡咯烷酮 72 非離子表 0.05 實施例5 氟化参安 3.0 二甲基甲醯胺 75 面活性劑 - 實施例6 氟化銨 1.0 二甲基乙醯胺 72 - — 實施例7 氟化鞍 1.0 二甲基亞硪 72 - - 實皰例8 氟化四甲基鈾 1.5 二甲基甲醯胺 78 - - 實胞例9 氟化銨 0.5 二甲基甲醯胺 76 一 - 實瞄例10 氟化按 0.5 H-甲基吡咯烷酮 77 — - 實施例11 氟化銨 1.0 二甲基甲醸胺 78 - ~ TMAF:甲酸四甲基銨鹽 ---^---r----批衣------1T .(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 經滴部中央標準局員工消费合作社印？水 本紙張尺度诮用中國國家榡彳（（'NS ) Λ4規格（210X297公釐） 332239 A7 B7 五、發明説明（9) 表1 -2 水 濃度 (重量《 ) 鹼離子 濃度 (ppm) 浸入 溫度 (V ) 條件 時間 阻劑殘留 物^清除 鋁合金 之腐蝕 電性 實施例1 27.0 0.2 23 5 極優 極優 優 實胞例2 26.0 0.1 23 5 極優 極優 優 實施例3 25.0 0.2 23 5 極優 極優 優 實腌例4 26.95 0.1 23 5 極優 極優 優 實施例5 22.0 0.05 23 5 極優 優 優 實施例6 27.0 0.1 23 5 極優 優 優 實施例7 27.0 0.2 23 5 極優 優 優 實拖例8 20.5 0.1 23 5 極優 極優 優 實施例9 23.5 0.05 23 10 極優 極優 優 實胞例10 22.5 0.3 23 10 極優 極優 優 實施例11 21.0 0.2 23 10 極優 極優 優 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝-, 1T line paper size is appropriate] Chinese national standard ((: milk) 6 4 specifications (210 '乂 297 mm) A7 B7 printed by the Consumer Cooperatives of the Ministry of Decision and Standards Bureau? Wood 5. Invention Description ( 2) 1 Isolate the amine and become alkaline in order to absorb water. 0 When washing water is performed without using 1 1 organic solvents such as alcohols 9 after the removal of bile residues 9 1 of 1 used water becomes alkaline during 1 washing 0 This will accelerate the corrosion of aluminum > Aluminum is formed /, please 1 First 1 Wiring materials commonly used for microcircuits ○ Therefore »The cleaning solution above is not suitable for use in the fabrication of microstructures that require strict precision recently. 0 1 I on the back It is composed of an aqueous solution of a fluorinated compound, an organic solvent, and-* corrosion inhibition. Note 1 I is a cleaning solution for semiconductor devices. 9 is recently used as a display item. 1 I Re-I shows the excellent ability to remove the residue of the resist and easy-to-use cleaning liquid. Fill in this pack (Japanese Patent Publication No. Hei 7 (1995) -201 794 and Hei 8 (1996) -20205) 0 page '〆1 I However 9 The conditions for dry etching tend to be more stringent. For example, t containing 1 1 fluorine gas is added to the chlorine gas for dry etching t and high density plasma with 1 I for dry contact 0 These changes further change the resist 1 Chemical change in the residue 9 The above-mentioned various cleaning liquids for semiconductor devices cannot be achieved 1 Complete removal of the resist residues 01 When alkali gold such as sodium and potassium appears in the cleaning liquid 9 Metals are absorbed in 1 〇 On the surface of the substrate, the device made by the substrate in this case f is a mobile ion that moves inside the device because of the 1 1 derivation of white gold tincture. The device has a problem with line I. The properties of low-temperature devices still tend to degrade »Reduced device efficiency due to 1 1 As mentioned above» Urgent need for a cleaning solution > Can be used for dry etching and graying in the production wiring steps of semiconductor integrated circuits I After the temperature change, the temperature is rapidly reduced to 1 1 at low temperature, and the remaining m agent residue f is completely removed, but the wiring material is not corroded. 0 1 1 m is not clear. 1 I AM 18 has been actively researched by the present inventors and others to solve the above problems of conventional technology. 1 1 1 1 1 1 1 This paper is suitable for China National Standards (CNS) Λ4 specifications (210X297 mm) A7 B7 Printed by the Central Standards Bureau of the Ministry of Standards and Labor Cooperatives. V. Description of invention (3) 1 question 9 It was found that the resist left after dry etching and ashing with an anti-n * p alkaline gas was used. 1 1 Residue was used as an aqueous solution containing 11% to 1% of a fluorine compound and a large amount of a water-soluble solvent. As a cleaning solution for semiconductor devices, it will be easy to remove 1 and 1 without corroding the wiring materials. The present invention has been completed on the basis of this knowledge. 0 (1) The present invention provides a cleaning solution for semiconductor devices * Contains 0.1 to 10% by weight of fluorine compounds 9 72 to 80% by weight Soluble in water Note 1 I organic solvent and the balance of water ○ Matter 1 I Re 1 Figure and brief explanation 4 Written book 1 Figure 1 shows the cross-section of a semiconductor device. It is formed by dry-etching M with a resist film as a sheet-, 1 I mask to form an aluminum alloy (A 1-Si -Cu) circuit t and using an oxygen plasma 1 1 ash. 〇1 I 1. Silicon substrate 1 Order 2. Oxide film 1 3. Titanium 1 | 4. Titanium nitride 1 I 5. Aluminum alloy (Α 1- Si -Cu) circuit 1 1 6. Resistant residue line 1 Compared with i, there are dirty examples 1 1 Fluorine. Compound represented by compound M R * NF, where R represents hydrogen atom 1 1 or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms 0 Examples of fluoride include fluorinated I ammonium hydrofluoric acid acidic fluorinated methylamine hydrogen fluoride salt ethylamine 1 1 mWl hydrogenated propylamine The hydrogen fluoride salts Λ tetramethylammonium fluoride and tetraethylammonium fluoride 1 Among these compounds, 9 ammonium fluoride and tetramethylammonium fluoride 1 I are preferred > and ammonium fluoride is more preferred. Fluorochemical compounds can be used in Mm alone or two or 1 1 -5-1 1 1 1 This paper size is suitable for China National Standards (CNS) Λ4 specifications (210X297 mm) A7 B7 Printed by the Consumers' Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs? Five. Description of the invention (4) 1 Multiple compounds are used in combination. The amount of fluorine compound is used so that its concentration in the whole solution is within the range of 0.1 to 10% by weight. 9 is preferably 0.1 to 1. 1 5 weight% in the range of 9% is more preferably in the range of 0.5 to 1.5% by weight. 0 If you request 1 first 1 the amount of fluorine compounds exceeds the range above M 9 if the wiring material is aluminum, it will cause reading corrosion. 〇If the amount of fluorine compound is less than the above range> The ability to remove the residues of 1 I from the resist is reduced. 9 9 ija, m is more or less is not desirable. 意 1 1 Water-soluble organic solvent Example 1 includes ratamines 9 such as formamide matters 1 I then 1 I monomethylformamide dimethyl formamide acetamide methyl acetamide Complete this 1 Pack of dimethyl ethenamine Λ and N-methylpyrrolidine Ethers such as ethylene glycol page'- · 1 I Monomethyl ether Diethylene glycol monomethyl ether Diethylene glycol monobutyl ether 1 1 Diethylene glycol dimethyl ether and diethylene glycol diethyl ether Ethers * m class 1 I such as tetrahydrophene > sub-m class such as dimethyl δδ * and alcohols such as methanol Λ ethyl 1 alcohol alcohol isopropyl alcohol ethylene glycol and glycerol 0 soluble in these Water is 1 拠 m in solvent> dimethylformamide dimethylacetamide N-methylpyrrole 1 | Alkanone and dimethylfiJI are preferred 0 Water-soluble organic solvents can be M 1 I is used alone or in combination of two or more. 0 The water-soluble organic solvent is used. The amount of 1 is such that the concentration in the whole solution is within the range of 72 to 80% by weight, preferably 72 to 75% by weight. Within the range of 0 when water-soluble organic 1 [the amount of solvent in the whole solution is less than 72% by weight When the wiring material is corroded 1 1 The corrosion is increased. 0 When the amount exceeds 80% by weight X 9 The ability to remove the residue of the resist I is poor. 1 1 The amount of water 9 is not particularly limited in the present invention. 1 The amount of the substance and the organic solvent soluble in water is selected. 0 I As described above. 9 When alkali gold such as sodium and potassium is produced in the cleaning solution. F Gold 1 1 -6 1 1 1 1 Paper size Applicable to Chinese national monuments. ((, NS) Λ4 specifications (2 丨 OX297 mm) Printed by the Consumer Cooperatives of the Intermediate Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs A7 B7 V. Description of the invention (5) It is absorbed on the surface of the substrate, so that The properties of the device are disadvantageous and tend to deteriorate, and the efficiency of the device is reduced. In order to improve these defects, the water, fluorine compounds, and water-soluble organic solvents used in the cleaning solution of the present invention are preferably treated with ion exchange rhenium or ion exchange resin, so that the In the cleaning solution of the device, the metal ion concentration was reduced to 0.5 ppm or less. The semiconductor device cleaning liquid of the present invention is used to remove resist residues, which are left after dry etching of a photoresist coated on an inorganic substrate with a reactive gas and ashing with a plasma. Removal of PB agent residues with the cleaning solution of the semi-corpus callosum device of the present invention can usually be performed satisfactorily at room temperature, but it can also be performed by heating if necessary. As the cleaning solution used in the present invention, alcohols such as methanol, ethanol, and isopropanol can be used. Ultra-pure water can also be used alone as a cleaning solution without any problems. Alternatively, it is also possible to use the alcohol on M mixed with special water without any problem. If necessary, a surfactant such as a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a nonionic surfactant is preferably added to the cleaning solution of the present invention. Corrosion inhibitors for inorganic substrates, such as sucrose, resitol, polyphenols, and fourth ammonium salts, can be added without any problems. The inorganic substrate to which the cleaning solution of the present invention is applied includes, for example, semiconductor wiring materials such as silicon, a-silicon, polycrystalline silicon, silicon oxide film, silicon nitride film, aluminum, aluminum alloy, titanium, titanium-tungsten, titanium nitride, and tungsten. , Tantalum, tantalum oxide, silver alloys, chromium, chromium oxide, chromium alloys, and ITO (rhenium tin oxide); compound semiconductors such as gallium-arsenic, gallium-phosphorus, and thorium-phosphorus; and glass substrates such as LCD ( LCD monitor). -7- This paper size is applicable to the Chinese national standard. (CNS) Λ · 4 size (210 X 297 mm) (Please read the precautions on the back before filling this page), \-° A7 B7 Central Ministry of Economy-Ministry Standard Bureau staff eliminate the cooperative seal? Five. Description of the invention (6) \ Summary of the advantages of the present invention. The invention is used for cleaning semiconductor devices. 1 1 The lotion can be easily removed after dry etching and ashing with a reactive gas. 9 I can remove the bile. The residue does not corrode and the wiring material. 0 '~~ · N. Please refer to the following examples 1 1 The present invention will be described in more detail with reference to the following embodiments. However, the present invention is not affected by 1 I Restrictions by each embodiment. Note 1 1 Examples 1 to 11 Matters 1 I and 1 1 aluminum alloy (A 1-Si-Cu) The circuit is dry-etched with a resist film as a cover. I was formed at the moment 〇The circuit was ashed with oxygen plasma 9 to make a semiconductive M03 device as shown in Figure 1 on page 1. In the semiconductor device 9 the oxide film 2 is formed 1 1 on the silicon substrate 1 0 the aluminum alloy as the circuit material 5 is placed on the oxide film 1 | 2 9 m agent residue 6 is left on both sides 0 titanium 3 and nitrogen Titanium 4 is set 1 and is set to become a barrier layer. The semiconductor device made on the gold substrate 1 is immersed in the semiconductor device. The cleaning liquid I composition and conditions are shown in Table 1. After the immersion, 9 devices are used. 1 I Wash with extremely pure water and dry it. ○ Removal of hindering agent residues on the side of aluminum alloy. 1 1 Observation and measurement of corrosion on the surface of aluminum alloy with electron microscope (SEM). Back EBIC (E 1 e C t Γ 0 η Be am 1 1 I nd υ ced CU Γ Γ e η t-Electron beam induced current) method test: Scan the surface of the semiconductor device with an electric 1 1 sub-beam »Flow through the device Current M The amount r 1 is measured and an image is displayed to detect a defect in the wafer (crystal). If the defect 1 1 exists, then an electrical latent shift (open circuit) occurs > and the electrical property is deteriorated 0 so 9 1 1 if No defects »The electrical properties are rated as excellent f and the electrical properties are rated as 1 if there is a defect. The results are shown in Table 1 〇1 1-ί 1 1 1 1 (() NS) Λ4 specification (210X297 mm) A7 __B7_ V. Description of the invention (7) The observation results are expressed as follows: [Removal of bile residues] Excellent (: Complete removal is better: Nearly complete removal is good: Some remaining residues are bad: Most of the residues are still in [corrosion] Excellent: No corrosion occurs Excellent: Slight corrosion occurs Good: Cavity or pit corrosion occurs Defect: The entire aluminum circuit surface is rough, perceive / The alkali ion (Na + K) concentration in the U-Si-Cu layer with a recessed cleaning solution was measured according to a flameless atomic absorption spectrum. „Gutter (please read the precautions on the back before filling this page) Printed by the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs, He Gong Consumer Cooperatives? Wood-9- This paper is a standard paper store in Shizhou, China. ((-Milk) 厶4 Specifications (210 '乂 297 mm) V. Description of the invention (8 A7 B7 Table 1_1 丨 Fluorine compounds soluble in water Solvent additives Compound concentration Solvent concentration (Weight X) (Weight) :) Additives (Weight ϋ) Example 1 Ammonium fluoride 1.0 dimethylformamide 72--Example 2 Ammonium fluoride 1.0 dimethylformamide 72 TMAF 1 1.0 Example 3 Ammonium fluoride 1.0 N-methylpyrrolidone 74-Example 4 Ammonium fluoride 1.0 N-methylpyrrolidone 72 Non-ionic Table 0.05 Example 5 Senan fluoride 3.0 Dimethylformamide 75 Surfactant-Example 6 Ammonium fluoride 1.0 Dimethylacetamide 72-- Example 7 Saddle fluoride 1.0 dimethyl sulfenium 72--blistering example 8 Tetramethyluranium fluoride 1.5 dimethylformamide 78--Cell example 9 ammonium fluoride 0.5 dimethylformamide 76 I-Practical Example 10 Fluorinated according to 0.5 H-methylpyrrolidone 77 —-Example 11 Ammonium fluoride 1.0 Dimethylformamide 78-~ TMAF: Tetramethylammonium formate --- ^ --- r ---- batch --------- 1T. (Please read the precautions on the back before filling in this Page) Printed by the Consumer Standards Cooperative Department of the Central Bureau of Standards of the Ministry of Economic Affairs of the People's Republic of China? The standard of water-based paper is Chinese national standard (('NS) Λ4 size (210X297 mm) 332239 A7 B7 V. Description of the invention (9) Table 1 -2 Water concentration (weight ") Alkali ion concentration (ppm) Immersion temperature (V) Condition time Resistor residue ^ Remove corrosion corrosion of aluminum alloy Example 1 27.0 0.2 23 5 Excellent Excellent Excellent Excellent Cell 2 26.0 0.1 23 5 Very good excellent example 3 25.0 0.2 23 5 Very good excellent example 4 26.95 0.1 23 5 Very good excellent example 5 22.0 0.05 23 5 Very good example 6 27.0 0.1 23 5 Very good example 7 27.0 0.2 23 5 Very good excellent example 8 20.5 0.1 23 5 Very good excellent example 9 23.5 0.05 23 10 Very good excellent example 10 22.5 0.3 23 10 Very good excellent example 11 21.0 0.2 23 10 extremely优 极 优优 (Please read the notes on the back before filling out this page).
、1T 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 體和並 導成洗 半組清 之之水 成具之 製所純 所其〜極 序，用 程液被 之洗置 同清裝 . 相之 ， 行置後 進裝之 所體入 例導浸 施半。 實於 2 4 上用表 至Κ入於 1 與浸見 例據，均 較根置件 比 裝條 本紙張尺度適州中國國家標啤（（，NS ) Λ4規格（210X 297公釐） A7 B7 B922S9 五、發明説明（10 ) 乾燥。用電子顯微鏡（SEM)觀察，測定鋁合金側邊阻劑 殘留物的清除，和表面的腐蝕。電性用根據上逑之方法 量測。结果見於表2 。 用SEM觀察之結果Μ與各實施例相同情形表示。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 線 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 -12- 表2-1 氟化合物 可溶於水之溶劑 添加劑 化合物 濃度 (重量3：) 溶劑 濃度 (重量ϋ：) 澹度 添加物（重量3：) 比較例1 氟化銨 1.0 - 一 - 比較例2 一 - 二甲基甲醯胺 72 - 比較例3 氟化銨 0.05 二甲基甲醢胺 72 - - 比較例4 氟化銨 0.03 二甲基乙藤胺 90 — — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 392239 五、發明説明（11) 表2-2 水 鹼離子 浸入條件 阻劑殘留 鋁合金 電性 濃度 濃度 溫度 時間 清除 之腐蝕 (重量S；) (ppm) (t) 比較例1 99.0 0.5 23 5 良 不良 不良 比較例2 28.0 0.7 23 5 不良 極優 不良 比較例3 27.95 0.6 23 5 良 優 不良 比較例4 9.97 0.9 23 5 良 優 不良 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 線 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 -13- 本紙張尺度洎用中國國家標啤（CNS ) Λ4規格（210X297公釐）、 1T Printed by the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs, Consumer Cooperatives and printed into the cleaned water of the Sekisui Factory. It is very polar, and washed with the process liquid and cleaned. , After the installation of the body into the case into the guide to dip the application of half. Actually, the table 2 and the table 2 are inserted into the table 1 and the dilemma are compared with the root pieces. The paper size is suitable for the state standard Chinese beer ((, NS) Λ4 size (210X 297 mm) A7 B7 B922S9 V. Description of the invention (10) Drying. Observation with an electron microscope (SEM) to determine the removal of the residue of the side inhibitor of the aluminum alloy and the corrosion of the surface. The electrical properties are measured according to the method described above. The results are shown in Table 2 The results observed by SEM are the same as those in the examples. (Please read the precautions on the back before filling out this page.) -Installation. Printed by the Consumer Standards Cooperative of the Central Standards Bureau of the Ministry of Economic Affairs. Table 2-1 Fluorine compound Water-soluble solvent additive Compound concentration (weight 3 :) Solvent concentration (weight ϋ :) Degree of addition (weight 3 :) Comparative Example 1 Ammonium fluoride 1.0-Mono-Comparative Example 2 Mono-Dimethyl Formamidine 72-Comparative Example 3 Ammonium Fluoride 0.05 Dimethylformamide 72--Comparative Example 4 Ammonium Fluoride 0.03 Dimethyletamine 90 — — This paper size applies to Chinese National Standard (CNS) A4 specifications ( 210 × 297 mm) 392239 V. Description of the invention (11) Table 2- 2 Water and alkali ion immersion conditions Resistant residual aluminum alloy Electrical concentration Concentration Temperature Time Elimination Corrosion (weight S;) (ppm) (t) Comparative example 1 99.0 0.5 23 5 Good and bad Comparative example 2 28.0 0.7 23 5 Bad pole Comparative example of good and bad 3 27.95 0.6 23 5 Comparative example of good and bad 4 9.97 0.9 23 5 Good and bad (please read the precautions on the back before filling this page). Packing. -This paper size uses Chinese National Standard Beer (CNS) Λ4 specification (210X297 mm)