TW391029B - Biased and serrated extension tube for ion implanter electron shower - Google Patents

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經济部中央榀卑^^工消炝合作=li印掣 A7 B7 五、發明説明（ί ) 〔相關申請案〕 以下之美國專利申請案係如同已完整敘述而以參照方 式併入於此：於1997年9月8日申請而標題爲“具有增強 二次電子發射之離子植入器電子簇射”之申請序號第 924,969號申請案。 〔發明領域〕 本發明槪括關於離子植入器之領域，更明確而言，係 有關於一離子植入器中之改良式電子簇射(shower)或泛射 (flood) 〇 〔發明背景〕 離子植入技術已成爲工業界於積體電路大規模製造中 以雜質摻雜半導體之較佳的技術。一種典型之離子植入器 包含三個部分或子系統：⑴用以輸出一離子束之一終端， (ii) 用以導引及調整由該終端所輸出的離子束之一束線，及 (iii) 含有欲由已調整後之離子束所植入的一半導體晶圓之一 末端站°該終端包括一源，一正電充電之離子束係由該源 所引出。該束線元件調整被引出之正電充電離子束於其朝 向欲作植入之晶圓的路徑之能量位準及聚焦。 使用該種離子植入器所遭遇到之一個問題係晶圓充電 (charging)。隨著正電充電之離子束係持續以衝擊該晶圓， 晶圓之表面可能累積不佳之過量正電荷。於晶圓表面之合 成電場將損壞在晶圓上之微電路。隨著被植入電路元件變 得愈小’所累積表面電荷之問題將變得更爲顯著，因爲較 小之電路元件係更易受到合成電場所造成之損壞。 -- 4 本紙张尺度適刖中國國家標率（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） Ί裝------訂-----> —線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（>) 使用該種離子植入器（尤其是於低能量應用時）所遭 遇到之另一個問題係，稱爲束“放大(bl0W-up)，，之一種現 象’其係有關於束中之類似（正電）充電離子彼此相互排 斥之傾向（亦習稱爲空間電荷效應）。此種相互斥力造成 應爲所需形狀之一束係由一所欲束線路徑而發散開β束放 大現象於高電流、低能量應用時尤其會造成問題，因爲於 束中之高密度離子（高電流）擴大離子相互排斥之力量， 且離子之小速度允許排斥力量更多的時間以作用於到達晶 圓前之離子上。 對於晶圓充電及束放大現象之一種習知解決之道係， 使用一電子或電漿簇射β該種簇射可亦稱作爲電子或電漿 泛射。電子與電漿簇射均產生低能量電子，且將此等電子 引入於該束中。電漿泛射產生一電漿於一電弧室中，且離 子束電位引出低能量電漿與電子於束中。電子簇射產生二 次（低能童）電子，其係用以增強該束，以降低空間電荷 (束放大）傾向以及晶圓充電效應。 —種典型的電子簇射器包括一目標室，二次電子係產 生於該目標室中’且該電子簇射器包括一連接於目標室下 游之伸長管。隨著離子束穿過該目標室，二次電子滲子且 部分地中性化該束。該部分中性化之束穿過該伸長管，且 朝向欲作植入之晶圓。所捕挺到之低能量電子因而中性化 該束之淨電荷，其依次降低隨著該離子束撞擊晶圓表面而 累積於晶圓上之正電荷β該中性化之束係亦較不似會遭受 有害的束放大特性》此種系統係揭示於Farley之美國專利 ___5__ 本紙張尺度適J1]中國國家榡率（CNS > A4規格（210X297公釐） ·； ΓΆ ^------ — 線 {对先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 好矛-部中决"4'·而^;工消於合作和卬繁 A7 _______________B7___ 五、發明説明（1 ) 第4,804,837號’其係讓渡給本發明之受讓人，且係以參照 方式而整體倂入於本文中β 一種典型之電子簇射器的伸長管係由石墨所作成，其 提供高能量一次電子至接地之一導電路徑，該高能量一次 電子係較佳被防止到達晶圓之表面。高能量一次電子否則 將係負電充電，並損壞該晶圓之表面。低能量二次電子係 較佳爲隨著離子束一起穿過該伸長管，以有利地中性化正 電之晶圖充電，而不會負電充電該晶圓。 然而，當該石墨伸長管係新的時，其提供一至接地之 高度導電分流路徑。緣是，即使低能量二次電子係分流至 接地，將此等被分流之電子移開而無法有效供應電荷中性 化二次電子。於該電子簇射器之操作行程，貫穿於其之離 子束衝擊欲作植入之晶圓，造成諸如光阻或矽或二氧化矽 之表面材料的一濺鍍效應。該光阻或其他材料係回濺鍍至 伸長管之內部表面，其係電子簇射器至晶圓之最接近部位 〇 在一薄層之光阻或其他材料係回濺鍍至伸長管之後， 很快地產生最佳之操作。因爲該管已變成稍微較不導電， 該管將由衝擊之電子而負電充電，且建立一電位障壁，以 防止低能量電子被分流至地β因此，低能量二次電子係隨 著離子束一起穿過該管，以達成其電荷中性化功能β然而 ，高能量一次電子持續被分流至地。是以，一伸長管在如 預期般操作之前，其必須使用一段··試運轉(break-in)~期 間。 —一_____6____ 本紙张尺度適州中國國家標準（CNS > A4規格（2丨0X297公釐） --------1¾------ΐτ-----:—線， (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（ψ) 然而，隨著操作持續，該伸長管之功效退化。隨著光 阻或其他材料之回濺鍍持續，該伸長管變得大爲電氣絕緣 。若該管變得充分地絕緣，即使高能量一次電子將係不良 地通過至晶圓。此外，撞擊伸長管之內部絕緣表面的高能 量一次電子將充電此表面。可能始於該管表面而非該室之 二次電子，因此顯出與該絕緣表面電位一致之能量位準。 隨著光阻或其他材料覆層持續地加厚，二次電子之能量位 準與電流密度因此漂移愈來愈高，建立更爲不良之高能量 二次電子。 一特定電子簇射器之功效性係部分取決於二次電子充 分供應之有效率產生，該等二次電子具有一致低且可預測 之能量位準。是以，本發明之一個目的係提供一種電子或 電漿簇射器伸長管，藉著提供於穿過在其之二次電子的能 量位準之較佳控制，其提高可利用於電荷中性化目的之二 次電子的數目，並同時確保二次電子能量位準係最小且爲 定値。 本發明之另一個目的係提供一種電子或電漿簇射器伸 長管，其可防止高能量一次電子到達晶圓之表面。 本發明之又一個目的係提供一種電子或電漿簇射器伸 長管，其使得回濺鍍污染之負面效應降至最小Λ 〔發明槪論〕 一種用於離子植入系統之電獎增強型電子簇射器係作 提供，其包括具有一可更換式石墨內部襯墊之一伸長管。 該內部襯墊係偏壓至高達伏特（大約爲-6伏特）之一低 ___2______ 本紙張尺度通州中國國家榇準（CNS>A4規格（210X297公釐） --------―装------1T-----Γ —線，. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經浐部屮央":蜱^^工消於合作衫卬" A7 _____ _B7_ 五、發明説明（4 ) 的負電位，以防止產生於電子簇射器目標室中之低能量二 次電子係自晶圓而分流開，並保持其可用於晶圓電荷中性 化。該電氣偏壓之內部表面係設有齒狀突起部，其包含交 替之面對晶圓表面與面對目標表面。於電子簇射器之操作 期間，其可能由晶圓濺鍍回之光阻或其他材料將聚集在面 對晶圖表面上，使得其爲不具導電性，而同時該面對目檫 表面維持潔淨且因此具導電性。該導電性之面對目標表面 可對於產生在電子簇射器中之高能量電子，提供至接地電 位之一分流（低電阻）路徑。 〔圖式簡單說明〕 第一圖係一離子植入系統之平面圖，其結合裉據本發

V ，明主旨所構成之一電子簇射器的一個實施例； 第二圖係第一圖之離子植入系統之電子簇射器的電氣 示意圖； 第三®係第二圖之電子簇射器之目標/管組件的截面 ren · DD * 第四圖係第三圖之目標/管組件之燈絲子組件的部分 截面圖，其係沿著第三圖之線4-4所取得； 夢五圖係第二圖之電子簇射器之氣體注入噴嘴的平面 圃， 第六圖係第五圖之氣體注入噴嘴的部分截面圖，其係 沿著第五圖之線6-6所取得： 第七圖係顯示出第六圖之躀嘴出口的方位以及第四圖 之燈絲子組件引出縫隙； ___________·_8___ 本紙張尺度通用中國國家橾準（CNS ) A4規格（2】0X297公釐） ---------1^------ΐτ-----:—線， (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ____B7 五、發明说明（石） ' 第八圖係第三圖之目標/管組件的部分截面圖；及一 ,第九圖係第三圖之伸長管的部分截面圖。 〔較佳實施例之詳細說明〕 參考圖式’第一圖揭示槪括以圖號10表示之一離子植 入器，其包含一終端12、一束線組件14、與一末端站16。 槪括而言，終端12輸出一離子束，該束線組件14調整離 子束之聚焦與能童位準，並將其導引朝向位在末端站16之 —晶圓W。 終端12包括一離子源18，其具有一室，來自一氣體 盒20之雜質氣體係注入於該室中。能量係施予至該可離子 化雜質氣體，以產生正電離子於該源室中。由高電應供應 器24所供電之一引出電極22係由該源室引出一正電離子 束26，且將所引出之離子加速朝向一質量分析磁鐵28。質 童分析磁鐵28作用爲，僅讓一適當之電荷質量比値之離子 通過至該束線組件14上。由質量分析磁鐵28所提供的束 路徑29之騰空，係由真空泵30所提供。 束線組件14包含一矩透鏡32、一法拉第旗（flag Faraday)34、一電子簇射器36、以及（可選用地）一離子束 加速/減束電極（未顯示於第一圖中）。矩透鏡32聚焦自 終端12所輸出之離子束，而法拉第旗34測童於系統設定 期間之離子束特性。該電子簇射器36包含本發明，係進_ 步解說於後。加速/減速電極係用以加速或減速被聚焦後 之離子束至一所需能量位準，此係在植入於末端站16之一 晶圖上之前。由束線組件14所提供之束路徑的騰空，係由 ____9__ 氏张尺度適/0¾國家標準（CNS > Α4規梢1 210X297公釐） " ----------装------ΐτ----- (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) M浐部中央榀卒而UT;消贽合作扣卬製 A7 B7 五、發明説明（^) 真空泵38所達成。 末端站16包括一碟40、一旋轉驅動機構42、與一線 性驅動機構44，複數個晶圖係安裝於碟40之上，旋轉驅動 機構42係用以施與旋轉運動至該碟，而線性驅動機構44 係用以施與線性運動至該碟β 一機械手臂46經由一負載鎖 室48而載負晶圓於該碟上。此系統之操作係由位在末端站 16之末端的一操作者控制站50所控制。 電子簇射器36係於第二至九圖中更詳細地顯示。第二 圖係電子簇射器36之一示意圖，其包含一加偏壓之磁性電 子反射器60與一目標/管組件62。目標/管組件62包含 一目標64與一伸長管66，於較佳實施例中，該目標64與 伸長管66均爲圓柱形之形狀。該目標64包括一燈絲子組 件67、一燈絲電極70、與一引出縫隙72，該燈絲子組件 67包含用以熱離子式放射一次電子之一燈絲68，而該燈絲 電極70係用以導引所放射之一次電子的軌跡。一氣體傳送 系統74注入諸如氬(Α)或氙(Xe)之惰性氣體供應至該目標子 組件64之內部，此係藉由閥76與氣體注入噴嘴77。氣體 注入噴嘴77與燈絲子組件67係附接至目標64，其在一切 口（cutout)之位置（第三圖）。 磁性電子反射器60係由一電源供應器PS1所設定至大 約爲-2500伏特(V)之一電壓電位，加偏壓後之反射器60可 防止高電流離子束吸引電子，藉以防止束放大。該加偏壓 之反射器的位置係遠離目標/管組件64且與其分離，此係 確保其電場不會負面影響一次電子軌跡，其藉著驅使一次 —----------10__ 本紙乐尺度適州中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------1T-------^ - . ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經浐部中戎«.^•/JU.T.消价合作ίι卬緊 A7 B7 五、發明説明（又） 電子進入伸長管66而朝向晶圓。於低的束能量時，該偏壓 可係免除（關掉）’以防止電子從該束而脫落。 一大約爲-12伏特（相對於燈絲電極70)之電源供應 PS2係供電該燈絲68，而一大約爲-300伏特之電源供應器 PS3係供電該燈絲電極70。因此，燈絲相對於接地電位係 大約爲-312伏特。引出縫隙72係電氣接地，而一-6伏特偏 壓電壓係藉著偏壓（齊納）二極體79而施加至目標64。此 等電壓電位差（其大小係僅爲舉例）之目的係相對於第三 圖而進一步解說如後。 第三圖顯示第二圖之目標/管組件62的一剖面圖。該 目標/管組件62之目標64包括一外層鋁殻80與一內層襯 墊82，該內層襯墊82係由諸如石墨之一非可氧化材料（不 能夠形成一絕緣氧化物）所構成，且界定出一電漿/二次 電子目標室84。目標/管組件之伸長管66亦包括一外層鋁 殼86 —內層石墨襯墊88，該內層石墨襯墊88係藉由諸如 螺絲89之固定物而附接至外層鋁殼86。離子束於其朝向欲 作植入之晶圓W的路徑上穿過目標64 (穿越入口縫隙90 抵達而穿越出口縫隙96離開）以及伸長管66 (穿越入口縫 隙94抵達而穿越出口縫隙96離開）。目標64與伸長管66 係藉著諸如螺栓98與軸環99之固定物而作固定地連接。 藉由連接線路100，二極體79 (參考第二圖）分別施加-6 伏特之偏壓電壓至目標與伸長管之內層石墨襯墊82與88。 目標/管組件62係附接至一水冷式支承架102，其係 藉由螺栓106而連接至一安裝板1〇4。水入口 107允許冷卻 ----；-------11__ 一 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐） #------1Τ------^ '- * (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 Β7 五、發明説明（？） 水之吸入至支承架102 (水出口係未作顯示）。絕緣物ι〇8 將目標管組件（-6伏特）自安裝板（電氣接地）作電氣隔 離。安裝板104提供可裝設目標/管組件於第—圖之離子 植入系統內的機構。 氣體注入噴嘴77與燈絲子組件67均係附接至目標64 。當衝擊目標64之內層石墨襯墊82時，燈絲子組件67產 生一次高能童電子’其引起二次低能量電子之發射β藉著 使由氣體注入噴嘴77所注入於室84內之氣體離子化，高 能置電子亦間接增強二次電子發射率。該氣體分子之離子 化產生一電漿，其提高內部石墨襯墊82之二次電子發射率 燈絲組件67係較爲詳細地顯示於第四圖。燈絲68係 由複數個鎢段所組成，其係端對端連接，且係由钽(Ta)腳 部所支承，鉅腳部係藉著固定物110所固定附接至一電氣 絕緣塊108。燈絲電極70係藉著固定物112所附接至絕緣 塊108，且引出縫隙72係由固定物114所附接至該絕緣塊 «透過連接器112與114，電力係由PS2 (第二圖）而提供 至燈絲68。藉由導線116與固定物112，PS2之負端（連接 器114)係亦連接至燈絲電極70。由石墨所構成之引出縫 隙72保持於電氣接地電位β 藉由熱離子式發射，燈絲68發射一次電子，其係由被 接地之縫隙72所引至室84 (第三圖）。此等高能量電子衝 擊目標64之內部石墨襯墊82之內表面118。於衝擊時，該 石墨襯墊之表面118發射出二次電子，其具有之能量係遠 12 本紙張尺度適/0中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） U3, - (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) . 好浐部中次打卑工消费合作私印^ A7 _______ B7___ 五、發明説明（〖σ ) 低於衝擊之一次電子。舉例而言，當通過由燈絲電極(-312 伏特)所提供之電場時，一次電子假定爲高達312電子伏特 (eV)之能量，而大部分被發射之二次電子僅占有低於20eV 之能童。不超過約6eV (與施加至目標64之內部襯墊82的 -6伏特電位一致）係藉由襯墊82所添加至二次電子位準。 以大約10至12伏特之離子束電位，二次電子具有一足夠 低至捕捉進該束之能量位準，且該二次電子係可與該束傳 輸朝向欲作植入之晶圓。 第四圖之燈絲組件67提供一聚焦機構，用以導引由燈 絲68所熱離子式發射之一次電子。該燈絲之端對端長度（ 2至3英吋）提供足夠之表面積，以產生適當供應之一次 電子。負電偏壓之燈絲電極70包含部位70A與70B，其圍 繞燈絲68且確保該燈絲僅遭遇於引出縫隙72之方向的一 電場。因此，燈絲電極70傾向聚焦一次電子爲朝向該電極 之中心，俾使其係透過接地之引出縫隙72的中心而引取至 室84內。於是，一次電子係直接聚焦於室84之石墨襯墊 82的內部表面118，而非係下游朝向晶圓（透過室出口縫 隙92)或係上游朝向該終端12 (透過室入口縫隙9〇)。是 以’較多之一次電子係導引至石墨內部表面118，此舉係改 善了二次電子產生之效率，且將一次電子漂移至室84之上 游或下游的負面效應降至最小。 除了改善二次電子產生之效率，本發明亦提供於所產 生之二次電子的能童位準上之較佳一致性^使用石墨作爲 室84之一可更換式內部襯墊，此舉可防止內部表面U8之 ---------13_____ 本紙张尺度適州中國國家標率（CNS ) A4規格（210x297公;ft ) ---------^------1T---^----.^ . ' · . -(锖先閲讀背面之注意事項再填寫本页) 經浐部中央工消费合作私印絮 A7 B7 _ 五、發明説明（Ο ) 化，若該內部表面係由鋁所構成時將會發生氧化之情形。 如是，由於衝擊之一次高能量電子所造成由石墨表面118 發射出之二次電子的能量位準係不會漂移向上，其歸因於 一氧化物覆層於表面上之未受控制的形成。反之，由表面 118所發射出之二次電子的能量位準通常假定爲與施加至石 墨內部襯墊之偏壓一致，其係在一二次電子正常分佈之內 ，並造成該二次電子之能量位準的較佳控制。此等低能童 電子係於室84內產生之電漿中成爲熱化，且係易於由束電 位所捕取》該等低能量電子具有一低的振盪振幅，且耗費 其大部分時間於該離子束核心中。 電漿係產生於室84中，以藉著由表面118引出二次電 子而提高二次電子發射率β電漿係由諸如氬(A)或氙(Xe)之 惰性氣體所產生，該惰性氣體係經由第五與六圖（亦參考 第二與三圖）之噴嘴77而注入於室84中，且係藉著與自 燈絲68所發射之高能量電子衝擊而離子化。該電漿圍繞該 離子束，並於電漿與室84內部表面118之間建立一被覆（ 參考第八圖）。 噴嘴77係由鋁所組成，且係藉由透過孔119安裝之固 定物而附接至切口 78 (第三圖）位置的目標64 ◊曲線之表 面120係與圖柱狀目標64結合。該噴嘴包括一流體入口 121與一流體出口 122，水可透過其而分別作提供及排出， 以提供於操作期間之一冷卻媒介。氣體係透過通路123而 提供，且係透過入口 124而注入至室84中》 入口 124之縱橫比（長度對直徑之比値）係大於5:1 ( —______L4__ 表紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -----------裝—I:----訂-----丨線q (誚先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 好免部中呔«:4'·而W.T.消炝合作社印1:1 A7 _ __B7____ 五、發明説明（A) 於較佳實施例中係大約爲10:1)，且入口 124係導引朝向 由燈絲68所發射之一次電子流。如第七圖中所示，入口 (124)係稍微向前指向，以大約10至30度之一角度Θ (較隹 爲15至25度）越過被接地之引出縫隙72。是以，一次電 子與氣體分子流係發射於相交在大約60至80度之一角度^ (較佳爲65至75度）的方向。該氣體入口（124)相對於一 次電子引出縫隙(72)之此一方位可確保氣體分子流與一次電 子流作最大地相交，該氣體分子流於離開入口 124時啓始 發射（以大約爲10度），且該一次電子流於離開縫隙72 時係亦發散。是以，該等氣體分子之離子化率係提高，造 成一提高之電漿密度以及於二次電子發射率之對應增高。 該二次發射率係亦藉著內部表面118之圓柱形表面積 而增強，該圖柱形表面積係遠大於表面118位在縫隙90與 92之徑向位置所能提供者，取代徑向超過者（第三圖）3 因爲縫隙90與92之半徑係大致小於圓柱形室84之半徑’ 該圓柱形室84之一端維持部分閉合，作用以保持電漿壓力 (及密度），以及防止該電漿被導至上游。出口縫隙92亦 防止來自晶圓W與碟40之濺鍍材料污染該室之內部。 於室84中之電漿增加的體積與密度造成介於該電漿與 室內部表面118之間一對應降低的距離d(第八圖）’因爲 一較高密度之電漿需有—較小之被覆以屏蔽一給定電位。 依據査爾德·隆格穆以爾(Child-Langmuir)定律’二次電子發 射率係隨著減小之距離d而增高。該二次電子發射率亦係 隨著增加之電漿密度與體積而增高，因爲增強之離子化造 ___________ 本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公麓） ---------¢------if-------線. . . .- - . (讀先aat*背面之注意事項真填寫本贳) A7 B7 -- _ 丨，，|· _ 画· - - — _· ' ~~ — ιι· III·.· I _____________ _ 五、發明説明（β) 成一次電子具有一較大機會以與一氣體分子碰撞。 第九圖係更爲詳細地顯示該伸長管66,其由圖柱狀鋁 殻86與圖柱狀內部襯墊88所組成，該襯墊88係由諸如石 墨之非氧化材料所構成。伸長管66將於目標64中產生之 一次高能量電子分流，並防止此等電子到達晶圓之表面^ 以此方式，伸長管66可防止一非所需之負電荷累積於晶圓 之表面。 內部石墨襯墊係設有齒狀部126。該等齒狀部126係由 分別面對第一與第二方向之交替相鄰的面對晶圓表面128 與面對目標表面130所構成。可能於植入系統操作期間由 晶圓W或碟40濺鍍回之光阻或其他材料，係集中於該等 面對晶圓表面128。經過一段時間，該等面對晶圓表面係變 得不具電氣傳導性。該等面對目標表面維持潔淨且因此具 導電性。具導電性之面對目標表面提供至接地之一分流（ 低電阻）路徑予於電子簇射器中產生之高能量電子β如於 本文中所使用，“齒狀”與“齒狀部”係用以泛指具有面 對晶圓表面與面對目標表面二者之一表面，例如一V字形 、波浪形、或階梯狀之表面。 除了該等齒狀部126之外，因爲該管係連接至目標64 ，其亦係由齊納二極體79所偏壓至-6伏特》以一低的負電 位來偏壓該伸長管66,可防止由電子簇射器產生之低能量 二次電子被晶圓所分流出去，且可保持其係可用於晶圓電 荷中性化，即使當該電子簇射器係首次使用時。該已偏壓 之管因此不需一段在搡作穩定之前的時間，而若該管未作 ------10_ 本紙張尺度適州中國阐家標準（CNS > Α4現格（210X297公釐） -------Γ--裝 J-------訂-----1 線 1 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 _______________ _B7_ _ 五、發明説明（θ) 偏壓時則將需要該段時間。 本發明亦提供一種電漿增強型電子簇射器，其係易於 在其使用壽命過程中裝新設備。目標/管組件62之目標64 與伸長管66二者均係分別設有內部石墨襯墊82與88，其 在維修操作期間係可易於更換。參考第三圖，伸長管66可 藉著移去螺栓98與環管99而自目標64所卸下。燈絲組件 67可自其位在目標64之切口 78位置處所移除。在伸長管 與燈絲組件作移除時，內部襯墊82可於出口縫隙92之方 向而滑出鋁殻80。接著，一新的襯墊可係安裝至鋁殻80 β 此外’藉著移去螺絲89，伸長管66自目標64被卸下 時，內部襯墊89可於入口縫隙94之方向而滑出鋁殻86。 一新的內部襯墊89可接著係安裝至鋁殼86,且係以螺絲 89而固定至定位。重新排列之伸長管66可接著藉由螺栓 98與環管99而重新附接至重新排列之目標64 ,以完成該 目標/管組件之裝新設備過程。 是以，一種用以增強二次電子產生之改良式離子植入 器電子簇射器的一較佳實施例已作描述。然而，對前述說 明了然於心後，可瞭解的是，此說明僅係以實例作成，本 發明係不侷限在本文所述之特定實施例，在未偏離隨後申 請專利範圍及其等效者所界定之發明範疇下，不同之重新 排列、修改、及替代均可關於前述說明而作實行。 17 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) 裝 訂 本紙張尺度適州中國國家標率（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央楳率局負工消费合作社印装 A8 ϋ __D8 六、申請專利範圍 1 · 一種用於離子植入系統（10)中之電子簇射器(62)的 、伸長管(66) ’該伸長管包含外部表面（86)與一內部表面 (88) ’該內部表面係電氣偏壓並且具有一第一組表面（128) 與一第二組表面(130) ’第一組表面大致面對於一第一方向 .而第二組表面大致面對於一第二方向。 2 .如申請專利範圍第1項之伸長管(66)，其中該內， 部表面(88)係齒狀A 3 .如申請專利範圍第1項之伸長管(66)，其中該內 部表面係偏壓至約-6伏特^ 4 ·如申請專利範圔第1項之伸長管(66)，其中該肉 <----- 部表面(8汾係由石墨組成β 5 ·如申請專利範圍第4項之伸長管(66)，其中該外 部表面(86)係由鋁組成。 6 ·如申請專利範圍第4項之伸長管(66) *其中該石 墨1¾部表面包含一可替換之內部石墨襯蟄β 7 ·如申請專利範圔第6項之伸長管(66)，其中該可 碧換之內部石、墨襯墊(88)係藉由固定物(89)所固定至該外部 表面(86)。 8. · —種用於離子植入系統(10)之電子簇射器(62)，包 弇’· ⑴一目標(64)，提供具有一入口縫隙(90)與一出口縫隙 (92)之一室(84)，透過此目標，一離子束可自百標上游通過. 至目標下游而朝向欲作植入之一晶圓；及 (ii)—伸長管(66)，連接至該目標(64) ’該伸長管包含一 _____1___；_ 本紙张凡交逋用中國國家梂隼（CNS > A4规格（210X297公釐） . ;---f 裝-T-------訂-----1線 i (請先閲讀背面之注意事項再埃寫本頁) 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印装 Μ ce D8 六、申請專利範圍 外f表面(86)與一內部表面(88)，該內部表面係電氣偏壓並 具具有交替之面澍晶圓表面(128)與面對目標表面(13〇)。 9 .如申請專利範圔第8項之電子簇射器(62)，其中 該內部表面(88)係齒狀。 1 0 .如申請專利範圍第8項之電子簇射器(62)，其 中該內‘表面係偏壓至-6伏特。 1 1,.:如申請專利範圍第8項之電子簇射器(62)，其. 中該內部表面(88)係由石墨組成。 1 2 ·如申請專利範圔第1 1項之電子簇射器(62)， .其中該外部表面(86〉係由鋁組成》 1 3 ·如申請專利範圔第1 1項之電子簇射器(62)， 其中該石墨內部表面包含一可替換之内部石墨襯墊。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項之電子簇射器(62)， 其中該可替換之內部石墨襯墊(88)係藉由固定物(89)所固定 至該外部表面(86)。 ·一種於離子植入器電子簇射器之目標/管組件 (62)中裝ίΗ申長管(66)的方法，該組件包含一目標(64)與附 接至其之伸長管(66)，伸長管(66)具有至少部分由一可替換-之內部襯墊(88)所界定之一內部，該方法包含步驟： ,⑴自該伸長管(66)卸下目標(64)以露出內部襯墊(88); (ii)自該伸長管移去內部襯墊； Jiii)安裝一替換之內部襯墊於該伸長管中；且 Civ)重新附接該目標(64)至伸長管(66)，其具有安裝於 ...其I內之替換內部襯墊。 ^____2___ ^紙張又度逋用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐) 7 一 裝一：-------訂-----1 線 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) B8 Ο D8 六、申請專利範圍 j 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該內部 襯墊與替換之內部襯墊係由石墨組成。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之方法，其中該移去 及安裝体長管內部襯墊之步驟分別包含鬆開及旋緊固定物 (89)之步驟，固定物(89)將內部襯墊固定至伸長管。 -------7--:裝丨丨~----訂-----^-線-;· (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印装 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）